JPS63151927A - 強誘電性液晶の配向方法 - Google Patents
強誘電性液晶の配向方法Info
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- JPS63151927A JPS63151927A JP29927986A JP29927986A JPS63151927A JP S63151927 A JPS63151927 A JP S63151927A JP 29927986 A JP29927986 A JP 29927986A JP 29927986 A JP29927986 A JP 29927986A JP S63151927 A JPS63151927 A JP S63151927A
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- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 claims description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007334 memory performance Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強誘電性液晶の配向方法に関するものである
。
。
本発明は配向方法が難解な強誘電性液晶装置に電圧を加
えることによって、欠陥のない良好な液晶配向を得るも
のである。
えることによって、欠陥のない良好な液晶配向を得るも
のである。
強誘電性液晶は高速応答性、メモリ性など優れた特性を
有する為、表示素子やメモリなどへの応用が広く期待さ
れている。しかし強誘電性を示すスメクチックＣ”、Ｈ
”相などの秩序性はネマチック液晶のそれに比べて高い
為、従来より行われてきた単なる水平配向処理だけでは
液晶中に欠陥が生じやすく、不安定なドメインの発生や
コントラストの低下を招く。従って強誘電性液晶を信鯨
性の高い表示素子やメモリ装置として用いるには、安定
したモノドメインを作製する必要がある。
有する為、表示素子やメモリなどへの応用が広く期待さ
れている。しかし強誘電性を示すスメクチックＣ”、Ｈ
”相などの秩序性はネマチック液晶のそれに比べて高い
為、従来より行われてきた単なる水平配向処理だけでは
液晶中に欠陥が生じやすく、不安定なドメインの発生や
コントラストの低下を招く。従って強誘電性液晶を信鯨
性の高い表示素子やメモリ装置として用いるには、安定
したモノドメインを作製する必要がある。
強誘電性液晶を配向させるには、スペーサーエツジを用
いた温度勾配法、磁場配向法、Ｓｈｅａｒｉｎｇ法、斜
方蒸着法、ラビング法など種々の方法が提案されている
。それぞれの方法にメリット、デメリットはあるが、量
産性を考慮するとラビング法が有利である。このラビン
グ法とはＴＮ型液晶において幅広（用いられているもの
であり、基板上に無機又は有機の配向膜を均一に薄く形
成し、この後この配向膜上を布等で一軸方向にこすり、
その方向に液晶分子の分子長軸を揃えるというものであ
った。
いた温度勾配法、磁場配向法、Ｓｈｅａｒｉｎｇ法、斜
方蒸着法、ラビング法など種々の方法が提案されている
。それぞれの方法にメリット、デメリットはあるが、量
産性を考慮するとラビング法が有利である。このラビン
グ法とはＴＮ型液晶において幅広（用いられているもの
であり、基板上に無機又は有機の配向膜を均一に薄く形
成し、この後この配向膜上を布等で一軸方向にこすり、
その方向に液晶分子の分子長軸を揃えるというものであ
った。
〔本発明が解決しようとしている問題点〕ところが、ラ
ビング法では液晶中に欠陥（Ｚｉｇ Ｚａｇ転位）が生
じやす（、その周辺部分の液晶は非常に不安定な状態に
ある。この結果液晶の応答性の電圧に対するしきい値を
不明確にし、液晶装置のコントラストの低下を招く原因
となっていた。
ビング法では液晶中に欠陥（Ｚｉｇ Ｚａｇ転位）が生
じやす（、その周辺部分の液晶は非常に不安定な状態に
ある。この結果液晶の応答性の電圧に対するしきい値を
不明確にし、液晶装置のコントラストの低下を招く原因
となっていた。
ラビング等の公知の手法では容易に配向しない装置にお
いて、本発明により欠陥のないモノドメインを作製する
ことができる。
いて、本発明により欠陥のないモノドメインを作製する
ことができる。
本発明は公知の手法により作製された装置に電界を印加
し、欠陥を消滅させるものである。
し、欠陥を消滅させるものである。
本発明の詳細な説明する強誘電性液晶の誘電異方性が負
の場合、一般に液晶に電界Ｅを印加すると、液晶の誘電
異方性Δεに基づき液晶の分子長軸を示すグイレフター
ｎに依存するエネルギ密度は（１）式で表される。
の場合、一般に液晶に電界Ｅを印加すると、液晶の誘電
異方性Δεに基づき液晶の分子長軸を示すグイレフター
ｎに依存するエネルギ密度は（１）式で表される。
Ｗ＝−１／２Δｇ （ｎ−Ｅ）” ・−・（１）Δさ
くＯの場合、ｎ−ＬＥ即ち液晶分子が分子長軸と基板面
が平行になる時にＷは最小となることを本発明は利用す
る。さらに強誘電性液晶は自発分極を有するので、液晶
分子が追従できないほど高い周波数のＡＣ電圧を印加す
れば自発分極により発生するトルクは相殺され、Δεに
基づく誘電トルクのみが液晶に対して有効に働き、基板
上の電極間に発生する電界方向に対し分子長軸を垂直に
配向させることができる。この場合、用いる液晶材料の
持つ性質等により液晶分子の自発分極が追従できない周
波数は変化するが通常は３ Ｋ８２以上の周波数の信号
を加えると追従できな（なる。
くＯの場合、ｎ−ＬＥ即ち液晶分子が分子長軸と基板面
が平行になる時にＷは最小となることを本発明は利用す
る。さらに強誘電性液晶は自発分極を有するので、液晶
分子が追従できないほど高い周波数のＡＣ電圧を印加す
れば自発分極により発生するトルクは相殺され、Δεに
基づく誘電トルクのみが液晶に対して有効に働き、基板
上の電極間に発生する電界方向に対し分子長軸を垂直に
配向させることができる。この場合、用いる液晶材料の
持つ性質等により液晶分子の自発分極が追従できない周
波数は変化するが通常は３ Ｋ８２以上の周波数の信号
を加えると追従できな（なる。
さらに周波数を高めてゆ（と今度はΔＣに基づく誘電ト
ルク分が追従できなくなり、これも液晶材料により可変
するが５０ｘＨｚ以下の周波数を用いた場合が好ましか
った。
ルク分が追従できなくなり、これも液晶材料により可変
するが５０ｘＨｚ以下の周波数を用いた場合が好ましか
った。
また加える電圧も液晶材料の種類によりかわるが１０■
未満では本発明により期待する効果が得られず８０Ｖ以
上では液晶の層構造がこわされるということが発生した
。無電界時には、第２図に示すように基板面に対しスメ
クチック相がとる層構造が歪んでいるのに対し、高周波
印加時には第１図に示すように層構造が垂直になる。従
って再び無電界状態にすると、層構造かもとの歪んだ状
態に戻るが印加前に比べると配向の欠陥部分が減ってい
る。さらに液晶がｌ５ｏｔｒｏｐｉｃ状態から装置に高
周波を印加し、層構造が基板面に垂直になった状態のま
ま、例えばスメクチックじ相の温度まで除冷した場合、
高周波印加を止めても、層構造は基板面に垂直になった
ままで歪む（ｂｅｎｄ）ことはない。
未満では本発明により期待する効果が得られず８０Ｖ以
上では液晶の層構造がこわされるということが発生した
。無電界時には、第２図に示すように基板面に対しスメ
クチック相がとる層構造が歪んでいるのに対し、高周波
印加時には第１図に示すように層構造が垂直になる。従
って再び無電界状態にすると、層構造かもとの歪んだ状
態に戻るが印加前に比べると配向の欠陥部分が減ってい
る。さらに液晶がｌ５ｏｔｒｏｐｉｃ状態から装置に高
周波を印加し、層構造が基板面に垂直になった状態のま
ま、例えばスメクチックじ相の温度まで除冷した場合、
高周波印加を止めても、層構造は基板面に垂直になった
ままで歪む（ｂｅｎｄ）ことはない。
つまり欠陥のないモノドメインを作製することができる
。
。
１７０層の透明導電膜をパターニングした基板上に６−
Ｎｙｌｏｎ等の有機絶縁膜をスピンコード、焼成に□よ
って形成し、綿布でラビング後、一対のセルを作製する
。セル厚は２μｍである。これに強誘電性液晶（チッソ
類Ｃ５−１０１１）をｌ５ｏｔｒｏｐｉｃ相の状Ｇ （
９１℃以上）で注入し除冷した。この状態では液晶はＺ
ｉｇ Ｚａｇ欠陥を多数有し、電圧印加時に不安定なド
メインが多数発生する。
Ｎｙｌｏｎ等の有機絶縁膜をスピンコード、焼成に□よ
って形成し、綿布でラビング後、一対のセルを作製する
。セル厚は２μｍである。これに強誘電性液晶（チッソ
類Ｃ５−１０１１）をｌ５ｏｔｒｏｐｉｃ相の状Ｇ （
９１℃以上）で注入し除冷した。この状態では液晶はＺ
ｉｇ Ｚａｇ欠陥を多数有し、電圧印加時に不安定なド
メインが多数発生する。
この後、１２０℃の液晶がｌ５ｏｔｒｏｐｉｃ状態で１
０ＫＨｚ±２０Ｖの高周波電力を装置電極間に印加した
状態で装置を室温に除冷する。この時高周波電圧印加を
終了した後でも、Ｚｉｇ Ｚａｇ欠陥は生じず、不安定
なドメインの発生・消滅は起こらない。
０ＫＨｚ±２０Ｖの高周波電力を装置電極間に印加した
状態で装置を室温に除冷する。この時高周波電圧印加を
終了した後でも、Ｚｉｇ Ｚａｇ欠陥は生じず、不安定
なドメインの発生・消滅は起こらない。
本発明はラビング処理等により作製した液晶装置に電界
方向を交互に換える電圧を印加する。液晶が強誘電性を
示す温度範囲より高い温度状態から電圧を印加した状態
で装置を除冷し、モノドメインを作製することを特徴と
する。この良好な配向の装置は不安定なドメインを発生
することな（、パルス電圧に対し液晶応答のしきい値が
明確であり、信鯨性の高い表示装置やメモリとして本装
置を作製することができる。
方向を交互に換える電圧を印加する。液晶が強誘電性を
示す温度範囲より高い温度状態から電圧を印加した状態
で装置を除冷し、モノドメインを作製することを特徴と
する。この良好な配向の装置は不安定なドメインを発生
することな（、パルス電圧に対し液晶応答のしきい値が
明確であり、信鯨性の高い表示装置やメモリとして本装
置を作製することができる。
第１図は本発明により処理を行った後の層の様子を示す
。 第２図は本発明による処理を行わない層の様子を示す。 弔１図 第λ図
。 第２図は本発明による処理を行わない層の様子を示す。 弔１図 第λ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１、第２の基板の内側に電極を有する一対のセル
と、そこに封入された強誘電性液晶とからなる装置にお
いて、第１及び第２の基板上の電極間に電界方向を交互
に換える電圧を印加することにより、きわめて良好に液
晶分子を一軸方向に配向させることを特徴とする強誘電
性液晶の配向方法。 ２、第１、第２の基板の内側に電極を有する一対のセル
と、そこに封入された強誘電性液晶とからなる装置にお
いて、第１及び第２の基板上の電極間に電界方向を交互
に換える電圧を印加しながら前記装置を強誘電性を示す
温度範囲より高い温度より除冷することにより、きわめ
て良好に液晶分子を一軸方向に配向させることを特徴と
する強誘電性液晶の配向方法。 ３、特許請求の範囲第１項および第２項において前記第
１及び第２の基板上の電極間に３〜３０ＫＨｚの１０〜
８０Ｖの高周波電圧を印加することにより、きわめて良
好に液晶分子を配向させることを特徴とする強誘電性液
晶の配向方法。 ４、特許請求の範囲第１項および第２項において用いる
強誘電性液晶は負の誘電異方性を有し第１、第２の基板
が液晶に隣接する面の少なくとも一方には水平配向処理
された層または傾斜配向処理された層が設けられている
ことを特徴とする強誘電性液晶の配向方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299279A JPH0812346B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 強誘電性液晶の配向方法 |
| US07/866,310 US5164852A (en) | 1986-12-16 | 1992-04-13 | Method of orientating a ferroelectric liquid crystal layer by AC electric field |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299279A JPH0812346B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 強誘電性液晶の配向方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151927A true JPS63151927A (ja) | 1988-06-24 |
| JPH0812346B2 JPH0812346B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17870485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61299279A Expired - Lifetime JPH0812346B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 強誘電性液晶の配向方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812346B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296214A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH02296217A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH02296221A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH02296218A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH02296215A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH02296220A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH02296216A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH02296219A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH036529A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH036528A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH0369919A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-26 | Fujitsu Ltd | 強誘電性液晶表示素子の製造方法 |
| JPH03296723A (ja) * | 1990-04-17 | 1991-12-27 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JP2004021098A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Ricoh Co Ltd | 光路偏向デバイス及び画像表示装置 |
| KR100527084B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2005-11-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 에프에프에스 액정표시소자 |
| JP2020052081A (ja) * | 2018-09-24 | 2020-04-02 | シチズンファインデバイス株式会社 | 強誘電性液晶セルの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6256932A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-12 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS62161123A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-07-17 | Canon Inc | 液晶素子及びその製法 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61299279A patent/JPH0812346B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161123A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-07-17 | Canon Inc | 液晶素子及びその製法 |
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| JPH036529A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH036528A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH0369919A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-26 | Fujitsu Ltd | 強誘電性液晶表示素子の製造方法 |
| JPH03296723A (ja) * | 1990-04-17 | 1991-12-27 | Canon Inc | 液晶素子 |
| KR100527084B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2005-11-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 에프에프에스 액정표시소자 |
| JP2004021098A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Ricoh Co Ltd | 光路偏向デバイス及び画像表示装置 |
| JP2020052081A (ja) * | 2018-09-24 | 2020-04-02 | シチズンファインデバイス株式会社 | 強誘電性液晶セルの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812346B2 (ja) | 1996-02-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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