JPS6060625A - 光変換素子 - Google Patents
光変換素子Info
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- JPS6060625A JPS6060625A JP16901983A JP16901983A JPS6060625A JP S6060625 A JPS6060625 A JP S6060625A JP 16901983 A JP16901983 A JP 16901983A JP 16901983 A JP16901983 A JP 16901983A JP S6060625 A JPS6060625 A JP S6060625A
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- liquid crystal
- helix
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示素子に関し、特に印加電圧と分子配向
との強い結合によシ極性にょル迅速に応答するカイラル
スメクチック液晶を用いた液晶表示素子に関する。
との強い結合によシ極性にょル迅速に応答するカイラル
スメクチック液晶を用いた液晶表示素子に関する。
液晶は、諸種の電気光学的応用に使わｎて米ており、特
にコンパクトでエネルギー効率がよく、電圧駆動の元パ
ルプとして時計や計算機の表示に使わｎている。こｎら
の素子は、ネマチック、コレステリック、スメクチック
相の誘電性配列効果に基づいておシ、この場合は、誘電
異方性のために、平均的な分子の長軸方向が、加えらｎ
た電場の中では特定の方向に向くことになる。この機構
による加えらｎた電場との結合力はかなり弱いのでこｎ
らの素子の電気光学的な応答時間は、多くの潜在的な応
用分野では非常に遅い。
にコンパクトでエネルギー効率がよく、電圧駆動の元パ
ルプとして時計や計算機の表示に使わｎている。こｎら
の素子は、ネマチック、コレステリック、スメクチック
相の誘電性配列効果に基づいておシ、この場合は、誘電
異方性のために、平均的な分子の長軸方向が、加えらｎ
た電場の中では特定の方向に向くことになる。この機構
による加えらｎた電場との結合力はかなり弱いのでこｎ
らの素子の電気光学的な応答時間は、多くの潜在的な応
用分野では非常に遅い。
液晶素子（Ｌ ＯＤ）はたくさんの特異な特性を有して
いる。例えば、低電圧、低消費電力のような、このため
受光学の電気光学素子の中で最も期待さｎるものである
が、遅い応答と不十分な非線形性は、特に駆動しうる画
素の数が多くなると重要な問題になってくる゛。
いる。例えば、低電圧、低消費電力のような、このため
受光学の電気光学素子の中で最も期待さｎるものである
が、遅い応答と不十分な非線形性は、特に駆動しうる画
素の数が多くなると重要な問題になってくる゛。
こｎらの欠点を除去するために０１ａｒｋｓ （ＵＳＰ
ｃＬｔ、４３６７９２４）はスメクチック相を用いた新
しい表示原理による液晶素子を考案した。ζｎについて
以下若干の説明をする。
ｃＬｔ、４３６７９２４）はスメクチック相を用いた新
しい表示原理による液晶素子を考案した。ζｎについて
以下若干の説明をする。
図１は、スメクチックＣまたはＨ液晶の模式図でおる。
液晶全体は分子層１から成っている。個々の層の中では
、分子長軸の平均的な方向が、層に垂直な方向とは角度
φ。たけ傾いている。Ｍ。
、分子長軸の平均的な方向が、層に垂直な方向とは角度
φ。たけ傾いている。Ｍ。
ｙｅｒらは、Ｌ ｅ Ｊｏｕｒｒｂａｔ ｄｇ Ｐｈｙ
ｓｉｑｕｅ Ｖ ｏ ｌ 。
ｓｉｑｕｅ Ｖ ｏ ｌ 。
３５（＆γＯにｍ １９７５ ＦＰ −Ｌ−６９ｔｏ
Ｌ −７１）の「強誘電性液晶」というタイトルの論文
において、光学活性な分子から成るスメクチック０ある
いはＨ液晶は、一般に電気双極子密度１を有し、強誘電
的であることを示している。この双極子密度Ｖは、分子
の傾き方向だに垂直で、スメクチックの層面に平行であ
る。彼らの示したことはＨ相についても適用可能である
が、■相では、層に垂直な軸のまわシの回転に対する粘
性がよシ大きくなる。こｎらのカイラルスメクチックに
おける電気双極子の存在は、誘電異方性におけるよりも
、電場に対してずつと強い結合力を与える。さらに、こ
の結合は、ヲの好ましい方向が２と平行な方向であると
いう意味で極性のあるものなので、印加した電場の方向
を反転することは、ソの方向を反転することになる。つ
まり、電場を反転させて、分子の方向を制御することが
できるのである。
Ｌ −７１）の「強誘電性液晶」というタイトルの論文
において、光学活性な分子から成るスメクチック０ある
いはＨ液晶は、一般に電気双極子密度１を有し、強誘電
的であることを示している。この双極子密度Ｖは、分子
の傾き方向だに垂直で、スメクチックの層面に平行であ
る。彼らの示したことはＨ相についても適用可能である
が、■相では、層に垂直な軸のまわシの回転に対する粘
性がよシ大きくなる。こｎらのカイラルスメクチックに
おける電気双極子の存在は、誘電異方性におけるよりも
、電場に対してずつと強い結合力を与える。さらに、こ
の結合は、ヲの好ましい方向が２と平行な方向であると
いう意味で極性のあるものなので、印加した電場の方向
を反転することは、ソの方向を反転することになる。つ
まり、電場を反転させて、分子の方向を制御することが
できるのである。
カイラルスメクチック液晶を用いたこの駆動法は０１ａ
ｒｋらによって（ＵＳ、Ｐａｔ 、４３６７９２４）明
らかにさ２″した。しかし、彼らのやフ方によｎば、セ
ル厚を充分薄くすることによって液晶内に本来存在する
ヘリックスをなくすること、及び表面は無配向にして、
磁場あるいはせん断を用いて外部力によって配向すると
いう方法がとらｎていた。こｎらの方法は、セル製作上
の問題が非常に大きく、量産化が現実的には極めて困難
である。
ｒｋらによって（ＵＳ、Ｐａｔ 、４３６７９２４）明
らかにさ２″した。しかし、彼らのやフ方によｎば、セ
ル厚を充分薄くすることによって液晶内に本来存在する
ヘリックスをなくすること、及び表面は無配向にして、
磁場あるいはせん断を用いて外部力によって配向すると
いう方法がとらｎていた。こｎらの方法は、セル製作上
の問題が非常に大きく、量産化が現実的には極めて困難
である。
まず、セル厚を均一に薄くするということが難しいので
ある。カイラルスメクチック液晶は、電場の無印扉状態
でヘリックスを持つが、このヘリックスｆｔＷＩ消する
一ｆｃ２６には、ヘリックスのピッチと同じ（らいか、
またはそｎより薄いセル厚にしなけｎばならないとさｎ
ている。ところが、カイラルスメクチック液晶のピッチ
は２〜３μ情ぐらいが多く、シたがって、この程度のセ
ル厚にする必要がおる。一方こｎまで量産化さしてきた
液晶（特にＴＨ型液晶〕においてはセル厚は１０ ｐ
ｍぐらいであるので、この差はかなシ大きい。セル厚が
薄（なｎば、要求さｎるバラツキの程度もよシ小さくな
るのでますます作シ方が難しくなるであろう。この問題
点に対処する仕方は、３つオシうる。
ある。カイラルスメクチック液晶は、電場の無印扉状態
でヘリックスを持つが、このヘリックスｆｔＷＩ消する
一ｆｃ２６には、ヘリックスのピッチと同じ（らいか、
またはそｎより薄いセル厚にしなけｎばならないとさｎ
ている。ところが、カイラルスメクチック液晶のピッチ
は２〜３μ情ぐらいが多く、シたがって、この程度のセ
ル厚にする必要がおる。一方こｎまで量産化さしてきた
液晶（特にＴＨ型液晶〕においてはセル厚は１０ ｐ
ｍぐらいであるので、この差はかなシ大きい。セル厚が
薄（なｎば、要求さｎるバラツキの程度もよシ小さくな
るのでますます作シ方が難しくなるであろう。この問題
点に対処する仕方は、３つオシうる。
第一は、よシ高精度なセル作）を可能にするような製造
方法を開発することで、こしには非常な労力が必要とさ
するのが明らかである。
方法を開発することで、こしには非常な労力が必要とさ
するのが明らかである。
第２は、ピッチの長い液晶を用いることによって必要な
セル厚を厚くするというものである。こしにはさらに２
つの方法がある。１つは、光学活性な材料に光学不活性
な材料を混合することによシ、いはば光学活性を希釈す
るというやシ方であシ、もう１つは、反対方向の光学活
性体を混合して、ラセミ体に近くすることによシ、こｎ
も１．り光学活性を希釈するというものである。しかし
、このうちのどちらをとるにしても、本来の光学活性と
いう性質は希釈さｎているので問題点を指摘することが
できる。つまカ、応答に関係していると考えらｎている
自発分極が小さくなるのではないかということがある。
セル厚を厚くするというものである。こしにはさらに２
つの方法がある。１つは、光学活性な材料に光学不活性
な材料を混合することによシ、いはば光学活性を希釈す
るというやシ方であシ、もう１つは、反対方向の光学活
性体を混合して、ラセミ体に近くすることによシ、こｎ
も１．り光学活性を希釈するというものである。しかし
、このうちのどちらをとるにしても、本来の光学活性と
いう性質は希釈さｎているので問題点を指摘することが
できる。つまカ、応答に関係していると考えらｎている
自発分極が小さくなるのではないかということがある。
応答では、自発分極Ｐと電場の大きさＥ及び液晶の粘度
ηを用いてτ＝η／Ｐ、］Ｉｃ と書けるとさｎている。するとτはＰに反比例するので
Ｐが小さくなると、τは大きくなる。この自発分極は、
光学活性な性質によって生起しているものである。なぜ
なら双極子がある一定の方向に揃うような相互作用が存
在するには、そｎに対応する相互作用場の対称性が必要
であるからである。例えば、もし、液晶の並び方がその
長軸のまわシに回転対称でおったとすると、長軸に垂直
なすべての方向は等価であるので、物足の方向だけに分
極が偏ることはあシえず、必ず逆方向にも同じだけの相
互作用が働いて、全体としては、分極は揃わないはずで
ある。こｎと同様に、ある液晶が鏡面対称な相互作用場
の中に置かｎると、この鏡面に垂直な方向の相互作用は
、右にも左にも等価な量だけ働くはずであるから、ある
一方の方向のみに双極子が偏ることはない。即ち、鏡面
に垂直な方向の自発分極は存在しえない。ここでもし、
液晶が光学活性であｎば、分子そのものの鏡面非対称性
によって、相互作用場の鏡面対称性がなくなるので、あ
る一方の方向に双極子が偏るということが起こシうる。
ηを用いてτ＝η／Ｐ、］Ｉｃ と書けるとさｎている。するとτはＰに反比例するので
Ｐが小さくなると、τは大きくなる。この自発分極は、
光学活性な性質によって生起しているものである。なぜ
なら双極子がある一定の方向に揃うような相互作用が存
在するには、そｎに対応する相互作用場の対称性が必要
であるからである。例えば、もし、液晶の並び方がその
長軸のまわシに回転対称でおったとすると、長軸に垂直
なすべての方向は等価であるので、物足の方向だけに分
極が偏ることはあシえず、必ず逆方向にも同じだけの相
互作用が働いて、全体としては、分極は揃わないはずで
ある。こｎと同様に、ある液晶が鏡面対称な相互作用場
の中に置かｎると、この鏡面に垂直な方向の相互作用は
、右にも左にも等価な量だけ働くはずであるから、ある
一方の方向のみに双極子が偏ることはない。即ち、鏡面
に垂直な方向の自発分極は存在しえない。ここでもし、
液晶が光学活性であｎば、分子そのものの鏡面非対称性
によって、相互作用場の鏡面対称性がなくなるので、あ
る一方の方向に双極子が偏るということが起こシうる。
つまり自発分極が発生しうるということＫなるのである
。
。
こ扛から想像さｎるように、分子の光学活性が希釈さｎ
るということは、相互作用場が、鏡面対称に近くなると
いうことであるから、自発分極は小さくなると考えら牡
る。よって、応答は遅くなるのである。
るということは、相互作用場が、鏡面対称に近くなると
いうことであるから、自発分極は小さくなると考えら牡
る。よって、応答は遅くなるのである。
第３の方法は、本発明の内容であって、電圧を印加して
いない状態においても、電圧を印加すｎばヘリックスは
とけて、通常のスメクチック状態になるという事実を用
いることである。
いない状態においても、電圧を印加すｎばヘリックスは
とけて、通常のスメクチック状態になるという事実を用
いることである。
この電場印加によるヘリックスの消失について以下若干
の説明を行う。
の説明を行う。
まずヘリツ、クスを形成していることから、こｎに対応
する液晶の弾性１木・ルギーが存在すると想定して、こ
ｎをＦ、と書（。
する液晶の弾性１木・ルギーが存在すると想定して、こ
ｎをＦ、と書（。
ここで座標軸は第３図のようにとった。またｑ。は電圧
無印加状態でのピッチｚ０ と＋７ｏ＝２π／ ｚ。
無印加状態でのピッチｚ０ と＋７ｏ＝２π／ ｚ。
という関係で結ばｎておシ、Ｋｔは弾性足数。
次に、分子の長軸方向に垂直な双極子Ｐと、電場との相
互作用をＦｄと書くと Ｆ ｃＬニー Ｐ Ｋｔ ６０８φ よって全体のエネルギーＦは こｎがφについて極小になる条件から微分方程式が得ら
ｎる。
互作用をＦｄと書くと Ｆ ｃＬニー Ｐ Ｋｔ ６０８φ よって全体のエネルギーＦは こｎがφについて極小になる条件から微分方程式が得ら
ｎる。
この弐全解くことによル、ヘリックスはある臨界電場Ｅ
で消失することを示すことができ、ＥＣ＝π番 Ｋｔ／
４ＰＺ♂ この事実を用いｎば、電圧無印刃口状態でヘリックスが
あっても、電圧を充分かけｎばへ′リツクスはな（な〕
、また電圧の極性を変えｎば、液晶の方向が変わシこの
変化を光学的に区別することができる。このときも０！
ａｆＫらの特許と同様の駆動ができることは明らかであ
シ、彼らと同じコントラスト全行ることが可能である。
で消失することを示すことができ、ＥＣ＝π番 Ｋｔ／
４ＰＺ♂ この事実を用いｎば、電圧無印刃口状態でヘリックスが
あっても、電圧を充分かけｎばへ′リツクスはな（な〕
、また電圧の極性を変えｎば、液晶の方向が変わシこの
変化を光学的に区別することができる。このときも０！
ａｆＫらの特許と同様の駆動ができることは明らかであ
シ、彼らと同じコントラスト全行ることが可能である。
しかも、このように電圧の無印加状態でヘリックスを有
することを許せば、セル厚をピッチの長さに応じて薄く
する必要もない。このことは先に述べたようにセル製造
上極めて有利なことである。要するに、この方法は、基
板の表面規制力を電場の力によって代替することを意図
したものであ多、基板を薄く作るより、′、■圧を上げ
る方がはるかに容易であるということを利用したものと
いえる。
することを許せば、セル厚をピッチの長さに応じて薄く
する必要もない。このことは先に述べたようにセル製造
上極めて有利なことである。要するに、この方法は、基
板の表面規制力を電場の力によって代替することを意図
したものであ多、基板を薄く作るより、′、■圧を上げ
る方がはるかに容易であるということを利用したものと
いえる。
特に大型パネルを作製する場合には、この特徴は重要に
なフ、現在では５μ惧以上のセル厚であｎば、かなシ均
一なパネルを広い面渭で作ることができるので、この程
度のセル厚であることは非常に有利である。
なフ、現在では５μ惧以上のセル厚であｎば、かなシ均
一なパネルを広い面渭で作ることができるので、この程
度のセル厚であることは非常に有利である。
次に表面の配向法について考えてみると、ａｔＧｆＫら
の方法によると、表面は配向処理を一切しないで、磁場
もしくは、せん断の方法によって配向させるということ
になっている。こｎは、ヘリックスが自然になくなるよ
うな薄いセルでは、非常に実行の困難な方法であシ、特
にａｌ場では、表面の規制力が強いために配向させるの
にかな夛強い磁場をかけてやる必要がある。またせん断
の方法では、量産化、人里化のどの観点から見ても実用
的とはいえない。またこしらの薄いセルでは、表面の規
制力がセルの中央部にまで及ぶので、どのような方法で
配向し′ｆｃかによって、応答がちがつ７’ｃＤ、量産
化したときに、配向のバラツキがそのまま特性のバラツ
キに反映することが考えらｎる。一方セルが厚けｎばこ
ｔらの欠点は除去しうるし、配向法についてもあまシ精
密に考えることもなく、通常の方線、即ちラビングが使
えることになる。こｌｊＬは今までのＴＮのノウ、ハウ
がそのまま使える訳で実用化に際し、極めて有利である
。以下、本発明を実施例に沿って具体的に説明する。
の方法によると、表面は配向処理を一切しないで、磁場
もしくは、せん断の方法によって配向させるということ
になっている。こｎは、ヘリックスが自然になくなるよ
うな薄いセルでは、非常に実行の困難な方法であシ、特
にａｌ場では、表面の規制力が強いために配向させるの
にかな夛強い磁場をかけてやる必要がある。またせん断
の方法では、量産化、人里化のどの観点から見ても実用
的とはいえない。またこしらの薄いセルでは、表面の規
制力がセルの中央部にまで及ぶので、どのような方法で
配向し′ｆｃかによって、応答がちがつ７’ｃＤ、量産
化したときに、配向のバラツキがそのまま特性のバラツ
キに反映することが考えらｎる。一方セルが厚けｎばこ
ｔらの欠点は除去しうるし、配向法についてもあまシ精
密に考えることもなく、通常の方線、即ちラビングが使
えることになる。こｌｊＬは今までのＴＮのノウ、ハウ
がそのまま使える訳で実用化に際し、極めて有利である
。以下、本発明を実施例に沿って具体的に説明する。
〔実施例１〕
カイラルスメクチック液晶Ｐ−ｎ−ドデシルオキシベン
ジリデン−Ｐｌ−アミノ−２−メチルブチルシンナマー
ト （ＤＯＢＡＭＢＯ）を用いて、図２に示すような表
示セルを作製した。ここで３は上下のガラス基板、４は
Ｓ％Ｏ，Ｊ嘆、５はスペーサで、ナイロンシートを熱圧
着して用いた。６はり、ＣＩＢＡＭＢＯである。ここで
セルの厚みは１０μ常で作製した。こｔ″Ｌ全磁全円場
内ｎて、温度を１３０℃に設定した。この温度ではＤＯ
ＢＡＭＢＣは液体（等方性）であるが、この温度がら徐
冷して（１℃／ｈｒ）ＳｍＡ相にし、磁場を切った後さ
らに徐冷してＳ Ｂ Ｏ＊相のセルを作製した。
ジリデン−Ｐｌ−アミノ−２−メチルブチルシンナマー
ト （ＤＯＢＡＭＢＯ）を用いて、図２に示すような表
示セルを作製した。ここで３は上下のガラス基板、４は
Ｓ％Ｏ，Ｊ嘆、５はスペーサで、ナイロンシートを熱圧
着して用いた。６はり、ＣＩＢＡＭＢＯである。ここで
セルの厚みは１０μ常で作製した。こｔ″Ｌ全磁全円場
内ｎて、温度を１３０℃に設定した。この温度ではＤＯ
ＢＡＭＢＣは液体（等方性）であるが、この温度がら徐
冷して（１℃／ｈｒ）ＳｍＡ相にし、磁場を切った後さ
らに徐冷してＳ Ｂ Ｏ＊相のセルを作製した。
このときの温度は８５℃に設定した。このセルの電圧無
印加状態における様子を偏光顕微鏡でみるとピッチが観
測さｎ、その大きさは約２μ処であった。このセルに電
圧を印刀口してゆくと、約１ｖでヘリックスが消失する
のが観測さｎた。ここで電圧の極性を反転して、電圧を
しだいに上げてゆくと、やは４５１Ｖ附近でヘリックス
の消失するのが観測さ′ｔ′Ｉ−た。
印加状態における様子を偏光顕微鏡でみるとピッチが観
測さｎ、その大きさは約２μ処であった。このセルに電
圧を印刀口してゆくと、約１ｖでヘリックスが消失する
のが観測さｎた。ここで電圧の極性を反転して、電圧を
しだいに上げてゆくと、やは４５１Ｖ附近でヘリックス
の消失するのが観測さ′ｔ′Ｉ−た。
このようにして作シしたセルに上下の偏光板をつけて光
変換素子とした。ここで偏光板の方向は次のようにして
決めた。まず一方の極性の電圧を印加してヘリックスを
消失させておき、上下の偏光板を直交させた状態でパネ
ルを回転し、透過率の最も小さい方向′ｆｃ足めて、こ
の方向でパネルに偏光板を貼シ附けた。このセルに、±
１０ Ｖの電圧を印加する点滅することが確かめらｎた
。
変換素子とした。ここで偏光板の方向は次のようにして
決めた。まず一方の極性の電圧を印加してヘリックスを
消失させておき、上下の偏光板を直交させた状態でパネ
ルを回転し、透過率の最も小さい方向′ｆｃ足めて、こ
の方向でパネルに偏光板を貼シ附けた。このセルに、±
１０ Ｖの電圧を印加する点滅することが確かめらｎた
。
〔実施例２〕
実施例１で用いたのと同じ液晶セルを用いたが今度は、
上下のガラスの８１０２上にＰＶＡ１コードンた後にラ
ビングを行った。ここでＰＴＡコート！−ｊ：、０．’
１％のＦＶＡ水溶液をガラス上にスヒンナーで塗布し、
乾燥したものである。
上下のガラスの８１０２上にＰＶＡ１コードンた後にラ
ビングを行った。ここでＰＴＡコート！−ｊ：、０．’
１％のＦＶＡ水溶液をガラス上にスヒンナーで塗布し、
乾燥したものである。
セル厚はやけ９１０μ゛常でした。
このパネルに、実施例１と同様にＤＯＢＡＭＢＯｉ１３
９℃で注入し、８５℃まで徐冷（１℃／ｈｒ）した。こ
のセルを偏光顕微鏡で電圧を印加しながら観察したとこ
ろ、やはシ±１ｖでヘリックスの消失が観測さｎた。
９℃で注入し、８５℃まで徐冷（１℃／ｈｒ）した。こ
のセルを偏光顕微鏡で電圧を印加しながら観察したとこ
ろ、やはシ±１ｖでヘリックスの消失が観測さｎた。
このセルに実施例１と同様の方法で偏光板を貼シ附けて
、±１０ Ｖを印加するとやはシ点滅して光学的変化が
見らｎた。
、±１０ Ｖを印加するとやはシ点滅して光学的変化が
見らｎた。
〔実施例３〕
実施例２と同じようにセルを作製したが、今度は、ＰＴ
Ａコートではなくテアワンコートを行って、ラビングを
行った。ここでテフロンは真空蒸着によって基板上につ
けた。
Ａコートではなくテアワンコートを行って、ラビングを
行った。ここでテフロンは真空蒸着によって基板上につ
けた。
このセルでもやは、９，１０ｐｍではへリックスを持つ
が、電圧を印加することによシヘリックスを消失させる
ことができ、実施例１．２と同じ光学変化を実現できた
。
が、電圧を印加することによシヘリックスを消失させる
ことができ、実施例１．２と同じ光学変化を実現できた
。
〔実施例４〕
本実施例ではカイラルスメクチック液晶Ｐ −ヘキシル
オキシベンジリデン−Ｐｌ−アミノ−２−クロロブロビ
ルシンナアート （ＨＯＢＡＣＰＣ）を用いて実施例２
と同様なＰＴＡラビング処理によるセル全作製したセル
厚はやはシ１ｏμ飢とした、ＨＯＢＡＯＰＯ［ついては
、注入時は１５０’Ｃで等方性液体として注入して、や
はシ徐冷（１℃／ｈｉＬで７０℃に設定した。
オキシベンジリデン−Ｐｌ−アミノ−２−クロロブロビ
ルシンナアート （ＨＯＢＡＣＰＣ）を用いて実施例２
と同様なＰＴＡラビング処理によるセル全作製したセル
厚はやはシ１ｏμ飢とした、ＨＯＢＡＯＰＯ［ついては
、注入時は１５０’Ｃで等方性液体として注入して、や
はシ徐冷（１℃／ｈｉＬで７０℃に設定した。
こしについても前と同様に、偏光顕微鏡観察をしたとこ
ろ、電圧の熱印加状態でヘリックスを持ち、そのピッチ
は約２μ質であった。この場合も±ｌ０ＶＯ印加によっ
てヘリックスは解消し、点滅させることができた。
ろ、電圧の熱印加状態でヘリックスを持ち、そのピッチ
は約２μ質であった。この場合も±ｌ０ＶＯ印加によっ
てヘリックスは解消し、点滅させることができた。
以上のように、本発明にょｎば厚いセルによっても駆動
することができ、セル製造上非常に大きな利点となる。
することができ、セル製造上非常に大きな利点となる。
第１図は、スメクチック液晶のＬもしくはＨ相の構造を
示すもので１は液晶の全体、２はスメクチックの層。第
２図は゛実施例で用いた液晶パネル。３はガラス基板、
４はｓｎｏ、膜、５はスペーサ、６は液晶。 以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務 第１、図 第２図
示すもので１は液晶の全体、２はスメクチックの層。第
２図は゛実施例で用いた液晶パネル。３はガラス基板、
４はｓｎｏ、膜、５はスペーサ、６は液晶。 以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務 第１、図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）光学活性なスメクチック液晶を用いた光変換素子
において、該スメクチック層が電圧無印加状態でヘリッ
クスを持ち、電圧印刀口状態において、ヘリックスがな
くなるように構成した光変換素子（２、特許請求の範囲
（１）において、スメクチック液晶が２つの基板にはさ
まｎた形をしているときに、該基板の一方もしくは、両
方に液晶配向効果を及ぼす表面構造を有している光変換
素子。 （３）特許請求の範囲＜２）において、液晶配向効果を
及ぼす表面構造がラビングによシ形底さｎていることを
特徴とする光変換素子。 （４）特許請求の範囲（１）において、セルの厚みが５
ｐｍ以上でおること全特徴とする光変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16901983A JPS6060625A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 光変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16901983A JPS6060625A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 光変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060625A true JPS6060625A (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=15878820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16901983A Pending JPS6060625A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 光変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060625A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152430A (ja) * | 1987-09-18 | 1989-06-14 | F Hoffmann La Roche Ag | 液晶混合物用キラール添加剤おびその用途 |
| US5676880A (en) * | 1987-09-18 | 1997-10-14 | Rolic Ag | Ferroelectric liquid crystal cell |
| JP2007232264A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Fujitsu General Ltd | 空気調和機 |
-
1983
- 1983-09-13 JP JP16901983A patent/JPS6060625A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152430A (ja) * | 1987-09-18 | 1989-06-14 | F Hoffmann La Roche Ag | 液晶混合物用キラール添加剤おびその用途 |
| US5676880A (en) * | 1987-09-18 | 1997-10-14 | Rolic Ag | Ferroelectric liquid crystal cell |
| US5770109A (en) * | 1987-09-18 | 1998-06-23 | Rolic Ag | Ferroelectric liquid crystal cell |
| US6671028B1 (en) | 1987-09-18 | 2003-12-30 | Rolic Ag | Distorted helix ferroelectric liquid crystal cell |
| JP2007232264A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Fujitsu General Ltd | 空気調和機 |
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