JP2548390B2 - 強誘電性液晶パネルの製造方法 - Google Patents
強誘電性液晶パネルの製造方法Info
- Publication number
- JP2548390B2 JP2548390B2 JP18552489A JP18552489A JP2548390B2 JP 2548390 B2 JP2548390 B2 JP 2548390B2 JP 18552489 A JP18552489 A JP 18552489A JP 18552489 A JP18552489 A JP 18552489A JP 2548390 B2 JP2548390 B2 JP 2548390B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- ferroelectric liquid
- crystal panel
- substrate
- panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は強誘電性液晶パネルの製造方法に関するもの
である。
である。
従来の技術 液晶表示装置は薄型化・軽量化・低電圧駆動可能など
の長所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし
現在使用されているネマティック液晶は応答速度が数ミ
リ〜数十ミリ秒と遅いために高速応答が不可能であり、
利用分野は限られている。一方強誘電性液晶はマイクロ
秒単位の応答速度及びメモリ効果のために高速表示素
子，メモリ形ディスプレイ，液晶シャッターなどの分野
に適用が可能である。現在配向方法としてはラビング
法，斜方蒸着法，磁界印加法，電界印加法，シェアリン
グ法等が考案されているが、量産性，実用性の面におい
てラビング法が最も優れている。従来のラビング法とし
ては基板上を直接ラビングする方法，基板上に無機物被
膜を設けた後ラビングする方法，界面活性剤，カップリ
ング剤等を被着させた後にラビングする方法，ポリイミ
ド等の高分子をコーティングした後にラビングする方法
等がある。
の長所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし
現在使用されているネマティック液晶は応答速度が数ミ
リ〜数十ミリ秒と遅いために高速応答が不可能であり、
利用分野は限られている。一方強誘電性液晶はマイクロ
秒単位の応答速度及びメモリ効果のために高速表示素
子，メモリ形ディスプレイ，液晶シャッターなどの分野
に適用が可能である。現在配向方法としてはラビング
法，斜方蒸着法，磁界印加法，電界印加法，シェアリン
グ法等が考案されているが、量産性，実用性の面におい
てラビング法が最も優れている。従来のラビング法とし
ては基板上を直接ラビングする方法，基板上に無機物被
膜を設けた後ラビングする方法，界面活性剤，カップリ
ング剤等を被着させた後にラビングする方法，ポリイミ
ド等の高分子をコーティングした後にラビングする方法
等がある。
発明が解決しようとする課題 従来のような方法で基板上にポリイミド等の高分子を
コーティングした後にラビング処理を行い、強誘電性液
晶パネルを作製した場合、上下基板で配合膜の極性規制
力が等しい場合、強誘電性液晶分子はパネル間でねじれ
た状態（第４図）をとったり、２種類の分子方向が混在
した状態（第５図）となってしまい、コントラストの高
いパネルを得ることはできない。第４図，第５図におい
て1,8はガラス基板、2,7は電極、3,6は配向膜、10は液
晶分子のＣダイレクター（液晶分子の層面への射影の方
向を示す単位ベクトル）、11は自発分極の向きを示して
いる。
コーティングした後にラビング処理を行い、強誘電性液
晶パネルを作製した場合、上下基板で配合膜の極性規制
力が等しい場合、強誘電性液晶分子はパネル間でねじれ
た状態（第４図）をとったり、２種類の分子方向が混在
した状態（第５図）となってしまい、コントラストの高
いパネルを得ることはできない。第４図，第５図におい
て1,8はガラス基板、2,7は電極、3,6は配向膜、10は液
晶分子のＣダイレクター（液晶分子の層面への射影の方
向を示す単位ベクトル）、11は自発分極の向きを示して
いる。
本発明はこのような従来の欠点を解決し、初期配向で
の強誘電性液晶分子の方向を一方に揃え、コントラスト
の高いパネルが得られるようにすることを目的としてい
る。
の強誘電性液晶分子の方向を一方に揃え、コントラスト
の高いパネルが得られるようにすることを目的としてい
る。
課題を解決するための手段 上記の目的を達成するために、本発明は、一対の電極
付き基板に強誘電性液晶を挟持して液晶パネルを構成
し、一方の基板上の配向膜の熱処理温度と他方の基板上
の配向膜の熱処理温度を異ならせるものである。
付き基板に強誘電性液晶を挟持して液晶パネルを構成
し、一方の基板上の配向膜の熱処理温度と他方の基板上
の配向膜の熱処理温度を異ならせるものである。
作用 本発明によれば上下基板の熱処理温度を異ならせるこ
とで一方の基板の配向膜の極性規制力が他方の基板より
大きくなり、強誘電性液晶が一方の配向膜に規制されて
強誘電性液晶分子の自発分極がすべて同一方向に向く。
これにより、液晶分子が一方向に揃い、コントラストの
高いパネルを得ることができる。
とで一方の基板の配向膜の極性規制力が他方の基板より
大きくなり、強誘電性液晶が一方の配向膜に規制されて
強誘電性液晶分子の自発分極がすべて同一方向に向く。
これにより、液晶分子が一方向に揃い、コントラストの
高いパネルを得ることができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について図面を用いて説明す
る。第２図に示すように２枚の透明なガラス基板1,8上
に透明導電膜（ITO膜）からなる透明電極2,7を形成す
る。このガラス基板1,8を洗浄した後、その上に配向膜
3,6としてポリイミド樹脂をスピンナーにより塗布した
後、一方のガラス基板を200℃で１時間熱処理を行い、
他方のガラス基板８を300℃で１時間熱処理を行う。そ
の後、両基板の配向膜面3,6をレイヨンを材質としたラ
ビングクロスを用いてセビング処理を施す。その後、一
方のガラス基板１の配向膜３を設けた面にスペーサー９
として直径２μｍのSiO2を散布し、他方のガラス基板８
の配向膜６を設けた面の周縁部にシール樹脂４を印刷
し、これらの両方のガラス基板1,8の配向膜3,6面同士が
対向するように貼り合わせ、加熱することによりシール
樹脂４を硬化させる。その後真空脱気し、この２枚のガ
ラス基板1,8間の強誘電性液晶５を加熱，注入する。こ
のパネルを室温まで冷却し、注入口を封口した後、偏光
顕微鏡によりこのパネルを観察すると液晶分子が一方向
に揃った均一な配向が観察された。この時の液晶分子の
配向状態を示す模式図を第１図に示す。このパネルと、
上下基板の配向膜の熱処理温度を等しくした従来のパネ
ルに第３図ａに示すような電圧波形を印加した場合の透
過光量を第３図ｂに示す。VKは書き込みパルスを示して
おり、αは本実施例の輝度、βは従来例の輝度を示して
いる。第３図ｂから明らかなように上下基板の配向膜の
熱処理温度を変えることによりコントラストの高いパネ
ルを得ることができる。
る。第２図に示すように２枚の透明なガラス基板1,8上
に透明導電膜（ITO膜）からなる透明電極2,7を形成す
る。このガラス基板1,8を洗浄した後、その上に配向膜
3,6としてポリイミド樹脂をスピンナーにより塗布した
後、一方のガラス基板を200℃で１時間熱処理を行い、
他方のガラス基板８を300℃で１時間熱処理を行う。そ
の後、両基板の配向膜面3,6をレイヨンを材質としたラ
ビングクロスを用いてセビング処理を施す。その後、一
方のガラス基板１の配向膜３を設けた面にスペーサー９
として直径２μｍのSiO2を散布し、他方のガラス基板８
の配向膜６を設けた面の周縁部にシール樹脂４を印刷
し、これらの両方のガラス基板1,8の配向膜3,6面同士が
対向するように貼り合わせ、加熱することによりシール
樹脂４を硬化させる。その後真空脱気し、この２枚のガ
ラス基板1,8間の強誘電性液晶５を加熱，注入する。こ
のパネルを室温まで冷却し、注入口を封口した後、偏光
顕微鏡によりこのパネルを観察すると液晶分子が一方向
に揃った均一な配向が観察された。この時の液晶分子の
配向状態を示す模式図を第１図に示す。このパネルと、
上下基板の配向膜の熱処理温度を等しくした従来のパネ
ルに第３図ａに示すような電圧波形を印加した場合の透
過光量を第３図ｂに示す。VKは書き込みパルスを示して
おり、αは本実施例の輝度、βは従来例の輝度を示して
いる。第３図ｂから明らかなように上下基板の配向膜の
熱処理温度を変えることによりコントラストの高いパネ
ルを得ることができる。
なお本実施例において、ガラス基板1,8は少なくとも
一方が透明であれば良く、配向膜3,6としてポリイミド
を用いたが、それ以外の材料でも良い。またラビングク
ロスの材質もレイヨンに限らず、ナイロン，ポリエステ
ルなどでも良く配向膜塗布方法もスピンコートに限ら
ず、印刷などでも可能である。さらに液晶注入方法も真
空注入によらず、液晶を基板に滴下した後貼り合わせる
方法、毛細管現象による注入法でも可能である。
一方が透明であれば良く、配向膜3,6としてポリイミド
を用いたが、それ以外の材料でも良い。またラビングク
ロスの材質もレイヨンに限らず、ナイロン，ポリエステ
ルなどでも良く配向膜塗布方法もスピンコートに限ら
ず、印刷などでも可能である。さらに液晶注入方法も真
空注入によらず、液晶を基板に滴下した後貼り合わせる
方法、毛細管現象による注入法でも可能である。
発明の効果 以上の説明により明らかなように本発明によれば、強
誘電性液晶パネルの一方の基板上の配向膜の熱処理温度
と他方の基板上に配向膜の熱処理温度を異ならせること
により、上下の基板の配向膜の極性規制力に差が生じ、
強誘電性液晶が一方の配向膜に規制され、強誘電性液晶
分子の自発分極がすべて同一方向を向くので、液晶分子
が同一方向に揃い、コントラストの高いパネルを得るこ
とができる。
誘電性液晶パネルの一方の基板上の配向膜の熱処理温度
と他方の基板上に配向膜の熱処理温度を異ならせること
により、上下の基板の配向膜の極性規制力に差が生じ、
強誘電性液晶が一方の配向膜に規制され、強誘電性液晶
分子の自発分極がすべて同一方向を向くので、液晶分子
が同一方向に揃い、コントラストの高いパネルを得るこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例における強誘電性液晶の初期
配向を示す模式図、第２図は本発明の一実施例における
強誘電性液晶パネルの構成を示す断面図、第３図ａは液
晶パネルに印加される電圧波形図、第３図ｂは液晶パネ
ルの輝度を示す特性図、第４図及び第５図は従来の強誘
電性液晶の初期配向を示す模式図である。 1,8……ガラス基板、2,7……電極、3,6……配向膜、４
……シール樹脂、５……強誘電性液晶、９……スペー
サ、10……液晶分子のＣダイレクター、11……液晶分子
の自発分極の向き。
配向を示す模式図、第２図は本発明の一実施例における
強誘電性液晶パネルの構成を示す断面図、第３図ａは液
晶パネルに印加される電圧波形図、第３図ｂは液晶パネ
ルの輝度を示す特性図、第４図及び第５図は従来の強誘
電性液晶の初期配向を示す模式図である。 1,8……ガラス基板、2,7……電極、3,6……配向膜、４
……シール樹脂、５……強誘電性液晶、９……スペー
サ、10……液晶分子のＣダイレクター、11……液晶分子
の自発分極の向き。
Claims (1)
- 【請求項１】一対の電極付き基板に強誘電性液晶を挟持
して液晶パネルを構成し、かつ一方の基板上に配向膜の
熱処理温度と他方の基板上の配向膜の熱処理温度を異な
らせた強誘電性液晶パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18552489A JP2548390B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 強誘電性液晶パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18552489A JP2548390B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 強誘電性液晶パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348818A JPH0348818A (ja) | 1991-03-01 |
| JP2548390B2 true JP2548390B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=16172307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18552489A Expired - Fee Related JP2548390B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 強誘電性液晶パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2548390B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249097A (ja) | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 操作装置 |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP18552489A patent/JP2548390B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348818A (ja) | 1991-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2568574B2 (ja) | 液晶セルの製造方法 | |
| JP2647828B2 (ja) | 液晶素子の製造法 | |
| JP2548390B2 (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
| JPS63237031A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP2568575B2 (ja) | 液晶セルの製造方法 | |
| JP2815415B2 (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
| JP2558729B2 (ja) | 液晶セルの製造方法 | |
| JP2610516B2 (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JP2695262B2 (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
| JPS6240428A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JPS62170937A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPS63234224A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS63280221A (ja) | 強誘電性液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH0526174B2 (ja) | ||
| JPH01253716A (ja) | 強誘電性液晶パネル | |
| JPH0816222B2 (ja) | 強誘電性液晶組成物 | |
| JPH0627471A (ja) | 液晶パネルの製法 | |
| JPH0731325B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH04190216A (ja) | カイラルスメクチック液晶素子 | |
| JPH06273801A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPS63163821A (ja) | 強透電性液晶表示素子 | |
| JPH02195324A (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
| JPS6373223A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH0261616A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS6330827A (ja) | 液晶装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |