JPS6298326A - 液晶セル - Google Patents
液晶セルInfo
- Publication number
- JPS6298326A JPS6298326A JP23847885A JP23847885A JPS6298326A JP S6298326 A JPS6298326 A JP S6298326A JP 23847885 A JP23847885 A JP 23847885A JP 23847885 A JP23847885 A JP 23847885A JP S6298326 A JPS6298326 A JP S6298326A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- orientation
- film
- substrates
- polymer film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明はカイラルスメクチック強調電性液晶(SmC”
)を用いた液晶セルに関する。
)を用いた液晶セルに関する。
(ロ)従来の技術
液晶の中でも高速応答性があるという事で強誘電性の液
晶、とりわけカイラルスメクチック液晶がアプライド・
フィジックス・レターズ第38巻第11号(1980年
6月1日)等にて発表され、注目されはじめている。こ
の液晶は通常もっている固有ピッチより小さいギャップ
間に挾持し、その挾持体に配向処理を施しておくと、第
2図に示す様に分子軸の方位と分極(Ps)の特異性か
ら電界の有無によって分子軸の方位が2位置に制御でき
るものである。
晶、とりわけカイラルスメクチック液晶がアプライド・
フィジックス・レターズ第38巻第11号(1980年
6月1日)等にて発表され、注目されはじめている。こ
の液晶は通常もっている固有ピッチより小さいギャップ
間に挾持し、その挾持体に配向処理を施しておくと、第
2図に示す様に分子軸の方位と分極(Ps)の特異性か
ら電界の有無によって分子軸の方位が2位置に制御でき
るものである。
ところで斯る液晶で最も問題となるのは、いかにして有
効領域内に均一なモノドメインを形成するかという事で
ある。例えば特開昭60−57821号公報ではPUA
、テフロン、ポリイミド、シラン等の配向膜にラビング
等の配向処理を施す事が示されているが、均一配向しな
いで無電界時に配向不良による模様が観察きれることが
しばしば生じ不都合である。
効領域内に均一なモノドメインを形成するかという事で
ある。例えば特開昭60−57821号公報ではPUA
、テフロン、ポリイミド、シラン等の配向膜にラビング
等の配向処理を施す事が示されているが、均一配向しな
いで無電界時に配向不良による模様が観察きれることが
しばしば生じ不都合である。
これらの配向膜に於て、特にSiO等は空気中の不純物
を吸着しゃずく配向安定性に欠ける。また、シランカッ
プリング剤等では1000人程度0厚膜化が困難で、1
00人程鹿の薄い膜では基板材料や電極材料の液晶への
影響が防止できず配向状態が不安定になるので、寿命も
短い。
を吸着しゃずく配向安定性に欠ける。また、シランカッ
プリング剤等では1000人程度0厚膜化が困難で、1
00人程鹿の薄い膜では基板材料や電極材料の液晶への
影響が防止できず配向状態が不安定になるので、寿命も
短い。
くハ)発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の欠点を改めるためになされたもので、配
向不良による模様が発生せず、表示品位が良く安定な液
晶セルを提供するものである。
向不良による模様が発生せず、表示品位が良く安定な液
晶セルを提供するものである。
(ニ)問題点を解決するための手段
本発明は自発分極の方向と分子の長軸方向く分子軸方向
)が略直交し、かつラビング等のいわゆる配向Il!L
理は分子軸方向に対して作用することに着目してなされ
たもので、基板の液晶と接する面にフルオロアルキル基
を有した高分子被膜を設けるもので、さらに好ましくは
一方の基板にのみこの被膜を設け、他方の基板には一軸
性整列配向させるための被膜を設けるものである。
)が略直交し、かつラビング等のいわゆる配向Il!L
理は分子軸方向に対して作用することに着目してなされ
たもので、基板の液晶と接する面にフルオロアルキル基
を有した高分子被膜を設けるもので、さらに好ましくは
一方の基板にのみこの被膜を設け、他方の基板には一軸
性整列配向させるための被膜を設けるものである。
(ホ)作用
これにより高分子被膜は容易に厚膜化できるので配向安
定性が高く、フルオロアルキル基は自発分極に作用する
ので、一方の基板側で分子軸を、他方の基板で自発分極
を制御することができ均一で安定な配向制御が行なえる
。
定性が高く、フルオロアルキル基は自発分極に作用する
ので、一方の基板側で分子軸を、他方の基板で自発分極
を制御することができ均一で安定な配向制御が行なえる
。
(へ)実施例
第1図は本発明実施例の液晶セルの断面図である。図に
於て、(1)(2)は内面に電極(3)(3)・・・と
配向膜(4>(5)を有した基板で、シール剤(6)(
6)により液晶容器を形成し、両基板間に強誘電性の液
晶(7)を挾持している。<8 )(8)は直交ニコル
を形成する偏光板である。
於て、(1)(2)は内面に電極(3)(3)・・・と
配向膜(4>(5)を有した基板で、シール剤(6)(
6)により液晶容器を形成し、両基板間に強誘電性の液
晶(7)を挾持している。<8 )(8)は直交ニコル
を形成する偏光板である。
製造方法を含め、より詳細に説明する。まず電極(IT
O膜)(3)(3)・・・を有するガラス基台にポリイ
ミド系液晶配向剤(例えば日立化成工業(株)製PIX
−5400)を塗布乾燥させ、一方向にラビングして配
向膜(4)を有する基板(1)を形成した。そしてその
他のガラス基台にはジアミンとしてFS 無水カルボン酸として O II [ を加熱縮合させたポリアミド系高分子被膜を約1000
人形成し配向膜(5)とした。両基板(1)(2)間が
3μmになるよう液晶容器を形成しそこにP−デシロキ
シベンジリデンP′アミン・2メチルブチルンナノメー
トをアイソトロピック状態で注入し、アイソトロピック
転移温度まで昇温、−1”C/ minで徐冷して液晶
(7)とした。
O膜)(3)(3)・・・を有するガラス基台にポリイ
ミド系液晶配向剤(例えば日立化成工業(株)製PIX
−5400)を塗布乾燥させ、一方向にラビングして配
向膜(4)を有する基板(1)を形成した。そしてその
他のガラス基台にはジアミンとしてFS 無水カルボン酸として O II [ を加熱縮合させたポリアミド系高分子被膜を約1000
人形成し配向膜(5)とした。両基板(1)(2)間が
3μmになるよう液晶容器を形成しそこにP−デシロキ
シベンジリデンP′アミン・2メチルブチルンナノメー
トをアイソトロピック状態で注入し、アイソトロピック
転移温度まで昇温、−1”C/ minで徐冷して液晶
(7)とした。
このようにして得られた液晶セルは200X300m′
の範囲で均一なモノドメインが形成され、673パネル
中不良パネルは発生しなかった。
の範囲で均一なモノドメインが形成され、673パネル
中不良パネルは発生しなかった。
上述した基板(2)の配向膜(5)としてCF、−基を
有するポリアミド系高分子被膜を用いたが、一般的にC
nF2n++(nは自然数)で示きれるフルオロアルキ
ル基はいずれも自発分極に作用する事が確認できたが、
nが大きい時やフルオロアルキル基の置換量が多くなる
と自発分極をトラップする傾向がでてくるための電界に
対する応答性がかわってきた。またポリアミド系に限ら
ずポリイミド系高分子であってもフルオロアルキル基を
置換することで自発分極が制御できた。
有するポリアミド系高分子被膜を用いたが、一般的にC
nF2n++(nは自然数)で示きれるフルオロアルキ
ル基はいずれも自発分極に作用する事が確認できたが、
nが大きい時やフルオロアルキル基の置換量が多くなる
と自発分極をトラップする傾向がでてくるための電界に
対する応答性がかわってきた。またポリアミド系に限ら
ずポリイミド系高分子であってもフルオロアルキル基を
置換することで自発分極が制御できた。
尚上述の例で配向膜(5)はラビングしていないので狭
義の配向特性(分子軸配向)は行なわず分極配向である
。これは強誘電液晶のもつメモリ性を利用するために発
明したので、分子軸の2位置のいずれをとるかは電界を
かけることによって決め、一度2位置の一方に落ちつく
と電界を除去しても元の位置にはもどらない。上述の液
晶セルでは電界除去後5分以上その状態を保っていた。
義の配向特性(分子軸配向)は行なわず分極配向である
。これは強誘電液晶のもつメモリ性を利用するために発
明したので、分子軸の2位置のいずれをとるかは電界を
かけることによって決め、一度2位置の一方に落ちつく
と電界を除去しても元の位置にはもどらない。上述の液
晶セルでは電界除去後5分以上その状態を保っていた。
但しこのメモリ性が不要の時は上下両配向膜をラビング
すればよい。
すればよい。
(ト)発明の効果
ポリイミド系高分子においては上記カイラルスメクチッ
クC相と相性がよく、ホモジニアスな一軸整列配向が観
察された。一方フルオロアルキル基は液晶の自発分極に
作用し、この基板では自発分極の極性方位が整列した。
クC相と相性がよく、ホモジニアスな一軸整列配向が観
察された。一方フルオロアルキル基は液晶の自発分極に
作用し、この基板では自発分極の極性方位が整列した。
従って一方の基板で整列配向された分子は互いに近在分
子に影響して液晶層全体で同方向の分子配向し、他方の
基板では電界状態で分極方向が揃えられ、互いに近在分
子に影響して上記の如く安定な表示品位の高い液晶パネ
ルが得られ、さらにメモリ効果も確認できた。
子に影響して液晶層全体で同方向の分子配向し、他方の
基板では電界状態で分極方向が揃えられ、互いに近在分
子に影響して上記の如く安定な表示品位の高い液晶パネ
ルが得られ、さらにメモリ効果も確認できた。
第1図は本発明実施例の液晶セルの断面図、第2図は強
誘電液晶の状態模式図である。 (1)(2)・・・基板、(3)(3)・・・電極、(
4)・・・配向膜、(5)・・・配向膜(被膜)、(7
)・・・液晶。
誘電液晶の状態模式図である。 (1)(2)・・・基板、(3)(3)・・・電極、(
4)・・・配向膜、(5)・・・配向膜(被膜)、(7
)・・・液晶。
Claims (1)
- 1)2枚の基板と、該基板に挾持された強誘電性の液晶
とを有する液晶セルに於て、基板の液晶と接する面には
フルオロアルキル基を有する高分子被膜が設けてある事
を特徴とする液晶セル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23847885A JPH0654368B2 (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 液晶セル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23847885A JPH0654368B2 (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 液晶セル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6298326A true JPS6298326A (ja) | 1987-05-07 |
JPH0654368B2 JPH0654368B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=17030833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23847885A Expired - Lifetime JPH0654368B2 (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 液晶セル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0654368B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02106807A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ヒューズ用導体 |
JPH02296217A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296219A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296218A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296215A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296220A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296214A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296221A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296216A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH036529A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH036528A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH0325418A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-04 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH0389319A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-15 | Canon Inc | 液晶素子 |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP23847885A patent/JPH0654368B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02106807A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ヒューズ用導体 |
JPH02296217A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296219A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296218A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296215A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296220A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296214A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296221A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH02296216A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH036529A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH036528A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH0325418A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-04 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH0389319A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-15 | Canon Inc | 液晶素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0654368B2 (ja) | 1994-07-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |