JPH04225325A - 液晶分子配向体の製造方法 - Google Patents
液晶分子配向体の製造方法Info
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- JPH04225325A JPH04225325A JP41438490A JP41438490A JPH04225325A JP H04225325 A JPH04225325 A JP H04225325A JP 41438490 A JP41438490 A JP 41438490A JP 41438490 A JP41438490 A JP 41438490A JP H04225325 A JPH04225325 A JP H04225325A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像表示装置等に用い
られる液晶素子にかかり、特に、液晶分子の垂直方向の
配向に好適な液晶分子配向体の製造方法に関する。
られる液晶素子にかかり、特に、液晶分子の垂直方向の
配向に好適な液晶分子配向体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶素子には、接触界面における相互作
用によって液晶分子を配向制御する液晶分子配向膜が一
般に設けられている。例えば、液晶分子の平行配向は、
次のようにして実現される。まず、電気絶縁性の耐熱性
合成樹脂であるポリイミド系樹脂の中間体を、適宜の溶
媒中に溶かす。そして、この溶液を、スピンナあるいは
転写印刷などによって透明基板上に塗布するとともに、
溶媒を揮発,乾燥する。その後に、加熱重合を行ってポ
リイミド系樹脂被膜を基板上に形成する。次に、この得
られた被膜に対して、ナイロンや綿布などの繊維で一定
方向に擦るラビング処理を施す。すると液晶分子は、そ
の長軸方向がラビング方向となるように,すなわち基板
と平行に配列するようになる。
用によって液晶分子を配向制御する液晶分子配向膜が一
般に設けられている。例えば、液晶分子の平行配向は、
次のようにして実現される。まず、電気絶縁性の耐熱性
合成樹脂であるポリイミド系樹脂の中間体を、適宜の溶
媒中に溶かす。そして、この溶液を、スピンナあるいは
転写印刷などによって透明基板上に塗布するとともに、
溶媒を揮発,乾燥する。その後に、加熱重合を行ってポ
リイミド系樹脂被膜を基板上に形成する。次に、この得
られた被膜に対して、ナイロンや綿布などの繊維で一定
方向に擦るラビング処理を施す。すると液晶分子は、そ
の長軸方向がラビング方向となるように,すなわち基板
と平行に配列するようになる。
【0003】これに対し、基板と垂直方向に液晶分子を
配向させる手法としては、たとえば図4及び図5に示す
ものがある。まず、図4に示すものは、FS150(化
1として後述),DMOAP(化2として後述),レシ
チン,ヘキサデシルアミン,ミリスチン酸錯体などの界
面活性剤やクロム錯体など(以下、「クロム錯体等」と
いう)10を、基板12の所要表面上に塗布することに
よって分子配向膜が形成されている。基板12表面では
、アルキル基14からクロム錯体等10が垂直方向に伸
びた状態となる。このため、炭化水素鎖と液晶分子の異
方的な排除体積効果が生じ、液晶分子16が垂直に配向
するようになる。
配向させる手法としては、たとえば図4及び図5に示す
ものがある。まず、図4に示すものは、FS150(化
1として後述),DMOAP(化2として後述),レシ
チン,ヘキサデシルアミン,ミリスチン酸錯体などの界
面活性剤やクロム錯体など(以下、「クロム錯体等」と
いう)10を、基板12の所要表面上に塗布することに
よって分子配向膜が形成されている。基板12表面では
、アルキル基14からクロム錯体等10が垂直方向に伸
びた状態となる。このため、炭化水素鎖と液晶分子の異
方的な排除体積効果が生じ、液晶分子16が垂直に配向
するようになる。
【0004】次に、図5に示すものでは、垂直蒸着法に
よってSiO等18が基板12の表面上に柱状に形成さ
れる。液晶分子16は、このSiO等18によって形成
された凹部に入り込むようになり、これによって液晶分
子16の垂直配向が実現される。
よってSiO等18が基板12の表面上に柱状に形成さ
れる。液晶分子16は、このSiO等18によって形成
された凹部に入り込むようになり、これによって液晶分
子16の垂直配向が実現される。
【0005】
【化1】
【化2】
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術では、次のような不都合がある。まず、図
4に示したものでは、クロム錯体等10と液晶分子16
との相互作用が弱いために、安定した液晶分子配向制御
を行うことが困難である。次に、図5に示すものでは、
配向制御力は優れているが、大面積の基板に均一な柱状
構造を形成することが困難であり、また、工程も複雑で
あるという不都合がある。
うな従来技術では、次のような不都合がある。まず、図
4に示したものでは、クロム錯体等10と液晶分子16
との相互作用が弱いために、安定した液晶分子配向制御
を行うことが困難である。次に、図5に示すものでは、
配向制御力は優れているが、大面積の基板に均一な柱状
構造を形成することが困難であり、また、工程も複雑で
あるという不都合がある。
【0007】本発明は、この点に着目したもので、前記
従来技術の不都合を解消し、液晶分子に対する優れた垂
直配向制御力を有するとともに、均一な液晶分子配向を
容易に実現でき、大面積の基板にも適用可能な液晶分子
配向体の製造方法を提供することをその目的とする。
従来技術の不都合を解消し、液晶分子に対する優れた垂
直配向制御力を有するとともに、均一な液晶分子配向を
容易に実現でき、大面積の基板にも適用可能な液晶分子
配向体の製造方法を提供することをその目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶分子を垂
直方向に配向させるために、基板の少なくとも一方の表
面に設けられる液晶分子配向体の製造方法において、前
記基板表面に酸化を行って凹凸を形成することを特徴と
する。
直方向に配向させるために、基板の少なくとも一方の表
面に設けられる液晶分子配向体の製造方法において、前
記基板表面に酸化を行って凹凸を形成することを特徴と
する。
【0009】
【作用】本発明によれば、液晶を狭持する基板の少なく
とも一方の表面に、たとえば塩酸,硫酸などによって酸
化処理が施される。これによって、基板表面に凹凸が形
成され、この凹凸の方向,すなわち垂直の方向に液晶分
子の長軸方向が配向するようになる。
とも一方の表面に、たとえば塩酸,硫酸などによって酸
化処理が施される。これによって、基板表面に凹凸が形
成され、この凹凸の方向,すなわち垂直の方向に液晶分
子の長軸方向が配向するようになる。
【0010】
【実施例】以下、本発明による液晶分子配向体素子の製
造方法の実施例について、添付図面を参照しながら説明
する。本実施例にかかる液晶素子は、たとえば図2に示
すように構成されている。なお、全体としては、極めて
一般的な構成である。同図において、ガラスなどによっ
て形成された2枚の透明な基板20,22は、適宜の間
隔で対向配置されている。これらの基板20,22の対
向面側には、たとえばX,Y方向に連続して所望パタ−
ンの透明電極が形成されている。これらの透明電極の材
料としては、たとえば酸化インジウムや酸化スズなどが
用いられている。
造方法の実施例について、添付図面を参照しながら説明
する。本実施例にかかる液晶素子は、たとえば図2に示
すように構成されている。なお、全体としては、極めて
一般的な構成である。同図において、ガラスなどによっ
て形成された2枚の透明な基板20,22は、適宜の間
隔で対向配置されている。これらの基板20,22の対
向面側には、たとえばX,Y方向に連続して所望パタ−
ンの透明電極が形成されている。これらの透明電極の材
料としては、たとえば酸化インジウムや酸化スズなどが
用いられている。
【0011】次に、基板20,22の対向面側の少なく
ともいずれか一方,たとえば基板20には、液晶分子を
垂直に配向させるための液晶分子配向体24が図1に示
すように形成されている。この液晶分子配向体24は、
図3に示すような方法で製造される。まず、同図(A)
に示す方法では、基板20としてホウケイ酸ソーダガラ
スが用いられる。このような基板20は、まず500〜
600℃に加熱される(同図ステップSA参照)。これ
によって、基板表面がNa2O−B2O3とSiO2の
組成に分離されるようになる。
ともいずれか一方,たとえば基板20には、液晶分子を
垂直に配向させるための液晶分子配向体24が図1に示
すように形成されている。この液晶分子配向体24は、
図3に示すような方法で製造される。まず、同図(A)
に示す方法では、基板20としてホウケイ酸ソーダガラ
スが用いられる。このような基板20は、まず500〜
600℃に加熱される(同図ステップSA参照)。これ
によって、基板表面がNa2O−B2O3とSiO2の
組成に分離されるようになる。
【0012】次に、この分相した基板20の所望面に対
して、たとえば、H2SO4(硫酸),HCl(塩酸)
,あるいはHNO3(硝酸)などによる数秒〜数時間の
浸潰が行われる(ステップSB参照)。これによって、
分離した組成中のNa2OーB2O3が所望量だけ溶出
するようになる。その後、基板20は流水によって水洗
いされる(ステップSC参照)。以上のような処理によ
り、基板20の表面には、SiO2が10−1 〜10
−2μmの厚さで残存して凹凸24A,24B(図1参
照)が形成されるようになる。これらの凹凸24A,2
4Bが、液晶分子の配向体24となる。
して、たとえば、H2SO4(硫酸),HCl(塩酸)
,あるいはHNO3(硝酸)などによる数秒〜数時間の
浸潰が行われる(ステップSB参照)。これによって、
分離した組成中のNa2OーB2O3が所望量だけ溶出
するようになる。その後、基板20は流水によって水洗
いされる(ステップSC参照)。以上のような処理によ
り、基板20の表面には、SiO2が10−1 〜10
−2μmの厚さで残存して凹凸24A,24B(図1参
照)が形成されるようになる。これらの凹凸24A,2
4Bが、液晶分子の配向体24となる。
【0013】次に、図3の(B)に示す方法では、HF
(フッ化水素),HBF4(テトラフルオロホウ酸),
HPO3(メタリン酸),またはHa2CO3(炭酸ナ
トリウム)などによって、基板20の表面が溶解される
(ステップSD参照)。これによっても、同様に基板2
0表面に凹凸24A,24Bが形成されて液晶分子配向
体24が得られる。
(フッ化水素),HBF4(テトラフルオロホウ酸),
HPO3(メタリン酸),またはHa2CO3(炭酸ナ
トリウム)などによって、基板20の表面が溶解される
(ステップSD参照)。これによっても、同様に基板2
0表面に凹凸24A,24Bが形成されて液晶分子配向
体24が得られる。
【0014】なお、以上のような液晶分子配向体24は
、必要に応じて基板22側にも形成される。また、液晶
セル駆動用の透明電極は、液晶分子配向体24の形成後
の基板表面上に設けられる。しかし、比較的小面積のも
の,たとえばXY走査駆動するための幅の狭い電極のよ
うな場合には、液晶分子配向体24の形成前に基板上に
設けられていても何ら差し支えない。
、必要に応じて基板22側にも形成される。また、液晶
セル駆動用の透明電極は、液晶分子配向体24の形成後
の基板表面上に設けられる。しかし、比較的小面積のも
の,たとえばXY走査駆動するための幅の狭い電極のよ
うな場合には、液晶分子配向体24の形成前に基板上に
設けられていても何ら差し支えない。
【0015】次に、図2に戻って、液晶分子配向体24
が形成された基板20,22間には、たとえば約3〜1
0μmの間隙が設けられ、その中には、たとえば負の誘
電異方性を有するネマティック形の液晶26が注入され
る。また、基板20,22の周囲は封止され、これによ
って液晶セル28が構成されている。液晶セル28の各
面側(同図の上下方向)には、偏光方向の異なる偏光板
を用いた偏光子30,検光子32が各々設けられており
、更に必要に応じてカラー表示を行なうためのカラーフ
ィルタや視角を広げるための位相差フィルムなども併設
される(図示せず)。
が形成された基板20,22間には、たとえば約3〜1
0μmの間隙が設けられ、その中には、たとえば負の誘
電異方性を有するネマティック形の液晶26が注入され
る。また、基板20,22の周囲は封止され、これによ
って液晶セル28が構成されている。液晶セル28の各
面側(同図の上下方向)には、偏光方向の異なる偏光板
を用いた偏光子30,検光子32が各々設けられており
、更に必要に応じてカラー表示を行なうためのカラーフ
ィルタや視角を広げるための位相差フィルムなども併設
される(図示せず)。
【0016】次に、以上のように構成された液晶素子の
作用を説明する。基板20(または22も)の対向面側
には、上述したようにして液晶分子配向体24,すなわ
ち凹凸24A,24Bが形成されている。このため、液
晶分子26は、その長軸方向が凹凸24A,24Bの形
成方向に一致するようになる。これによって、液晶分子
26は、図1に示すように基板20,22の垂直方向に
安定に配列することとなる。
作用を説明する。基板20(または22も)の対向面側
には、上述したようにして液晶分子配向体24,すなわ
ち凹凸24A,24Bが形成されている。このため、液
晶分子26は、その長軸方向が凹凸24A,24Bの形
成方向に一致するようになる。これによって、液晶分子
26は、図1に示すように基板20,22の垂直方向に
安定に配列することとなる。
【0017】この状態で、たとえば基板20,22の対
向面上に設けられた電極に駆動用の電場が印加されたと
すると、それらの電極に挟まれた部位の液晶分子の配向
状態が誘電異方性によって垂直方向から変化する。この
ため、その部位の液晶層中の複屈折率が変化するように
なり、偏光子30,検光子32による偏光光を利用する
と、効果的に光透過率の変化が得られることになる。透
明電極をX,Y方向に多数配列して走査を行いつつ液晶
セル28を駆動すると、テレビジョン画像などが表示さ
れることとなる。
向面上に設けられた電極に駆動用の電場が印加されたと
すると、それらの電極に挟まれた部位の液晶分子の配向
状態が誘電異方性によって垂直方向から変化する。この
ため、その部位の液晶層中の複屈折率が変化するように
なり、偏光子30,検光子32による偏光光を利用する
と、効果的に光透過率の変化が得られることになる。透
明電極をX,Y方向に多数配列して走査を行いつつ液晶
セル28を駆動すると、テレビジョン画像などが表示さ
れることとなる。
【0018】このように、本実施例によれば、基板表面
の酸化を行って凹凸の液晶分子配向体が形成される。こ
のため、配向制御力は図5の従来例と同様に非常に優れ
ている。また、所定溶液による酸化という手法のため、
大面積の基板に対しても簡便に均一な配向体を形成する
ことが可能である。
の酸化を行って凹凸の液晶分子配向体が形成される。こ
のため、配向制御力は図5の従来例と同様に非常に優れ
ている。また、所定溶液による酸化という手法のため、
大面積の基板に対しても簡便に均一な配向体を形成する
ことが可能である。
【0019】なお、本発明は、何ら上記実施例に限定さ
れるものではない。たとえば、液晶や透明電極,偏光子
,検光子としてどのようなものを用いるかなど、必要に
応じて適宜の材料を選択すればよい。また、基板の酸化
を行う手段としても、上述したものの他、同様の作用を
奏するものを使用してよく、これらのものも本発明に含
まれる。
れるものではない。たとえば、液晶や透明電極,偏光子
,検光子としてどのようなものを用いるかなど、必要に
応じて適宜の材料を選択すればよい。また、基板の酸化
を行う手段としても、上述したものの他、同様の作用を
奏するものを使用してよく、これらのものも本発明に含
まれる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による液晶
分子配向体の製造方法によれば、基板の所望表面を酸化
させて液晶分子配向体を形成することとしたので、液晶
分子に対する優れた垂直配向制御力によって、均一な液
晶分子配向層を容易に実現できるとともに、大面積の基
板にも良好に適用でき、信頼性も格段に向上するという
効果がある。
分子配向体の製造方法によれば、基板の所望表面を酸化
させて液晶分子配向体を形成することとしたので、液晶
分子に対する優れた垂直配向制御力によって、均一な液
晶分子配向層を容易に実現できるとともに、大面積の基
板にも良好に適用でき、信頼性も格段に向上するという
効果がある。
【図1】本発明による液晶分子配向体の製造方法の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図2】本実施例による液晶素子の一例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図3】本実施例における液晶分子配向体の製造方法を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図4】従来の界面活性剤やクロム錯体による液晶分子
配向体の一例を示す構成図である。
配向体の一例を示す構成図である。
【図5】従来のSiOの蒸着による液晶分子配向体の一
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
20,22…基板
24…液晶分子配向体
24A,24B…凹凸
26…液晶分子
28…液晶セル
30…偏光子
40…検光子
Claims (1)
- 【請求項1】 液晶分子を垂直方向に配向させるため
に、基板の少なくとも一方の表面に設けられる液晶分子
配向体の製造方法において、前記基板表面に酸化を行っ
て凹凸を形成することを特徴とする液晶分子配向体の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP41438490A JPH04225325A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 液晶分子配向体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP41438490A JPH04225325A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 液晶分子配向体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04225325A true JPH04225325A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18522870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP41438490A Pending JPH04225325A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 液晶分子配向体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04225325A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6281956B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-08-28 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device operating in a vertically aligned mode |
JP2001281659A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | 液晶デバイス |
JP2005510750A (ja) * | 2001-11-20 | 2005-04-21 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 液晶素子及び組成物 |
JP2006030843A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、電子機器 |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP41438490A patent/JPH04225325A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6281956B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-08-28 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device operating in a vertically aligned mode |
US6642981B1 (en) | 1996-09-30 | 2003-11-04 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Liquid crystal display device operating in a vertically aligned mode including at least one retardation film |
US7075609B2 (en) | 1996-09-30 | 2006-07-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device comprising p-type liquid crystal layer operating in vertically aligned mode including first and second retardation films |
US7379140B2 (en) | 1996-09-30 | 2008-05-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device operating in a vertically aligned mode comprising an optically biaxial retardation film |
US7548294B2 (en) | 1996-09-30 | 2009-06-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device operating in a vertically aligned mode |
US7808592B2 (en) | 1996-09-30 | 2010-10-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device operating in a vertical aligned mode having particular optical biaxial retardation film |
US7995175B2 (en) | 1996-09-30 | 2011-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
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JP2005510750A (ja) * | 2001-11-20 | 2005-04-21 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 液晶素子及び組成物 |
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JP4631334B2 (ja) * | 2004-07-21 | 2011-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、電子機器 |
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