JPH0816222B2 - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH0816222B2 JPH0816222B2 JP8153788A JP8153788A JPH0816222B2 JP H0816222 B2 JPH0816222 B2 JP H0816222B2 JP 8153788 A JP8153788 A JP 8153788A JP 8153788 A JP8153788 A JP 8153788A JP H0816222 B2 JPH0816222 B2 JP H0816222B2
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- Japan
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- liquid crystal
- ferroelectric liquid
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高速、高コントラストの強誘電性液晶組成
物に関するものである。
物に関するものである。
従来の技術 液晶表示装置は薄型化・軽量化・低電圧駆動可能等の
長所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現
在使用されているネマテック液晶は応答速度が数ミリ〜
数十ミリ秒と遅い為に高速応答が不可能であり、利用分
野は限られている。一方強誘電性液晶はマイクロ秒単位
の応答速度及びメモリ効果の為に、高速表示素子、メモ
リ形ディスプレイ、液晶シャッター等の分野に適用が可
能である。現在配向方法としてはラビング法、斜方蒸着
法、磁界印加法、電界印加法、シェアリング法等が考案
されており、量産性、実用性の面に於いてはラビング法
が最も優れているが、ラビング配向法では一軸性が強す
ぎるために単安定になったり、あるいはツイスト安定に
なり、良好なユニフォーム形の双安定な特性を得る事は
困難であるまた強誘電性液晶においてIso相からSmC＊相
までの相系列は Iso→SmA→SmC＊ （IAC系） Iso→Ｎ＊→SmC＊ （INC系） Iso→Ｎ＊→SmA→SmC＊ （INAC系） Iso→SmC＊ （IC系） などが考えられる。
長所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現
在使用されているネマテック液晶は応答速度が数ミリ〜
数十ミリ秒と遅い為に高速応答が不可能であり、利用分
野は限られている。一方強誘電性液晶はマイクロ秒単位
の応答速度及びメモリ効果の為に、高速表示素子、メモ
リ形ディスプレイ、液晶シャッター等の分野に適用が可
能である。現在配向方法としてはラビング法、斜方蒸着
法、磁界印加法、電界印加法、シェアリング法等が考案
されており、量産性、実用性の面に於いてはラビング法
が最も優れているが、ラビング配向法では一軸性が強す
ぎるために単安定になったり、あるいはツイスト安定に
なり、良好なユニフォーム形の双安定な特性を得る事は
困難であるまた強誘電性液晶においてIso相からSmC＊相
までの相系列は Iso→SmA→SmC＊ （IAC系） Iso→Ｎ＊→SmC＊ （INC系） Iso→Ｎ＊→SmA→SmC＊ （INAC系） Iso→SmC＊ （IC系） などが考えられる。
強誘電性液晶の配向はSmC＊相よりも高温側の相系列
に大きく依存する。従来はSmC＊相で均一な配向を行う
為にはＮ＊相が必要であり、Ｎ＊相のピッチが長い程、
薄いセルに於ては強誘電性液晶のらせんがほどけ、SmA
相になった場合に相がきちんと整列し、SmC＊相におい
ても良好な配向が得られると考えられていた。
に大きく依存する。従来はSmC＊相で均一な配向を行う
為にはＮ＊相が必要であり、Ｎ＊相のピッチが長い程、
薄いセルに於ては強誘電性液晶のらせんがほどけ、SmA
相になった場合に相がきちんと整列し、SmC＊相におい
ても良好な配向が得られると考えられていた。
発明が解決しようとする課題 上記の様なＮ＊相を示す強誘電性液晶はSmA相では層
がきちんと整列するが、SmA相からSmC＊相に転移した場
合に分子が層法線から傾くために層をゆがめてしまい多
くのディスクリネーションが生じたり、単安定やツイス
ト安定になってしまう。またSmA相のない強誘電性液晶
（INC系）（IC系）を用いると層方向か規制されないた
めに配向がみだれ、IAC系液晶を用いてもINC系やIC系程
ではないが、層方向が揃いにくくなる。
がきちんと整列するが、SmA相からSmC＊相に転移した場
合に分子が層法線から傾くために層をゆがめてしまい多
くのディスクリネーションが生じたり、単安定やツイス
ト安定になってしまう。またSmA相のない強誘電性液晶
（INC系）（IC系）を用いると層方向か規制されないた
めに配向がみだれ、IAC系液晶を用いてもINC系やIC系程
ではないが、層方向が揃いにくくなる。
課題を解決するための手段 自発分極が20nC/cm2以上、100nC/cm2以下であり、相
転移系列において等方相とカイラルネマティック相とス
メクティックＡ相の３重点を有する強誘電性液晶組成物
を用いる。
転移系列において等方相とカイラルネマティック相とス
メクティックＡ相の３重点を有する強誘電性液晶組成物
を用いる。
作用 この強誘電性液晶を用いると高速、高コントラスト
で、ユニフォーム形の双安定な特性を得る事が出来る。
で、ユニフォーム形の双安定な特性を得る事が出来る。
実施例 以下、本発明の一実施例の強誘電性液晶組成物につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第１図に示すように透明ガラス基板1,2上に透明電極
としてITO膜3,4を形成し、その上に配向膜としてポリイ
ミド樹脂をスピンナーにより塗布し5,6両方の基板の配
向膜上にラビング処理を施し、この基板の配向膜同士を
貼り合せる。セルの厚さはシール樹脂７に混入したスペ
ーサーにより、2umとしている。このセルに強誘電性液
晶８を封入した。この強誘電性液晶の相系列を第２図の
様に変化させ、Ａ、Ｂ、Ｃ状態それぞれでのコントラス
トを＜表１＞に示す。
としてITO膜3,4を形成し、その上に配向膜としてポリイ
ミド樹脂をスピンナーにより塗布し5,6両方の基板の配
向膜上にラビング処理を施し、この基板の配向膜同士を
貼り合せる。セルの厚さはシール樹脂７に混入したスペ
ーサーにより、2umとしている。このセルに強誘電性液
晶８を封入した。この強誘電性液晶の相系列を第２図の
様に変化させ、Ａ、Ｂ、Ｃ状態それぞれでのコントラス
トを＜表１＞に示す。
この結果より明らかなようにＡ状態（IAC系）ではIso
相からSmA相に転移する際に分子長軸の配向と層の形成
が同時に起るために層方向が揃いにくくなる。またＣ状
態（INAC系）ではSmA相での配向は良好であるが、SmA相
での規制力が強すぎるためにSmA相からSmC＊相に転移す
る際に層がゆがんでしまう。これに対してＢ状態ではＡ
状態よりはSmA相での配向が良く、またＣ状態ほど規制
力が強くないので、SmA相からSmC＊相への転移において
も層が曲る事なく、良好な配向を示し、高コントラスト
で双安定な特性か得られた。
相からSmA相に転移する際に分子長軸の配向と層の形成
が同時に起るために層方向が揃いにくくなる。またＣ状
態（INAC系）ではSmA相での配向は良好であるが、SmA相
での規制力が強すぎるためにSmA相からSmC＊相に転移す
る際に層がゆがんでしまう。これに対してＢ状態ではＡ
状態よりはSmA相での配向が良く、またＣ状態ほど規制
力が強くないので、SmA相からSmC＊相への転移において
も層が曲る事なく、良好な配向を示し、高コントラスト
で双安定な特性か得られた。
また自発分極が20nC/cm2より小さいとツイスト安定に
なるためにコントラストが悪くなり、100nC/cm2より大
きくなると単安定となった なお上記の発明において基板は少なくとも一方が透明
であれば良く、また配向膜としてポリイミドを例にとり
説明したが、それ以外の材料でも良く、また配向膜によ
り表面処理を施さなくても可能である。
なるためにコントラストが悪くなり、100nC/cm2より大
きくなると単安定となった なお上記の発明において基板は少なくとも一方が透明
であれば良く、また配向膜としてポリイミドを例にとり
説明したが、それ以外の材料でも良く、また配向膜によ
り表面処理を施さなくても可能である。
発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明によれば自発
分極が20nC/cm2以上100nC/cm2以下であり、相転移系列
において等方相とカイラルネマティック相とカイラルス
メクティック相の３重点を有する強誘電性液晶を用いる
事により、高速、高コントラストなユニフォーム形の双
安定な特性を得る事が出来た。
分極が20nC/cm2以上100nC/cm2以下であり、相転移系列
において等方相とカイラルネマティック相とカイラルス
メクティック相の３重点を有する強誘電性液晶を用いる
事により、高速、高コントラストなユニフォーム形の双
安定な特性を得る事が出来た。
第１図は本発明の一実施例による強誘電性液晶パネルの
構成図、第２図は強誘電性液晶の相系列を示すグラフで
ある。 １……上ガラス基板、２……下ガラス基板、3,4……ITO
電極、5,6……配向膜、７……シール樹脂、８……強誘
電性液晶。
構成図、第２図は強誘電性液晶の相系列を示すグラフで
ある。 １……上ガラス基板、２……下ガラス基板、3,4……ITO
電極、5,6……配向膜、７……シール樹脂、８……強誘
電性液晶。
Claims (2)
- 【請求項１】相転移系列において等方相とカイラルネマ
ティック相とスメクティックＡ相の３重点を有すること
を特徴とする強誘電性液晶組成物。 - 【請求項２】強誘電性液晶組成物の自発分極が20nC/cm2
以上100nC/cm2以下であることを特徴とする請求項
（１）記載の強誘電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8153788A JPH0816222B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8153788A JPH0816222B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01254792A JPH01254792A (ja) | 1989-10-11 |
| JPH0816222B2 true JPH0816222B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=13749051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8153788A Expired - Fee Related JPH0816222B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0816222B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2849112B2 (ja) * | 1989-04-12 | 1999-01-20 | 出光興産株式会社 | 液晶光学素子及びその駆動方法 |
| JP4304290B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2009-07-29 | 日本電気株式会社 | 液晶セルおよび液晶デバイス |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP8153788A patent/JPH0816222B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01254792A (ja) | 1989-10-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |