JPS62170937A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
- Publication number
- JPS62170937A JPS62170937A JP1101186A JP1101186A JPS62170937A JP S62170937 A JPS62170937 A JP S62170937A JP 1101186 A JP1101186 A JP 1101186A JP 1101186 A JP1101186 A JP 1101186A JP S62170937 A JPS62170937 A JP S62170937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- substrates
- nylon
- orientation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 claims abstract description 24
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002614 Polyether block amide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点１
強誘電性液晶は、カイラルスメクテイック相を示し且つ
、そのらせん軸及び分子の長軸のどちらにも垂直な方向
の成分を持つ永久双極子を有する液晶である。この双極
子と電界の相互作用により、 液晶分子を駆動すること
ができる。この強誘電性液晶を使用した液晶電気光学素
子は、高速応答。 蓄積形表示が可能である等の特徴を持つため、従来のネ
マティック液晶を用いた液晶表示素子に比べて走査線の
数を増した大面積で大表示容量の表示パネルや、高速の
光シヤツターが実現可能であると言われている。しかし
その反面１強誘電性液晶はネマティック液晶に比べて均
一で良好な配向を得ることが困難であり、実用的な素子
を製作する上で大きな問題となっている。 強誘電性液晶の配向方法としては、以下のような方法が
ある。 ω 従来のネマティック液晶の場合と同様に、基板表面
に適当な膜を形成してこれをラビングするか、またはシ
リコン酸化物等を斜方蒸着する等の配向処理膜を形成す
る方法。 ■ 延伸されたポリエチレンテレフタレート等のフィル
ムを２枚の基板間のスペーサとして使用し、その延伸方
向に切断されたエツジから強誘電性を示す液晶相を結晶
成長させる方法。 ■ シアリング法。 に）磁場をかけて配向させる方法。 ここで実用的な液晶デバイスに要求される配向法の条件
としては。 （イ）再現性、安定性が良好であること（ロ） セルの
全面にわたり均一な配向が得られること （ハ）配向力に記憶効果があること （ニ） セルのギャップ制御を妨げないこと（ホ）生産
性が良好であること 等がある。 この観点から前述のα）−（へ）の方法を検討すると、
■の方法については広い面積にわたって均一な配向を得
ることが困難であり、ギャップの制御も難しく、生産性
も良くない。また■及び（へ）は、配向 、１、力に記
憶効果がないので、液晶の配向が一度乱れると再び配向
処理を行わない限り、液晶の配向は回復しない。更に生
産性も良くなく、ギャップの制御の点でも問題がある。 従って、実用的な強誘電性液晶電気光学素子には、■の
配向方法即ち、基板表面に配向処理膜を施す方法が最も
適していると考えられる。 ■の方法を強誘電性液晶の配向に用いた場合にネマティ
ック液晶の場合と異なることは、前述の通り強誘電性液
晶が分子に垂直な方向の永久双種子を持つので、配向処
理膜の極性が強誘電性液晶の分子の配向及び動作に大き
く影響することにある。配向処理膜材料の例としては、
例えば特開昭６０−６６２３３号公報に詳細に記載され
ているが、この中では配向処理膜の極性については考慮
されていない。 〔発明の目的〕 本発明はこのような状況に鑑みなされたもので、良好な
液晶分子の配向が得られ、且つ他の適当な配向処理膜と
組合せることにより用途に応じた特性をもつことの可能
な配向処理膜を有する液晶電気光学素子の提供を目的と
する。
、そのらせん軸及び分子の長軸のどちらにも垂直な方向
の成分を持つ永久双極子を有する液晶である。この双極
子と電界の相互作用により、 液晶分子を駆動すること
ができる。この強誘電性液晶を使用した液晶電気光学素
子は、高速応答。 蓄積形表示が可能である等の特徴を持つため、従来のネ
マティック液晶を用いた液晶表示素子に比べて走査線の
数を増した大面積で大表示容量の表示パネルや、高速の
光シヤツターが実現可能であると言われている。しかし
その反面１強誘電性液晶はネマティック液晶に比べて均
一で良好な配向を得ることが困難であり、実用的な素子
を製作する上で大きな問題となっている。 強誘電性液晶の配向方法としては、以下のような方法が
ある。 ω 従来のネマティック液晶の場合と同様に、基板表面
に適当な膜を形成してこれをラビングするか、またはシ
リコン酸化物等を斜方蒸着する等の配向処理膜を形成す
る方法。 ■ 延伸されたポリエチレンテレフタレート等のフィル
ムを２枚の基板間のスペーサとして使用し、その延伸方
向に切断されたエツジから強誘電性を示す液晶相を結晶
成長させる方法。 ■ シアリング法。 に）磁場をかけて配向させる方法。 ここで実用的な液晶デバイスに要求される配向法の条件
としては。 （イ）再現性、安定性が良好であること（ロ） セルの
全面にわたり均一な配向が得られること （ハ）配向力に記憶効果があること （ニ） セルのギャップ制御を妨げないこと（ホ）生産
性が良好であること 等がある。 この観点から前述のα）−（へ）の方法を検討すると、
■の方法については広い面積にわたって均一な配向を得
ることが困難であり、ギャップの制御も難しく、生産性
も良くない。また■及び（へ）は、配向 、１、力に記
憶効果がないので、液晶の配向が一度乱れると再び配向
処理を行わない限り、液晶の配向は回復しない。更に生
産性も良くなく、ギャップの制御の点でも問題がある。 従って、実用的な強誘電性液晶電気光学素子には、■の
配向方法即ち、基板表面に配向処理膜を施す方法が最も
適していると考えられる。 ■の方法を強誘電性液晶の配向に用いた場合にネマティ
ック液晶の場合と異なることは、前述の通り強誘電性液
晶が分子に垂直な方向の永久双種子を持つので、配向処
理膜の極性が強誘電性液晶の分子の配向及び動作に大き
く影響することにある。配向処理膜材料の例としては、
例えば特開昭６０−６６２３３号公報に詳細に記載され
ているが、この中では配向処理膜の極性については考慮
されていない。 〔発明の目的〕 本発明はこのような状況に鑑みなされたもので、良好な
液晶分子の配向が得られ、且つ他の適当な配向処理膜と
組合せることにより用途に応じた特性をもつことの可能
な配向処理膜を有する液晶電気光学素子の提供を目的と
する。
即ち本発明は、第１主面側に透明電極が形成された第１
及び第２基板と、この第１及び第２基板の第１主面上に
形成された配向処理膜と、第１及び第２基板間に挟持さ
れた強誘電性液晶とを備えた液晶電気光学素子であり、
配向処理膜のうち少なくとも一方はシアノアクリレート
樹脂からなることを特徴とする。 〔発明の実施例〕 以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。 第１図は本発明の一実施例を示す図であり、これからこ
の実施例を製造工程に従って説明する。 即ち第１及び第２基板■、■例えばガラス基板の第１主
面（１，）、 （２，）側には、それぞれ例えばＩＴＯ
からなる透明電極■、に）が形成されており、この後、
第１及び第２基板■、■を洗浄、乾燥して表面を清浄に
する６次に第１基板■の第１主面（１１）にシアノアク
リレート液をスピナーを用いて塗布する。塗布されたシ
アノアクリレートは、空気中等に自然に存在する水分を
触媒として重合反応をおこし、数分以内でシアノアクリ
レート樹脂となる。この時、シアノアクリレート液の粘
性とスピナーの回転数を調節して、シアノアクリレート
樹 ・脂の膜厚がおよそ８０ｎｍ以下、また少なく
とも単分子層の厚さ以上となるようにする。シアノアク
リレート樹脂膜を１００℃で３０分間焼成した後、綿布
等で一方向にラビングを行い配向処理膜（ハ）とした。 ここでこのシアノアクリレート樹脂は次に示すような構
造の高分子物質で、 極性基としてシアノ基とエステル化したカルボキシル基
を持っている。一般にはモノマーであるシアノアクリレ
ートとして供給され、瞬間硬化型の接着剤として広く用
いられている。 一方、第２基板■の第１主面（２１）には、１２−ナイ
ロン溶液をスピナーにて塗布し、１００℃から１５０℃
で３０分間から１時間焼成することにより配向処理膜０
が形成されている。なお配向処理膜■の膜厚は、１１０
０ｎから５００ｎｍ程度が適当であり、 ここでは３０
０ｎｍとした。次に第１基板■の第１主面（１，）側に
、スペーサ■として粒径２Ｉｍのアルミナのビーズを散
布するとともに、第２基板■の第１主面（２１）側の周
囲には、強誘電性液晶（へ）の注入孔となる部分を除い
てシール材をスクリーン印刷し、第１及び第２基板（υ
、■を第１主面（１□Ｌ （２１）側が対向した状態で
張合ね仕る。そしてシール材が硬化した後、強誘電性液
晶（へ）を注入する。続いてこの注入が終わり注入孔の
部分を封止した後１強誘電性液晶（８）が等六相になる
まで加熱し、毎分約２℃或いはそれ以下の速さで徐冷す
る。また第１及び第２基板（ト）、ｃ２）の第２主面（
１□Ｌ （２ｍ）側には、それぞれ偏光板（９）、 （
１０）が被着されている。 この実施例では、配向処理膜がシアノアクリレート樹脂
からなるので、良好な配向が得られ、更に第１基板■に
対してぬれ及び付着性が良くて、接着改良剤が不要とい
う利点がある。また配向処理膜０の材料である１２−ナ
イロンは、配向処理膜■の材料であるシアノアクリレー
ト樹脂との極性の差が大きくて、安定状態が一つという
特性を示す。 〔発明の他の実施例〕 この実施例は前述の実施例と比べ、配向処理膜０の材料
が異なり、ポリアクリロニトリルである。 そしてこの配向処理膜０は、ポリアクリロニトリル溶液
をスピナーにて第２基板■に塗布しｉｏｏ’ｃで３０分
間焼成後、綿布等で一方向にラビングすることにより得
られる。なお配向処理膜０の膜厚は、５ｎｍから５０ｎ
ｍ程度が適当であり、ここでは３０ｎｍとした。 この実施例では、配向処理膜■がシアノアクリレート樹
脂からなるという点において、前述の実施例と同様の効
果をもっている。また配向処理膜０の材料であるポリア
クリロニトリルは、配向処理膜０の材料であるシアノア
クリレート樹脂との極性の差が小さくて、およそ二つに
分けられる安定状態、即ちメモリ特性を示す。 なおシアノアクリレート樹脂との極性の差が大きい材料
としては、１２−ナイロンの他に６，６−ナイロンやポ
リビニルアルコール等でもよく、また極性の差が小さい
材料としては、ポリアクリロニトリルの他にシアノアク
リレート樹脂やポリエーテルアミド等でもよい。また本
発明の目的は、強誘電性液晶の良好な配向が得られる配
向処理１換を得ることであり、配向処理ｌ漠の形成法及
び今まで述べた実施例によって何ら制約を受けるもので
はない。 Ｃ発明の効果〕 以上説明したように本発明の液晶電気光学素子は、シア
ノアクリレート樹脂を強誘電性液晶の配向処理膜に使用
することによって良好な配向が得られ、更にシアノアク
リレート樹脂と組合わせて使用する配向処理膜の材料を
適当に選択することによって、安定状態が一つ或いは二
つという二種類の特性のセルを作ることができる。
及び第２基板と、この第１及び第２基板の第１主面上に
形成された配向処理膜と、第１及び第２基板間に挟持さ
れた強誘電性液晶とを備えた液晶電気光学素子であり、
配向処理膜のうち少なくとも一方はシアノアクリレート
樹脂からなることを特徴とする。 〔発明の実施例〕 以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。 第１図は本発明の一実施例を示す図であり、これからこ
の実施例を製造工程に従って説明する。 即ち第１及び第２基板■、■例えばガラス基板の第１主
面（１，）、 （２，）側には、それぞれ例えばＩＴＯ
からなる透明電極■、に）が形成されており、この後、
第１及び第２基板■、■を洗浄、乾燥して表面を清浄に
する６次に第１基板■の第１主面（１１）にシアノアク
リレート液をスピナーを用いて塗布する。塗布されたシ
アノアクリレートは、空気中等に自然に存在する水分を
触媒として重合反応をおこし、数分以内でシアノアクリ
レート樹脂となる。この時、シアノアクリレート液の粘
性とスピナーの回転数を調節して、シアノアクリレート
樹 ・脂の膜厚がおよそ８０ｎｍ以下、また少なく
とも単分子層の厚さ以上となるようにする。シアノアク
リレート樹脂膜を１００℃で３０分間焼成した後、綿布
等で一方向にラビングを行い配向処理膜（ハ）とした。 ここでこのシアノアクリレート樹脂は次に示すような構
造の高分子物質で、 極性基としてシアノ基とエステル化したカルボキシル基
を持っている。一般にはモノマーであるシアノアクリレ
ートとして供給され、瞬間硬化型の接着剤として広く用
いられている。 一方、第２基板■の第１主面（２１）には、１２−ナイ
ロン溶液をスピナーにて塗布し、１００℃から１５０℃
で３０分間から１時間焼成することにより配向処理膜０
が形成されている。なお配向処理膜■の膜厚は、１１０
０ｎから５００ｎｍ程度が適当であり、 ここでは３０
０ｎｍとした。次に第１基板■の第１主面（１，）側に
、スペーサ■として粒径２Ｉｍのアルミナのビーズを散
布するとともに、第２基板■の第１主面（２１）側の周
囲には、強誘電性液晶（へ）の注入孔となる部分を除い
てシール材をスクリーン印刷し、第１及び第２基板（υ
、■を第１主面（１□Ｌ （２１）側が対向した状態で
張合ね仕る。そしてシール材が硬化した後、強誘電性液
晶（へ）を注入する。続いてこの注入が終わり注入孔の
部分を封止した後１強誘電性液晶（８）が等六相になる
まで加熱し、毎分約２℃或いはそれ以下の速さで徐冷す
る。また第１及び第２基板（ト）、ｃ２）の第２主面（
１□Ｌ （２ｍ）側には、それぞれ偏光板（９）、 （
１０）が被着されている。 この実施例では、配向処理膜がシアノアクリレート樹脂
からなるので、良好な配向が得られ、更に第１基板■に
対してぬれ及び付着性が良くて、接着改良剤が不要とい
う利点がある。また配向処理膜０の材料である１２−ナ
イロンは、配向処理膜■の材料であるシアノアクリレー
ト樹脂との極性の差が大きくて、安定状態が一つという
特性を示す。 〔発明の他の実施例〕 この実施例は前述の実施例と比べ、配向処理膜０の材料
が異なり、ポリアクリロニトリルである。 そしてこの配向処理膜０は、ポリアクリロニトリル溶液
をスピナーにて第２基板■に塗布しｉｏｏ’ｃで３０分
間焼成後、綿布等で一方向にラビングすることにより得
られる。なお配向処理膜０の膜厚は、５ｎｍから５０ｎ
ｍ程度が適当であり、ここでは３０ｎｍとした。 この実施例では、配向処理膜■がシアノアクリレート樹
脂からなるという点において、前述の実施例と同様の効
果をもっている。また配向処理膜０の材料であるポリア
クリロニトリルは、配向処理膜０の材料であるシアノア
クリレート樹脂との極性の差が小さくて、およそ二つに
分けられる安定状態、即ちメモリ特性を示す。 なおシアノアクリレート樹脂との極性の差が大きい材料
としては、１２−ナイロンの他に６，６−ナイロンやポ
リビニルアルコール等でもよく、また極性の差が小さい
材料としては、ポリアクリロニトリルの他にシアノアク
リレート樹脂やポリエーテルアミド等でもよい。また本
発明の目的は、強誘電性液晶の良好な配向が得られる配
向処理１換を得ることであり、配向処理ｌ漠の形成法及
び今まで述べた実施例によって何ら制約を受けるもので
はない。 Ｃ発明の効果〕 以上説明したように本発明の液晶電気光学素子は、シア
ノアクリレート樹脂を強誘電性液晶の配向処理膜に使用
することによって良好な配向が得られ、更にシアノアク
リレート樹脂と組合わせて使用する配向処理膜の材料を
適当に選択することによって、安定状態が一つ或いは二
つという二種類の特性のセルを作ることができる。
第１図は本発明の一実施例を模式的に表わした断面図で
ある。 ■・・・第１基板 ■・・・第２基板 ■、■・・・配向処理膜 （８）・・・強誘電性液晶 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫
ある。 ■・・・第１基板 ■・・・第２基板 ■、■・・・配向処理膜 （８）・・・強誘電性液晶 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫
Claims (3)
- （１）第１主面側に透明電極が形成された第１及び第２
基板と、この第１及び第２基板の前記第１主面上に形成
された配向処理膜と、前記第１及び第２基板間に挟持さ
れた強誘電性液晶とを備えた液晶電気光学素子において
、前記配向処理膜のうちの少なくとも一方はシアノアク
リレート樹脂からなることを特徴とする液晶電気光学素
子。 - （２）前記配向処理膜のうちの一方はシアノアクリレー
ト樹脂、他方は１２−ナイロン、６，６−ナイロン及び
ポリビニルアルコールのうちのいずれかからなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶電気光学素
子。 - （３）前記配向処理膜のうちの一方はシアノアクリレー
ト樹脂、他方はポリアクリロニトリル、シアノアクリレ
ート樹脂及びポリエーテルアミドのうちのいずれかから
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶
電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101186A JPS62170937A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101186A JPS62170937A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | 液晶電気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62170937A true JPS62170937A (ja) | 1987-07-28 |
Family
ID=11766180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1101186A Pending JPS62170937A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62170937A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02275450A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Konica Corp | フィルムマガジン装置 |
| US5200238A (en) * | 1990-06-22 | 1993-04-06 | Loctite (Ireland) Limited | Liquid crystal display devices and method of manufacture |
-
1986
- 1986-01-23 JP JP1101186A patent/JPS62170937A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02275450A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Konica Corp | フィルムマガジン装置 |
| US5200238A (en) * | 1990-06-22 | 1993-04-06 | Loctite (Ireland) Limited | Liquid crystal display devices and method of manufacture |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3267989B2 (ja) | 液晶配向膜の製造方法 | |
| JPS6327817A (ja) | 液晶素子 | |
| JP2568574B2 (ja) | 液晶セルの製造方法 | |
| JPS62170937A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPS63237031A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH04284423A (ja) | 配向制御膜と液晶素子 | |
| US5555240A (en) | Process for fabricating a liquid crystal display with switching elements formed in a substrate | |
| JPH02311822A (ja) | 配向制御膜と配向制御法および液晶素子 | |
| JP2815415B2 (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
| JP2548390B2 (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
| JPS62247327A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
| JPH07119912B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2695262B2 (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
| JPS62227123A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JP3062978B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JP3241502B2 (ja) | 液晶電気光学装置の作製方法 | |
| JP3212976B2 (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPH0210323A (ja) | 強誘電性液晶表示素子 | |
| JPS6398632A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPH0331821A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JP3594766B2 (ja) | 液晶装置及びその製造方法 | |
| JPS6381324A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPS62247326A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
| JPH0261616A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH02217820A (ja) | 強誘電性高分子液晶素子 |