JPS61249025A - 液晶装置 - Google Patents

液晶装置

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JPS61249025A
JPS61249025A JP9012385A JP9012385A JPS61249025A JP S61249025 A JPS61249025 A JP S61249025A JP 9012385 A JP9012385 A JP 9012385A JP 9012385 A JP9012385 A JP 9012385A JP S61249025 A JPS61249025 A JP S61249025A
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明 坪山
Shinjiro Okada
伸二郎 岡田
Osamu Taniguchi
修 谷口
Masahiko Enari
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶光学素子や液晶−光シヤツタアレイ等に
適用する液晶光学素子に関し、詳しくは表示ならびに駆
動特性を改善した液晶光学素子に関する。
〔従来技術の説明〕
強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して、偏光素子
との組み合わせにょシ透過光線を制御する型の表示素子
が、C1arkおよびLagerwallにより提案さ
れている、(特開昭56−1072164公報、米国特
許第4367924号明細書等)。
この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域において、カ
イラルスメクチックC相(SmC* )又はH相(Sm
H* )  k有し、この液晶層の特定の層厚条件下に
おいて、加えられる電界に応答してmlの光学的安定状
態(第1の安定配向)と第2の光学安定状態(第2の安
定配向)のいずれかを取ル、且電界の印加のないときは
その状態を維持する性質、すなわち双安定性を有し、ま
た電界の変化に対する応答も速やかであシ、高速ならび
に記憶型の表示素子としての広い利用が期待されている
一方、誘電率異方性が負(Δε〈0)の強誘電性スメク
チック液晶に高周波の交流電界を印加することによシ1
強強誘電性液晶第1の安定配向と第2の安定配向からな
る双安定性配向状態を付与することが考えられる。この
方法は、液晶層を特定の層厚に設定する必要がない利点
を有している。
〔発明が解決しようとする問題点〕  “しかしながら
1本発明者らの実験によれば、前述の高周波交流電界の
存在下に付与された強誘電性スメクチック液晶の双安定
性配向状態が、温度の変動によシ消失するという問題点
を有していることが判明した。
従って1本発明の目的は、前述の問題点を解決すること
、すなわち高周波交流電界下で温度の変動に依存しない
双安定性配向状態の強誘電性スメクチック液晶を用いた
液晶素子を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段1作用〕本発明は。
a、負の誘電率異方性をもつ強誘電性スメクチック液晶
を一対の基板間に配置した液晶セルと。
b、前記強誘電性液晶に第1の安定配向及び第2の安定
配向からなる双安定性配向を付与する交流電界を印加す
る手段と、 C1前記交流電界の周波数を温度の変動に応じて変化さ
せる手段と。
d、前記強誘電性液晶を第1の安定配向に配向させる第
1の電界と第2の安定配向に配向させる第2の電界とを
入力情報に応じて選択的に印加する手段と。
e、第1の安定配向に配向した強誘電性スメクチック液
晶を通過した光線と第2の安定配向に配向した強誘電性
スメクチック液晶を通過し九光線との光学的相違を検知
する手段 とを有する液晶素子を特徴としている。
〔実施例〕
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を更に詳
細に説明する。
本発明で用いる液晶材料として、特忙適したものは、カ
イラルスメクチック液晶であって1強誘電性を有するも
のである。具体的にはカイラルスメクチックC相(Sm
C)、カイラルスメクチックC相(SmG*)、カイラ
ルスメクチックF相(SmF)、カイラルスメクチック
C相(SmI*)又はカイラルスメクチックR相(Sm
H*)の液晶を用いることができる。
強誘電性液晶の詳細については、たとえば1ル・ジュル
ナール・ド・フイジイク・レットル”(′LE  JO
URNAL DE PHYSIQUE LETTRE”
)36(L−69)1975年「フェロエレクトリック
・リキッド・クリスタ/l/J(Ferroelect
ricLiquid Crystals J ; ”ア
プライド・フィジイックス・レターズ(Applied
 PhysicsLetter8”)36(11)19
80年「サブミクロ・セカンド番バイスティプル・エレ
クトロオプティック・スイッチング・イン拳すキッドφ
クリスp ル」(r Submicro 5econd
 B15table Electro −optic、
Switching in Liquid Cryst
als’) ; ”固体物理”±1(141)1981
年「液晶」等に記載されておシ1本発明ではこれに開示
されたもののうち、負の誘電率異方性をもつ強誘電性液
晶t−世いることができる。
特に、好ましい強誘電性液晶としては、これよシ高温側
でコレステリック相を示すものを用いることができ1例
えば下達の実施例に挙げた相転移温度を示すフェニルエ
ステル系液晶を用いることができる。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
が所望の相となるような温度状態に保持する為、必要に
応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロック等によ
り支持することができる。
第1図は1強誘電性液晶の動作説明のため釦、セルの例
を模式的に描いたものである。以下、所望の相としてS
mCを例にとって説明する。
、11aとllbは、 In*Os、Snow  ある
いはI T O(Indium −Tin 0xide
 )  等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板(
ガラス板)であシ。
その間に液晶分子層12がガラス面に垂直になるよう配
向したSmC#/の液7晶が封入(さ也ている。
太線で示した線13が液晶分子を表わしておシ、この液
晶分子13は基板の面方向に連続的にらせん構造を形成
している。このらせん構造の中心軸15と液晶分子13
の軸方向とのなす角度全チルト角として表わす。この液
晶分子13は、その分子に直交した方向に双極子モーメ
ン)14ffi有している。基板11aとllb上の電
極間に端子16aと16bから一定の閾値以上の電圧E
a’を印加すると、液晶分子13のらせん構造がほどけ
双極子モーメント14がすべて電界方向に向くよう、液
晶分子13は液晶分子13aの方向に一様に配向方向を
変えることができる。逆に、電圧Ebi印加すると、同
様液晶分子13のらせん構造はtlどけるが双極子モー
メント14がすべて逆向き電界方向に向くよう液晶分子
13は液晶分子13bの方向に一様に配向方向を変える
ことができる。又、電圧E、&又り、g−bによって配
向した配向状態は、電圧ga又はEbt−解除すると、
液晶分子はもとのらせん構造の配向状態に復帰するとと
Kなる。液晶分子13は、細長い形状を有しておプ、そ
の長軸方向と短軸方向で屈折高異方性を示し、従って例
えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置
けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学
素子となることは、容易に理解され・る。
第2図(A)とCB)は、本発明の液晶素子の一実施例
を示している。第2図(A)は1本発明の液晶素子の平
面図で、第2図(B)は、その人−A′断面図である。
第2図で示すセル構造体100は、ガラス板又はプラス
チック板などからなる一対の基板101aと1olbi
スペーサ104で所定の間隔に保持され、この一対の基
板をシーリングするために接着剤1(16で接着したセ
ル構造を有しておシ、さらに基板101aの上には複数
の透明電極102からなる電極群(例えば、マトリクス
電極構造のうちの走査電圧印加用電極群)が例えば帯状
パターンなどの所定パターンで形成されている。基板1
01bの上には前述の透明電極102と交差させた複数
の透明電極102bからなる電極群(例えば、マ) I
Jクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群)が形成
されている。
このような透明電極102bf:設けた基板101bに
は、例えば、−酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウ
ム、ジルコニア、フッ化マグネシウム。
酸化セリウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物。
シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの無機絶縁物質やポ
リビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩
化ビニル、ポリアミドポリスチレン、セルロース樹脂、
メラミン樹脂。
エリア樹脂やアク゛リル樹脂などの有機絶縁物質を用い
て被膜形成した配向制御膜105を設けることができる
との配向制御膜105は、前述の如き無機絶縁物質又は
有機絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード
、布や紙で一方向に摺擦(ラビング)することによって
得られる。
本発明の別の好ましい具体例では、SiO+5iOtな
どの無機絶縁物質を基板101bの上に斜め蒸着法によ
って被膜形成することによって、配向制御膜105を得
ることができる。
前述の配向制御膜105は、同時に絶縁膜としても機能
させることが好ましく、このためにこの配向制御膜10
5の膜厚は一般に100A〜1μ。
好ましくは500A〜50GOAの範囲に設定すること
ができる。この絶縁膜は、液晶層103に微量に含有さ
れる不純物等のために生ずる電流の発生を防止できる利
点をも有しておシ、従って動作を繰)返し行なっても液
晶化合物を劣化させることがない。
また1本発明の液晶素子では前述の配向制御膜105と
同様のものをもう一方の基板1015Lに設けることが
できる。
第2図に示すセル構造体100の中の液晶層103は1
例えばSmC*とすることができる。又。
液晶層103の厚さは特に制限されないが、一般的3μ
m−15μm程度が好ましい。
このようなセル構造体100は、基板101aと101
bの両側にはクロスニコル状態とした偏光子107と1
08がそれぞれ配置されて、この偏光子107と108
1Cよシミ極102aと102bの間に電圧を印加した
時の光学変調を検知することができる。
さて、前述した液晶セルに高周波交流電界を液晶分子層
12と平行に印加すること忙よシ、電界Ea又はEb″
Ik印加時忙配向した方向の配向状態の何れかに配向す
ることkなる。この高周波交流電界印加下での配向状態
を第1の安定配向状態及び第2の安定配向状態という。
この様な現象は、液晶材料が負の誘電率異方性をもつこ
とによって生じる。この交流電界の周波数は、所定の電
圧値では液晶が応答し得ない程度に充分に高い値に設定
されなければならない。
交流電圧は1周波数400 Hz以上100 Hz以下
で波形としては三角波、正弦波や矩形波等1−ノ用いる
ことが出来、液晶層厚にもよるが、 Vpp (pea
k−t、−pe’ak)は20V 〜100V程度が好
ましい。
本発明者らの実験によれば、前述した一定周波数の交流
電界が印加された状態下での双安定性は。
温度がある程度高くなると解消してしまう傾向にあるが
、この場合交流電界の周波数を高くすると。
双安定性がそのまま維持できることが判明した。
この場合の周波数の変化量は、使用した液晶材料。
セル厚や各種の条件によっても相違するが、2般に温度
が10℃変動する場合では10Hz〜500Hz程度が
適している。
本発明の液晶光学素子で用いる駆動法の例を次に示す。
第3図(A)は1表示可能なマ) IJクス電極構造を
示し、31が走査電極、32が情報信号電極として用い
られる。第3図(B)(a)と(b)が走査電極に印加
する信号で、8g3図(a)が走査選択信号を、又第3
図CB)(b)が走査非選択信号を現わしている。第3
図((り(d)は情報信号電極に印加する情報信号で、
それぞれ書込み入力情報に応じて選択的釦情報信号電極
に印加される。第3図(c)は第3図CB)I/c示す
電気信号を用いて画素に印加した時の電圧波形を表わし
ている。第3図(c)(a)と(b)は、走査選択信号
が印加された走査ライン上の画素に印加された電圧波形
で、第3図(c)(c)と(d)は、それぞれ走査選択
信号が印加されていない画素に対応している。これらの
画素に印加された電圧は閾値以下に設定されている。従
って、走査選択信号に同期させて第3図(B)(c)と
(d)で表わされる書込み信号を選択的に印加して走査
ライン毎に順次書込みを行なうことができ、走査ライン
上の画素書込みの後1画素に印加される電圧は第3図(
c)(c)と(d)に示される様にそれぞれ閾値以下で
設定されているため、走査ライン上の曹込み状態が1フ
レーム又は1フイールドの間はメモリーされることにな
る。
このような信号′lk第3図(A)に示す表示を行うべ
く与えたときの時系列信号を第4図(A)に示す。第4
図(A)に於て、情報信号電極畳することによって付与
された高周波の交流成分は、簡単の為省略、しである。
第4図CB)は、クロストーク防止のため、情報信号に
応じた補助信号を△tの位相に於て与えた実施例である
又、別の実施形態例として、高周波交流成分を走査電極
側に与えることも可能である。さらK。
位相を合わせて走査電極側と、信号電極側共に与えると
とKよって、走査電極側と、信号電極側の末端ドラバ−
ICの、必要耐圧を低減させることも可能である。
第5図にはさらに別の実施例金示す。
本実施例に於ては、交流信号は走査非選択信号として与
える。走査選択信号は、1g3図(B)(a)の波形と
同じ波形を与える。選択時に高周波’eOFFすること
によ)、液晶分子は、動き易くなシ、スイッチングが容
易になること。又選択信号(a:低周波成分)と非選択
信号(b:高周波成分)の重畳を避けることによって走
査側ドライバーICの必要耐圧低減のメリットがある。
第6図は1本発明の液晶素子を用いたMメルドットの液
晶表示パネル601t−表示するための駆動回路の1例
を示すブロック図である。図中602は可変周波数発生
回路で、その出力x、yは互いに位相が180°ずれて
おシ、その出力Xはデータ信号入力側のAC重畳回路6
03へ入力され。
出力yは走査信号入力側のAC重畳回路604へ入力さ
れる。605は情報入力、606はそのクロック入力、
607は走査線のタイミング入力で。
608はそのクロック入力である。
データ信号入力側のAC重畳回路603は、電圧を加算
する記号をのとし、I’m 工’、 x i電圧値とす
ると。
B = エフ (B x I; === l r e x I’=I”ΦX   (N:データ線の配線数)N の機能を有し、走査信号入力側のAC重畳回路604は
 3 / 、 SF 、 yを電圧値とすると。
S、′=Srey Si = SF 69F ”;=”、;ey  (M:走査線の配線数)の機能を
有している。データ信号側では、情報入力605の信号
が順次シフトレジスタ609.クロック606とカウン
タ611で制御されたうiチロ10.前述のAC重畳回
路603とドライブ回路612に入力され、N本のデー
タ線に信号が送られる。走査信号側では、走査線のタイ
ミング人力607とクロック入力608がシフトレジス
タ613に入力され、その信号が順次前述のAC重畳回
路604とドライブ回路614忙入力され。
M本の走査線に走査信号が入力される。
さらに、温度センサー615は液晶素子部601の付近
の温度全検知し、その信号を可変周波数発生回路602
に入力する。そこで、この温度によってデータ線側と走
査線側に重畳する交流信号の周波数を制御することによ
って、温度変動が生じたとしても双安定性を維持するこ
とができる。又。
データ線側のAC重畳回路603.又は走査線側のAC
重畳回路604は、何れか1つを省略することができる
、何れの場合においても、温度変動に対して安定した双
安定性を維持することができる。
以下1本発明を具体例を挙げて説明する。
実施例1 第3図に示す液晶素子を用いた。この際、基板としては
ガラス基板、電極には透明な100OAのマドライブ電
極、さらに、電極を形成したガラス基板上には1表面ラ
ビング処理したポリイミド被膜を形成したものを用いた
。この2枚のガラス基板は10μmのポリイミドで形成
したスペーサによってその間隔を保持した。又、この2
枚のガラス基板の周囲をエポキシ樹脂でシーリングして
セルを作成した。
このセルの中に下記に示す負の誘電率異方性をもつ混合
強誘電性液晶を等吉相下で注入した。
混合液晶 4重量部 1重量部 この混合液晶は下記に示す相転移を生じる=□    
    工s 。
70.3’C (SmA;スメクチック人相、Ch;コレステリック相
■so;等方相を示す) この時の相転移点はDSC(示差走査熱量計)によって
測定した値である。
次いで、注入口を封口した後1等方相から0.5”C/
hの割合でSmCまで徐冷した。この液晶素子を直交ニ
コル下で顕微鏡観察すると、広い領域に亘ってもモノド
メインの形成が確認され、又SmCのピッチが観察され
た。
この様にして作成した液晶素子に第6図に示す駆動回路
(但し、走査線側のAC重畳回路の使用を省略した)を
組込み、表示を行った。この際。
高周波交流電界として10KHz、60VppTh用い
、このため、スイッチングパルスとしては第3図(B)
に示す波形のものであった。具体的にはt++ tt 
(j、= t、 )=2msec、 V= 21.5ボ
ルトを使用した。
可変周波数発生回路では10℃を基準にして1℃の温度
増加に対して周波数に5’Aの割合で高くする様に制御
した。
この結果、温度が10℃〜30℃の間で変動しても、良
好な表示状態が得られることが判った。
すなわち、このことはlO℃〜30℃の間で温度変化を
生じても、十分な双安定性状態が維持されていることを
示したものである。
これに対し、前述で使用した可変周波数発生回路の使用
を省略したほかは、全く同様の方法で実験を繰返したと
ころ、lo℃〜30℃の温度変動に対して高温側で十分
な表示特性が得られなかった。このことは、高温側では
双安定配向状態の形成がないことを示している。
実施例2 実施例1の液晶素子を作成した際に用いた10μmのポ
リイミドスペーサを7μmのポリイミドスペーサに代え
たほかは、実施例1と全く同様にして液晶素子を作成し
た。この液晶素子は広い領域でモノドメイン形成が観察
され、又実施例1と相違してSmC*のらせんピッチの
観察は認められなかった(らせん構造がほどけた状態)
が、電場無印加では双安定状態は認められなかった(但
し。
交流電圧の電圧値上42 vppとした)。
この液晶素子を実施例1と同様に駆動回路忙組込み1表
示を行なったところ、実施例1と同様に温度変動に対し
て安定した双安定性配向状態が維持されていることが判
っ九。
〔効果〕
本発明によれば、外界の温度変動が生じても安定した双
安定性配向状態を維持することができ。
この結果温度変動に依存しない良好な表示特性を得るこ
とができる利点を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明の強誘電性液晶素子を模式的に表わし
た斜視図である。a!2図(A)は本発明の液晶素子の
平面図で、第2図CB)はA −A’断面図である。第
3図(A)は、本発明でマトリクス電極構造を表わす平
面図、第3図(B)は走査線及びデータ線に印加する信
号の波形を表わした説明図で、第3図(C)は強誘電性
液晶に印加される電圧信号波形を表わした説明図である
。第4図(A)は第3図で用いた信号を時系列で表わし
た説明図で、第4図CB)は別の時系列信号を表わした
説明図である。第5図は、走査線及びデータ線に印加す
る信号波形を表わした説明図である。第6図は1本発明
の液晶素子に用いた駆動回路の1例を表わしたブロック
図である。 11久 10Z久    lの・ z 第30(B) 第3図(C) ((2)            (b)(C)   
        (d) (α) (d) 一ロコー V

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)液晶光学素子において、 a、負の誘電率異方性をもつ強誘電性スメクチック液晶
    を一対の基板間に配置した液晶セルと。 b、前記強誘電性液晶に第1の安定配向及び第2の安定
    配向からなる双安定性配向を付与する交流電界を印加す
    る手段と、 c、前記交流電界の周波数を温度の変動に応じて変化さ
    せる手段と、 d、前記強誘電性液晶を前記第1の安定配向に配向させ
    る第1の電界と前記第2の安定配向に配向させる第2の
    電界とを入力情報に応じて選択的に印加する手段と、 e、第1の安定配向に配向した強誘電性スメクチック液
    晶を通過した光線と第2の安定配向に配向した強誘電性
    スメクチック液晶を通過した光線との光学的相違を検知
    する 手段 とを有することを特徴とする液晶光学素子。
  2. (2)前記光学的相違を検知する手段が偏光子であって
    、該偏光子の偏光軸が前記第1の安定配向又は第2の安
    定配向の方向と平行又は略平行となっている特許請求の
    範囲第1項記載の液晶光学素子。
  3. (3)前記光学的相違を検知する手段が1対のクロスニ
    コルの偏光子であって、該1対の偏光子のうち1つの偏
    光子の偏光軸が前記第1の安定配向又は第2の安定配向
    の方向と平行又は略平行となっている特許請求の範囲第
    1項記載の液晶光学素子。
  4. (4)前記強誘電性スメクチック液晶がカイラルスメク
    チックC相、H相、I相、G相又はF相である特許請求
    の範囲第1項記載の液晶光学素子。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS628130A (ja) * 1985-07-04 1987-01-16 Seiko Epson Corp 液晶電気光学装置の駆動方法
US5034151A (en) * 1988-03-28 1991-07-23 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, ferroelectric liquid crystal composition containing same and ferroelectric liquid crystal device
US5075030A (en) * 1989-07-31 1991-12-24 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal composition and liquid crystal device using same
US5076961A (en) * 1989-07-10 1991-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same
US5091109A (en) * 1989-08-25 1992-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same
JPH04107425A (ja) * 1990-08-28 1992-04-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶電気光学装置駆動法
US5118441A (en) * 1989-04-14 1992-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition and liquid crystal device using same
US5190690A (en) * 1989-04-20 1993-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same
US5200109A (en) * 1989-09-22 1993-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same
KR100599652B1 (ko) 2004-08-17 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 액정표시장치 및 그의 구동방법

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS628130A (ja) * 1985-07-04 1987-01-16 Seiko Epson Corp 液晶電気光学装置の駆動方法
US5034151A (en) * 1988-03-28 1991-07-23 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, ferroelectric liquid crystal composition containing same and ferroelectric liquid crystal device
US5118441A (en) * 1989-04-14 1992-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition and liquid crystal device using same
US5190690A (en) * 1989-04-20 1993-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same
US5076961A (en) * 1989-07-10 1991-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same
US5075030A (en) * 1989-07-31 1991-12-24 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal composition and liquid crystal device using same
US5091109A (en) * 1989-08-25 1992-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same
US5200109A (en) * 1989-09-22 1993-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same
JPH04107425A (ja) * 1990-08-28 1992-04-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶電気光学装置駆動法
KR100599652B1 (ko) 2004-08-17 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 액정표시장치 및 그의 구동방법

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