JPS62286094A - 表示パネルの情報読出し法及び表示パネルの情報読出し装置 - Google Patents

表示パネルの情報読出し法及び表示パネルの情報読出し装置

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JPS62286094A
JPS62286094A JP61129803A JP12980386A JPS62286094A JP S62286094 A JPS62286094 A JP S62286094A JP 61129803 A JP61129803 A JP 61129803A JP 12980386 A JP12980386 A JP 12980386A JP S62286094 A JPS62286094 A JP S62286094A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、表示パネル、特に強誘電性液晶素子を用いた
表示パネルの情報読出し法に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の液晶ディスプレイに於いては、スメクチ
ックA相液晶の熱電気光学効果を応用したものが知られ
ている。この熱電気光学効果を応用した表示パネルでは
液晶の一軸性配向状態と散乱状態との静電容量差を電気
的に検知することによって、書込み情報を読出す方法が
採用されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述した熱電気光学効果を応用した表示パネルは、書込
み速度が遅い」二、装置が大型であるためワードプロセ
ッサーや電子タイプライタ−で使用している表示部への
適用が困難となっている問題点がある。
ところで、クラークらは、米国特許第4367924号
公報で、書込み情報が表示パネルにそのままメモリーさ
れる強誘電性液晶素子を提案している。
しかし、この強誘電性液晶素子は、後述する様に第1と
第2の安定配向状態間の遷移に応じて、その双極子モー
メントの向きが逆転するだけであるため、静電容量には
何等変化を生じない。従って、前述した配向状態の相違
によって生じる静電容量差を検知することによって書込
み情報の読出しを行なうことが不可能であり、現在まで
のところ、強誘電性液晶素子を用いた表示パネルにおけ
る情報読出し法については全(見い出されていないのが
現状である。
〔問題点を解決する為の手段〕及び〔作用〕本発明の目
的は、新規な情報読出し法、特に強誘電性液晶素子を用
いた表示パネルの情報読出し法を提供することにある。
本発明は、相対する電極と該電極間に配置した強誘電性
液晶とを有する画素を配列した液晶素子と、光学検知手
段とを備えた表示パネルに書込まれた情報を読み出すに
当たって、前記画素に検出用信号電圧を印加し、その時
に生じる強誘電性液晶の分極反転電流を検出することに
よって、該画素の書込み状態を読出す表示パネルの情報
読出し法に特徴を有している。
〔実施例〕
以下、本発明を図面に従って説明する。
第1図は、本発明の読出し方法を用いた強誘電性液晶デ
ィスプレイパネルの読出し回路であり、11は基板(ガ
ラス)19上に形成されたデータ線(信号電極)、】2
は基板(ガラス)10j二に形成された走査線(走査電
極)、】3は各走査電極に対して検出用信号電圧Vin
と接地電位の何れか一方を選択する垂直スイッチ、14
は各々の信号電極に流れる検出電流1outを選択する
水平スイッチ、15は「白」状態の1画素に対する等価
回路、16I/Vコンバーター、17は差動アンプ、】
8はコンパレーターである。
前述の走査電極と信号電極は、ITO(インジウムーテ
インーオキザイド)などの透明な電極によって形成され
る。
基板19とlOとの間には、強誘電性液晶が封入されて
居り、セル構造を成している。ここで用いる液晶材料と
して、特に適したものは、カイラルスメクチック液晶で
あって、強誘電性を有するものである。具体的にはカイ
ラルスメクチックC相(SmC*)、カイラルスメクチ
ックC相(SmG*)、カイラルスメクチックF相(S
 m F * ) 、カイラルスメクチックI相(Sm
4*)又はカイラルスメクチックH相(S m H* 
)の液晶を用いることができる。
強誘電性液晶の詳細については、たとえば“ル・ジュル
ナール・ド・フイジーク・レットル″(“LEJOUR
NAL  DE  PHYSIQUEP  LETTE
R”)第36巻(L−69)、  1975年発行の「
フェロエレクトリック−リキッド令りリスタルスJ (
r FerroelectricLiquid  Cr
ystals J) :″アプライド・フイジイツクス
・レターズ” (”Applied  Physics
L e t t e r s″)第36巻、第11号、
1980年発行の[サブミクロ・セカンド・バイスティ
プル・エレクトロオブティック・スイッチング・イン・
リギツド・クリスタルス(「submicro  5e
cond  B15tableElectroopti
c  Switching  in  LiquidC
rystals’) :“固体物理” 16 (141
) 1981 r液晶」等に記載されており、本発明で
はこれらに開示された強誘電性液晶を用いることができ
る。
強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン−p′−アミノ−2−メチルブチルシンナメ−
1−(D OB A M B C)、ヘキシルオキシベ
ンジリデン−p′−アミノ−2−クロロプロピルシンナ
メート(HOB A CP C)、4−o−(2−メチ
ル)−ブチルレゾルシリチン−4′−オクチルアニリン
(MBRA8)が挙げられる。特に、好ましい強誘電性
液晶としては、これより高温側で コレステリック相を
示すものを用いることができ、例えばビフェニルエステ
ル系液晶を用いることができる。
第3図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。以下、所望の相としてS
mC*を例にとって説明する。
31aと31. bは、In203.5n02あるいは
ITO(Indium−Tin  0xide)等の薄
膜からなる透明電極で被覆された基板(ガラス板)であ
り、その間に液晶分子層32がガラス面に垂直になるよ
う配向したSmC*相の液晶が封入されている。太線で
示した線33が液晶分子を表わしており、この液晶分子
33は基板の面方向に連続的にらせん構造を形成してい
る。このらせん構造の中心軸35と液晶分子33の軸方
向とのなす角度■として表わす。この液晶分子33は、
その分子に直交した方向に双極子モーメント(P土)3
4を有している。基板31aと31b上の電極間に一定
の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子33のらせん
構造がほどけ、双極子モーメント(P土)34がすべて
電界方向に向くよう、液晶分子33は配向方向を変える
ことができる。液晶分子33は、細長い形状を有してお
り、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光
子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液
晶光学素子及びディスプレイとなることは、容易に理解
される。
本発明の液晶ディスプレイで好ましく用いられる液晶セ
ルは、その厚さを充分に薄((例えば10μm以下)す
ることができる。このように液晶層が薄くなるにしたが
い、第4図に示すように電界を印加していない状態でも
液晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、
その双極子モーメントPaまたはPbは上向(44a 
)又は下向き(4,4b )のどちらかの状態をとる。
この液晶分子軸43aの分子軸と43. bのなす角度
の】/2の角度をチルト角(θ)と称し、このチルト角
(θ)はらせん構造をとる時のコーンのなす頂角の1/
2に等しい。
このようなセルに、一定の閾値以上の極性の異る電界E
a又はEbを電圧印加手段41aと411)により付与
すると、双極子モーメントは、電界Ea又はEbの電界
ベクトルに対応して上向き44a又は下向き44bと向
きを変え、それに応じて液晶分子は、第1の安定状態4
3aかあるいは第2の安定状態4.3 bの何れか一方
に配向する。
このような強誘電性を液晶ディスプレイとじて用いるこ
との利点は、先にも述べたが2つある。その第1は、応
答速度が極めて速いことであり、第2は液晶分子の配向
が双安定性を有することである。
第2の点を、例えば第4図によって更に説明すると、電
界Eaを印加すると液晶分子は第1の安定状態43に配
向するが、この状態は電界を切っても安定である。又、
逆向きの電界El)を印加すると、液晶分子は第2の安
定状態43bに配向してその分子の向きを変えるが、や
はり電界を切ってもこの状態に留っている。つまり、メ
モリー性を有している。
従って各々の信号電極11と各々の走査電極12との間
に電界Ea又はEbを印加することによって、第1又は
第2の安定状態に配向された強誘電性液晶の分子を有し
ている各画素は、電界が切られた後でも、その配向状態
を維持し、この第1及び第2の安定状態に基づいて、パ
ネル上に画像が表示され、その表示はそのまま保持され
る。
ここで、第4図中の電圧印加手段41aは、それぞれ信
号電極l】に、電圧印加手段41bは走査電極12に対
応して居り、電界Eaにより生じる第1の安定状態が「
黒」、電界Ebにより生じる第2の安定状態が「白」の
視覚を与えるように偏光子(図示せず)等が設定されて
いる。そこで以後第1の安定状態は「黒」状態、第2の
安定状態は「白」状態と呼び、「黒」から「白」へ(又
は「白」から「黒」へ)の配向状態の変化を反転と呼ぶ
第2図に、本発明の読出し方法の原理を示す。例えば、
1−1番目の画素の状態を読出すとき、第2図(a)で
示される様な一定の電圧」二昇パルスを有する反転の閾
値以下の検出用信号電圧Vinを1番目の走査電極に印
加し、1番目の信号電極に反転の閾値以下のバイアス電
圧−VBを印加して、該電極に流れ出す電流1outを
検出する。但し、−VBは1/Vコンバータ16を通し
て印加されている。このとき1−1番目の画素内の液晶
には、Vinと−VBとの作用によりEb力方向上昇電
界が印加される為、該電界が閾値以上になると、該画素
が「黒」状態の場合には「白」状態に液晶の配向を反転
する。但し、ここでVin十Vbは該閾値を越えるよう
に設定している。ところで、このように強誘電性液晶が
反転する場合には、該液晶の自発分極に起因する分極反
転電流1pが流れる為、「黒」状態の1−1番目画素か
ら流れ出す該電流1outは第2図(b)で示されるよ
うな分極反転電流1pの瘤を有する電流波形になる。一
方、該画素が「白」状態の場合には、液晶の配向は変わ
らず、分極反転電流Ipは流れない為、第2図中1re
fで示されるようなIpの瘤の無い波形の電流1out
が検出される。従って、このような検出電流1outに
おける分極反転電流1pの瘤の有無を判別することによ
って、各画素の状態つまりディスプレイパネル上に表示
されている画像情報を読み出すことが可能となる。また
、ここで閾値以下のVinと−VBとの組合わせにより
注目画素の反転を行なったが、これは他画素の反転を防
止している。
分極反転電流Npの有無の判別については、まず「白」
状態の一画素に相当し、本マトリクスに於ける該画素か
らの標準的検出電流を与える等価回路15を設け、該等
価回路に検出用信号電圧Vinとバイアス電圧−VBと
を印加して得られるリファレンス電流1refと、前記
検出電流1outとをI/Vコンバーター16にて、そ
れぞれ電圧信号に変換して、差動アンプ17に入力する
。これにて得られる出力電圧Voutは、前記リファレ
ンス電流Irefと検出電流I o u、 tとの差分
を電圧にて表わした電圧波形となり、第2図(C)に示
されるように、検出画素が「黒」状態であれば分極反転
電流1pに対応した症状電圧波形Vpのみが現れる。一
方、該検出画素が「白」状態であれば、リファレンス電
流1refと検出電流I o u、 tとの差分が無い
為該電圧波形Vpは現れない。そこで、この出力電圧V
outをコンパレーター18にて、基準電圧Vretと
比較することにより、該検出画素の状態が最終的に該コ
ンパレーター18からの出力パルスの有無として検出さ
れ、この比較結果は所定のタイミングでデータバスに取
り込まれる。
読出しのシーケンスについては、まず1番目の走査電極
に検出用信号電圧vinを連続して印加し、このVin
に同期させて水平スイッチ14の1〜m番を順次開閉し
ていく。この結果、画素1−1〜m−1に対応した検出
電流1outがリファレンス電流Irefと共にI/V
コンバーター16に順次入力される。そして、以上の動
作をn番目の走査電極まで繰り返すことで、全画素の状
態を検出することができる。すなわち、点順次走査によ
る読出しを行なう。このとき、他の走査電極と信号電極
は、クロスト−りを防止する為に接地する。
又、前記分極反転電流Ipは強誘電性液晶の自発分極P
と以下の相関を有している。
、  f xpat=2p −A   (Aニー画素当
りの電極面積)前記ディスプレイパネルに於いて、信号
電極及び走査電極としてITO膜を用い、11 X 1
.0ドツト(1ドツト/ m m )、セル厚1μ、液
晶としてDOBAMBCを用いた画面サイズxtoxt
00mrrrのものを試作し、前記読出し回路にて読み
出しを行なったところ、分極反転電流1pとしてピーク
値で〜1oμAの値が得られ、一画素を10 m s以
内で読出すことができた。また、一画面については〜1
秒で全て良好に読出しを行なうことができたが、実際に
はノイズ除去を必要とした。
ところで前述した読出し回路は、−例であり、これに限
られず、前記分極反転電流1pの有無を判別できるもの
であれば如何なる構成の回路であっても良い。
〔発明の効果〕
以上説明したように、強誘電性液晶の分極反転電流を検
出することにより、これを用いた液晶ディスプレイに於
ける表示情報を読出ずことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明で用いた情報読出し回路図である。第
2図(a、 )は本発明の方法で用いた情報検出用信号
電圧のパルス図、第2図(b)は分極反転電流の瘤を有
する電流波形図、第2図(c)はその時の電圧波形図で
ある。第3図及び第4図は、本発明で用いた強誘電性液
晶素子を模式的に示した斜視図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)相対する電極と該電極間に配置した強誘電性液晶
    とを有する画素を配列した液晶素子と、光学検知手段と
    を備えた表示パネルに書込まれた情報を読み出すに当っ
    て、前記画素に検出用信号電圧を印加し、その時に生じ
    る強誘電性液晶の分極反転電流を検出することによって
    、該画素の書込み状態を読出すことを特徴とする表示パ
    ネルの情報読出し法。(2)前記画素が複数行及び列に
    沿って配列し、行上の各画素が走査線に接続され、列上
    の各画素がデータ線に接続されたマトリクス構造を有し
    、前記検出用信号電圧を行毎に順次行上の画素に印加す
    る方法である特許請求の範囲第1項記載の表示パネルの
    情報読出し法。 (3)前記検出用信号電圧が印加されていない行上の画
    素における走査線又はデータ線が接地されている特許請
    求の範囲第2項記載の表示パネルの情報読出し法。 (4)情報読出し時に、読出しに関与していない走査線
    とデータ線をともに接地する特許請求の範囲第2項記載
    の表示パネルの情報読出し法。 (5)前記検出用信号電圧が強誘電性液晶の閾値電圧以
    上の電圧である特許請求の範囲第1項記載の表示パネル
    の情報読出し法。 (6)前記検出用信号電圧を形成する走査線とデータ線
    に印加する信号がともに強誘電性液晶の閾値電圧を越え
    ない電圧である特許請求の範囲第2項記載の表示パネル
    の情報読出し法。 (7)前記検出用信号電圧が電圧上昇パルス又は電圧下
    降パルスを有する信号電圧である特許請求の範囲第1項
    記載の表示パネルの情報読出し法。 (8)前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶で
    ある特許請求の範囲第1項記載の表示パネルの情報読み
    出し法。 (9)前記カイラルスメクチツク液晶の膜厚が、らせん
    構造を解除するのに十分に薄い膜厚に設定されている特
    許請求の範囲第8項記載の表示パネルの情報読出し法。
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