JPH01252938A - 強誘電性液晶パネル - Google Patents
強誘電性液晶パネルInfo
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- JPH01252938A JPH01252938A JP8076788A JP8076788A JPH01252938A JP H01252938 A JPH01252938 A JP H01252938A JP 8076788 A JP8076788 A JP 8076788A JP 8076788 A JP8076788 A JP 8076788A JP H01252938 A JPH01252938 A JP H01252938A
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Landscapes
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高速、高コントラストな強誘電性液晶パネルに
関するものである。
関するものである。
従来の技術
液晶表示装置は薄型化・軽量化・低電圧駆動可能等の長
所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現在
使用されているネマティック液晶は応答速度が数ミリ−
数十ミリ秒と遅い為に高速応答が不可能であり、利用分
野は限られている。
所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現在
使用されているネマティック液晶は応答速度が数ミリ−
数十ミリ秒と遅い為に高速応答が不可能であり、利用分
野は限られている。
一方強誘電性液晶はマイクロ秒単位の応答速度及びメモ
リ効果の為に、高速表示素子、メモリ形デイスプレィ、
液晶シャッター等の分野に適用が可能である。現在配向
方法としてはラビング法、斜方蒸着法、磁界印加法、電
界印加法、シェアリング法等が考案されており、量産性
、実用性の面に於いてはラビング法が最も優れているが
、ラビング配同法では一軸性が強すぎるために単安定に
なったり、あるいはツイスト安定になり、良好なユニフ
ォーム形の双安定な特性を得る事は困難である。また強
誘電性液晶においてＩｓｏ相からＳｍＣ’相までの相系
列は ■ｌ５ｏ−＊ＳｍＡ−＊ＳｍＣ” （Ｔ ＡＣ系）■
ｌ５ｏ−ＩＮ’″−３ｍＣ” （ＩＮＣ系）■ｌ５
ｏ−＝Ｎ”−＊ＳｍＡ−＋ＳｍＣ” （ＩＮＡＣ系）
■Ｉｓｏ−３ｍＣ” （ＩＣ系）などが考え
られる。
リ効果の為に、高速表示素子、メモリ形デイスプレィ、
液晶シャッター等の分野に適用が可能である。現在配向
方法としてはラビング法、斜方蒸着法、磁界印加法、電
界印加法、シェアリング法等が考案されており、量産性
、実用性の面に於いてはラビング法が最も優れているが
、ラビング配同法では一軸性が強すぎるために単安定に
なったり、あるいはツイスト安定になり、良好なユニフ
ォーム形の双安定な特性を得る事は困難である。また強
誘電性液晶においてＩｓｏ相からＳｍＣ’相までの相系
列は ■ｌ５ｏ−＊ＳｍＡ−＊ＳｍＣ” （Ｔ ＡＣ系）■
ｌ５ｏ−ＩＮ’″−３ｍＣ” （ＩＮＣ系）■ｌ５
ｏ−＝Ｎ”−＊ＳｍＡ−＋ＳｍＣ” （ＩＮＡＣ系）
■Ｉｓｏ−３ｍＣ” （ＩＣ系）などが考え
られる。
強誘電性液晶の配向はＳｍＣ”相よりも高温側の相系列
に大きく依存する。従来はＳｍＣ“相で均一な配向を行
う為にはＮ”相が必要であり、Ｎ１相のピッチが長い程
、薄いセルに於ては強誘電性液晶のらせんがほどけ、Ｓ
ｍＡ相になった場合に相がきちんと整列し、ＳｍＣ’相
においても良好な配向が得られると考えられていた。
に大きく依存する。従来はＳｍＣ“相で均一な配向を行
う為にはＮ”相が必要であり、Ｎ１相のピッチが長い程
、薄いセルに於ては強誘電性液晶のらせんがほどけ、Ｓ
ｍＡ相になった場合に相がきちんと整列し、ＳｍＣ’相
においても良好な配向が得られると考えられていた。
発明が解決しようとする課題
上記の様なＮ０相を示す強誘電性液晶はＳｉＯ斜方蒸着
などにより配向された強誘電性液晶セルにおいては良好
な配向及び双安定性を示すが、ラビングにより配向させ
ると界面での配向規制力が強いために、ＳｍＡ相では層
がきちんと整列するが、ＳｍＡ相からＳｍＣ”相に転移
した場合に分子が層法線から傾くために層をゆがめてし
まい多くのディスクリネージジンが生じたり、単安定や
ツイスト安定になってしまう、またＳｍＡ相のない強誘
電性液晶を用いると層方向が規制されないために配向が
みだれる。
などにより配向された強誘電性液晶セルにおいては良好
な配向及び双安定性を示すが、ラビングにより配向させ
ると界面での配向規制力が強いために、ＳｍＡ相では層
がきちんと整列するが、ＳｍＡ相からＳｍＣ”相に転移
した場合に分子が層法線から傾くために層をゆがめてし
まい多くのディスクリネージジンが生じたり、単安定や
ツイスト安定になってしまう、またＳｍＡ相のない強誘
電性液晶を用いると層方向が規制されないために配向が
みだれる。
課題を解決するための手段
等方相からスメクティフクＡ相への転移の温度幅が５℃
以上であり自発分極が２０ ｎ Ｃ／ｄ以上１００ｎＣ
／−以下である強誘電性液晶をラビング法により配向さ
せる。
以上であり自発分極が２０ ｎ Ｃ／ｄ以上１００ｎＣ
／−以下である強誘電性液晶をラビング法により配向さ
せる。
作用
この強誘電性液晶を用いるとラビング配同法においても
高速、高コントラストであり、ユニフォーム形で双安定
性な強誘電性液晶セル作製が可能となる。Ｎ０相を含ま
ないＩＡＣ系液晶においてはＩｓｏ和からＳｍＡ相に転
移する時に分子長軸の配向と層の形成が同時におこる。
高速、高コントラストであり、ユニフォーム形で双安定
性な強誘電性液晶セル作製が可能となる。Ｎ０相を含ま
ないＩＡＣ系液晶においてはＩｓｏ和からＳｍＡ相に転
移する時に分子長軸の配向と層の形成が同時におこる。
この転移点の温度幅が狭い場合には層が揃いにくくなる
ために配向が乱れるが、転移点の温度幅が広い場合には
層の形成が緩やかに行われるために良好な配向を示しユ
ニフォーム形の双安定性が出現するのである。
ために配向が乱れるが、転移点の温度幅が広い場合には
層の形成が緩やかに行われるために良好な配向を示しユ
ニフォーム形の双安定性が出現するのである。
実施例
以下本発明の一実施例の強誘電性液晶パネルについて、
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
図に示すように透明ガラス基板１．２上に透明電極とし
てＩＴＯ膜３，４を形成し、その上に配向膜としてポリ
イミド樹脂をスピンナーにより塗布し５，６、両方の基
板の配向膜上にラビング処理を施し、この基板の配向膜
面同士を貼り合せる。
てＩＴＯ膜３，４を形成し、その上に配向膜としてポリ
イミド樹脂をスピンナーにより塗布し５，６、両方の基
板の配向膜上にラビング処理を施し、この基板の配向膜
面同士を貼り合せる。
パネルの厚さはシール樹脂７に混入したスペーサーによ
り２ｕｍとしている。このパネルに強誘電性液晶８を封
入した。ＩＮＡＣ系、ＩＮＣ系。
り２ｕｍとしている。このパネルに強誘電性液晶８を封
入した。ＩＮＡＣ系、ＩＮＣ系。
ＩＣ系液晶を封入した場合はＩＡＣ系液晶を封入した場
合に比べて良好な配向は得られず、単安定あるいはツイ
スト安定となった。またｌＡＣ系液晶のＩｓｏ相からＳ
ｍＡ相への温度幅及び自発分極を変化させた場合の特性
をく表１〉く表２〉に示す。
合に比べて良好な配向は得られず、単安定あるいはツイ
スト安定となった。またｌＡＣ系液晶のＩｓｏ相からＳ
ｍＡ相への温度幅及び自発分極を変化させた場合の特性
をく表１〉く表２〉に示す。
〈表１〉
〈表２〉
この結果から明らかなように、Ｉｓｏ相からＳｍＡ相へ
の温度幅が５℃より小さいと液晶分子の配向が乱れるた
めにコントラストが悪くなる。また自発分極が２０ｎＣ
／ｃｆｆｌより小さいとツイスト安定になるためにコン
トラストが悪くなり、１００ｎＣ／ｃｊより大きくなる
と単安定となる。すなわちＩｓｏ和からＳｍ人相への温
度幅を５℃以上とし、自発分極を２０ｎＣ／ｃｍ２以上
１００ｎＣ／−以下とする事により、高速、高コントラ
ストでユニフォーム形の双安定な特性が得られた。なお
上記の発明において基板は少な（とも一方が透明であれ
ば良く、また配向膜としてポリイミドを例にとり説明し
たが、それ以外の材料でも良く、また配向膜により表面
処理を施さなくても可能である。
の温度幅が５℃より小さいと液晶分子の配向が乱れるた
めにコントラストが悪くなる。また自発分極が２０ｎＣ
／ｃｆｆｌより小さいとツイスト安定になるためにコン
トラストが悪くなり、１００ｎＣ／ｃｊより大きくなる
と単安定となる。すなわちＩｓｏ和からＳｍ人相への温
度幅を５℃以上とし、自発分極を２０ｎＣ／ｃｍ２以上
１００ｎＣ／−以下とする事により、高速、高コントラ
ストでユニフォーム形の双安定な特性が得られた。なお
上記の発明において基板は少な（とも一方が透明であれ
ば良く、また配向膜としてポリイミドを例にとり説明し
たが、それ以外の材料でも良く、また配向膜により表面
処理を施さなくても可能である。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によればＩｓｏ
相からＳｍＡ相への転移点の温度幅が５℃以上で自発分
極が２０ ｎ Ｃ／ｃｊ以上１００ｎＣ／−以下のＩＡ
Ｃ系強誘電性液晶を用いることにより、従来のラビング
では単安定・ツイスト安定な配向しか得られなかったの
に対して、高速、高コントラストなユニフォーム形の双
安定な強誘電性液晶セルを得ることが出来た。
相からＳｍＡ相への転移点の温度幅が５℃以上で自発分
極が２０ ｎ Ｃ／ｃｊ以上１００ｎＣ／−以下のＩＡ
Ｃ系強誘電性液晶を用いることにより、従来のラビング
では単安定・ツイスト安定な配向しか得られなかったの
に対して、高速、高コントラストなユニフォーム形の双
安定な強誘電性液晶セルを得ることが出来た。
図は本発明の一実施例による強誘電性液晶パネルの構成
図である。 １・・・・・・上ガラス基板、２・・・・・・下ガラス
基板、３゜４・・・・・・ｒＴｏ電極、５．６・・・・
・・配向膜、７・・・・・・シール樹脂、８・・・・・
・強誘電性液晶。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名１−−−よ
σラス差４反 ２−−−１η”ラスλトΔ及 ３・牛−−ＩＴＯ）を遇 ５．６一−爲乙左４月ｙ【 ７−−−シール肩ト「３旨
図である。 １・・・・・・上ガラス基板、２・・・・・・下ガラス
基板、３゜４・・・・・・ｒＴｏ電極、５．６・・・・
・・配向膜、７・・・・・・シール樹脂、８・・・・・
・強誘電性液晶。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名１−−−よ
σラス差４反 ２−−−１η”ラスλトΔ及 ３・牛−−ＩＴＯ）を遇 ５．６一−爲乙左４月ｙ【 ７−−−シール肩ト「３旨
Claims (3)
- （１）強誘電性液晶の相系列が等方相からスメクティッ
クＡ相への相転移を示し、かつその転移温度幅が５℃以
上であることを特徴とする強誘電性液晶パネル。 - （２）強誘電性パネルの配向方法をラビングにより行う
ことを特徴とする請求項（１）記載の強誘電性液晶パネ
ル。 - （３）強誘電性液晶の自発分極が２０ｎＣ／ｃｍ＾２以
上１００ｎＣ／ｃｍ＾２以下であることを特徴とする請
求項（１）記載の強誘電性液晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8076788A JPH01252938A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 強誘電性液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8076788A JPH01252938A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 強誘電性液晶パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01252938A true JPH01252938A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=13727576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8076788A Pending JPH01252938A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 強誘電性液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01252938A (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60248789A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-09 | Hitachi Ltd | 強誘電性液晶組成物 |
| JPS62106985A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Chisso Corp | 複屈折型表示素子用強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPS62205189A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS62223172A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Chisso Corp | ２−（４′−アルコキシフエニル）−５−アルキルピリジン |
| JPS6337186A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶組成物 |
| JPS6337190A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶組成物 |
| JPS6363641A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-22 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | 安息香酸ビフエニルエステル誘導体 |
| JPS6363666A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-22 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | ピリミジニルフエニルエステル誘導体 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP8076788A patent/JPH01252938A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60248789A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-09 | Hitachi Ltd | 強誘電性液晶組成物 |
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| JPS6363666A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-22 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | ピリミジニルフエニルエステル誘導体 |
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