JPH0348818A - 強誘電性液晶パネルの製造方法 - Google Patents
強誘電性液晶パネルの製造方法Info
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- JPH0348818A JPH0348818A JP18552489A JP18552489A JPH0348818A JP H0348818 A JPH0348818 A JP H0348818A JP 18552489 A JP18552489 A JP 18552489A JP 18552489 A JP18552489 A JP 18552489A JP H0348818 A JPH0348818 A JP H0348818A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は強誘電性液晶パネルの製造方法に関するもので
ある。
ある。
従来の技術
液晶表示装置は薄型化・軽量化・低電圧駆動可能などの
長所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現
在使用されているネマティック液晶は応答速度が数ミリ
−数十ミリ秒と遅いために高速応答が不可能であり、利
用分野は限られている。−力強誘電性液晶はマイクロ秒
単位の応答速度及びメモリ効果のために高速表示素子、
メモリ形デイスプレィ、液晶シャッターなどの分野を二
連用が可能である。現在配向方法としてはラビング法、
斜方蒸着法、磁界印加法、電界印加法、シェアリング法
等が考案されているが、量産性、実用性の面においてラ
ビング法が最も優れて〜する。従来のラビング法として
は基板上を直接ラビングする方法、基板上に無機物被膜
を設けた後ラビングする方法、界面活性剤、カッブリ、
ング剤等を被着させた後にラビングする方法、ポリイミ
ド等の高分子をコーティングした後にラビングする方法
等がある。
長所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現
在使用されているネマティック液晶は応答速度が数ミリ
−数十ミリ秒と遅いために高速応答が不可能であり、利
用分野は限られている。−力強誘電性液晶はマイクロ秒
単位の応答速度及びメモリ効果のために高速表示素子、
メモリ形デイスプレィ、液晶シャッターなどの分野を二
連用が可能である。現在配向方法としてはラビング法、
斜方蒸着法、磁界印加法、電界印加法、シェアリング法
等が考案されているが、量産性、実用性の面においてラ
ビング法が最も優れて〜する。従来のラビング法として
は基板上を直接ラビングする方法、基板上に無機物被膜
を設けた後ラビングする方法、界面活性剤、カッブリ、
ング剤等を被着させた後にラビングする方法、ポリイミ
ド等の高分子をコーティングした後にラビングする方法
等がある。
発明が解決しようとする課題
従来のような方法で基板上にポリイミド等の高分子をコ
ーティングした後にラビング処理を行い、強誘電性液晶
パネルを作製した場合、上下基板で配向膜の極性規制力
が等しい場合、強誘電性液晶分子はパネル間でねじれた
状態（第４図）をとったり、２種類の分子方向が混在し
た状態（第５図）となってしまい、コントラストの高（
＼）（ネルを得ることはできない。第４図、第５図にお
％１１て１，８はガラス基板、２．７は電極、３，６は
配向膜、１０は液晶分子のＣダイレクタ−（液晶分子の
層面への射影の方向を示す単位ベクトル）１１は自発分
極の向きを示している。
ーティングした後にラビング処理を行い、強誘電性液晶
パネルを作製した場合、上下基板で配向膜の極性規制力
が等しい場合、強誘電性液晶分子はパネル間でねじれた
状態（第４図）をとったり、２種類の分子方向が混在し
た状態（第５図）となってしまい、コントラストの高（
＼）（ネルを得ることはできない。第４図、第５図にお
％１１て１，８はガラス基板、２．７は電極、３，６は
配向膜、１０は液晶分子のＣダイレクタ−（液晶分子の
層面への射影の方向を示す単位ベクトル）１１は自発分
極の向きを示している。
本発明はこのような従来の欠点を解決し、初期配向での
強誘電性液晶分子の方向を一方に揃え、コントラストの
高いパネルが得られるようにすることを目的としている
。
強誘電性液晶分子の方向を一方に揃え、コントラストの
高いパネルが得られるようにすることを目的としている
。
課題を解決するための手段
上記の目的を達成するために、本発明は、一対の電極付
き基板に強誘電性液晶を挟持して液晶パネルを構成し、
一方の基板上の配向膜の熱処理温度と他方の基板上の配
向膜の熱処理温度を異ならせるものである。
き基板に強誘電性液晶を挟持して液晶パネルを構成し、
一方の基板上の配向膜の熱処理温度と他方の基板上の配
向膜の熱処理温度を異ならせるものである。
作用
本発明によれば上下基板の熱処理温度を異ならせること
で一方の基板の配向膜の極性規制力が他方の基板より大
きくなり、強誘電性液晶が一方の配向膜に規制されて強
誘電性液晶分子の自発分極がすべて同一方向に向く。こ
れにより、液晶分子カ一方向に揃い、コントラストの高
いパネルを得ることができる。
で一方の基板の配向膜の極性規制力が他方の基板より大
きくなり、強誘電性液晶が一方の配向膜に規制されて強
誘電性液晶分子の自発分極がすべて同一方向に向く。こ
れにより、液晶分子カ一方向に揃い、コントラストの高
いパネルを得ることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を用いて説明する
。第２図に示すように２枚の透明なガラス基板１１８上
に透明導電膜（ＩＴＯ膜）からなる透明電極２．７を形
成する。このガラス基板１．８を洗浄した後、その上に
配向膜３，６としてポリイミド樹脂をスピンナーにより
塗布した後、一方のガラス基板を２００℃で１時間熱処
理を行い、他方のガラス基板８を３００℃で１時間熱処
理を行う。その後、両基板の配向膜面３，６をレイヨン
を材質としたラビングクロスを用いてセビング処理を施
す。その後、一方のガラス基板１の配向膜３を設けた面
にスペーサー９として直径２μｍのＳｉＯ，＋を散布し
、他方のガラス基板８の配向膜６を設けた面の周縁部に
シール樹脂４を印刷し、これらの両方のガラス基板１，
８を配向膜３．６面間士が対向するように貼り合わせ、
加熱することによりシール樹脂４を硬化させる。
。第２図に示すように２枚の透明なガラス基板１１８上
に透明導電膜（ＩＴＯ膜）からなる透明電極２．７を形
成する。このガラス基板１．８を洗浄した後、その上に
配向膜３，６としてポリイミド樹脂をスピンナーにより
塗布した後、一方のガラス基板を２００℃で１時間熱処
理を行い、他方のガラス基板８を３００℃で１時間熱処
理を行う。その後、両基板の配向膜面３，６をレイヨン
を材質としたラビングクロスを用いてセビング処理を施
す。その後、一方のガラス基板１の配向膜３を設けた面
にスペーサー９として直径２μｍのＳｉＯ，＋を散布し
、他方のガラス基板８の配向膜６を設けた面の周縁部に
シール樹脂４を印刷し、これらの両方のガラス基板１，
８を配向膜３．６面間士が対向するように貼り合わせ、
加熱することによりシール樹脂４を硬化させる。
その後真空脱気し、この２枚のガラス基板１．８間に強
誘電性液晶５を加熱、注入する。このパネルを室温まで
冷却し、注入口を封口した後、偏光顕微鏡によりこのパ
ネルを観察すると液晶分子が一方向に揃った均一な配向
が観察された。この時の液晶分子の配向状態を示す模式
図を第１図に示す。このパネルと、上下基板の配向膜の
熱処理温度を等しくした従来のパネルに第３図ａに示す
ような電圧波形を印加した場合の透過光量を第３図すに
示す。■には書き込みパルスを示しており、αは本実施
例の輝度、βは従来例の輝度を示している。第３図すか
ら明らかなように上下基板の配向膜の熱処理温度を変え
ることによりコントラストの高いパネルを得ることがで
きる。
誘電性液晶５を加熱、注入する。このパネルを室温まで
冷却し、注入口を封口した後、偏光顕微鏡によりこのパ
ネルを観察すると液晶分子が一方向に揃った均一な配向
が観察された。この時の液晶分子の配向状態を示す模式
図を第１図に示す。このパネルと、上下基板の配向膜の
熱処理温度を等しくした従来のパネルに第３図ａに示す
ような電圧波形を印加した場合の透過光量を第３図すに
示す。■には書き込みパルスを示しており、αは本実施
例の輝度、βは従来例の輝度を示している。第３図すか
ら明らかなように上下基板の配向膜の熱処理温度を変え
ることによりコントラストの高いパネルを得ることがで
きる。
なお本実施例において、ガラス基板１．８は少なくとも
一方が透明であれば良く、配向膜３，６としてポリイミ
ドを用いたが、それ以外の材料でも良い。またラビング
クロスの材質もレイヨンに限らず、ナイロン、ポリエス
テルなどでも良く配向膜塗布方法もスピンコードに限ら
ず、印刷などでも可能である。さらに液晶注入方法も真
空注入によらず、液晶を基板に滴下した後貼り合わせる
方法、毛細管現象による注入法でも可能である。
一方が透明であれば良く、配向膜３，６としてポリイミ
ドを用いたが、それ以外の材料でも良い。またラビング
クロスの材質もレイヨンに限らず、ナイロン、ポリエス
テルなどでも良く配向膜塗布方法もスピンコードに限ら
ず、印刷などでも可能である。さらに液晶注入方法も真
空注入によらず、液晶を基板に滴下した後貼り合わせる
方法、毛細管現象による注入法でも可能である。
発明の効果
以上の説明により明らかなように本発明によれば、強誘
電性液晶パネルの一方の基板上の配向膜の熱処理温度と
他方の基板上の配向膜の熱処理温度を異ならせることに
より、上下の基板の配向膜の極性規制力に差が生じ、強
誘電性液晶が一方の配向膜に規制され、強誘電性液晶分
子の自発分極がすべて同一方向を向くので、液晶分子が
同一方向に揃い、コントラストの高いパネルを得ること
ができる。
電性液晶パネルの一方の基板上の配向膜の熱処理温度と
他方の基板上の配向膜の熱処理温度を異ならせることに
より、上下の基板の配向膜の極性規制力に差が生じ、強
誘電性液晶が一方の配向膜に規制され、強誘電性液晶分
子の自発分極がすべて同一方向を向くので、液晶分子が
同一方向に揃い、コントラストの高いパネルを得ること
ができる。
第１図は本発明の一実施例における強誘電性液晶の初期
配向を示す模式図、第２図は本発明の一実施例における
強誘電性液晶パネルの構成を示す断面図、第３図ａは液
晶パネルに印加される電圧波形図、第３図すは液晶パネ
ルの輝度を示す特性図、第４図及び第５図は従来の強誘
電性液晶の初期配向を示す模式図である。 １．８・・・・・・ガラス基板、２．７・・・・・・電
極、３６・・・・・・配向膜、４・・・・・・シール樹
脂、５・・・・・・強誘電性液晶、９・・・・・・スペ
ーサー １０・・・・・・液晶分子のＣダイレクタ−１
１・・・・・・液晶分子の自発分極の向き。
配向を示す模式図、第２図は本発明の一実施例における
強誘電性液晶パネルの構成を示す断面図、第３図ａは液
晶パネルに印加される電圧波形図、第３図すは液晶パネ
ルの輝度を示す特性図、第４図及び第５図は従来の強誘
電性液晶の初期配向を示す模式図である。 １．８・・・・・・ガラス基板、２．７・・・・・・電
極、３６・・・・・・配向膜、４・・・・・・シール樹
脂、５・・・・・・強誘電性液晶、９・・・・・・スペ
ーサー １０・・・・・・液晶分子のＣダイレクタ−１
１・・・・・・液晶分子の自発分極の向き。
Claims (1)
- 一対の電極付き基板に強誘電性液晶を挟持して液晶パネ
ルを構成し、かつ一方の基板上の配向膜の熱処理温度と
他方の基板上の配向膜の熱処理温度を異ならせた強誘電
性液晶パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18552489A JP2548390B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 強誘電性液晶パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18552489A JP2548390B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 強誘電性液晶パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348818A true JPH0348818A (ja) | 1991-03-01 |
| JP2548390B2 JP2548390B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=16172307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18552489A Expired - Fee Related JP2548390B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 強誘電性液晶パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2548390B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8680417B2 (en) | 2010-05-26 | 2014-03-25 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Operation apparatus |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP18552489A patent/JP2548390B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8680417B2 (en) | 2010-05-26 | 2014-03-25 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Operation apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2548390B2 (ja) | 1996-10-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |