JPS6280625A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPS6280625A JPS6280625A JP22122485A JP22122485A JPS6280625A JP S6280625 A JPS6280625 A JP S6280625A JP 22122485 A JP22122485 A JP 22122485A JP 22122485 A JP22122485 A JP 22122485A JP S6280625 A JPS6280625 A JP S6280625A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示素子の製造方法に関し、持に０免分極
と印加電場との結合によって自宅分僕の方向が印加′電
場の極性によって反転するカイラルスメクチック相を呈
する強誘電性液晶の表示素子の製造方法に関する。
と印加電場との結合によって自宅分僕の方向が印加′電
場の極性によって反転するカイラルスメクチック相を呈
する強誘電性液晶の表示素子の製造方法に関する。
液晶は低電圧で■劫がＯＴ能で低消費心力であつて、小
型軽量にできる為に時計や計算機の表示部に広範に利用
されている。これらの表示素子は液晶が呈するいくつか
の相のうちでネマチック相と称せられる相を利用す・５
゜この相は液晶の分子軸がランダムな方向を取得る等方
相の直下の低温側の相である。対向した基板間に液晶を
封入するだけでは表示素子として実用に耐えるネマチッ
ク的秩序を形成できないので通常は液晶に直接に接する
基板面上に液晶配向効果を誘起する処理な症こす。この
処理は一軸配向処理と呼ばれポリビニルアルコール（以
下ＰＶＡという）ポリイミドなどの有機系長鎖分子から
なる薄い皮模な布などで一方向にラビングすることで実
現される。液晶表示素子ｂ′−諸種の電気光学素子に比
較して最も良く利用されているのはラビング法という工
業的には非常に簡単な技術で液晶を配向させる事が可能
であるからである。対向する二枚の基板面上のラビング
処理によって形成されたネマチック的秩序は印加される
交番電場の実効値に応じて変形する。即ち液晶分子の誘
′成異方性の為に分子の長軸方向が印加された電場の中
では特定の方向に向く事になる。
型軽量にできる為に時計や計算機の表示部に広範に利用
されている。これらの表示素子は液晶が呈するいくつか
の相のうちでネマチック相と称せられる相を利用す・５
゜この相は液晶の分子軸がランダムな方向を取得る等方
相の直下の低温側の相である。対向した基板間に液晶を
封入するだけでは表示素子として実用に耐えるネマチッ
ク的秩序を形成できないので通常は液晶に直接に接する
基板面上に液晶配向効果を誘起する処理な症こす。この
処理は一軸配向処理と呼ばれポリビニルアルコール（以
下ＰＶＡという）ポリイミドなどの有機系長鎖分子から
なる薄い皮模な布などで一方向にラビングすることで実
現される。液晶表示素子ｂ′−諸種の電気光学素子に比
較して最も良く利用されているのはラビング法という工
業的には非常に簡単な技術で液晶を配向させる事が可能
であるからである。対向する二枚の基板面上のラビング
処理によって形成されたネマチック的秩序は印加される
交番電場の実効値に応じて変形する。即ち液晶分子の誘
′成異方性の為に分子の長軸方向が印加された電場の中
では特定の方向に向く事になる。
この機構では。
（１１交番電場の印加さ五ない自然な状態でのネマチッ
ク的秩序はラビングによる一軸配向効果で保持持続され
る。
ク的秩序はラビングによる一軸配向効果で保持持続され
る。
（２） 印加された電場の中で分子の長軸方向ｈ′−
特定の方向へ向く事は一軸配向効果と拮抗した形で発現
する。
特定の方向へ向く事は一軸配向効果と拮抗した形で発現
する。
（３）交番電場の印加によっては自然な状暢でのネマチ
ック的秩序に復帰させる事は出来ない。即ちラビングに
よる一軸配向効果のみが電場印加で誘起された変形を元
に戻す力となる。
ック的秩序に復帰させる事は出来ない。即ちラビングに
よる一軸配向効果のみが電場印加で誘起された変形を元
に戻す力となる。
従ってネマチック的秩序を利用する電気光学素子に於い
ては対向する基板面上に配向処理を捲こすことが不可避
であってそ°うしなげれば変形した秩序が元に戻らない
事になる。
ては対向する基板面上に配向処理を捲こすことが不可避
であってそ°うしなげれば変形した秩序が元に戻らない
事になる。
更に誘電異方性と電場との結合力が弱い事と前述ｔ２）
、 （３）の為にこの素子の電気光学的な応答時間が遅
いこと、又大容址の情報を表示する為にはネマチック相
とマトリックス駆動する必要がある６’−ネマチック相
の応答が蓄積応答であること、記憶効果を有しないこと
等によりマトリックス駆動個有の欠点、（応゛答性能の
劣化、低コントラスト化。
、 （３）の為にこの素子の電気光学的な応答時間が遅
いこと、又大容址の情報を表示する為にはネマチック相
とマトリックス駆動する必要がある６’−ネマチック相
の応答が蓄積応答であること、記憶効果を有しないこと
等によりマトリックス駆動個有の欠点、（応゛答性能の
劣化、低コントラスト化。
狭い視野角）が露呈し、この表示素子の応用分野を制限
する事になっている。
する事になっている。
これらの欠点を除去する為にＭｅｙｅｒ、Ｃ１ａｒｋら
はカイラルスメクチック相を利用した新しい表示原理に
よる液晶スイッチング素子を考案した。
はカイラルスメクチック相を利用した新しい表示原理に
よる液晶スイッチング素子を考案した。
これについて以下若干の説明をする。 Ｍｅｙｅｒらは
Ｊｏｕｒｓｓａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｐａｒｉ
ｓ Ｖｏ１３６゜Ｌ６９−Ｌ７１ （１９７５）の論文
で永久双極子モーメントを有しかつ光学゛活性な液晶分
子からなる相ｈ′−スメクチックＣ相を形成すると電場
の極性と永久双極子が結合して応答する事を示した。永
久双極子Ｐの方向と電場Ｅの方向が平行になるように液
晶分子の協同的な運動が生じる事即ち電場の極性を反転
することによって分子の方向が制御できることを示した
。第・２図はスメクチックＣ相の模式図である。液晶全
体は分子層ｔｌ）からなっている。個々の層内では分子
長軸の方向が層に垂直な方向より角度θだげ傾いた円錐
上にある。層内に於いては円錐上の位置は一定であって
今の場合これをφで示せばφ）は層ごとにわずかに変化
し一定の周期で繰返すヘリックス構造をトルト考えられ
ている。Ｍｅｙｅｒ らは電場の方向に永久及隠子の
方向がそろうように円錐上を分子が移動しそうする事で
２ｅだけの分子長軸の変位が取出せる事を示した。Ｃ１
ａｒｋらはＭｅｙｅｒｔらの議論を一歩進めてセルの厚
みなφの周期程度にするとφの周期性が消失し同時に分
子の取得る状ｉ ｈｔａ板に平行な２つの状會のみ（双
安定性）でかつ電場の反転に応じて液晶分子がこの２つ
の状帳間を超高速で変化する事を見出し電気光学素子と
して利用ｏＴ能でネマチック的秩序には見られ無い特性
即ち記憶効果、超高速応答性を有する事な明らかにした
。
Ｊｏｕｒｓｓａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｐａｒｉ
ｓ Ｖｏ１３６゜Ｌ６９−Ｌ７１ （１９７５）の論文
で永久双極子モーメントを有しかつ光学゛活性な液晶分
子からなる相ｈ′−スメクチックＣ相を形成すると電場
の極性と永久双極子が結合して応答する事を示した。永
久双極子Ｐの方向と電場Ｅの方向が平行になるように液
晶分子の協同的な運動が生じる事即ち電場の極性を反転
することによって分子の方向が制御できることを示した
。第・２図はスメクチックＣ相の模式図である。液晶全
体は分子層ｔｌ）からなっている。個々の層内では分子
長軸の方向が層に垂直な方向より角度θだげ傾いた円錐
上にある。層内に於いては円錐上の位置は一定であって
今の場合これをφで示せばφ）は層ごとにわずかに変化
し一定の周期で繰返すヘリックス構造をトルト考えられ
ている。Ｍｅｙｅｒ らは電場の方向に永久及隠子の
方向がそろうように円錐上を分子が移動しそうする事で
２ｅだけの分子長軸の変位が取出せる事を示した。Ｃ１
ａｒｋらはＭｅｙｅｒｔらの議論を一歩進めてセルの厚
みなφの周期程度にするとφの周期性が消失し同時に分
子の取得る状ｉ ｈｔａ板に平行な２つの状會のみ（双
安定性）でかつ電場の反転に応じて液晶分子がこの２つ
の状帳間を超高速で変化する事を見出し電気光学素子と
して利用ｏＴ能でネマチック的秩序には見られ無い特性
即ち記憶効果、超高速応答性を有する事な明らかにした
。
（第６図参照）
これらの極めて好ましい特性にかかわらず表示素子とし
て利用する為には、用いる基板表面内で第２図もしくは
第６図で示される液晶の配列構造を形成する必要６’−
ある。液晶分子が基板に対し平行で配向方向の乱れや転
位などの欠隔の無い犬面債の配同相を工業的に簡単な方
法で形成する必要がある。Ｃ１ａｒｋ らの方法では
液晶な挟む基板表面は配向処理を一切行わず、磁場印加
もしくはシアリング法によって配向させている。これは
第２図のへリックス構造が消失するような薄いセルでは
非常に実行う”−困難であり、詩に磁場印加では表面の
規制力が強い為に配向させるには重めで強い磁場を必要
とする。また後述するようにこれらの方法ではスメクチ
ックＡ相を経由する罐誘電性液晶にしか適用できないと
いう欠点ｂ’−あり、いずれにしても量産化、大型化と
は矛盾する方法である。
て利用する為には、用いる基板表面内で第２図もしくは
第６図で示される液晶の配列構造を形成する必要６’−
ある。液晶分子が基板に対し平行で配向方向の乱れや転
位などの欠隔の無い犬面債の配同相を工業的に簡単な方
法で形成する必要がある。Ｃ１ａｒｋ らの方法では
液晶な挟む基板表面は配向処理を一切行わず、磁場印加
もしくはシアリング法によって配向させている。これは
第２図のへリックス構造が消失するような薄いセルでは
非常に実行う”−困難であり、詩に磁場印加では表面の
規制力が強い為に配向させるには重めで強い磁場を必要
とする。また後述するようにこれらの方法ではスメクチ
ックＡ相を経由する罐誘電性液晶にしか適用できないと
いう欠点ｂ’−あり、いずれにしても量産化、大型化と
は矛盾する方法である。
本発明の目的は超高速応答、記憶効果を有する液晶表示
素子を実現する為に均一で一様な分子配向を有するカイ
ラルスメクチック相を形成する事を目的とするものであ
る。
素子を実現する為に均一で一様な分子配向を有するカイ
ラルスメクチック相を形成する事を目的とするものであ
る。
以下＝４ 施ＩＺＩＩ ＆もとに本発明の詳ａ Ｔｘ説
明とモデルに基づく簡単な解釈を与える。通常のネマチ
ック相（コレステリック相）を利用する電気光学素子と
異なり１強誘電性液晶はネマチック相より低温側の秩序
度の高いスメクチック相を利用する。
明とモデルに基づく簡単な解釈を与える。通常のネマチ
ック相（コレステリック相）を利用する電気光学素子と
異なり１強誘電性液晶はネマチック相より低温側の秩序
度の高いスメクチック相を利用する。
このスメクチック相はネマチック相より粘度ＩＪｔ高い
為にその相では基板間に導入できないので通常は最も高
温側の液体相で導入し徐冷することでスメクチック相な
形成する。従って液体相より各１重スメクチック相に至
る相転移系列カー問題であり。
為にその相では基板間に導入できないので通常は最も高
温側の液体相で導入し徐冷することでスメクチック相な
形成する。従って液体相より各１重スメクチック相に至
る相転移系列カー問題であり。
４通り可能である。第４図に模式的に示した。
タイプＩ 液体相（ａ）→スメクチック人相［ｃｌ→カ
イラルスメクチックＣ相（ｄ） タイプ［Ｉ［体相（ａ）−コレステリック相（ｂｌ−ス
メクチック人相（Ｃ）−力イラルスメクチックＣ相（ｄ
） タイプｌ 液体相ｔａ）−コレステリック相（ｂ）−カ
イラルスメクチックＣ相（ｄ） タイプ■ 液体相（ａ）→カイラルスメクチックＣ相（
ｄ） 以下タイプ■、タイプｌのコレステリック相ヲ経由して
カイラルスメクチックＣ相に至る強誘電性液晶を用いた
実施列について述ゝる・〔実施例１〕 タイプ■の相転移系列に属する強誘電性液晶４′−（ｆ
ｓ）−メチル（ヘキシロキシ）フェニル４−オクチロキ
シベンゾエート（以下ＭＨＰＯＢと略す）を用いて第１
図に示すようなセルを作成した。
イラルスメクチックＣ相（ｄ） タイプ［Ｉ［体相（ａ）−コレステリック相（ｂｌ−ス
メクチック人相（Ｃ）−力イラルスメクチックＣ相（ｄ
） タイプｌ 液体相ｔａ）−コレステリック相（ｂ）−カ
イラルスメクチックＣ相（ｄ） タイプ■ 液体相（ａ）→カイラルスメクチックＣ相（
ｄ） 以下タイプ■、タイプｌのコレステリック相ヲ経由して
カイラルスメクチックＣ相に至る強誘電性液晶を用いた
実施列について述ゝる・〔実施例１〕 タイプ■の相転移系列に属する強誘電性液晶４′−（ｆ
ｓ）−メチル（ヘキシロキシ）フェニル４−オクチロキ
シベンゾエート（以下ＭＨＰＯＢと略す）を用いて第１
図に示すようなセルを作成した。
ここでガラス基板（２）は透明導電１模（６１カ＝ｒ
−ｆインクされた面を内側にして、さらにラビング処理
されたポリイミドの配向膜（３）を、所望部分に選択的
に設けている。スペーサー（４）にはポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いた。液晶（５）は前述の液晶
であり、セルの厚みは実測では６ミクロンと０．８ミク
ロンの異なる２種を用意した。図面第１図の液晶表示素
子において、Ａｊ頂域は上方のみが一軸配向処理されて
いる領域であり、Ｂ領域は上下両方とも一軸配向処理さ
れている領域であり、Ｃ領域下下方のみが一軸配向処理
されている領域であると言える。このセルの上下のガラ
ス基板の温度を独立に制御出来る恒温槽に入れて温度な
１１０℃に設定した。この温度ではＭ ＨＰ ＯＢは液
体である。この温度から上側の基板が下側の基板より約
１℃温度を低い状螺に温度を保ちながら徐冷シて（１°
Ｃ／１分）ＳｗＡｔ［にし、上下の４仮を等温にして後
さらに徐冷してＳｗＣ”相の配向にっぎ観察した。この
時の温度は約４５°Ｃである。
−ｆインクされた面を内側にして、さらにラビング処理
されたポリイミドの配向膜（３）を、所望部分に選択的
に設けている。スペーサー（４）にはポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いた。液晶（５）は前述の液晶
であり、セルの厚みは実測では６ミクロンと０．８ミク
ロンの異なる２種を用意した。図面第１図の液晶表示素
子において、Ａｊ頂域は上方のみが一軸配向処理されて
いる領域であり、Ｂ領域は上下両方とも一軸配向処理さ
れている領域であり、Ｃ領域下下方のみが一軸配向処理
されている領域であると言える。このセルの上下のガラ
ス基板の温度を独立に制御出来る恒温槽に入れて温度な
１１０℃に設定した。この温度ではＭ ＨＰ ＯＢは液
体である。この温度から上側の基板が下側の基板より約
１℃温度を低い状螺に温度を保ちながら徐冷シて（１°
Ｃ／１分）ＳｗＡｔ［にし、上下の４仮を等温にして後
さらに徐冷してＳｗＣ”相の配向にっぎ観察した。この
時の温度は約４５°Ｃである。
セルの厚みカｔ６μＷのものについては（５）の頑域カ
を配向し、の）、（Ｃ）の部分が非配向、０．８μＷの
薄いセルについては（３）、（Ｂ）力を配向（配向性に
ついては囚が（′Ｂ）より優れる）、（ｑが非配向であ
る。それぞれのセルを偏光顕微鏡下に置いて電圧を印加
して光透過性を観察すると配向部分については電圧極性
の反転に応じシャープな明暗ｂ″−−観察るが非配向部
分については明暗の反転は観察されない。
を配向し、の）、（Ｃ）の部分が非配向、０．８μＷの
薄いセルについては（３）、（Ｂ）力を配向（配向性に
ついては囚が（′Ｂ）より優れる）、（ｑが非配向であ
る。それぞれのセルを偏光顕微鏡下に置いて電圧を印加
して光透過性を観察すると配向部分については電圧極性
の反転に応じシャープな明暗ｂ″−−観察るが非配向部
分については明暗の反転は観察されない。
光応答の均一性については片側の基板のみに一軸配向処
理を施した方が優れる。
理を施した方が優れる。
〔実施例２〕
タイプｌの相転移系列に属する強誘電性液晶４′−オク
チロキシフェニル４−（■Ｓ）６メチル（オクチロキシ
）ベンゾエートを用い、以下実施例１と同様の条件で試
、倹を行なったところ、七ヤ厚が６ミクロンと厚いもの
では、第１図の液晶表示素子のへ領域のみで配向し、薄
いセル（セル厚０８ミクロン）ではＡ、Ｂ領域で配向が
起こるという、実施例１と全く同様の結果ｈ′−えられ
た。
チロキシフェニル４−（■Ｓ）６メチル（オクチロキシ
）ベンゾエートを用い、以下実施例１と同様の条件で試
、倹を行なったところ、七ヤ厚が６ミクロンと厚いもの
では、第１図の液晶表示素子のへ領域のみで配向し、薄
いセル（セル厚０８ミクロン）ではＡ、Ｂ領域で配向が
起こるという、実施例１と全く同様の結果ｈ′−えられ
た。
〔実施例３〕
上方の基板にはいずれもラビング処理したＰｖＡ配向配
向ポリイミド配向膜、二酸化ケイ素を斜方蒸着した配向
膜を設けた。下方の基板にはラビング処理しないインジ
ウム・錫の酸化物からなる透明導電−（以下ＴＴｏとい
う）、そのＩＴＯの上にアルミナの保護膜を設けたもの
（ラビング処理しない一以下同様に）、ＩＴＯの上に二
酸化ケイ素の保護膜を設けたもの、ｉ’ｒｏＯ上にＰＶ
Ａの保護膜を設けたもの、およびＩＴＯの上にポリイミ
ドの保護膜を設けたものを形成した。以下は実用例１．
２に用いた強請′准性液晶を使い、かつ実施例１と同様
な条件にて配向試論を行なったところ全ての配向膜の組
合せについて、以下の表のように、実施例１．２と同様
の結果を得て、このことは、配向膜の種類や材質と配向
の成否とは関係ないことを意味すると思われる。
向ポリイミド配向膜、二酸化ケイ素を斜方蒸着した配向
膜を設けた。下方の基板にはラビング処理しないインジ
ウム・錫の酸化物からなる透明導電−（以下ＴＴｏとい
う）、そのＩＴＯの上にアルミナの保護膜を設けたもの
（ラビング処理しない一以下同様に）、ＩＴＯの上に二
酸化ケイ素の保護膜を設けたもの、ｉ’ｒｏＯ上にＰＶ
Ａの保護膜を設けたもの、およびＩＴＯの上にポリイミ
ドの保護膜を設けたものを形成した。以下は実用例１．
２に用いた強請′准性液晶を使い、かつ実施例１と同様
な条件にて配向試論を行なったところ全ての配向膜の組
合せについて、以下の表のように、実施例１．２と同様
の結果を得て、このことは、配向膜の種類や材質と配向
の成否とは関係ないことを意味すると思われる。
上記の表において、マル印は、実施例１．２の結果と同
様に、厚いセルではへ頭域のみが、薄いセルではＡ、Ｂ
領域が配向したことを示す。
様に、厚いセルではへ頭域のみが、薄いセルではＡ、Ｂ
領域が配向したことを示す。
以上の事は次のように解釈できる。コレステリック相は
上下の基板上に一軸配向処理す施こすと第５図のような
ラセン構造をとる。コレステリック相より温度を下げて
スメクチック人相（タイプＩＩ）、カイラルスメクチッ
クＣ相（タイプＩＩＩ）へρ転移点に近づくとラセンピ
ッチが増大する。即ちコレステリック面が回転してラセ
ン構造をほどくような運動が発生する。上下基板の配向
膜にょる一軸方向への規制力がこの回転運動を妨げる為
に配向方向の乱ね、配向方向とラビング方向の不一致、
全く配向しないなどの現象が発生すると考えられる。よ
しんば、見かけ上配向したように見えても両端が配向力
で十分に動けないために過剰・のストレスが蓄積された
ままであると考えられ電気光学的な応答にある「重の不
安定さを引き起こす可能性がある。従って片側の基板の
一軸方向への規制力を無くせばこの面上では分子軸の方
向はランダムとなるがかなり自由に回転カー可能である
。
上下の基板上に一軸配向処理す施こすと第５図のような
ラセン構造をとる。コレステリック相より温度を下げて
スメクチック人相（タイプＩＩ）、カイラルスメクチッ
クＣ相（タイプＩＩＩ）へρ転移点に近づくとラセンピ
ッチが増大する。即ちコレステリック面が回転してラセ
ン構造をほどくような運動が発生する。上下基板の配向
膜にょる一軸方向への規制力がこの回転運動を妨げる為
に配向方向の乱ね、配向方向とラビング方向の不一致、
全く配向しないなどの現象が発生すると考えられる。よ
しんば、見かけ上配向したように見えても両端が配向力
で十分に動けないために過剰・のストレスが蓄積された
ままであると考えられ電気光学的な応答にある「重の不
安定さを引き起こす可能性がある。従って片側の基板の
一軸方向への規制力を無くせばこの面上では分子軸の方
向はランダムとなるがかなり自由に回転カー可能である
。
−軸規制力のある基板の温度が低いというセル厚方向の
温度勾配がある状況では転移が一軸規制力のある基板上
で始まり方向ｈ″−ラビング方向ほぼ−Ｓ的に決り温度
が下りするに従ってコレステリック面が回転しながらラ
ビング方向に沿って配向するものと考えられる。
温度勾配がある状況では転移が一軸規制力のある基板上
で始まり方向ｈ″−ラビング方向ほぼ−Ｓ的に決り温度
が下りするに従ってコレステリック面が回転しながらラ
ビング方向に沿って配向するものと考えられる。
コレステリックのピッチがセル厚に比べて十分長ければ
回転運動の発生は少く両側の基板上に配向処理な施こし
ても大差はないが電場の反転に対し低抗力の免現となる
のでこの場合にも片側のみの場合がよい。
回転運動の発生は少く両側の基板上に配向処理な施こし
ても大差はないが電場の反転に対し低抗力の免現となる
のでこの場合にも片側のみの場合がよい。
以上のように本発明によれば薄いセルのみならず、厚い
セルについても配向方向の乱ねや、スメクチック相固有
の転移による欠陥のない均一な配向膜を短時間の徐冷で
形成できセル製造上非常に大きな利点となる。
セルについても配向方向の乱ねや、スメクチック相固有
の転移による欠陥のない均一な配向膜を短時間の徐冷で
形成できセル製造上非常に大きな利点となる。
第１図は、本発明の液晶表示素子の実施例に対応する試
験用セルを示す断面図であり、第２図は。 液晶のスメクチックＣ相の分子状嬢を示す模式図であり
、第３図は、゛成鳴とスメクチックＣ相の液晶との関係
を示す模式図であり、第４図は１強誘電性液晶の四種の
相転移系列を示す説明−であり。 第５図は、上下基板面に一軸配向処理を捲こした際のコ
レステリック相液晶の配向状態を示す説明図である。 （１）・・・分子ｒ４ （２）・・・基板
（３）・・・配向膜 （４）・・・スペーサ
ーｔ５１・液晶 （６）・・・透明導電膜
第１図 第２図 手続ネｒｌｊ ｔ−Ｅ出 （自発） 昭和６０年１１月７３日
験用セルを示す断面図であり、第２図は。 液晶のスメクチックＣ相の分子状嬢を示す模式図であり
、第３図は、゛成鳴とスメクチックＣ相の液晶との関係
を示す模式図であり、第４図は１強誘電性液晶の四種の
相転移系列を示す説明−であり。 第５図は、上下基板面に一軸配向処理を捲こした際のコ
レステリック相液晶の配向状態を示す説明図である。 （１）・・・分子ｒ４ （２）・・・基板
（３）・・・配向膜 （４）・・・スペーサ
ーｔ５１・液晶 （６）・・・透明導電膜
第１図 第２図 手続ネｒｌｊ ｔ−Ｅ出 （自発） 昭和６０年１１月７３日
Claims (4)
- （１）降温に伴ってコレステリック相（カイラルネマチ
ック相）を経由して等方相よりカイラルスメクチックＣ
相に至る強誘電性液晶を用いて徐冷によって均一に配向
したカイラルスメクチックＣ相を形成する際に液晶に接
する二つの基板表面の一方に一軸配向処理を施しこの一
軸配向処理が施された基板面をもう一方の基板面よりも
温度を低い状態に保持しながらスメクチックＡ相もしく
はカイラルスメクチックＣ相まで徐冷することを特徴と
する強誘電性液晶表示素子の製造方法。 - （２）一軸配向処理がＰＶＡもしくは、ポリイミドの有
機系長鎖分子からなる薄い皮膜をラビングするか、また
はＳｉＯ＿２の斜方蒸着である事を特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の液晶表示素子の製造方法。 - （３）一軸配向処理が施されない側の基板表面が透明導
電膜または透明導電膜の上にシリカ、アルミナ等の無機
化合物、もしくはポリビニルアルコールもしくはポリイ
ミドの有機系長鎖分子からなる薄い皮膜がコーティング
されている事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
液晶表示素子の製造方法。 - （４）コレステリック相の呈するラセンピッチの最小値
が二つの対向する基板間の距離と同程度もしくはそれ以
上である事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液
晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22122485A JPS6280625A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22122485A JPS6280625A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280625A true JPS6280625A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16763410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22122485A Pending JPS6280625A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280625A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262619A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-28 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | 液晶表示装置、液晶セル及びその製造方法 |
| JPH06289351A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-10-18 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置 |
| JPH06313889A (ja) * | 1993-07-12 | 1994-11-08 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
| JP2010230900A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示素子 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP22122485A patent/JPS6280625A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262619A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-28 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | 液晶表示装置、液晶セル及びその製造方法 |
| JPH06289351A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-10-18 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置 |
| JPH06313889A (ja) * | 1993-07-12 | 1994-11-08 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
| JP2010230900A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示素子 |
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