JPS6381324A

JPS6381324A - 液晶電気光学素子

Info

Publication number: JPS6381324A
Application number: JP22581086A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Shimizu; 簡清水; Kazue Sekikawa; 関川　一枝
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-09-26
Filing date: 1986-09-26
Publication date: 1988-04-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）この発明は平面形表示Ｖｔ置、印写装置の光学書き込み
ヘッド等に使用される液晶電気光学素子の構造に関し、
特に液晶電気光学素子が強誘電性液晶デバイスである場
合の液晶の注入口の位置に関する。

（従来の技術）強誘電性液晶は、カイラルスメクティツク相を示し且つ
、そのらせん軸及び分子の長軸のどちらにも垂直な方向
の成分を持つ永久双極子を有する液晶である。この双極
子と電界の相互作用により液晶分子を駆動することがで
きる。この強誘電性液晶を使用した液晶電気光学素子は
、高速応答や蓄積形表示が可能である等の特徴を持つた
め、従来のネマチック液晶を用いた液晶表示素子に比べ
て、走査線の数を増した大面積で大表示容最の表示パネ
ルや高速の光シヤツターが実現可能であると言われてい
る。

該強誘電性液晶デバイスは従来のＴＮ形の液晶デバイス
とは、液晶材料、セル・ギャップ、液晶の配向制御方法
が異なるが、その構造はＴＮ形の液晶デバイスの構造と
概略同じであり、特開昭第５６−１０７２１６号公報や
特開昭第６０−１２３８２５　Ｍ公報等で述べられてい
る。即ち概略、マイクロメータ・オーダの厚さの強誘電
性液晶層と、これを挟んで向かい合って外囲器となるガ
ラス板と、その内面に形成され、互いにおおよそ直交す
るすだれ状の透明な走査電極及び制御電極と、外囲器の
外側に配置された偏光子及び検光子とから構成され、走
査電極と制御電極の交点が画素となるものである。

（発明が解決しようとする問題点）ところで従来より一般に使用されているＴＮ形の液晶デ
バイスでは、液晶セルの周辺部のどの位置に液晶の注入
口を設けても、特に問題は生じなかった。しかしながら
、強誘電性液晶デバイスにおいては液晶の均一な配向を
得ることは難しく、液晶の注入口のエツジに接続する線
状のあるいは帯状の配向の乱れを抑止することは特に困
難であることが発見された。また、配向の乱れは表示デ
バイスにおいては表示品位を低下させた。

この発明の対象とする強誘電性液晶デバイスは、液晶の
注入口に接続する線状または帯状の液晶の配向の乱れが
生じ易かった。しかし、多数の強誘電性液晶セルを１ｉ
！２察することによって、液晶の注入口のエツジから配
向の乱れが生じ、液晶のスメクチック相の層の法線に対
して垂直な方向に配向の乱れが延び易いことが分かった
。液晶の分子はスメクチック相の層の法線方向に長軸が
あり、従って、それと垂直な方向にある分子同志は互い
に影響を及ぼし易く、平行な方向には互いに影響しにく
いことは明らかでおる。また、強誘電性液晶セルの注入
口、特にそのエツジでは強誘電性液晶の配向が乱れ易い
ことが、多くの゛強誘電性液晶セルの８０によって分か
った。

この発明は、強誘電性液晶デバイスの、主に液晶の注入
口に接続する線状または帯状の液晶の配向の乱れを防ぎ
、液晶を均一に配向させ、ひいては良好な表示あるいは
均質な光シヤツタアレイを得ることを目的とする。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）該強誘電性液晶デバイスの液晶の注入口を設ける辺とほ
ぼ垂直な方向に強誘電性液晶のスメクチック相の層の法
線が向くように液晶の配向を制御する、または、強誘電
性液晶のスメクチック相の層の法線とすべき方向に対し
て概略垂直な辺に、液晶の注入口を設けることによって
、液晶の注入口のエツジから生じる配向の乱れが表示領
域あるいは、光シヤツタ部分に成長しないようにする。

（作用）強誘電性液晶デバイスの液晶セルの注入口の位置を、強
誘電性液晶のスメクチック相の層の法線に対しておよそ
垂直な辺に設けることによって、液晶の注入口から生じ
る配向の乱れが強誘電性液晶デバイスの表示領域には影
響せず、液晶の均一な配向が得られ、結局、均質な表示
あるいは均一な特性の光シヤツタアレイが得られる。

（実施例）以下、この発明の詳細を図面を参照して詳細に説明する
。

第１図はこの発明の一実施例を示す図であり、同図（ａ
）は部分断面図、同図（ｂ）は概略平面図である。同図
（ａ）かられかるように、液晶の外囲器となる２枚のガ
ラス基板即ち第１及び第２基板（１０）、　（１１）の
−主面に蒸着等の手段で例えばＩ　ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）からなる透明電極（１２）、　
（１３）を形成する。マトリクス形の表示デバイスであ
れば、光蝕刻法によって透明電極（１２）。

（１３）をすだれ状にする。次に例えばシアノ７クリレ
ート樹脂といった高分子材料等の液晶の配向膜（１４）
、　（１５）を第１及び第２基板（１０）、　（１１）
にスピナー等で塗布して焼成した後、液晶の注入口を設
ける辺と垂直な方向に綿布等で一方向に腔る。そしてス
クリーン印刷技術によって熱硬化型接着剤を第１の基板
（１０）に塗布し、第２の基板（１１）に基板間の間隙
を保つために球状のアルミナ製のスペーサ（１６）を散
布し、第１及び第２の基板（１０）。

（１１）を張り合わせ加熱圧着する。次に真空容器中で
液晶セルの内部を真空にして、強誘電性液晶（１７）の
材料を液晶セルに注入する。最後に液晶の注入口を紫外
線硬化型の接着剤等で月止し、第１及び第２基板（１０
）、　（１１）の他主面側にはそれぞれ偏光板（１８）
、　（１９）を被着する。ここで強誘電性液晶（１７）
は、電圧無印加の状態で第１及び第２の基板（１０）、
　（１１）に対して概略水平に配向している。

また同図（ｂ）かられかるように、熱硬化型接着剤（２
０）の開口部である液晶の注入口（２１）の位置は、強
誘電性液晶の液晶分子（２２）のスメクチック相の層（
２３）の法線方向（２４）に対して、概略垂直な辺（２
５）にＨ１ｃプである。従って、注入口（２１）が法線
方向（２４）に概略平行な辺（３０）におる点を除いて
は第１図（ｂ）と同様である第２図に示したような、注
入口（２１）のエツジ（３１）から生じる配向の乱れが
なくなった。

なお、強誘電性液晶（１７）の配向制御は高分子膜のラ
ビングによらず、斜め蒸着の技術を使用しても配向を制
御でき、スペーサ（１６）もアルミナである必要はなく
、合成樹脂、ガラスファイバでもかまわない。重要なの
は、液晶の注入口（２１）のエツジ（３１）から強誘電
性液晶セルのスメクチック相の層（２３）の法線と垂直
な方向に伸ばした線上に表示領域が存在しないことであ
る。

［発明の効果］この発明は液晶の注入口から生じる配向の乱れが強誘電
性液晶デバイスの表示領域には影響せず、液晶の均一な
配向が得られ、結局、均質な表示あるいは均一な特性の
光シヤツタアレイが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ＞はこの発明の一実施例を示す部分断面図、
第１図（ｂ）はこの発明の一実施例を模式的に表わした
平面図、第２図は従来の液晶電気光学素子の一例を模式
的に表わした平面図である。（１０）・・・第１基板、　　（１１）・・・第２基板
（１２）、　（１３）・・・透明電極、（１４）、　（
１５）・・・配向膜、（１７）・・・強誘電性液晶　（
２１）・・・注入口、（２３）・・・スメクチック相の
層、（２４）・・・法線方向、（２５）・・・概略垂直
な辺。

Claims

【特許請求の範囲】

第１及び第２の基板の一主面に透明電極及び配向膜を形
成し、前記透明電極が対向した状態で液晶の注入口とな
る部分を残して周辺部を封着することにより前記第１及
び第２基板を張り合わせ、前記注入口より強誘電性液晶
を注入した後に前記注入口を封止してなり、且つ前記強
誘電性液晶を前記第１及び第２基板に対して概略水平に
配向させた液晶電気光学素子において、前記強誘電性液
晶のスメクチック相の層の法線方向とすべき方向に対し
て概略垂直な辺に前記注入口を設けたことを特徴とする
液晶電気光学素子。