JPH09169976A - 液晶素子及び液晶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 カイラルスメクチック液晶を用いてなる液晶
素子において、ブックシェルルあるいはそれに近い傾き
角の小さな構造を発現し、高コントラスト、高輝度の液
晶素子を実現し、高信頼性、温度安定性を実現する。 【解決手段】 少なくとも一方の基板にポリイミドから
なる厚みが２００Å以下の配向制御層を設け、カイラル
スメクチック液晶として、スメクティックＣ相を持ち、
且つ該スメクティックＣ相の上限温度から１５℃低い温
度におけるティルト角の大きさが３０°以上である、フ
ルオロカーボン末端部分中に少なくとも一つの連鎖中エ
ーテル酸素を含むフッ素含有液晶化合物を含有する液晶
組成物を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフラットパネルディ
スプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンター
等に用いられるライトバルブに使用される液晶素子及び
それを使用した液晶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から最も広範に用いられてきている
ディスプレイとしては、ＣＲＴが知られている。ＣＲＴ
は、テレビやＶＴＲなどの動画出力、あるいはパソコン
のモニターとして広く用いられている。しかしながら、
ＣＲＴはその特性上、静止画像に対してはフリッカや解
像度不足による走査縞等が視認性を低下させたり、焼き
つきによる蛍光体の劣化が起こったりする。また、最近
ではＣＲＴが発生する電磁波が人体に悪影響を与えるこ
とが分かり、ＶＤＴ作業者の健康を害する恐れがある。
そして、構造上、画面後方に広く体積を有するため、オ
フィス、家庭の省スペース化を阻害し、ひいては、高度
情報社会におけるディスプレイとしての責任を果たし得
ない可能性がある。

【０００３】このようなＣＲＴの欠点を解決するものと
して液晶表示素子がある。例えばエム・シャット（Ｍ．
Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅ
ｌｆｒｉｃｈ）著”アプライド・フィジックス・レター
ズ”（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ”）第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）
第１２７頁〜１２８頁において示されたツイステッド・
ネマティック（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）液晶
を用いたものが知られている。ひとつにはコスト面で優
位性を持つ単純マトリクスタイプの液晶素子がある。こ
の液晶素子は画素密度を高くしたマトリクス電極構造を
用いた時分割駆動の時、クロストークを発生する問題点
があるため、画素数が制限されていた。また、応答速度
が数十ミリ秒以上と遅いため、ディスプレイとしての用
途も制限されていた。近年このような単純マトリクスタ
イプのものに対して、ＴＦＴといわれる液晶素子の開発
が行われている。このタイプは一つ一つの画素にトラン
ジスタを作成するため、クロストークや応答速度の問題
は解決される反面、大面積になればなるほど、不良画素
なく液晶素子を作成することが工業的に非常に困難であ
り、また可能であっても多大なコストが発生する。

【０００４】このような従来型の液晶素子の欠点を改善
するものとして、液晶が双安定性を示すような液晶素子
の使用がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガウェル（Ｌ
ａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている。（特開昭５
６−１０７２１６、米国特許第４３６７９２４号明細
書）この双安定性を示す液晶としては、一般にカイラル
スメクティックＣ相またはカイラルスメクティックＨ相
を呈する強誘電性液晶が用いられている。この強誘電性
液晶は、自発分極により反転スイッチングを行うため、
非常に早い応答速度からなる上にメモリー性のある少な
くとも二つの安定状態を発現させることができる。さら
に視野角特性も優れていることから、高速、高精細、大
面積の表示素子あるいはライトバルブとして適している
と考えられる。また、最近では、チャンダニ、竹添らに
より、３つの安定状態を有するカイラルスメクティック
反強誘電液晶素子も提案されている（ジャパニーズ ジ
ャーナル オブ アプライド フィジックス（Ｊａｐａ
ｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ）２７巻、１９８８年Ｌ７２９頁）。

【０００５】このようなカイラルスメクティック液晶素
子においては、例えば「強誘電液晶の構造と物性」（コ
ロナ社、福田敦夫、竹添秀男著、１９９０年）に記載さ
れているように、ジグザグ状の配向欠陥が発生してコン
トラストを著しく低下させるという問題があった。この
欠陥は、上下一対の基板間に担持されたカイラルスメク
ティック液晶の層状構造が２種類のシェブロン状の構造
を形成していることに起因している。最近、低コントラ
ストの原因であるシェブロン構造を解消し、ブックシェ
ルフといわれる層状構造（以下該構造をブックシェルフ
と記す）あるいはそれに近い構造を現出させ、高コント
ラストを実現しようという動きがある（例えば「次世代
液晶ディスプレイと液晶材料」（株）シーエムシー、福
田敦夫編、１９９２年）。ひとつには、ナフタレン系液
晶材料を用いる方法があるが、この場合、ティルト角が
１０°程度であり、理想的な最大の透過率を得られる２
２．５°と比べ非常に小さく、低透過率という問題があ
り、さらにはブックシェルフ構造を温度に対して可逆的
に現出させることができないという問題もある。今一つ
の代表的な例としてはシェブロン構造を取っている液晶
素子に外部から高電場を加えてブックシェルフ構造を誘
起する方法があるが、この方法も温度等の外部刺激に対
しての不安定性が問題となっている。これらのブックシ
ェルフタイプのものに関してはいまだ発見されたばかり
であり、実用に供するためにはこの他にさまざまな問題
が存在する。

【０００６】更にブックシェルフあるいはそれに近い構
造をもつ液晶としてパーフルオロエーテル側鎖をもつ液
晶性化合物（米国特許５，２６２，０８２、国際出願特
許ＷＯ９３／２２３９６、１９９３年第４回強誘電液晶
国際会議Ｐ−４６、ＭａｒｃＤ．Ｒａｄｃｌｉｆｆｅ
ら）が開示されている。この液晶は、電場等の外部場を
用いずともブックシェルフあるいはそれに近い層傾き角
の小さな構造を現出することができ、高速、高精細、大
面積の液晶素子、表示装置に適している。しかしなが
ら、液晶素子のスピード、配向、コントラスト、駆動安
定性等の面でさらなる改良が求められている。しかも諸
特性それぞれの改善はもちろんのこと、より高性能化へ
向けて、複数特性の改良が求められている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ブッ
クシェルフ或いはそれに近い層傾き角の小さい液晶構造
を有する配向状態を示し、高速、高コントラスト、大面
積、高精細、高輝度、高信頼性であり、且つそれらの構
造及び特性が広い温度範囲にわたって、温度変化の履歴
が現れない液晶素子、及び、該液晶素子を用いて高輝
度、高コントラストの液晶装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題を解決すべく下記第一及び第二の液晶素子が提供され
る。

【０００９】本発明の第一の液晶素子は、少なくとも電
極を有する一対の基板間に少なくとも二つの状態を示す
液晶を挟持した液晶素子であって、少なくとも一方の基
板に厚みが２００Å以下の配向制御層を有し、且つ上記
液晶が、フルオロカーボン末端部分及び炭化水素末端部
分を有し、該両末端部分が中心核によって結合され、ス
メクティック中間相又は潜在的スメクティック中間相を
持つフッ素含有液晶化合物群を７０重量％以上含有する
液晶組成物であり、該フッ素含有液晶化合物のうち、フ
ルオロカーボン末端部分中に少なくとも一つの連鎖中エ
ーテル酸素を含む化合物を組成物総量中の比率で３０重
量％以上含有し、少なくとも一種以上の、スメクティッ
クＣ相を持ち、且つ少なくとも該スメクティックＣ相の
上限温度から１５℃低い温度におけるティルト角の大き
さが３０°以上である、フルオロカーボン末端部分中に
少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有
液晶化合物を組成物総量中の比率で５重量％以上含有す
ることを特徴とする。

【００１０】本発明の第二の液晶素子は、少なくとも電
極を有する一対の基板間に少なくとも二つの状態を示す
液晶を挟持した液晶素子であって、少なくとも一方の基
板にポリイミドからなる配向制御層を有し、且つ上記液
晶が、フルオロカーボン末端部分及び炭化水素末端部分
を有し、該両末端部分が中心核によって結合され、スメ
クティック中間相又は潜在的スメクティック中間相を持
つフッ素含有液晶化合物群を７０重量％以上含有する液
晶組成物であり、該フッ素含有液晶化合物のうち、フル
オロカーボン末端部分中に少なくとも一つの連鎖中エー
テル酸素を含む化合物を組成物総量中の比率で３０重量
％以上含有し、少なくとも一種以上の、スメクティック
Ｃ相を持ち、且つ少なくとも該スメクティックＣ相の上
限温度から１５℃低い温度におけるティルト角の大きさ
が３０°以上である、フルオロカーボン末端部分中に少
なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液
晶化合物を組成物総量中の比率で５重量％以上含有する
ことを特徴とする。

【００１１】また、本発明によれば上述した第一乃至第
二の液晶素子を備えた液晶装置が提供される。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明者等は、鋭意検討を重ねた
結果、一対の基板に少なくとも電極と配向制御層を有
し、これら基板間に液晶を挟持した液晶素子において、
液晶として、前述したようなフルオロカーボン末端部分
中に少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素
含有液晶化合物であって、ティルト角がある一定以上の
値となるスメクティックＣ相を示すフッ素含有液晶化合
物を含む特定の処方のカイラルスメクティック液晶組成
物を用い、且つ、少なくとも一方の基板において該液晶
に対する配向制御層として厚みが２００Å以下の薄膜乃
至はポリイミド膜を適用することで、非常に高速の応答
性を実現し、且つブックシェルフ或いはそれに近い層傾
き角の小さな構造の液晶配向状態を発現せしめ、高速、
高コントラスト、高輝度なカイラルスメクティック液晶
素子の特性の実現を可能とし、特に、広い温度範囲にわ
たってそれらの構造及び特性に関して、温度変化の履歴
が生じない、高い信頼性、駆動安定性が付与されること
を見出した。

【００１３】本発明における液晶のティルト角につい
て、図８を参照して説明する。本発明において液晶、特
に強誘電性を示すカイラルスメクティック液晶では、液
晶分子は複数のスメクティック液晶層８２を形成し、さ
らに一液晶分子は状態８１，８１’をとる。かかる二つ
の状態の液晶分子のなす角度を２θとして規定される角
度θをティルト角とする。

【００１４】そして、本発明で定義されるスメクティッ
クＣ相を示すフッ素含有液晶化合物単独のティルト角と
は、その化合物がカイラル化合物ではない場合に限って
は、下記構造式Ａに示されるカイラル化合物を１〜３重
量％、具体的には１重量％、２重量％、３重量％ドープ
して得られる各組成物のティルト角から、カイラル化合
物が含まれない、即ち、カイラル化合物の比率が０％と
した時の、上記カイラル化合物ではないフッ素含有液晶
化合物単体でのティルト角を推算し、その値を該フッ素
含有液晶化合物特有のティルト角とする。

【００１５】

【化８】

【００１６】本発明の液晶素子の一構造例を、図１を参
照して説明する。

【００１７】当該液晶素子は、２枚のガラス、プラスチ
ック等からなる基板２を備えており、これらの基板の表
面には所定のパターン状に透明電極３がそれぞれ形成さ
れている（図では詳細なパターン形状については省
略）。この透明電極３は、Ｉｎ₂Ｏ₃ ・ＳｎＯ₂ 或いは
ＩＴＯ（インジウム ティン オキサイド：Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の薄膜からなっている。

【００１８】透明電極３は、必要に応じて絶縁膜（図示
せず）を介して配向制御層４によって被覆されている。

【００１９】そして、これら一対の基板間に、後述する
フッ素含有液晶化合物を必須成分とするカイラルスメク
ティック相を呈する液晶組成物１が挟持されている。

【００２０】配向制御層４は、少なくとも一方の基板上
に形成することが必要である。かかる配向制御層４の材
料としては、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化アルミ
ニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウ
ム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化
物、ホウ素窒化物などの無機物質やポリビニルアルコー
ル、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリエステル、ポ
リアミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシレン、ポ
リカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリビニルク
ロライド、ポリスチレン、ポリシロキサン、セルロース
樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂などの
有機物質が用いられる。

【００２１】かかる配向制御層の形成方法としては、例
えば基板上（透明電極や絶縁層上）に溶液塗工又は蒸着
或いはスパッタリング等により、上記材料を被膜形成し
た後、必要に応じて所定の配向処理を施す。かかる配向
処理としては、例えば、被膜表面をビロード、布、紙等
の繊維状材料で摺擦（ラビング）する処理が用いられ
る。また、配向制御層の形成方法としてＳｉＯ等の酸化
物或いは窒化物などを基板の斜め方向から蒸着する、斜
方蒸着法なども用いられ得る。

【００２２】また、上記配向制御層とは別に一対の基板
のショート防止層としての絶縁層や他の有機物層、無機
物層が形成されていてもよい。５がシール剤で一対の基
板の周縁部において、これらを接着固定している。ま
た、かかる一対の基板は偏光板８により挟持され、さら
に一方の外面に光源９が配置されている。かかる構成に
なる液晶素子は、信号電源からのスイッチング信号に応
じてスイッチングが行われ、表示素子等のライトバルブ
として機能する。また、透明電極３を上下クロスにマト
リクス構造とすば、パターン表示、パターン露光が可能
となり、例えばパーソナルコンピューター、ワードプロ
セッサー等のディスプレイ、プリンター用ライトバルブ
として用いられる。

【００２３】一方、一対の基板２の間には、スペーサー
（不図示）が散布されており、これによって両基板を所
定間隔に、好ましくは挟持されるカイラルスメクティッ
ク相を呈する液晶が少なくとも二つの安定状態をとるべ
く５μｍ以下、より好ましくは０．５〜３μｍ程度に保
持する。

【００２４】本発明の液晶素子では、フッ素含有液晶化
合物を含有する液晶組成物を最適に配向制御すべく、好
ましくは、特に初期配向性を良好にすべく、一対の基板
の夫々における配向処理を無処理を含め異なったものと
する。例えば、上記の例においては、一方の基板側にラ
ビング処理を施した配向制御層４を設け、他方の基板に
一方の基板と同材料又は異種材料からなる膜であってラ
ビング処理がなされていない配向制御層４を設ける。

【００２５】特に、本発明で用いられるフッ素含有液晶
化合物を必須成分として含有する液晶は、コレステリッ
ク相が無い場合がある。特にこの場合、降温下で液晶が
等方相からスメクティック相に移転するため、一対の基
板の夫々で異なる配向制御をしてなる構成、特に、一方
の基板においてのみ一軸配向処理を施した構成におい
て、等方相から液晶相への相転移温度でバトネと言われ
る液晶の核が一軸配向制御層側から発生し、徐々に核が
もう一方の配向制御層側へスムーズに成長していく。こ
のため最終的に基板間で液晶がより均一に配向し、駆動
上においても良い特性を発現する。

【００２６】本発明の液晶素子では少なくとも一方の配
向制御層（４）の厚みを前述したように２００Å以下と
する。特に広い温度範囲で良好な駆動特性、高い信頼
性、駆動安定性を得られる点で配向制御層４の厚みは１
００Å以下が好ましい。５０Å以下であるとき、さらに
好ましい。

【００２７】この厚みの範囲の理由としては、一つに
は、配向制御層の誘電率が確保され自発分極による反電
場の緩和が促進され、いわゆるスイッチング不良が改善
される。本発明で用いるカイラルスメクティック相を示
す液晶化合物の場合、良好且つ、高速のスイッチング特
性が望まれる際、自発分極が１０ｎＣ／ｃｍ² 以上にな
る場合が多いので、この面でも効果がある。また、配向
制御層を薄膜化することにより、電極と配向制御層界面
で起きる接触帯電が抑制されるため、帯電によるスイッ
チング異常及び配向異常を抑制できる点があると考えら
れる。この点は一対の基板で異なる配向処理をしてなる
素子構成において特に大きな効果がある。

【００２８】もしくは、少なくとも一方の配向制御層
（４）として、ポリイミド膜を用いることが好ましい。

【００２９】その形成方法としては、例えば通常基板上
に溶液塗工により、ポリイミド前駆体であるポリアミッ
ク酸を被覆形成した後、加熱処理し、ポリイミド被膜と
する。さらにかかる被膜の表面をビロード、布或いは紙
等の繊維状のもので摺擦（ラビング）することによりポ
リイミド配向制御層が得られる。

【００３０】本発明ではポリイミド配向制御層を有し、
一対の基板の夫々に異なる配向処理が施される構成の素
子中に前記フッ素含有液晶化合物を必須成分とするカイ
ラルスメクティック液晶組成物を用いた時、非常に広い
温度範囲で良好な駆動特性を有し、高い信頼性、駆動安
定性の良好な素子とすることが可能である。特に好まし
くは、一方の基板において、薄膜（好ましくは２００Å
以下）のポリイミドにラビング処理を施したものを用
い、他方は異なる材料の配向制御層を用いることで、最
も安定した配向制御能及び駆動特性を得ることができ
る。配向制御層として特性における観点から用いられる
ポリイミドの具体的な構造としては、以下の一般式（Ｉ
ＩＩ）で表される繰り返し単位からなるポリイミドが好
ましい。

【００３１】一般式Ｐ（ＩＩＩ） （−Ｋ−Ｐ¹−Ｌ⁵−Ｍ¹−（Ｌ⁶）_e−Ｐ²−）

【００３２】

【化９】 または炭素数１から２０のアルキレン基を表し、Ｐ¹，
Ｐ²はイミド結合を表す。Ｍ¹は単結合または−Ｏ−を表
し、ｅは０，１，２を表す。）

【００３３】また、これらのポリイミドの具体的構造と
してはたとえば以下の繰り返し単位構造が挙げられる。

【００３４】

【化１０】

【００３５】

【化１１】

【００３６】本発明の液晶素子において用いる液晶組成
物は、前述したようにフルオロカーボン末端部分及び炭
化水素末端部分を含み、該両末端部分が中心核によって
結合されており、スメクティック中間相又は潜在的スメ
クティック中間相を持つフッ素含有液晶化合物群を主成
分として含有する。特に本発明において、かかる組成物
は、ブックシェルフ構造或いはそれに近い層傾き角の小
さな構造を安定的に現出させるためには、該化合物群を
組成物の総量中７０重量％以上含有する。

【００３７】本発明の液晶素子で液晶組成物の主成分と
して用いるフッ素含有液晶化合物の構造において、一般
的には、前記中心核は、少なくとも二つの芳香環、脂肪
族環、又は置換芳香族環、置換複素芳香族環から選ば
れ、これら環は、互いに−ＣＯＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｈ
Ｃ＝Ｎ−、−ＣＯＳｅ−からなる群より選ばれる官能基
によって結合されていてもよい。これらの環は、縮合し
ていても、縮合していないくても良い。複素芳香族環中
のヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる少なくとも
一つの原子を含む。脂肪族環中の隣接していないメチレ
ン基はＯによって置換されていても良い。

【００３８】ここで言う潜在的スメクティック中間相を
持つ化合物とはそれ自身でスメクティック中間相を示し
ていなくても、スメクティック中間相を持つ化合物又は
他の潜在的スメクティック中間相を持つ化合物との混合
物において、適当な条件下スメクティック中間相を発現
する化合物を言う。

【００３９】本発明では、さらに液晶組成物中に、フル
オロカーボン末端部分及び炭化水素末端部分を含み、該
両末端部分が中心核によって結合されており、スメクテ
ィック中間相又は潜在的スメクティック中間相を持つ化
合物であって、且つ該フルオロカーボン末端部分中に少
なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液
晶化合物（パーフルオロエーテル液晶性化合物）を、好
ましくは米国特許第５，２６２，０８２、国際出願特許
ＷＯ９３／２２３９６，１９９３年第４回強誘電液晶国
際会議Ｐ−４６（Ｍａｒｃ Ｄ．Ｒａｄｅｌｉｆｆｅ
ら）に記載された化合物を、ブックシェルフ或いはそれ
に近い層傾き角の小さな構造をより安定的に現出するた
めに組成物総量中３０重量％以上、さらに好ましくは５
０重量％以上含有させる点で特徴的である。

【００４０】本発明において、液晶組成物中に主成分と
して配合する前記フッ素含有液晶化合物、特に組成物の
総量中３０重量％以上の量で配合するフルオロカーボン
末端部分中に少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を含
むフッ素含有液晶化合物として、好ましくは該フルオロ
カーボン末端部分が、−Ｄ²−（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ
_yaＦ_2ya+1で表わされる基、〔但し、上記式中ｘｂはそ
れぞれの（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、
ｙａは、１〜１０であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ²
は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ
_rcＨ_2rc−、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ
_2rd−、−Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ
_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＳＯ₂−、−
Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−、単結合から選
ばれ、ｒｃ及びｒｄはそれぞれ独立に１〜２０であり、
ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）に独立に１〜１０
であり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４である。〕
であるような化合物を用いることができる。

【００４１】さらにフルオロカーボン末端部分に少なく
とも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶化
合物として、より好ましくは下記一般式（ＩＩ）で表さ
れるものが用いられる。

【００４２】

【化１２】 を表わす。

【００４３】ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３
の整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２であ
る）を表わす。

【００４４】夫々のＬ³、Ｌ⁴は独立に、単結合、−ＣＯ
−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂）_ka−（ｋａは１〜
４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−
Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂−、−ＣＯ−
又は−Ｏ−を表わす。

【００４５】夫々のＸ²、Ｙ²、Ｚ²はＡ⁴、Ａ⁵、Ａ⁶の置
換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−ＣＦ₃、−Ｏ−Ｃ
Ｆ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
ｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。

【００４６】Ｊ²は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−
Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−
Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd−、−Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−
ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）
−ＳＯ₂−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−
であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２０であり、ｓａは
それぞれの（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であ
り、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４である。

【００４７】Ｒ⁴は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa−Ｃ_qd
Ｈ_2qd+1、−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−Ｃ
_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶を表わ
し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ
⁶は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qdＨ
_2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−ＮＯ₂、−ＣＮ、又
は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に１〜２０の整
数、ｗａは１〜１０の整数である）。

【００４８】Ｒ⁵は、（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ
_2ya+1で表わされる（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの
（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは１
〜１０であり、ｚａは１〜１０である）。

【００４９】上記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物
は、国際公開ＷＯ９３／２２３９６、特表平７−５０６
３６８号公報に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。

【００５０】

【化１３】

【００５１】

【化１４】

【００５２】

【化１５】

【００５３】

【化１６】

【００５４】

【化１７】 本発明においては、液晶組成物中に上記フルオロカーボ
ン末端部分中に少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を
含むフッ素含有液晶化合物であって、スメクティックＣ
相を持ち、且つ少なくとも該スメクティックＣ相の上限
温度から１５℃低い温度におけるティルト角の大きさが
３０°以上である化合物を５重量％以上用いる点で特徴
的である。該化合物は本発明で用いる液晶組成物におい
て特徴的に層構造の温度履歴、即ち層構造の温度に対す
る安定性を向上させる。従って、かかる化合物を含有す
る組成物を用いた液晶素子では、広い温度範囲にわたっ
て温度履歴が生じずに、安定してブックシェルフ構造、
或いはそれに近い層構造が保たれ、且つ、双安定性が良
好な配向状態が得られ、高速駆動、高輝度、高コントラ
ストで高信頼性が確保される。

【００５５】かかるスメクティックＣ相を持ち、且つ少
なくとも該スメクティックＣ相の上限温度から１５℃低
い温度におけるティルト角の大きさが３０°以上であ
る、フルオロカーボン末端部分中に少なくとも一つの連
鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶化合物のカイラ
ルスメクティック液晶組成物中に含有される割合は特性
における効果を鑑みて組成物中５重量％以上であり、よ
り好ましくは１０重量％以上である。

【００５６】上記特定のティルト角を示す少なくとも一
つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶化合物と
しては、例えば前記一般式（ＩＩ）の化合物であって、
Ｒ⁴が−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc −Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、−
Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ の化
合物を使用することが好ましい。具体的には、例えば、
以下のものが挙げられる。

【００５７】

【化１８】

【００５８】本発明においてカイラルスメクティック液
晶組成物に、フッ素含有液晶化合物として特徴的に用い
られる、フルオロカーボン末端部分中に少なくとも一つ
の連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶化合物、特
にスメクティックＣ相を持ち、且つ少なくとも該スメク
ティックＣ相の上限温度から１５℃低い温度におけるテ
ィルト角の大きさが３０°以上である化合物の他に、こ
れらパーフルオロエーテル液晶性化合物との相溶性が良
好であるという観点でフルオロカーボン末端部分として
パーフルオロアルキルを有するフッ素含有液晶化合物を
用いることができる。該フッ素含有液晶化合物として好
ましくは、フルオロカーボン末端部分が、−Ｄ¹−Ｃ_xa
Ｆ_2xa−Ｘで表わされる基、〔但し、上記式中ｘａは１
〜２０であり、Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表わし、Ｄ¹は、−
ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−、−
（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−
（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−Ｏ−（ＣＨ₂）_rb
−、−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1）−ＳＯ₂−、又
は−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1）−ＣＯ−を表わ
す。ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であり、ｐａは０
〜４である。〕であるような化合物（パーフルオロアル
キル化合物）が用いられる。

【００５９】上記パーフルオロアルキル化合物としてよ
り好ましくは。下記式（Ｉ）で表わされるものが用いら
れる。

【００６０】

【化１９】 を表わす。

【００６１】ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数
（但し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表
わす。

【００６２】夫々のＬ¹とＬ²は独立に、単結合、−ＣＯ
−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−
ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔ
ｅ−ＣＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡
Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、
−Ｏ−ＣＨ₂−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。

【００６３】夫々のＸ¹、Ｙ¹、Ｚ¹はＡ¹、Ａ²、Ａ³の置
換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ
₂を表わし、夫々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の
整数を表わす。

【００６４】Ｊ¹は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ
−（ＣＨ₂）_ra−、−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂−、
−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂）
_ra−Ｏ−（ＣＨ₂）_rb−、−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ
_2pa+1）−ＳＯ₂−、又は−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ
_2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１
〜２０であり、ｐａは０〜４である。

【００６５】Ｒ¹は、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｏ−Ｃ_qbＨ
_2qb+1、−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−Ｃ_qaＨ_2qa−
Ｒ³、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｒ³、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−
Ｒ³、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｒ³を表わし、直鎖
状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ³は、−
Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−
Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−ＮＯ₂、−ＣＮを表わ
し、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０である）。

【００６６】Ｒ²はＣ_xaＦ_2xa−Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ又
は−Ｆを表わし、ｘａは１〜２０の整数である）。

【００６７】上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、
特開平２−１４２７５３号公報、米国特許第５，０８
２，５８７に記載の方法によって得ることができる。か
かる化合物の具体例を以下に列挙する。

【００６８】

【化２０】

【００６９】

【化２１】

【００７０】

【化２２】

【００７１】

【化２３】

【００７２】

【化２４】

【００７３】

【化２５】

【００７４】

【化２６】

【００７５】

【化２７】

【００７６】

【化２８】

【００７７】

【化２９】

【００７８】

【化３０】

【００７９】

【化３１】

【００８０】本発明で用いる液晶組成物では、さらにフ
ッ素含有液晶化合物以外の他の構成成分として、配合制
御等を考慮してパーフルオロカーボン鎖を持たない、い
わゆるハイドロカーボンタイプの液晶性化合物を配合せ
しめることが可能である。そして本発明で用いる液晶組
成物には少なくとも一種の光学活性化合物を配合する。

【００８１】さらにその他の構成成分としてのパーフル
オロカーボン鎖を持たない、いわゆるハイドロカーボン
タイプの液晶性化合物の具体例として、以下の構造のも
のが挙げられる。

【００８２】

【化３２】

【００８３】

【化３３】

【００８４】

【化３４】

【００８５】

【化３５】

【００８６】

【化３６】

【００８７】

【化３７】

【００８８】

【化３８】

【００８９】

【化３９】

【００９０】

【化４０】

【００９１】

【化４１】

【００９２】

【化４２】

【００９３】

【化４３】

【００９４】

【化４４】

【００９５】

【化４５】

【００９６】

【化４６】

【００９７】

【化４７】

【００９８】

【化４８】

【００９９】さらに光学活性化合物の具体例としては以
下の構造のものが挙げられるが本発明はこれらに限定さ
れるものではない。

【０１００】

【表１】

【０１０１】

【表２】

【０１０２】

【表３】

【０１０３】

【表４】

【０１０４】

【表５】

【０１０５】

【化４９】

【０１０６】

【化５０】

【０１０７】

【表６】

【０１０８】

【表７】

【０１０９】

【表８】

【０１１０】

【表９】

【０１１１】

【表１０】

【０１１２】

【化５１】

【０１１３】

【化５２】

【０１１４】

【化５３】

【０１１５】

【化５４】

【０１１６】

【化５５】

【０１１７】

【化５６】 Ｄ−１：ｎ＝６，２Ｒ，５Ｒ Ｄ−２：ｎ＝６，２Ｓ，５Ｒ Ｄ−３：ｎ＝４，２Ｒ，５Ｒ Ｄ−４：ｎ＝４，２Ｓ，５Ｒ Ｄ−５：ｎ＝３，２Ｒ，５Ｒ Ｄ−６：ｎ＝２，２Ｓ，５Ｒ Ｄ−７：ｎ＝２，２Ｒ，５Ｒ Ｄ−８：ｎ＝１，２Ｓ，５Ｒ Ｄ−９：ｎ＝１，２Ｒ，５Ｒ

【０１１８】

【化５７】 Ｄ−１０：ｎ＝１ Ｄ−１１：ｎ＝２ Ｄ−１２：ｎ＝３ Ｄ−１３：ｎ＝４ Ｄ−１４：ｎ＝６ Ｄ−１５：ｎ＝１０

【０１１９】

【化５８】 Ｄ−１６：ｎ＝８ Ｄ−１７：ｎ＝１０

【０１２０】

【化５９】

【０１２１】

【化６０】

【０１２２】

【化６１】

【０１２３】

【化６２】

【０１２４】

【化６３】

【０１２５】

【化６４】

【０１２６】また、本発明で用いるカイラルスメクティ
ック液晶組成物中には、その他の化合物、例えば染料、
顔料、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加物も含むこと
が可能である。

【０１２７】本発明の液晶素子は種々の機能をもった液
晶装置を構成するが、図２、図３に示した走査線アドレ
ス情報をもつ画像情報なるデータフォーマット及びＳＹ
Ｎ信号による通信同期手段を取ることにより液晶表示装
置を実現する。図中の符号はそれぞれ以下の通りであ
る。

【０１２８】 １０１ カイラルスメクティック液晶表示装置 １０２ グラフィックコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査線駆動装置 １０５ 情報線駆動装置 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生装置 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生装置 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ

【０１２９】画像情報の発生は、本体装置側のグラフィ
ックコントローラ１０２にて行われ、図２及び図３に示
した信号転送手段にしたがって表示パネル１０３へと転
送される。グラフィックコントローラ１０２は、ＣＰＵ
（中央演算処理装置、ＧＣＰＵと略す。）及びＶＲＡＭ
（画像情報格納用メモリ）１１４を核にホストＣＰＵ１
１３と液晶表示装置１０１間の画像情報の管理や通信を
つかさどっている。尚、該表示パネルの裏面には、光源
が配置されている。

【０１３０】本発明の表示装置は表示媒体である液晶素
子が前述したように良好なスイッチング特性を有するた
め、優れた駆動特性、信頼性を発揮し、高精細、高速、
大面積の表示画像を得ることができる。

【０１３１】本発明の液晶素子の駆動法としては、例え
ば特開昭５９−１９３４２６号公報、特開昭５９−１９
３４２７号公報、特開昭６０−１５６０４６号公報、特
開昭６０−１５６０４７号公報などに開示された駆動法
を適用することができる。

【０１３２】図６は、上記駆動法の波形図の一例であ
る。また、図５は、マトリクス電極を配置したカイラル
スメクティック液晶パネルの一例の平面図である。図５
の液晶パネル５１には、走査電極群５２の走査線と情報
電極群５３のデータ線とが互いに交差して配線され、そ
の交差部の走査線とデータ線との間にはカイラルスメク
ティック液晶が配置されている。

【０１３３】図６（Ａ）中のＳ_Ｓは選択された走査線に
印加する選択走査波形を、Ｓ_Ｎは選択されていない非選
択走査波形を、Ｉ_Ｓは選択されたデータ線に印加する選
択情報波形（黒）を、Ｉ_Ｎは選択されていないデータ線
に印加する非選択情報信号（白）を表わしている。ま
た、図中（Ｉ_Ｓ−Ｓ_Ｓ）と（Ｉ_Ｎ−Ｓ_Ｓ）は選択された
走査線上の画素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉ_Ｓ−Ｓ
_Ｓ）が印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（Ｉ
_Ｎ−Ｓ_Ｓ）が印加された画素は白の表示状態をとる。

【０１３４】図６（Ｂ）は図６（Ａ）に示す駆動波形
で、図４に示す表示を行ったときの時系列波形である。

【０１３５】図６に示す駆動例では、選択された走査線
上の画素に印加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔ
が書込み位相ｔ_２の時間に相当し、１ラインクリヤｔ_１
位相の時間が２Δｔに設定されている。

【０１３６】さて、図６に示した駆動波形の各パラメー
タＶ_Ｓ，Ｖ_Ｉ，Δｔの値は使用する液晶材料のスイッチ
ング特性によって決定される。

【０１３７】図７は後述するバイアス比を一定に保った
まま駆動電圧（Ｖ_Ｓ＋Ｖ_Ｉ）を変化させた時の透過率Ｔ
の変化、即ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここでは
Δｔ＝５０μｓｅｃ、バイアス比Ｖ_Ｉ／（Ｖ_Ｉ＋Ｖ_Ｓ）
＝１／３に固定されている。図７の正側は図６で示した
（Ｉ_Ｎ−Ｓ_Ｓ）、負側は（Ｉ_Ｓ−Ｓ_Ｓ）で示した波形が
印加された後の最終的な状態の透過率を示す。正側は前
状態が黒（透過率が小さい状態）であり、負側は前状態
が白（透過率が大きい状態）であり、いずれもリセット
により白状態になる。

【０１３８】ここで、Ｖ_１，Ｖ_３をそれぞれ実駆動閾値
電圧及びクロストーク電圧と呼ぶ。また、Ｖ_２＜Ｖ_１＜
Ｖ_３の時Ｍ２（Ｖ）＝（Ｖ_３−Ｖ_１）／（Ｖ₃＋Ｖ₁）を
電圧マージンパラメータと呼び、マトリクス駆動可能な
電圧幅のパラメータとなる。Ｖ_３はカイラルスメクティ
ック液晶表示素子駆動上、一般的に存在すると言ってよ
い。具体的には、図６（Ａ）（Ｉ_Ｎ−Ｓ_Ｓ）の波形にお
けるＶ_Ｂによるスイッチングを起こす電圧値である。勿
論、バイアス比を大きくすることによりＶ_３の値を大き
くすることは可能であるが、バイアス比を増すことは情
報信号の振幅を大きくすることを意味し、画質的にはち
らつきの増大、コントラストの低下を招き好ましくな
い。

【０１３９】我々の検討ではバイアス比１／３〜１／４
程度が実用的であった。ところで、バイアス比を固定す
れば、電圧マージンパラメータＭ２（Ｖ）は液晶材料の
スイッチング特性及び素子構成に強く依存し、Ｍ２
（Ｖ）の大きい素子がマトリクス駆動上非常に有利であ
ることは言うまでもない。

【０１４０】また、同様に上述した電圧を一定に保ち、
電圧印加時間Δｔを変化させていくことにより、駆動を
することも可能である。上述した電圧をそのまま電圧印
加時間とすればよく、その際電圧印加時間閾値をΔｔ₁
とし、電圧印加時間クロストーク値をΔｔ₂とし、（Δ
ｔ₂−Δｔ₁）／（Δｔ₂＋Δｔ₁）＝Ｍ２（Δｔ ）を電圧
印加時間マージンパラメータという。

【０１４１】この様なある一定温度において、情報信号
の２通りの向きによって選択画素に「黒」及び「白」の
２状態を書き込むことが可能であり、非選択画素はその
「黒」又は「白」の状態を保持することが可能である電
圧マージンまたは電圧印加時間マージンは液晶材料及び
素子構成によって差が有り、特有なものである。また、
環境温度の変化によっても駆動マージンはズレていくた
め、実際の表示装置の場合、液晶材料、素子構成や環境
温度に対して最適な駆動条件にしておく必要がある。

【０１４２】

【実施例】以下実施例により本発明をさらに詳細に説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。

【０１４３】実施例で用いた化合物を以下に記載する。

【０１４４】

【化６５】

【０１４５】

【化６６】

【０１４６】また、上記化合物の内、フルオロカーボン
末端部分及び炭化水素末端部分を含み、該両末端部分が
中心核によって結合されており、スメクティック相又は
潜在的スメクティック相を持つ（特にスメクティックＣ
相を持つ）フッ素含有液晶化合物で、且つ、該フルオロ
カーボン末端部分中に少なくとも一つの連鎖中エーテル
酸素を含む化合物は、化合物〜の４つである。

【０１４７】さらに、これら４つのフッ素含有液晶化合
物のスメクティックＣ相の上限温度から１５℃低い温度
におけるティルト角の大きさについて測定した。

【０１４８】具体的には化合物〜の夫々について前
記した構造式Ａで表されるカイラル化合物を１重量％、
２重量％、３重量％ドープして３種の組成物を調製し、
これら組成物をＩＴＯからなる電極を備えた一対の基板
を約１μｍのギャップを隔てて対向させた空セルに注入
して素子を作成した。

【０１４９】続いて、素子中の液晶組成物の温度をスメ
クティックＣ相の上限温度から１５℃低い温度に設定
し、±３０〜±５０Ｖ、１〜１００ＨｚのＡＣ（交流）
を各液晶素子の上下基板間に電極を介して印加しなが
ら、直交クロスニコル下、その間に配置された液晶素子
を偏光板と平行に回転させると同時に、フォトマル（浜
松フォトニクス（株）製）で光学応答を検知しながら、
第１の消光位（透過率が最も低くなる位置）及び第２の
消光位を求めた。そしてこの時の第１の消光位から第２
の消光位までの角度の１／２をティルト角θとし、カイ
ラル化合物１重量％、２重量％、３重量％を夫々ドープ
した組成物についてのティルト角の値からカイラル化合
物が０％とした時のティルト角を外挿して求め、フッ素
含有液晶化合物単体のティルト角とした。

【０１５０】各化合物のティルト角について下記表１１
に示す。

【０１５１】

【表１１】

【０１５２】本発明における最も特徴的であるスメクテ
ィックＣ相を持ち、且つ該スメクティックＣ相の上限温
度から１５℃低い温度におけるティルト角の大きさが３
０°以上である、フルオロカーボン末端鎖中に少なくと
も一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶化合
物としては、化合物、が相当する。

【０１５３】［実施例１］所定パターンを有するＩＴＯ
付きガラス基板（１．１ｍｍ厚）にナイロン６，６の蟻
酸溶液をスピンコートした後乾燥し、厚さ５０Åの膜を
成膜した。かかるナイロン膜にラビング処理を施した。
一方ＩＴＯパターンを有する別のガラス基板にシランカ
ップリング剤（オクタデシルトリエトキシシラン）をス
ピンコートした（厚み約２０Å）。続いて熱処理した基
板にシリカビーズスペーサー（平均粒径約２μｍ）を散
布した。

【０１５４】これら２枚の基板をＩＴＯ側（ナイロン膜
及びシランカップリング剤側）を対向面としてセルギャ
ップ約１．８μｍの液晶セルを形成した。

【０１５５】一方、上記化合物を用いて、下記の組成
（重量部）でカイラルスメクティック液晶組成物を調整
した。

【０１５６】

【表１２】

【０１５７】これら組成物の夫々を等方相の状態にて上
述した液晶セル（空セル）に注入し、カイラルスメクテ
ィック相を示す温度域まで徐冷せしめ（０．５℃／
分）、液晶素子（サンプル１−１〜１−３）を形成し
た。

【０１５８】かかる液晶素子について、液晶組成物の２
５℃の注入直後の配向性、透過率（Ｔ％）、コントラス
ト（Ｃ／Ｒ）、温度履歴を受けない温度幅、即ち上述し
た特性（特にコントラスト）がほぼ保たれる温度幅（Ｏ
Ｋ幅と呼ぶ）を下記のように評価した。

【０１５９】配向性…前述したセルに対する液晶組成物
の注入及び冷却（降温速度０．５℃／分）後における液
晶の配向状態を観察して、ランダム配向領域が存在しな
いものを”良い”とした。

【０１６０】透過率…光電子増倍管（浜松フォトニクス
社製）を用い、クロスニコル下において得られた液晶素
子サンプル（セル）を配置し、さらに光源（バックライ
ト）を配置し、該液晶素子を介したバックライト光と、
直接のバックライト光（クロスニコル下）の透過強度を
測定し、その比率を透過率とした。

【０１６１】コントラスト…クロスニコル下の液晶素子
に対して、図６に示すような駆動波形を用い、バイアス
比１／３．０、駆動電圧（Ｖ_S ＋Ｖ_I ）を１０Ｖとし
て、２５℃で駆動を行い、白表示及び黒表示の際の透過
率を測定しコントラストを評価した。尚、一定の光量の
光源を用い、特に液晶素子を無電界印加時の一方の消光
位（透過率が最も低くなる位置）にクロスニコル間で配
置した上で上記の駆動を行った。

【０１６２】温度履歴を受けない温度幅…液晶素子につ
いて室温でコントラストを測定した後、１℃／分で液晶
組成物を冷却し、所定温度に到達させ１時間放置した
後、昇温して室温に戻して再度コントラストを測定す
る。そして、降温後の温度を変えてこの操作をくり返
し、初期の室温でのデータ及び降温及び昇温後の再度測
定したデータが２０％以上の差異を生じるような温度
（冷却後の温度）と、スメクティックＣ相／Ａ相の相転
移点との温度幅を温度履歴を受けない温度幅の評価値と
して求めた。

【０１６３】また、上述した液晶素子（サンプル１−１
〜１−３）の構成について、層構造のブックシェルフ性
（ＢＳ性）を評価すべく、基板として８０μｍのガラス
基板を用い、それ以外は上記サンプルと同様の材料及び
設計にて素子を作成し、ジャパンディスプレイ８６（Ｊ
ａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ ８６）１９８６、ｐ４５６
〜４５８或いは大内等の方法（Ｊｐｎ Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．２７（５）（１９８８）ｐ７２５〜７２８）
に記載の方法に沿ってＸ線回折測定により、各サンプル
でのスメクティック層と基板法線方向とのなす角度を測
定した。そして、当該角度が８°以下のものを”良い”
と評価した。

【０１６４】上記評価についての結果を下記表１３に示
す。

【０１６５】

【表１３】

【０１６６】［実施例２］所定パターンのＩＴＯ膜付き
ガラス基板に、下記繰り返し単位のポリイミドの前駆体
のＮＭＰ／ｎＢＣ（Ｎ−メチルピロリドン／ｎ−ブチル
セロソルブ）＝２／１溶液をスピンコートし（膜厚１０
０Å）、焼成した後、得られたポリイミド被膜上にラビ
ング処理を施した。一方、所定パターンのＩＴＯ膜を有
する別のガラス基板にシランカップリング剤（オクタデ
シルトリエトキシシラン）をスピンコートした（膜厚２
０Å）。続いて熱処理した基板にシリカビーズスペーサ
ー（平均粒径約２μｍ）を散布した。

【０１６７】

【化６７】

【０１６８】これら２枚の基板をＩＴＯ側（ポリイミド
膜及びシランカップリング剤層側）を対向膜として、セ
ルギャップが１．８μｍの液晶セルを形成した。

【０１６９】かかる液晶セルを３個用意し、夫々に実施
例１で調整した組成物Ａ、Ｂ及びＣの夫々を等方相を状
態で注入し、カイラルスメクティック相を示す温度域ま
で徐冷し、液晶素子（サンプル２−１、２−２、２−
３）を形成した。

【０１７０】これら液晶素子（サンプル２−１〜２−
３）について、実施例１と同様に配向性、層構造のブッ
クシェルフ性（ＢＳ性）、透過率（Ｔ％）、コントラス
ト（Ｃ／Ｒ）、温度履歴を受けない温度幅、即ち前記の
特性がほぼ保たれる温度幅（ＯＫ幅）を評価した。結果
を下表１４に示した。

【０１７１】

【表１４】

【０１７２】尚、ポリイミド被膜の厚みを５０Åとする
こと以外は、上記サンプル同様に液晶素子を形成し、評
価したところ、各特性についてサンプル２−１及び２−
２の評価結果と同様の傾向であった。

【０１７３】［参考例１］上記化合物を用い、下記の組
成でカイラルスメクティック液晶組成物を調整した。

【０１７４】

【表１５】

【０１７５】これら組成物を実施例１のセルに注入及び
徐冷して液晶素子（サンプル１−４〜１−６）を形成
し、同実施例と同じ方法で評価した。その結果を以下に
示す。

【０１７６】

【表１６】

【０１７７】［参考例２］実施例１のナイロンからなる
配向制御層の代わりに厚みが２５０Åのポリビニルアル
コール（Ａｌｄｒｉｃｈ社）の膜を用いる以外は同様に
液晶セルを作成した。かかるセルに対し、実施例１で調
整した組成物Ａ，Ｂを用いて注入及び徐冷して液晶素子
サンプル１−７を形成し、実施例１と同様に評価したと
ころ、いずれも配向性が極端に悪く、他の特性評価を有
意義には行うことができなかった。

【０１７８】［参考例３］実施例２において、両基板に
ポリイミド被膜（５０Å）を設け、ラビング処理を施
し、セルを形成した。かかるセルに実施例１の組成物Ｅ
を等方相で注入及びカイラルスメクティック相の温度域
まで徐冷し、液晶素子を形成し（サンプル２−４）、実
施例１と同様に評価した。結果を下表に示す。

【０１７９】

【表１７】

【０１８０】［参考例４］一方の基板に設けたポリイミ
ドを膜厚３００Åとしたことを除いて、実施例２と同様
に液晶セルを形成した。かかるセルに組成物Ａ，Ｂを等
方相で注入し、カイラルスメクティック相の温度域まで
徐冷して液晶素子を形成した（サンプル２−５、２−
６）。かかる液晶素子について実施例１と同様に評価し
たところ、双安定性が悪く、コントラストは５以下であ
った。

【０１８１】［実施例３］ポリイミド被膜を有する一方
の基板において、下記繰り返し単位を有するポリイミド
被膜（厚み１００Å）を用いて実施例２と同様にセルを
形成し、組成物Ａ及びＢを等方相で注入した後徐冷し、
セルギャップ１．８μｍの素子を作成した（サンプル３
−１、３−２）。かかる素子について実施例１と同様に
配向性、層構造のブックシェルフ性（ＢＳ性）、透過率
（Ｔ％）、コントラスト（Ｃ／Ｒ）、温度履歴を受けな
い温度幅、即ち前記特性がほぼ保たれる温度幅（ＯＫ
幅）を評価した。結果を下表に示した。

【０１８２】

【化６８】

【０１８３】

【表１８】

【０１８４】［参考例５］実施例２で作成したセルに対
し、参考例１で調整した組成物Ｄ〜Ｆを夫々等方相で注
入した後、カイラルスメクティック相を示す温度域に徐
冷し、セルギャップ１．８μｍの素子を作成した（サン
プル２−７〜２−９）。かかる液晶素子について、実施
例１と同様に各特性について評価した結果を下記表１９
に示す。

【０１８５】

【表１９】

【０１８６】

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明の液晶素
子によれば、ブックシェルフあるいはそれに近い層傾き
角の小さな構造を発現し、高輝度（高透過率）、高コン
トラストが実現された。さらには少なくとも一方の基板
側で薄膜配向膜及至はポリイミドを配向膜として有し、
より好ましくは一方の基板側のみラビング処理を施した
ような両基板で異なる配向処理の施された構成の素子に
おいて高い信頼性、特に広い温度範囲で温度履歴のな
い、温度安定性を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶素子の一例を示す断面構造図であ
る。

【図２】本発明の液晶素子を備えた表示装置とグラフィ
ックスコントローラを示すブロック図である。

【図３】表示装置とグラフィクスコントローラとの間の
画像情報通信タイミングチャートを示す図である。

【図４】図６に示す時系列駆動波形で実際の駆動を行な
った時の表示パターンの模式図である。

【図５】マトリクス電極を配置した液晶パネルの平面図
である。

【図６】本発明の液晶素子の駆動に用いられる駆動波形
の一例を示す図である。

【図７】本発明にかかる、駆動電圧を変化させた時の透
過率の変化を表すグラフ（Ｖ−Ｔ特性図）である。

【図８】本発明で規定する液晶のティルト角を説明する
図。

【符号の説明】

１ 液晶層 ２ 基板 ３ 透明電極 ４ 配向制御層 ５ シール材 ８ 偏光板 ９ 光源 ８１ 液晶分子 ８２ カイラルスメクティック液晶層 １０１ カイラルスメクティック液晶表示装置 １０２ グラフィックコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査線駆動装置 １０５ 情報線駆動装置 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生装置 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生装置 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新庄 健司 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (38)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも電極を有する一対の基板間に
   少なくとも二つの状態を示す液晶を挟持した液晶素子で
   あって、 少なくとも一方の基板に厚み２００Å以下の配向制御層
   を有し、且つ上記液晶が、フルオロカーボン末端部分及
   び炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核によ
   って結合され、スメクティック中間相又は潜在的スメク
   ティック中間相を持つフッ素含有液晶化合物群を７０重
   量％以上含有する液晶組成物であり、該フッ素含有液晶
   化合物のうち、フルオロカーボン末端部分中に少なくと
   も一つの連鎖中エーテル酸素を含む化合物を組成物総量
   中の比率で３０重量％以上含有し、少なくとも一種以上
   の、スメクティックＣ相を持ち、且つ少なくとも該スメ
   クティックＣ相の上限温度から１５℃低い温度における
   ティルト角の大きさが３０°以上である、フルオロカー
   ボン末端部分中に少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素
   を含むフッ素含有液晶化合物を組成物総量中の比率で５
   重量％以上含有することを特徴とする液晶素子。
2. 【請求項２】 一対の基板の夫々に異なる配向処理がな
   されている請求項１記載の液晶素子。
3. 【請求項３】 少なくとも一方の基板側にのみ一軸配向
   処理がなされている請求項２記載の液晶素子。
4. 【請求項４】 少なくとも一方の基板側にのみラビング
   処理が施された請求項３記載の液晶素子。
5. 【請求項５】 少なくとも厚み２００Å以下の配向制御
   層にのみ一軸配向処理がなされている請求項３記載の液
   晶素子。
6. 【請求項６】 少なくとも厚み２００Å以下の配向制御
   層にのみラビング処理がなされている請求項３記載の液
   晶素子。
7. 【請求項７】 前記フルオロカーボン末端部分及び炭化
   水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって結
   合され、スメクティック中間相又は潜在的スメクティッ
   ク中間相を持つフッ素含有液晶化合物において、フルオ
   ロカーボン末端部分が、−Ｄ¹−Ｃ_xaＦ_2xa−Ｘで表わさ
   れる基〔但し、上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘは−
   Ｈ又は−Ｆを表わし、Ｄ¹は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra
   −、−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−、−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−Ｓ
   Ｏ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−
   （ＣＨ₂）_ra−Ｏ−（ＣＨ₂）_rb−、−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ
   （Ｃ_paＨ_2pa+1）−ＳＯ₂−、又は−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ
   （Ｃ_paＨ_2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、
   独立に１〜２０であり、ｐａは０〜４である。〕、又
   は、−Ｄ²−（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1で表わ
   される基〔但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ_xbＦ
   _2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは、１〜１０
   であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ²は、−ＣＯ−Ｏ−
   Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−、−
   Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd−、−Ｏ−ＳＯ₂
   −、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−
   Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＳＯ₂−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pb
   Ｈ_2pb+1）−ＣＯ−、単結合から選ばれ、ｒｃ及びｒｄ
   はそれぞれ独立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの
   （Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１
   〜６であり、ｐｂは０〜４である。〕である請求項１に
   記載の液晶素子。
8. 【請求項８】 前記フルオロカーボン末端部分及び炭化
   水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって結
   合され、スメクティック中間相又は潜在的スメクティッ
   ク中間相を持つフッ素含有液晶化合物が、下記一般式
   （Ｉ）又は（ＩＩ）で表わされる化合物である請求項１
   記載の液晶素子。 【化１】 を表わす。ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数（但
   し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表わ
   す。夫々のＬ¹とＬ²は独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ−、
   −Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ
   ｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔｅ−ＣＯ
   −、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−
   ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ
   Ｈ₂−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ¹、
   Ｙ¹、Ｚ¹はＡ¹、Ａ²、Ａ³の置換基であり、独立に−
   Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣ
   Ｈ₃、−ＣＨ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂を表わし、夫々の
   ｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ¹
   は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂）
   _ra−、−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、
   −ＳＯ₂−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−Ｏ−
   （ＣＨ₂）_rb−、−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1）−
   ＳＯ₂−、又は−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1）−Ｃ
   Ｏ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であ
   り、ｐａは０〜４である。Ｒ¹は、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｏ
   −Ｃ_qbＨ_2qb+1、−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−Ｃ
   _qaＨ_2qa−Ｒ³、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｒ³、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
   _qaＨ_2qa−Ｒ³、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｒ³を表わ
   し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ
   ³は、−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qbＨ
   _2qb+1、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−ＮＯ₂、−Ｃ
   Ｎを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０である）。
   Ｒ²はＣ_xaＦ_2xa−Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表わ
   し、ｘａは１〜２０の整数である）。〕 【化２】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
   整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
   を表わす。夫々のＬ³、Ｌ⁴は独立に、単結合、−ＣＯ−
   Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−
   ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔ
   ｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂）_ka−（ｋａは１〜４）、
   −ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ
   Ｈ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂−、−ＣＯ−又は−
   Ｏ−を表わす。夫々のＸ²、Ｙ²、Ｚ²はＡ⁴、Ａ⁵、Ａ⁶の
   置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
   Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−ＣＦ₃、−ＯＣ
   Ｆ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
   ｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ²は、−Ｃ
   Ｏ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ
   _2rc−、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd−、−
   Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ
   _rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＳＯ₂−、−Ｃ_rcＨ_2rc−
   Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独
   立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa−
   Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐ
   ｂは０〜４である。Ｒ⁴は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa
   −Ｃ_qdＨ_2qd+1、−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa−Ｃ
   _qdＨ_2qd+1、−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc−
   Ｒ⁶、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、又は−Ｏ−ＣＯ−
   Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであ
   っても良い（但し、Ｒ⁶は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−
   ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−Ｎ
   Ｏ₂、−ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立
   に１〜２０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ
   ⁵は、（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1で表わされる
   （但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）
   に独立に１〜１０であり、ｙａは１〜１０であり、ｚａ
   は１〜１０である）。〕
9. 【請求項９】 前記フルオロカーボン末端部分に少なく
   とも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶化
   合物におけるフルオロカーボン末端部分が、−Ｄ²−
   （Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1で表わされる基であ
   る請求項１記載の液晶素子。〔但し、上記式中ｘｂはそ
   れぞれの（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、
   ｙａは、１〜１０であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ²
   は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−
   Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd
   −、−Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ
   _2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＳＯ₂−、−
   Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−、単結合から選
   ばれ、ｒｃ及びｒｄはそれぞれ独立に１〜２０であり、
   ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）に独立に１〜１０
   であり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４である。〕
10. 【請求項１０】 前記フルオロカーボン末端部分に少な
    くとも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶
    化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物であ
    る請求項１記載の液晶素子。 【化３】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
    整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
    を表わす。夫々のＬ³、Ｌ⁴は独立に、単結合、−ＣＯ−
    Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−
    ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔ
    ｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂）_ka−（ｋａは１〜４）、
    −ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ
    Ｈ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂−、−ＣＯ−又は−
    Ｏ−を表わす。夫々のＸ²、Ｙ²、Ｚ²はＡ⁴、Ａ⁵、Ａ⁶の
    置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
    Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−ＣＦ₃、−ＯＣ
    Ｆ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
    ｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ²は、−Ｃ
    Ｏ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ
    _2rc−、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd−、−
    Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ
    _rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＳＯ₂−、−Ｃ_rcＨ_2rc−
    Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独
    立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa−
    Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐ
    ｂは０〜４である。Ｒ⁴は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa
    −Ｃ_qdＨ_2qd+1、−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa−Ｃ
    _qdＨ_2qd+1、−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc−
    Ｒ⁶、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、又は−Ｏ−ＣＯ−
    Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであ
    っても良い（但し、Ｒ⁶は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−
    ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−Ｎ
    Ｏ₂、−ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立
    に１〜２０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ
    ⁵は、（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1で表わされる
    （但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）
    に独立に１〜１０であり、ｙａは１〜１０であり、ｚａ
    は１〜１０である）。〕
11. 【請求項１１】 前記フルオロカーボン末端部分中に少
    なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液
    晶化合物のうち、スメクティックＣ相を持ち、且つ少な
    くとも該スメクティックＣ相の上限温度から１５℃低い
    温度におけるティルト角の大きさが３０°以上である化
    合物が、前記一般式ＩＩにおいてＲ⁴が−Ｏ−（Ｃ_qcＨ
    _2qc −Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、−
    Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ で表される化合物である請
    求項１０記載の液晶素子。
12. 【請求項１２】 前記一般式Ｉ乃至ＩＩで表される化合
    物がフェニルピリミジンコアを有する化合物である請求
    項８記載の液晶素子。
13. 【請求項１３】 前記一般式ＩＩで表される化合物がフ
    ェニルピリミジンコアを有する化合物である請求項１０
    記載の液晶素子。
14. 【請求項１４】 前記フルオロカーボン末端部分中に少
    なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液
    晶化合物を５０重量％以上含有する液晶組成物を使用し
    た請求項１記載の液晶素子。
15. 【請求項１５】 前記スメクティックＣ相を持ち、且つ
    少なくとも該スメクティックＣ相の上限温度から１５℃
    低い温度におけるティルト角の大きさが３０°以上であ
    る、フルオロカーボン末端部分中に少なくとも一つの連
    鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶化合物を１０重
    量％以上含有する液晶組成物を使用した請求項１記載の
    液晶素子。
16. 【請求項１６】 前記スメクティックＣ相を持ち、且つ
    少なくとも該スメクティックＣ相の上限温度から１５℃
    低い温度におけるティルト角の大きさが３０°以上であ
    る、フルオロカーボン末端部分中に少なくとも一つの連
    鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶化合物におい
    て、スメクティックＣ相の上限温度から１５℃低い温度
    におけるティルト角の大きさが３５°以上である請求項
    １記載の液晶素子。
17. 【請求項１７】 前記配向制御層の厚みが１００Å以下
    である請求項１記載の液晶素子。
18. 【請求項１８】 前記配向制御層の厚みが５０Å以下で
    ある請求項１記載の液晶素子。
19. 【請求項１９】 前記配向制御層がポリイミドの膜であ
    る請求項１記載の液晶素子。
20. 【請求項２０】 少なくとも電極を有する一対の基板間
    に少なくとも二つの状態を示す液晶を挟持した液晶素子
    であって、 少なくとも一方の基板にポリイミドからなる配向制御層
    を有し、且つ上記液晶が、フルオロカーボン末端部分及
    び炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核によ
    って結合され、スメクティック中間相又は潜在的スメク
    ティック中間相を持つフッ素含有液晶化合物群を７０重
    量％以上含有する液晶組成物であり、該フッ素含有液晶
    化合物のうち、フルオロカーボン末端部分中に少なくと
    も一つの連鎖中エーテル酸素を含む化合物を組成物総量
    中の比率で３０重量％以上含有し、少なくとも一種以上
    の、スメクティックＣ相を持ち、且つ少なくとも該スメ
    クティックＣ相の上限温度から１５℃低い温度における
    ティルト角の大きさが３０°以上である、フルオロカー
    ボン末端部分中に少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素
    を含むフッ素含有液晶化合物を組成物総量中の比率で５
    重量％以上含有することを特徴とする液晶素子。
21. 【請求項２１】 前記ポリイミドが、下記一般式（ＩＩ
    Ｉ）で表される繰り返し単位を有する請求項２０記載の
    液晶素子。 一般式（ＩＩＩ） （−Ｋ−Ｐ¹−Ｌ⁵−Ｍ¹−（Ｌ⁶）_e−Ｐ²−） 【化４】 または炭素数１から２０のアルキレン基を表し、Ｐ¹，
    Ｐ²はイミド結合を表す。Ｍ¹は単結合又は−Ｏ−を表
    し、ｅは０，１，２を表す。）
22. 【請求項２２】 一対の基板の夫々に異なる配向処理が
    なされている請求項２０記載の液晶素子。
23. 【請求項２３】 少なくとも一方の基板側にのみ一軸配
    向処理がなされている請求項２２記載の液晶素子。
24. 【請求項２４】 少なくとも一方の基板側にのみラビン
    グ処理が施された請求項２３記載の液晶素子。
25. 【請求項２５】 少なくともポリイミドからなる配向制
    御層にのみ一軸配向処理がなされている請求項２３記載
    の液晶素子。
26. 【請求項２６】 少なくともポリイミドからなる配向制
    御層にのみラビング処理がなされている請求項２３記載
    の液晶素子。
27. 【請求項２７】 前記フルオロカーボン末端部分及び炭
    化水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって
    結合され、スメクティック中間相又は潜在的スメクティ
    ック中間相を持つフッ素含有液晶化合物において、フル
    オロカーボン末端部分が、−Ｄ¹−Ｃ_xaＦ_2xa−Ｘで表わ
    される基〔但し、上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘは
    −Ｈ又は−Ｆを表わし、Ｄ¹は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）
    _ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−、−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−
    ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−
    （ＣＨ₂）_ra−Ｏ−（ＣＨ₂）_rb−、−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ
    （Ｃ_paＨ_2pa+1）−ＳＯ₂−、又は−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ
    （Ｃ_paＨ_2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、
    独立に１〜２０であり、ｐａは０〜４である。〕、又
    は、−Ｄ²−（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1で表わ
    される基〔但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ_xbＦ
    _2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは、１〜１０
    であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ²は、−ＣＯ−Ｏ−
    Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−、−
    Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd−、−Ｏ−ＳＯ₂
    −、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−
    Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＳＯ₂−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pb
    Ｈ_2pb+1）−ＣＯ−、単結合から選ばれ、ｒｃ及びｒｄ
    はそれぞれ独立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの
    （Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１
    〜６であり、ｐｂは０〜４である。〕である請求項２０
    に記載の液晶素子。
28. 【請求項２８】 前記フルオロカーボン末端部分及び炭
    化水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって
    結合され、スメクティック中間相又は潜在的スメクティ
    ック中間相を持つフッ素含有液晶化合物が、下記一般式
    （Ｉ）又は（ＩＩ）で表わされる化合物である請求項２
    ０記載の液晶素子。 【化５】 を表わす。ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数（但
    し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表わ
    す。夫々のＬ¹とＬ²は独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ−、
    −Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ
    ｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔｅ−ＣＯ
    −、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−
    ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ
    Ｈ₂−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ¹、
    Ｙ¹、Ｚ¹はＡ¹、Ａ²、Ａ³の置換基であり、独立に−
    Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣ
    Ｈ₃、−ＣＨ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂を表わし、夫々の
    ｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ¹
    は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂）
    _ra−、−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、
    −ＳＯ₂−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−Ｏ−
    （ＣＨ₂）_rb−、−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1）−
    ＳＯ₂−、又は−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1）−Ｃ
    Ｏ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であ
    り、ｐａは０〜４である。Ｒ¹は、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｏ
    −Ｃ_qbＨ_2qb+1、−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−Ｃ
    _qaＨ_2qa−Ｒ³、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｒ³、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
    _qaＨ_2qa−Ｒ³、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｒ³を表わ
    し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ
    ³は、−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qbＨ
    _2qb+1、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−ＮＯ₂、−Ｃ
    Ｎを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０である）。
    Ｒ²はＣ_xaＦ_2xa−Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表わ
    し、ｘａは１〜２０の整数である）。〕 【化６】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
    整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
    を表わす。夫々のＬ³、Ｌ⁴は独立に、単結合、−ＣＯ−
    Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−
    ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔ
    ｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂）_ka−（ｋａは１〜４）、
    −ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ
    Ｈ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂−、−ＣＯ−又は−
    Ｏ−を表わす。夫々のＸ²、Ｙ²、Ｚ²はＡ⁴、Ａ⁵、Ａ⁶の
    置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
    Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−ＣＦ₃、−ＯＣ
    Ｆ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
    ｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ²は、−Ｃ
    Ｏ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ
    _2rc−、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd−、−
    Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ
    _rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＳＯ₂−、−Ｃ_rcＨ_2rc−
    Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独
    立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa−
    Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐ
    ｂは０〜４である。Ｒ⁴は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa
    −Ｃ_qdＨ_2qd+1、−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa−Ｃ
    _qdＨ_2qd+1、−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc−
    Ｒ⁶、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、又は−Ｏ−ＣＯ−
    Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであ
    っても良い（但し、Ｒ⁶は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−
    ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−Ｎ
    Ｏ₂、−ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立
    に１〜２０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ
    ⁵は、（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1で表わされる
    （但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）
    に独立に１〜１０であり、ｙａは１〜１０であり、ｚａ
    は１〜１０である）。〕
29. 【請求項２９】 前記フルオロカーボン末端部分に少な
    くとも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶
    化合物におけるフルオロカーボン末端部分が、−Ｄ²−
    （Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1で表わされる基であ
    る請求項２０記載の液晶素子。〔但し、上記式中ｘｂは
    それぞれの（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であ
    り、ｙａは、１〜１０であり、ｚａは１〜１０であり、
    Ｄ²は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−Ｃ_rcＨ
    _2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）_ta−
    Ｃ_rdＨ_2rd−、−Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ
    _rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＳＯ
    ₂−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−、単結
    合から選ばれ、ｒｃ及びｒｄはそれぞれ独立に１〜２０
    であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）に独立に
    １〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４で
    ある。〕
30. 【請求項３０】 前記フルオロカーボン末端部分に少な
    くとも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶
    化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物であ
    る請求項２０記載の液晶素子。 【化７】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
    整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
    を表わす。夫々のＬ³、Ｌ⁴は独立に、単結合、−ＣＯ−
    Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−
    ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔ
    ｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂）_ka−（ｋａは１〜４）、
    −ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ
    Ｈ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂−、−ＣＯ−又は−
    Ｏ−を表わす。夫々のＸ²、Ｙ²、Ｚ²はＡ⁴、Ａ⁵、Ａ⁶の
    置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
    Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−ＣＦ₃、−ＯＣ
    Ｆ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
    ｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ²は、−Ｃ
    Ｏ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ
    _2rc−、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd−、−
    Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ
    _rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＳＯ₂−、−Ｃ_rcＨ_2rc−
    Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独
    立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa−
    Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐ
    ｂは０〜４である。Ｒ⁴は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa
    −Ｃ_qdＨ_2qd+1、−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa−Ｃ
    _qdＨ_2qd+1、−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc−
    Ｒ⁶、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、又は−Ｏ−ＣＯ−
    Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであ
    っても良い（但し、Ｒ⁶は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−
    ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−Ｎ
    Ｏ₂、−ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立
    に１〜２０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ
    ⁵は、（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1で表わされる
    （但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）
    に独立に１〜１０であり、ｙａは１〜１０であり、ｚａ
    は１〜１０である）。〕
31. 【請求項３１】 前記フルオロカーボン末端部分中に少
    なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液
    晶化合物のうち、スメクティックＣ相を持ち、且つ少な
    くとも該スメクティックＣ相の上限温度から１５℃低い
    温度におけるティルト角の大きさが３０°以上である化
    合物が、前記一般式ＩＩにおいてＲ^４が−Ｏ−（Ｃ_ｑｃ
    Ｈ_２ｑｃ−Ｏ）_ｗａ−Ｃ_ｑｄＨ_{２ｑｄ＋１}、−Ｃ_ｑｃＨ
    _２ｑｃ−Ｒ^６、−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_ｑｃＨ_２ｑｃ−Ｒ^６で表
    される化合物である請求項３０記載の液晶素子。
32. 【請求項３２】 前記一般式Ｉ乃至ＩＩで表される化合
    物がフェニルピリミジンコアを有する化合物である請求
    項２８記載の液晶素子。
33. 【請求項３３】 前記一般式ＩＩで表される化合物がフ
    ェニルピリミジンコアを有する化合物である請求項３０
    記載の液晶素子。
34. 【請求項３４】 前記フルオロカーボン末端部分中に少
    なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液
    晶化合物を５０重量％以上含有する液晶組成物を使用し
    た請求項２０記載の液晶素子。
35. 【請求項３５】 前記スメクティックＣ相を持ち、且つ
    少なくとも該スメクティックＣ相の上限温度から１５℃
    低い温度におけるティルト角の大きさが３０°以上であ
    る、フルオロカーボン末端部分中に少なくとも一つの連
    鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶化合物を１０重
    量％以上含有する液晶組成物を使用した請求項２０記載
    の液晶素子。
36. 【請求項３６】 前記スメクティックＣ相を持ち、且つ
    少なくとも該スメクティックＣ相の上限温度から１５℃
    低い温度におけるティルト角の大きさが３０°以上であ
    る、フルオロカーボン末端部分中に少なくとも一つの連
    鎖中エーテル酸素を含むフッ素含有液晶化合物におい
    て、スメクティックＣ相の上限温度から１５℃低い温度
    におけるティルト角の大きさが３５°以上である請求項
    ２０記載の液晶素子。
37. 【請求項３７】 請求項１記載の液晶素子を備えたこと
    を特徴とする液晶装置。
38. 【請求項３８】 請求項２０記載の液晶素子を備えたこ
    とを特徴とする液晶装置。