JPS6337193A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPS6337193A JPS6337193A JP18222786A JP18222786A JPS6337193A JP S6337193 A JPS6337193 A JP S6337193A JP 18222786 A JP18222786 A JP 18222786A JP 18222786 A JP18222786 A JP 18222786A JP S6337193 A JPS6337193 A JP S6337193A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な液晶物質を含有する液晶組成物に係わり
、特に強誘電性液晶表示装置に関するものである。
、特に強誘電性液晶表示装置に関するものである。
従来の技術
近年液晶表示は、腕時計、電卓等だけでなく映像機器に
も広く使われるようになり、液晶カラーテレビも市場に
出始めている。現在カラー表示用液晶パネルはネマチッ
ク液晶を用いたものがその主流を占めている。しかし、
そのネマチック液晶の緒特性は理想的とは言い難く多く
の問題を含んでいる。強誘電性液晶はその速い応答速度
、メモリー性等ネマチック液晶にはない緒特性を有して
おりデイスプレィ装置への応用が考えられ多方面から研
究が進められている(オプトロニクス、1983、寛9
)、以下図面をみながら強誘電性液晶について説明する
。第7図は強誘電性液晶分子の模式図である0強誘電性
液晶は通常スメクチック液晶と呼ばれる層構造を有する
液晶で、液晶分子は層法線方向に対してθだけ傾いた構
造をとっている。また、通常強誘電性液晶分子は、ラセ
ミ体でない光学活性な液晶分子によって構成されている
。
も広く使われるようになり、液晶カラーテレビも市場に
出始めている。現在カラー表示用液晶パネルはネマチッ
ク液晶を用いたものがその主流を占めている。しかし、
そのネマチック液晶の緒特性は理想的とは言い難く多く
の問題を含んでいる。強誘電性液晶はその速い応答速度
、メモリー性等ネマチック液晶にはない緒特性を有して
おりデイスプレィ装置への応用が考えられ多方面から研
究が進められている(オプトロニクス、1983、寛9
)、以下図面をみながら強誘電性液晶について説明する
。第7図は強誘電性液晶分子の模式図である0強誘電性
液晶は通常スメクチック液晶と呼ばれる層構造を有する
液晶で、液晶分子は層法線方向に対してθだけ傾いた構
造をとっている。また、通常強誘電性液晶分子は、ラセ
ミ体でない光学活性な液晶分子によって構成されている
。
第7図に於て、10は液晶分子、11は自発分掻、12
はCダイレクタ−113はコーン、14は層構造、15
は層法線方向、16は傾き角θを示している。
はCダイレクタ−113はコーン、14は層構造、15
は層法線方向、16は傾き角θを示している。
第7図に示すように、強誘電性液晶分子は自発分極を有
しており、カイラルスメクチックC相に於いては、第7
図の円錐形13 (コーン)の外側を自由に動くことが
できる0層毎に分子長軸の方向は少しだけずれており全
体としてはねじれ構造をとっている0次に強誘電性液晶
の表示原理について述べる。第8図は強誘電性液晶の動
作原理図で有る。第8図(8)は電圧無印加の状態、第
8図Cb)は紙面塵から表方向に電圧を印加した場合、
第8図(C1は逆方向に電圧を印加した場合の動作原理
図である。17は層法線に対して分子長軸が+θ度傾い
た液晶分子、1日は一〇頭重いた液晶分子、19は紙面
表方向を向いている双極子モーメント、20は紙面裏方
向を向いている双極子モーメント、21は2枚の偏光板
の方向である。強誘電性液晶を透明電極を有したガラス
基板に挟みそのパネルの厚を螺旋ピッチ以下にすると第
8図(alのように螺旋がほどけ層に対して分子が+θ
度傾いた領域と一θ頭重いた?■域にわかれる。上下電
極間紙面層から表方向に電圧を印加することにより第8
図Q)lのようにセル全体が+θ度傾いたモノドメイン
になる。また、逆電圧を印加すると第8図tc+のよう
にセル全体が一θ頭重いたモノドメインになる。
しており、カイラルスメクチックC相に於いては、第7
図の円錐形13 (コーン)の外側を自由に動くことが
できる0層毎に分子長軸の方向は少しだけずれており全
体としてはねじれ構造をとっている0次に強誘電性液晶
の表示原理について述べる。第8図は強誘電性液晶の動
作原理図で有る。第8図(8)は電圧無印加の状態、第
8図Cb)は紙面塵から表方向に電圧を印加した場合、
第8図(C1は逆方向に電圧を印加した場合の動作原理
図である。17は層法線に対して分子長軸が+θ度傾い
た液晶分子、1日は一〇頭重いた液晶分子、19は紙面
表方向を向いている双極子モーメント、20は紙面裏方
向を向いている双極子モーメント、21は2枚の偏光板
の方向である。強誘電性液晶を透明電極を有したガラス
基板に挟みそのパネルの厚を螺旋ピッチ以下にすると第
8図(alのように螺旋がほどけ層に対して分子が+θ
度傾いた領域と一θ頭重いた?■域にわかれる。上下電
極間紙面層から表方向に電圧を印加することにより第8
図Q)lのようにセル全体が+θ度傾いたモノドメイン
になる。また、逆電圧を印加すると第8図tc+のよう
にセル全体が一θ頭重いたモノドメインになる。
従って、電気光学効果による複屈折または2色性を利用
すれば+θ度傾いた2つの状態により明暗を表すことが
できる。
すれば+θ度傾いた2つの状態により明暗を表すことが
できる。
強誘電性液晶をデイスプレィデバイスに応用する場合、
液晶材料に要求される条件として以下のものがあげられ
る。
液晶材料に要求される条件として以下のものがあげられ
る。
■ 室温を含む広い温度範囲で強誘電性液晶相(例えば
カイラルスメクチックC相)を示す。
カイラルスメクチックC相)を示す。
■ 強誘電性液晶の電界に対する応答速度τは、τ=η
/Ps−E 但し、 η;粘度 PsH自発分極 E;印加電場 で与えられる。この為、数μsecオーダーの高速応答
を実現するためには、大きな自発分極をもつことが必要
である。
/Ps−E 但し、 η;粘度 PsH自発分極 E;印加電場 で与えられる。この為、数μsecオーダーの高速応答
を実現するためには、大きな自発分極をもつことが必要
である。
■ 先述したように、強誘電性液晶の光学応答は、安定
な2状B (bistable 5tate)により
初めて実現される。C1erkらによると、この状態を
実現するためには、セルギャップdを螺旋ピッチル以下
にし螺旋をほどく必要がある。エヌ。
な2状B (bistable 5tate)により
初めて実現される。C1erkらによると、この状態を
実現するためには、セルギャップdを螺旋ピッチル以下
にし螺旋をほどく必要がある。エヌ。
ニー、クラーク、ニス、ティ、ラガヴアル;アブル、フ
ィズ、レフト、、36 899(1980) (N、
A、C1erk、 S、T。
ィズ、レフト、、36 899(1980) (N、
A、C1erk、 S、T。
Lagerwall i ApH,Phys、 Let
t、、36899 (1980))この為、セル作成
上作成容易なセルギャップの厚いセルを利用するために
は、強誘電性液晶の螺旋ピッチを長くする必要がある。
t、、36899 (1980))この為、セル作成
上作成容易なセルギャップの厚いセルを利用するために
は、強誘電性液晶の螺旋ピッチを長くする必要がある。
■ 強誘電性液晶の配向状態は、液晶材料の相系列によ
って異なり、特に強誘電性液晶相の高温側にスメクチッ
クA相(SmA)及びコレステリック相(Ch)を有す
る液晶材料が良好な配向状態が得られると考えられてい
る。即ち、強誘電性液晶材料の相系列が、例えばカイラ
ルスメクチックC相の場合本 I s o−Ct+−SmA−4SmC*但し、Iso
;等方性液体 Ch;コレステリック相 Sm A iスメクチックA相 SmC*;カイラルスメクチックC相 であることが望ましい。
って異なり、特に強誘電性液晶相の高温側にスメクチッ
クA相(SmA)及びコレステリック相(Ch)を有す
る液晶材料が良好な配向状態が得られると考えられてい
る。即ち、強誘電性液晶材料の相系列が、例えばカイラ
ルスメクチックC相の場合本 I s o−Ct+−SmA−4SmC*但し、Iso
;等方性液体 Ch;コレステリック相 Sm A iスメクチックA相 SmC*;カイラルスメクチックC相 であることが望ましい。
更に、上記のような相系列を持つ液晶材料の中でもch
相のピッチが長いものの方が配向状態が良好であると考
えられている。
相のピッチが長いものの方が配向状態が良好であると考
えられている。
以上述べた条件以外にも液晶分子の傾き角θ等に対する
様々な要求がある。
様々な要求がある。
従来の強誘電性液晶材料は温度範囲だけをとりあげてみ
ても実用的な材料は数少な(、上記の条件をすべて満た
し実用に耐え得る材料を用いた表示品位の優れた強誘電
性液晶表示装置は皆無に等しいのが現状であった。
ても実用的な材料は数少な(、上記の条件をすべて満た
し実用に耐え得る材料を用いた表示品位の優れた強誘電
性液晶表示装置は皆無に等しいのが現状であった。
以下に従来の強誘電性液晶材料の1例を示す。
(+)p−デシルオキシベンジリデンp゛アミノ2−メ
チルブチルシンナメイト(+ DOBIIMBC)Is
o −4SmA −4SmC* →SmG*12
0℃ 91℃ 60℃ 但し、SmG*;カイラルスメクチックC相P S ”
4〜5 n C τ冨数百μSec〜数m5ec このような液晶化合物を用いた液晶表示セルにおいては
良好な配向状態は得られず、上記の結果のようにカイラ
ルスメクチックC相を示す温度領域は狭く表示特性は悪
いものであった。
チルブチルシンナメイト(+ DOBIIMBC)Is
o −4SmA −4SmC* →SmG*12
0℃ 91℃ 60℃ 但し、SmG*;カイラルスメクチックC相P S ”
4〜5 n C τ冨数百μSec〜数m5ec このような液晶化合物を用いた液晶表示セルにおいては
良好な配向状態は得られず、上記の結果のようにカイラ
ルスメクチックC相を示す温度領域は狭く表示特性は悪
いものであった。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来の強誘電性液晶材料は、その温度範
囲だけをとりあげても実用的なものは少なく先述の4つ
の条件を総て満たし即デイスプレィデバイスに応用でき
る液晶材料は皆無に等しいのが現状である。そこで本発
明では、自発分極が大きく、且つ捩れの向きが逆である
ような液晶材料を含む液晶組成物を用いることにより、
広い温度範囲で動作し、容易に良好な配向が得られ、数
十μSecオーダーの高速応答可能な優れた表示品位の
強誘電性液晶表示装置を提供するものであるや問題点を
解決するための手段 上記問題点を解決する為に本発明の強誘電性液晶表示装
置は、自発分極が大きく、且つ捩れの向きが逆であるよ
うな液晶材料を含む液晶組成物を用いることにより、広
い温度範囲で動作し、容易に良好な配向が得られ、数十
μsecオーダーの高速応答可能な優れた表示品位を示
すものである。
囲だけをとりあげても実用的なものは少なく先述の4つ
の条件を総て満たし即デイスプレィデバイスに応用でき
る液晶材料は皆無に等しいのが現状である。そこで本発
明では、自発分極が大きく、且つ捩れの向きが逆である
ような液晶材料を含む液晶組成物を用いることにより、
広い温度範囲で動作し、容易に良好な配向が得られ、数
十μSecオーダーの高速応答可能な優れた表示品位の
強誘電性液晶表示装置を提供するものであるや問題点を
解決するための手段 上記問題点を解決する為に本発明の強誘電性液晶表示装
置は、自発分極が大きく、且つ捩れの向きが逆であるよ
うな液晶材料を含む液晶組成物を用いることにより、広
い温度範囲で動作し、容易に良好な配向が得られ、数十
μsecオーダーの高速応答可能な優れた表示品位を示
すものである。
作用
−aに、液晶の温度範囲を拡大する為には、2種類以上
の分子形状の異なる液晶化合物を混合することが必要で
ある。ところが、強誘電性液晶材料を混合する際にはそ
の化合物の自発分極の極性。
の分子形状の異なる液晶化合物を混合することが必要で
ある。ところが、強誘電性液晶材料を混合する際にはそ
の化合物の自発分極の極性。
強誘電性液晶相の捩れの向き、コレステリック相の涙れ
の向き等の物質定数を考慮にいれ混合しなければいけな
い、自発分極は、第3図(alに示すように+のものと
第3図世)に示すように−のものが有りこの極性はカイ
ラル中心の立体配置と双極子モーメントの向きで決定さ
れる。自発分極の極性の同一な液晶化合物を混合した場
合の自発分極の変化を第4図に、自発分極の極性の異な
る液晶化合物を混合した場合の自発分極の変化を第5図
に示す。又、第5図(alは自発分極の大きさのほぼ等
しい場合、第5図(blは自発分極の大きさの大きく異
なる場合の自発分極の変化を示す。この図より明らかな
ように、自発分極の極性の異なる液晶化合物を混合する
と自発分極の値は小さくなってしまうが、自発分極の極
性の同一の液晶化合物を混合することにより自発分極の
大きい液晶化合物を容易に得ることができる。又自発分
極の極性の異なる液晶化合物を混合する場合でも第5図
(blのように、一方の自発分極の大きさが他方に比べ
て大きい場合には自発分極の減少は抑えられ比較的大き
な自発分極をもった液晶化合物かえられる。
の向き等の物質定数を考慮にいれ混合しなければいけな
い、自発分極は、第3図(alに示すように+のものと
第3図世)に示すように−のものが有りこの極性はカイ
ラル中心の立体配置と双極子モーメントの向きで決定さ
れる。自発分極の極性の同一な液晶化合物を混合した場
合の自発分極の変化を第4図に、自発分極の極性の異な
る液晶化合物を混合した場合の自発分極の変化を第5図
に示す。又、第5図(alは自発分極の大きさのほぼ等
しい場合、第5図(blは自発分極の大きさの大きく異
なる場合の自発分極の変化を示す。この図より明らかな
ように、自発分極の極性の異なる液晶化合物を混合する
と自発分極の値は小さくなってしまうが、自発分極の極
性の同一の液晶化合物を混合することにより自発分極の
大きい液晶化合物を容易に得ることができる。又自発分
極の極性の異なる液晶化合物を混合する場合でも第5図
(blのように、一方の自発分極の大きさが他方に比べ
て大きい場合には自発分極の減少は抑えられ比較的大き
な自発分極をもった液晶化合物かえられる。
螺旋軸の1戻れ方向は、カイラル部の絶対的立体配置と
ヘンゼン環からカイラル中心までの分子数が偶数か奇数
かで決定されると考えられている。
ヘンゼン環からカイラル中心までの分子数が偶数か奇数
かで決定されると考えられている。
エム、ツカモト、ティ、オオツカ、ケイ、モリモト、ラ
イ。ムラカミ;ジャパン、ジエイ、アブル。
イ。ムラカミ;ジャパン、ジエイ、アブル。
フィズ、、14 1307 (1975)(M。
T ukamoto、 T 、 Otsuka、
K 、 Mortmoto。
K 、 Mortmoto。
Y、 Murakami、 ; Japan、 J、
APPL、Phys、。
APPL、Phys、。
14 1307 (1975))即ちカイラル中心の
絶対立体配置が8体でありヘンゼン環からカイラル中心
までの原子数が偶数であれば涙れの方向は右であり奇数
であれば左である。又、カイラル中心の絶対立体配置が
R体であれば逆になる。一般にピッチを伸すには、2つ
の方法が考えられる。
絶対立体配置が8体でありヘンゼン環からカイラル中心
までの原子数が偶数であれば涙れの方向は右であり奇数
であれば左である。又、カイラル中心の絶対立体配置が
R体であれば逆になる。一般にピッチを伸すには、2つ
の方法が考えられる。
1つは強誘電性液晶材料にカイラルを持たない液晶材料
を混合する方法と、捩れの方向が逆である液晶材料を混
合する方法である。前者の方法によるとピッチを伸すた
めにはカイラルを持たない液晶材料をかなりの割合混合
する必要があり、自発分極は非カイラル成分の増加と共
に減少するので非常に小さくなってしまう。一方後者の
方法によれば先程述べたように、自発分極の極性が同一
でかつピンチの捩れ方向が逆の液晶材料を混合するか或
いは自発分極の極性が逆であっても一方の自全分極が非
常に大きく、且つ互いのピンチの捩れ方向が逆である液
晶材料を混合することにより自発分極の大きな且つピン
チの発散した強誘電性液晶材料が容易に得られる。
を混合する方法と、捩れの方向が逆である液晶材料を混
合する方法である。前者の方法によるとピッチを伸すた
めにはカイラルを持たない液晶材料をかなりの割合混合
する必要があり、自発分極は非カイラル成分の増加と共
に減少するので非常に小さくなってしまう。一方後者の
方法によれば先程述べたように、自発分極の極性が同一
でかつピンチの捩れ方向が逆の液晶材料を混合するか或
いは自発分極の極性が逆であっても一方の自全分極が非
常に大きく、且つ互いのピンチの捩れ方向が逆である液
晶材料を混合することにより自発分極の大きな且つピン
チの発散した強誘電性液晶材料が容易に得られる。
実施例
本発明の実施例を図を用いて説明する。最初に本実施例
において、その強誘電性液晶材料の応答特性を測定した
液晶セルの構造を第6UIJに示す。
において、その強誘電性液晶材料の応答特性を測定した
液晶セルの構造を第6UIJに示す。
ここで、4は偏光板、5はガラス基板、6は透明電極、
7はラビングにより配向処理を施した有機高分子膜、8
は強誘電性液晶層、9はセル厚を一定に傑つためのスペ
ーサーを表している。このような構造のセルに強誘電性
液晶材料を封入しその応答特性及び自発分極を測定した
。自発分極については二角波性を用いて測定を行った。
7はラビングにより配向処理を施した有機高分子膜、8
は強誘電性液晶層、9はセル厚を一定に傑つためのスペ
ーサーを表している。このような構造のセルに強誘電性
液晶材料を封入しその応答特性及び自発分極を測定した
。自発分極については二角波性を用いて測定を行った。
又、相転位温度については、偏光顕微鏡によるtext
ure it!察及びDSCにより行い、sc*相のピ
ッチはセル厚100ミクロンの配向処理を施したセルを
用い、ch相のピッチはch相を示さない化合物につい
てはネマチック液晶と混合することによりch相とし厚
さ5ミリの配向処理を施したガラス基板を用いた喫型セ
ルを用い通常法により測定を行った。
ure it!察及びDSCにより行い、sc*相のピ
ッチはセル厚100ミクロンの配向処理を施したセルを
用い、ch相のピッチはch相を示さない化合物につい
てはネマチック液晶と混合することによりch相とし厚
さ5ミリの配向処理を施したガラス基板を用いた喫型セ
ルを用い通常法により測定を行った。
実施例1
特許請求の範囲第1項記載の化合物(1)のカイラル部
の立体配置が23,3SでありRがオクチル基でありl
が1である化合物(VT)のらせんのねしれ方向は右で
ある為、逆ねしれの化合物としてねじれ方向が左の化合
物(11)のカイラル部の立体配置が8体でR゛がデシ
ロキシ基でありβ。
の立体配置が23,3SでありRがオクチル基でありl
が1である化合物(VT)のらせんのねしれ方向は右で
ある為、逆ねしれの化合物としてねじれ方向が左の化合
物(11)のカイラル部の立体配置が8体でR゛がデシ
ロキシ基でありβ。
m、nがそれぞれlである化合物(■)を用い、これら
2成分混合系について相転位温度、自発分極、ピンチの
長さ、応答速度を測定した。測定を行った混合物の組成
は化合物(VT)が70wt%。
2成分混合系について相転位温度、自発分極、ピンチの
長さ、応答速度を測定した。測定を行った混合物の組成
は化合物(VT)が70wt%。
化合物(■)が30wt%である。第1図に上記の組成
の化合物を用いて作成した液晶セルの25℃に於ける応
答速度の測定結果を、第2図にこの2成分混合系の相図
を示した。以下にその結果を示す。
の化合物を用いて作成した液晶セルの25℃に於ける応
答速度の測定結果を、第2図にこの2成分混合系の相図
を示した。以下にその結果を示す。
・・・・・・ (VT)
相転移温度
I s o−3mA−4SmC*−3II[*→SIV
*111℃ 72.5℃ 23.8℃ 17.7℃
自発分掻;60nC ch相のピッチ;無限大 応答速度;80#sec (25℃)実施例2 特許請求の範囲第1項記載の化合物(1)のカイラル部
の立体配置が23,3SでありRがノニル基である化合
物(■)および特許請求の範囲第1項記載の化合物(1
)のカイラル部の立体配置が23,35でありRがオク
チル基である化合物(V[)のらせんのねじれ方向は右
である為、逆ねじれの化合物としてねじれ方向が左の化
合物(I+)のカイラル部の立体配置が8体でありR゛
がデシロキシ基であり1.m、nがそれぞれ1である化
合物(■)を用いた3成分系についてその相転移温度、
ピンチの長さについて測定を行った。
*111℃ 72.5℃ 23.8℃ 17.7℃
自発分掻;60nC ch相のピッチ;無限大 応答速度;80#sec (25℃)実施例2 特許請求の範囲第1項記載の化合物(1)のカイラル部
の立体配置が23,3SでありRがノニル基である化合
物(■)および特許請求の範囲第1項記載の化合物(1
)のカイラル部の立体配置が23,35でありRがオク
チル基である化合物(V[)のらせんのねじれ方向は右
である為、逆ねじれの化合物としてねじれ方向が左の化
合物(I+)のカイラル部の立体配置が8体でありR゛
がデシロキシ基であり1.m、nがそれぞれ1である化
合物(■)を用いた3成分系についてその相転移温度、
ピンチの長さについて測定を行った。
又、測定を行った化合物の組成は、化合物(■)が21
wt%、化合物(VT)が49wt%、化合物(■)が
3Qwt%であった。以下にその結果を示す。
wt%、化合物(VT)が49wt%、化合物(■)が
3Qwt%であった。以下にその結果を示す。
相転移温度
T s o →SmA−4SmC+に一りIn*→Sr
V*80℃ 43℃ 6.2℃ −3℃ ch相の螺旋ピッチ;無限大 応答速度;90μsec 実施例3 特許請求の範囲第6項記載の化合物(1)のカイラル部
の立体配置が25,3SでありRがノニル基でありlが
Oである化合物(■)及び特許請求の範囲第1項記載の
化合物日)のカイラル部の立体配置が23.3Sであり
Rがオクチル沈でありlが1である化合物(VT)のら
せんのねしれ方向は右であるため、逆ねしれの左ねしれ
の化合物として化合物(IV)のカイラルの立体配置が
8体でありR゛がオクタノイックオキシ基である化合物
(IX)を用いた3成分系についてその転移温度、ピン
チの長さについて測定をおこなった。また測定を行った
化合物の組成は、化合物(■)が40wt%、化合物1
)がlQwt%、化合物(IX)が5 Q w t%で
あった。以下にその結果を示す。
V*80℃ 43℃ 6.2℃ −3℃ ch相の螺旋ピッチ;無限大 応答速度;90μsec 実施例3 特許請求の範囲第6項記載の化合物(1)のカイラル部
の立体配置が25,3SでありRがノニル基でありlが
Oである化合物(■)及び特許請求の範囲第1項記載の
化合物日)のカイラル部の立体配置が23.3Sであり
Rがオクチル沈でありlが1である化合物(VT)のら
せんのねしれ方向は右であるため、逆ねしれの左ねしれ
の化合物として化合物(IV)のカイラルの立体配置が
8体でありR゛がオクタノイックオキシ基である化合物
(IX)を用いた3成分系についてその転移温度、ピン
チの長さについて測定をおこなった。また測定を行った
化合物の組成は、化合物(■)が40wt%、化合物1
)がlQwt%、化合物(IX)が5 Q w t%で
あった。以下にその結果を示す。
・・・・・・(IX)
相転移温度
1sO−4SmA−e SmC*−* SmI[1
1104℃ 57℃ 11℃ ch相のらせんピッチ;無限大 発明の効果 以上のように本発明は自発分極の大きい、且っピッチの
捩れ方向が逆であるような強誘電性液晶材料を混合する
ことにより室温を含む広い温度範囲で液晶相を示し、配
向状態の良好な、自発分極の大きい高速応答可能な強誘
電性液晶材料を用いることにより、表示品位の優れた強
誘電性液晶表示装置を提供するものである。
1104℃ 57℃ 11℃ ch相のらせんピッチ;無限大 発明の効果 以上のように本発明は自発分極の大きい、且っピッチの
捩れ方向が逆であるような強誘電性液晶材料を混合する
ことにより室温を含む広い温度範囲で液晶相を示し、配
向状態の良好な、自発分極の大きい高速応答可能な強誘
電性液晶材料を用いることにより、表示品位の優れた強
誘電性液晶表示装置を提供するものである。
第1図は本発明の実施例1における強誘電性液晶セルの
応答の特性図、第2図は本発明の実施例1における2成
分混合系の相図、第3図は自発分極の極性を示す模式図
、第4図は自発分極の極性の同一の化合物を混合した場
合の自発分極の濃度依存特性図、第5図は自発分極の極
性の異なる化合物を混合した場合の自発分極の濃度依存
特性図、第6図は強誘電性液晶セルの構成図、第7図は
強誘電性液晶の模式図、第8図は強誘電性液晶の動作原
理を示した模式図である。 1・・・・・・層法線方向、2・・・・・・分子長軸方
向、3・・・・・・自発分極の方向、4・・・・・・偏
光板、5・・・・・・上下のガラス基板、6・・・・・
・透明電極、7・・・・・・配向処理を施した有機配向
膜、8・・・・・・強誘電性液晶相、9・・・・・・セ
ル厚を一定に保つためのスペーサー、10・・・・・・
強誘電性液晶分子、11・・・・・・自発分極、12・
・・・・・Cダイレクタ−213・・・・・・コーン、
14・・・・・・層、15・・・・・・層法線、16・
・・・・・分子の層法線に対する傾き角θ、17・・・
・・・層法線に対して分子の長軸が十〇傾いた液晶分子
、18・・・・・・層法線に対して分子の長軸が一θ傾
いた液晶分子、19・・・・・・紙面表方向を向いてい
る双極子モーメント、20・・・・・・紙面裏方向を向
いている双極子モーメント、21・・・・・・2枚の偏
光板の方向。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名第3図 7′6・ (+) P>o p=pzxn 第1図 (LLse(:) 第2図 褒 PscJ′I 第6図 第7図 第8図 (α)
応答の特性図、第2図は本発明の実施例1における2成
分混合系の相図、第3図は自発分極の極性を示す模式図
、第4図は自発分極の極性の同一の化合物を混合した場
合の自発分極の濃度依存特性図、第5図は自発分極の極
性の異なる化合物を混合した場合の自発分極の濃度依存
特性図、第6図は強誘電性液晶セルの構成図、第7図は
強誘電性液晶の模式図、第8図は強誘電性液晶の動作原
理を示した模式図である。 1・・・・・・層法線方向、2・・・・・・分子長軸方
向、3・・・・・・自発分極の方向、4・・・・・・偏
光板、5・・・・・・上下のガラス基板、6・・・・・
・透明電極、7・・・・・・配向処理を施した有機配向
膜、8・・・・・・強誘電性液晶相、9・・・・・・セ
ル厚を一定に保つためのスペーサー、10・・・・・・
強誘電性液晶分子、11・・・・・・自発分極、12・
・・・・・Cダイレクタ−213・・・・・・コーン、
14・・・・・・層、15・・・・・・層法線、16・
・・・・・分子の層法線に対する傾き角θ、17・・・
・・・層法線に対して分子の長軸が十〇傾いた液晶分子
、18・・・・・・層法線に対して分子の長軸が一θ傾
いた液晶分子、19・・・・・・紙面表方向を向いてい
る双極子モーメント、20・・・・・・紙面裏方向を向
いている双極子モーメント、21・・・・・・2枚の偏
光板の方向。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名第3図 7′6・ (+) P>o p=pzxn 第1図 (LLse(:) 第2図 褒 PscJ′I 第6図 第7図 第8図 (α)
Claims (6)
- (1)強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……( I ) (但し、式中lは0または1の整数を、Rはアルキル基
を示す)で表されるカイラル部がラセミ体をなさない液
晶化合物とこの化合物とらせんのねじれ方向が逆である
ような化合物をそれぞれ1種類以上含有する液晶組成物
を用いたことを特徴とする液晶表示装置。 - (2)強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……( I ) (但し、式中lは0または1の整数を、Rはアルキル基
を示す)で表されるカイラル部がラセミ体をなさない液
晶化合物と前記化合物とらせんの捩れ方向が逆であり且
つ自発分極の極性が同一であるような化合物をそれぞれ
1種類以上含有する液晶組成物を用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の液晶表示装置。 - (3)強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……( I ) (但し、式中lは0または1の整数を、Rはアルキル基
を示す)で表される化合物と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……(II) (但し、式中R’はアルカノイル基またはアルコキシ基
を示し、又、l、mは1または2の整数でありnは0ま
たは1の整数を示す)で表されるカイラル部がラセミ体
をなさない液晶化合物をそれぞれ1種類以上含有する液
晶組成物を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1
項、または第2項記載の液晶表示装置。 - (4)強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……( I ) (但し、式中lは0または1の整数を、Rはアルキル基
を示す)で表される化合物と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……(III) (但し、式中R’はアルカノイル基またはアルコキシ基
を示す)で表されるカイラル部がラセミ体をなさない液
晶化合物をそれぞれ1種類以上含有する液晶組成物を用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項、
または第3項記載の液晶表示装置。 - (5)強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……( I ) (但し、式中lは0または1の整数を、Rはアルキル基
を示す)で表される化合物と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……(IV) (但し、式中R’はアルカノイル基またはアルコキシ基
を示す)で表されるカイラル部がラセミ体をなさない液
晶化合物をそれぞれ1種類以上含有する液晶組成物を用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項、
または第3項記載の液晶表示装置。 - (6)強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……( I ) (但し、式中lは0または1の整数を、Rはアルキル基
を示す)で表される化合物と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……(V) (但し、式中R’はアルカノイル基またはアルコキシ基
を示す)で表されるカイラル部がラセミ体をなさない液
晶化合物をそれぞれ1種類以上含有する液晶組成物を用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項、
または第3項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18222786A JPH0745661B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18222786A JPH0745661B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6337193A true JPS6337193A (ja) | 1988-02-17 |
JPH0745661B2 JPH0745661B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=16114565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18222786A Expired - Lifetime JPH0745661B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0745661B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH021730U (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-08 | ||
US4931135A (en) * | 1987-12-25 | 1990-06-05 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
JPH0625874A (ja) * | 1988-11-16 | 1994-02-01 | Haruhisa Kinoshita | ドライプロセス装置 |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP18222786A patent/JPH0745661B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4931135A (en) * | 1987-12-25 | 1990-06-05 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
JPH021730U (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-08 | ||
JPH0625874A (ja) * | 1988-11-16 | 1994-02-01 | Haruhisa Kinoshita | ドライプロセス装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0745661B2 (ja) | 1995-05-17 |
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