JPS63254421A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS63254421A JPS63254421A JP9021087A JP9021087A JPS63254421A JP S63254421 A JPS63254421 A JP S63254421A JP 9021087 A JP9021087 A JP 9021087A JP 9021087 A JP9021087 A JP 9021087A JP S63254421 A JPS63254421 A JP S63254421A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な液晶組成物を含有する液晶表示装置に係
わり、特に強誘電性液晶表示装置に関するものである。
わり、特に強誘電性液晶表示装置に関するものである。
従来の技術
近年液晶表示は、腕時計、電卓等だけでなく映像機器に
も広く使われるようになり、液晶カラーテレビも市場に
出始めている。現在カラー表示用液晶パネルはネマチッ
ク液晶を用いたものがその主流を占めている。しかし、
そのネマチック液晶の諸特性は理想的とは言い難く多く
の問題を含んでいる。強誘電性液晶はその速い応答速度
、メモリー性等ネマチック液晶にはない諸特性を有して
おりディスプレイ装置への応用が考えられ多方面から研
究が進められている（例えば、オプトロニクス、１９８
３、尚９）。以下図面をみながら強誘電性液晶について
説明する。第６図は強誘電性液晶分子の模式図である。
も広く使われるようになり、液晶カラーテレビも市場に
出始めている。現在カラー表示用液晶パネルはネマチッ
ク液晶を用いたものがその主流を占めている。しかし、
そのネマチック液晶の諸特性は理想的とは言い難く多く
の問題を含んでいる。強誘電性液晶はその速い応答速度
、メモリー性等ネマチック液晶にはない諸特性を有して
おりディスプレイ装置への応用が考えられ多方面から研
究が進められている（例えば、オプトロニクス、１９８
３、尚９）。以下図面をみながら強誘電性液晶について
説明する。第６図は強誘電性液晶分子の模式図である。
強誘電性液晶は通常スメクチック液晶と呼ばれる層構造
を有する液晶で、液晶分子は層法線方向に対してθだけ
傾いた構造をとっている。また、通常強誘電性液晶分子
は、ラセミ体でない光学活性な液晶分子によって構成さ
れている。
を有する液晶で、液晶分子は層法線方向に対してθだけ
傾いた構造をとっている。また、通常強誘電性液晶分子
は、ラセミ体でない光学活性な液晶分子によって構成さ
れている。
第６図に於いて、７は液晶分子、８は自発分極、９はＣ
ダイレクタ−１ｌＯはコーン、１）は層構造、１２は層
法線方向、１３は傾き角θを示している。
ダイレクタ−１ｌＯはコーン、１）は層構造、１２は層
法線方向、１３は傾き角θを示している。
第６図に示すように、強誘電性液晶分子は自発分極を有
しており、カイラルスメクチックＣ相に於いては、第６
図の内錐形１０（コーン）の外側を自由に動くことがで
きる。層毎に分子長軸の方向は少しだけずれており全体
としてはねじれ構造をとっている。次に強誘電性液晶の
表示原理について述べる。第７図は強誘電性液晶の動作
原理図である。第６７図（ａ）は電圧無印加の状態、第
７図（ｂ）は紙面裏から表方向に電圧を印加した場合、
第７図Ｉｃ）は逆方向に電圧を印加した場合の動作原理
図である。１４は層法線に対して分子長軸が＋θ度傾い
た液晶分子、１５は一θ度傾いた液晶分子、１６は紙面
表方向を向いている双極子モーメント、１７は紙面裏方
向を向いている双極子モーメント、１８は２枚の偏光板
の方向である。強誘電性液晶を透明電極を有したガラス
基板に挟みそのパネルの厚を螺旋ピッチ以下にすると第
７図（ａ）のように螺旋がほどけ層に対して分子が＋θ
度傾いた領域と一θ度傾いた領域にわかれる。上下電極
間紙面裏から表方向に電圧を印加することにより第７図
Ｔｂｌのようにセル全体が＋θ度傾いたモノドメインに
なる。
しており、カイラルスメクチックＣ相に於いては、第６
図の内錐形１０（コーン）の外側を自由に動くことがで
きる。層毎に分子長軸の方向は少しだけずれており全体
としてはねじれ構造をとっている。次に強誘電性液晶の
表示原理について述べる。第７図は強誘電性液晶の動作
原理図である。第６７図（ａ）は電圧無印加の状態、第
７図（ｂ）は紙面裏から表方向に電圧を印加した場合、
第７図Ｉｃ）は逆方向に電圧を印加した場合の動作原理
図である。１４は層法線に対して分子長軸が＋θ度傾い
た液晶分子、１５は一θ度傾いた液晶分子、１６は紙面
表方向を向いている双極子モーメント、１７は紙面裏方
向を向いている双極子モーメント、１８は２枚の偏光板
の方向である。強誘電性液晶を透明電極を有したガラス
基板に挟みそのパネルの厚を螺旋ピッチ以下にすると第
７図（ａ）のように螺旋がほどけ層に対して分子が＋θ
度傾いた領域と一θ度傾いた領域にわかれる。上下電極
間紙面裏から表方向に電圧を印加することにより第７図
Ｔｂｌのようにセル全体が＋θ度傾いたモノドメインに
なる。
また、逆電圧を印加すると第７図（Ｃ）のようにセル全
体が一θ度傾いたモノドメインになる。従って、電気光
学効果による複屈折または２色性を利用すれば＋θ度傾
いた２つの状態により明暗を表すことができる。
体が一θ度傾いたモノドメインになる。従って、電気光
学効果による複屈折または２色性を利用すれば＋θ度傾
いた２つの状態により明暗を表すことができる。
強誘電性液晶をディスプレイデバイスに応用する場合、
液晶材料に要求される条件として以下のものがあげられ
る。
液晶材料に要求される条件として以下のものがあげられ
る。
■ 室温を含む広い温度範囲で強誘電性液晶相（例えば
カイラルスメクチックＣ相）を示す。
カイラルスメクチックＣ相）を示す。
■ 強誘電性液晶の電界に対する応答速度τは、τ＝η
／ Ｐ Ｓ −Ｅ 但し、η；粘度 ＰＳ：自発分極 Ｅ；印加電場 で与えられる。この為、数μｓｅｃオーダーの高速応答
を実現するためには、大きな自発分極をもっことが必要
である。
／ Ｐ Ｓ −Ｅ 但し、η；粘度 ＰＳ：自発分極 Ｅ；印加電場 で与えられる。この為、数μｓｅｃオーダーの高速応答
を実現するためには、大きな自発分極をもっことが必要
である。
■ 先述したように、強誘電性液晶の光学応答は、安定
な２状５（ｂｉｓｔａｂｌｅ ５ｌａｔｅ）により初め
て実現される。Ｃ１ａｒｋらによると、この状態を実現
するためには、セルギャップｄを螺旋ビンチル以下にし
螺旋をほどく必要がある。エフ。ニー、クラーク、ニス
、ティー、ラガヴアル；アプル、フィズ、レフト、 、
３６ ８９９ （１９８０） （Ｎ、Ａ、Ｃ１ｅｒ
ｋ。
な２状５（ｂｉｓｔａｂｌｅ ５ｌａｔｅ）により初め
て実現される。Ｃ１ａｒｋらによると、この状態を実現
するためには、セルギャップｄを螺旋ビンチル以下にし
螺旋をほどく必要がある。エフ。ニー、クラーク、ニス
、ティー、ラガヴアル；アプル、フィズ、レフト、 、
３６ ８９９ （１９８０） （Ｎ、Ａ、Ｃ１ｅｒ
ｋ。
Ｓ、Ｔ、Ｌａｇｅｒｗａｌｌ ； ＡｐＨ，Ｐｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ、 、３６ ８９９（１９８０） ） 、こ
の為、セル作成上作成容易なセルギャップの厚いセルを
利用するためには、強誘電性液晶の螺旋ピッチを長くす
る必要がある。
Ｌｅｔｔ、 、３６ ８９９（１９８０） ） 、こ
の為、セル作成上作成容易なセルギャップの厚いセルを
利用するためには、強誘電性液晶の螺旋ピッチを長くす
る必要がある。
■ 強誘電性液晶の配向状態は、液晶材料の相系列によ
って異なり、特に強誘電性液晶相の高温側にスメクチッ
クＡ相（ＳｍＡ）及びコレステリック相（Ｃｈ）を有す
る液晶材料が良好な配向状態が得られると考えられてい
る。即ち、強誘電性液晶材料の相系列が、例えばカイラ
ルスメクチックＣ相の場合＊ Ｉ ｓ ｏ−＊Ｃｈ−＋ＳｍＡ−＊ＳｍＣ＊但し、Ｉｓ
ｏ；等方性液体 Ｃｈ；コレステリック相 Ｓ ｍ Ａ ｒスメクチックＡ相 Ｓ ｍ Ｃ＊ｉカイラルスメクチックＣ相であることが
望ましい。
って異なり、特に強誘電性液晶相の高温側にスメクチッ
クＡ相（ＳｍＡ）及びコレステリック相（Ｃｈ）を有す
る液晶材料が良好な配向状態が得られると考えられてい
る。即ち、強誘電性液晶材料の相系列が、例えばカイラ
ルスメクチックＣ相の場合＊ Ｉ ｓ ｏ−＊Ｃｈ−＋ＳｍＡ−＊ＳｍＣ＊但し、Ｉｓ
ｏ；等方性液体 Ｃｈ；コレステリック相 Ｓ ｍ Ａ ｒスメクチックＡ相 Ｓ ｍ Ｃ＊ｉカイラルスメクチックＣ相であることが
望ましい。
更に、上記のような相系列を持つ液晶材料の中でもＣｈ
相のピッチが長いものの方が配向状態が良好であると考
えられている。
相のピッチが長いものの方が配向状態が良好であると考
えられている。
以上述べた条件以外にも液晶分子の傾き角θ等に対する
様々な要求がある。
様々な要求がある。
温度範囲の拡大のためには多くの強誘電性液晶材料を混
合してやる必要がある。このとき先述の４つの条件を満
たすためには多くの強誘電性液晶材料単体のコレステリ
ック相およびカイラルスメクチックＣ相それぞれに於け
るピッチの左右の向き、大きさ、自発分極の極性等を総
て考慮しながら混合しなければならず、実用的な強誘電
性液晶組成物は得にくいという問題点があり、非カイラ
ルなスメクチックＣ相を示す化合物を混合する方法がと
られていた。
合してやる必要がある。このとき先述の４つの条件を満
たすためには多くの強誘電性液晶材料単体のコレステリ
ック相およびカイラルスメクチックＣ相それぞれに於け
るピッチの左右の向き、大きさ、自発分極の極性等を総
て考慮しながら混合しなければならず、実用的な強誘電
性液晶組成物は得にくいという問題点があり、非カイラ
ルなスメクチックＣ相を示す化合物を混合する方法がと
られていた。
発明が解決しようとする問題点
従来の強誘電性液晶材料は、温度範囲の拡大の為には、
非カイラルなスメクチックＣ相を示す化合物を混合する
方法がとられていた。ところが、非カイラルな化合物を
混合することにより、自発分極が小さくなるため非カイ
ラル成分の増加にともない応答速度が遅くなるため非カ
イラル成分の添加量をあまり増やせず多種類のカイラル
成分を自発分極の極性、カイラルスメクチックＣ相のら
せんのね、じれ方向、コレステリック相のらせんのねじ
れ方向等多くの物質定数を合せながら混合してやる必要
があり実用的な強誘電性液晶組成物は得にくいという問
題点があった。そこで本発明の強誘電性液晶表示装置は
、非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化合物を３
０〜７０ｅｖ ｔ％混合することにより、広い温度範囲
で強誘電性液晶相を示し、容易に良好な配向が得られ、
高速応答可能な強誘電性液晶材料を用いた表示品位の高
い液晶表示装置を提供するものである。
非カイラルなスメクチックＣ相を示す化合物を混合する
方法がとられていた。ところが、非カイラルな化合物を
混合することにより、自発分極が小さくなるため非カイ
ラル成分の増加にともない応答速度が遅くなるため非カ
イラル成分の添加量をあまり増やせず多種類のカイラル
成分を自発分極の極性、カイラルスメクチックＣ相のら
せんのね、じれ方向、コレステリック相のらせんのねじ
れ方向等多くの物質定数を合せながら混合してやる必要
があり実用的な強誘電性液晶組成物は得にくいという問
題点があった。そこで本発明の強誘電性液晶表示装置は
、非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化合物を３
０〜７０ｅｖ ｔ％混合することにより、広い温度範囲
で強誘電性液晶相を示し、容易に良好な配向が得られ、
高速応答可能な強誘電性液晶材料を用いた表示品位の高
い液晶表示装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の液晶表示装置は、
強誘電性液晶材料に非カイラルである（即ちねじれ構造
、自発分極を全く有さない）スメクチックＣ相を示す液
晶材料を３０〜７０ｗｔ％混合することにより強誘電性
液晶相の温度範囲の拡大、良好な配向及び高速応答可能
な強誘電性液晶材料を用いた表示品位の高い液晶表示装
置を容易に得ることができるという特徴を備えたもので
ある。
強誘電性液晶材料に非カイラルである（即ちねじれ構造
、自発分極を全く有さない）スメクチックＣ相を示す液
晶材料を３０〜７０ｗｔ％混合することにより強誘電性
液晶相の温度範囲の拡大、良好な配向及び高速応答可能
な強誘電性液晶材料を用いた表示品位の高い液晶表示装
置を容易に得ることができるという特徴を備えたもので
ある。
作用
本発明は上記した非カイラルなスメクチックＣ相を示す
液晶化合物を用いることによりねじれの向き及び自発分
極の極性等の物質定数を考慮することなしに温度範囲の
広い液晶組成物を容易に得ることができる。非カイラル
なスメクチックＣ相を示す液晶化合物を強誘電性液晶化
合物に混合する場合その自発分極は第４図に示すように
非カイラル成分の増加とともに直線的に減少するため混
合物の自発分極は極端に小さくなってしまいて＝η／Ｐ
ｓ−Ｅ（但し、τは応答速度、ηは粘度、Ｐｓは自発分
極、Ｅは印加電場を示す）より応答速度τは非カイラル
成分の増加とともに遅くなってしまう。本発明の場合は
、非カイラルな液晶化合物を３０〜７０ｗｔ％混合する
ため、その自発分極ＰＳは減少するが、粘性ηとの相関
により第４図に示すように非カイラル成分が増加しても
応答速度τは遅くなっておらず、より速くなる傾向にあ
ることとなる。
液晶化合物を用いることによりねじれの向き及び自発分
極の極性等の物質定数を考慮することなしに温度範囲の
広い液晶組成物を容易に得ることができる。非カイラル
なスメクチックＣ相を示す液晶化合物を強誘電性液晶化
合物に混合する場合その自発分極は第４図に示すように
非カイラル成分の増加とともに直線的に減少するため混
合物の自発分極は極端に小さくなってしまいて＝η／Ｐ
ｓ−Ｅ（但し、τは応答速度、ηは粘度、Ｐｓは自発分
極、Ｅは印加電場を示す）より応答速度τは非カイラル
成分の増加とともに遅くなってしまう。本発明の場合は
、非カイラルな液晶化合物を３０〜７０ｗｔ％混合する
ため、その自発分極ＰＳは減少するが、粘性ηとの相関
により第４図に示すように非カイラル成分が増加しても
応答速度τは遅くなっておらず、より速くなる傾向にあ
ることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例を図を用いて説明する。
最初に本、実施例において、その強誘電性液晶材料の応
答特性を測定した液晶セルの構造を第５図に示す。ここ
で、１．１′は偏光板、２，２′はガラス基板、３，３
′は透明電極、４，４′はラビングにより配向処理を施
した有機高分子膜、５は強誘電性液晶層、６はセル厚を
一定に保つためのスペーサーを表わしている。このよう
な構造のセルに強誘電性液晶材料を封入しその応答特性
及び自発分極を測定した。自発分極については三角波法
を用いて測定を行った。
答特性を測定した液晶セルの構造を第５図に示す。ここ
で、１．１′は偏光板、２，２′はガラス基板、３，３
′は透明電極、４，４′はラビングにより配向処理を施
した有機高分子膜、５は強誘電性液晶層、６はセル厚を
一定に保つためのスペーサーを表わしている。このよう
な構造のセルに強誘電性液晶材料を封入しその応答特性
及び自発分極を測定した。自発分極については三角波法
を用いて測定を行った。
又、相転移温度については、偏光Ｗ−Ｑ ｍ鏡によるテ
クスチャー観察及びＤＳＣ（示差走査熱量計）により測
定を行った。
クスチャー観察及びＤＳＣ（示差走査熱量計）により測
定を行った。
実施例１
一般式が
（式中Ｒ，Ｒ’はアルキル法又はアルコキシ基又はアシ
ルオキシ基を示す）で示される化合物（りが式（ＩＩＩ
）でしめされる化合物であり強誘電性を示すカイラルな
成分が（ＩＶ）式でしめされるような混合系について相
転移温度、自発分極、ピッチの長さ、応答速度を測定し
た。第１図にこの混合系の相図を、第２図に２５℃にお
ける自発分極と２０Ｖｐｌ）印加時に於ける応答速度の
濃度依存を示した。
ルオキシ基を示す）で示される化合物（りが式（ＩＩＩ
）でしめされる化合物であり強誘電性を示すカイラルな
成分が（ＩＶ）式でしめされるような混合系について相
転移温度、自発分極、ピッチの長さ、応答速度を測定し
た。第１図にこの混合系の相図を、第２図に２５℃にお
ける自発分極と２０Ｖｐｌ）印加時に於ける応答速度の
濃度依存を示した。
Ａは自発分極の濃度依存を、Ｂは応答速度の濃度依存を
示す。第２図より自発分極の値は非カイラル成分の増加
と共にほぼ直線的に減少しており化合物（ＩＶ）が２０
ｗｔ％以下ではその自発分極が粘性に増して応答速度に
影嘗を及ぼすため、化合物（ＩＶ）が２０ｗ ｔ％の時
２５℃に於ける２４ Ｖ ｐｐの電圧印加時の応答速度
は１４０μｓｅｃと遅い値を示した。
示す。第２図より自発分極の値は非カイラル成分の増加
と共にほぼ直線的に減少しており化合物（ＩＶ）が２０
ｗｔ％以下ではその自発分極が粘性に増して応答速度に
影嘗を及ぼすため、化合物（ＩＶ）が２０ｗ ｔ％の時
２５℃に於ける２４ Ｖ ｐｐの電圧印加時の応答速度
は１４０μｓｅｃと遅い値を示した。
一方、化合物（ＩＶ）が８０ｗ ｔ％以下では自発分極
は高い値を示すがそれにともない粘度も増加するため、
化合物（ＩＶ）が８０−１％の時２５°Ｃに於ける２４
Ｖ ｐｐの電圧印加時の応答速度は１２０μｓｅｃと
遅い値を示した。また、この領域では、第１図より温度
範囲も狭い。ところが、化合物（ｒＶ）が５０ｗ ｔ％
の時２５℃に於ける２４ Ｖ ｐｐの電圧印加時の応答
速度は６２μ５ＩＢＣという高速応答を示し、温度範囲
の広い液晶相が得、られた。またこの組成においてピッ
チはかなり長くなっており配向状態は良好であった。
は高い値を示すがそれにともない粘度も増加するため、
化合物（ＩＶ）が８０−１％の時２５°Ｃに於ける２４
Ｖ ｐｐの電圧印加時の応答速度は１２０μｓｅｃと
遅い値を示した。また、この領域では、第１図より温度
範囲も狭い。ところが、化合物（ｒＶ）が５０ｗ ｔ％
の時２５℃に於ける２４ Ｖ ｐｐの電圧印加時の応答
速度は６２μ５ＩＢＣという高速応答を示し、温度範囲
の広い液晶相が得、られた。またこの組成においてピッ
チはかなり長くなっており配向状態は良好であった。
以上のように応答速度は自発分極と粘度との相関で決定
されるものであり、高速応答かつ広い温度範囲を示すこ
とが液晶材料に要求される。非カイラル成分を３０〜７
０ｗｔ％混合することにより高速応答でしかも温度範囲
の広い液晶材料が得られた。
されるものであり、高速応答かつ広い温度範囲を示すこ
とが液晶材料に要求される。非カイラル成分を３０〜７
０ｗｔ％混合することにより高速応答でしかも温度範囲
の広い液晶材料が得られた。
実施例２
一般式が
（式中Ｒ，Ｒ’、Ｒ“、Ｒ＃はアルキル基又はアルコキ
シ基又はアシルオキシ基を示す）で示される化合物（＋
）式及び（■）式が（Ｖ）式及び（Ｖｌ）弐で示される
化合物であり強誘電性を示すカイラルな成分が（■）式
で示されるような混合系について相転移温度を測定した
。第３図にこの混合系の相図を示した。第３図よりカイ
ラル成分のｗｔ％の減少と共に広い温度範囲の液晶相を
示した。
シ基又はアシルオキシ基を示す）で示される化合物（＋
）式及び（■）式が（Ｖ）式及び（Ｖｌ）弐で示される
化合物であり強誘電性を示すカイラルな成分が（■）式
で示されるような混合系について相転移温度を測定した
。第３図にこの混合系の相図を示した。第３図よりカイ
ラル成分のｗｔ％の減少と共に広い温度範囲の液晶相を
示した。
発明の効果
以上のように本発明は強誘電性液晶材料に非カイラルの
スメクチックＣ相を示す液晶材料を３０〜７０ｗ ｔ％
混合することにより、容易に室温を含む広い温度範囲で
液晶相を示し、高速応答可能な強誘電性液晶材料を用い
た表示品位の高い強誘電性液晶表示装置を提供するもの
である。
スメクチックＣ相を示す液晶材料を３０〜７０ｗ ｔ％
混合することにより、容易に室温を含む広い温度範囲で
液晶相を示し、高速応答可能な強誘電性液晶材料を用い
た表示品位の高い強誘電性液晶表示装置を提供するもの
である。
第１図は本発明の実施例１における混合系の相図、第２
図は本発明の実施例１における強誘電性液晶セルの応答
速度と自発分極の濃度依存の特性を示すグラフ、第３図
は本発明の実施例２における混合系の相図、第４図は本
発明の強誘電性液晶イ■成物の自発分極と応答速度のカ
イラル成分の濃度依存の特性を示すグラフ、第５図は強
誘電性液晶セルの構成図、第６図は強誘電性液晶の模式
図、第７図は強誘電性液晶の動作原理を示した模式図で
ある。 Ａ、Ａ’・・・・・・自発分極の濃度依存、Ｂ、Ｂ’・
・・・・・応答速度の濃度依存を示す。 ■、１′・・・・・・偏光板、２．２′・・・・・・上
下のガラス基板、３，３′・・・・・・透明電極、４，
４′・・・・・・配向処理を施した有機配向膜、５・・
・・・・強誘電性液晶相、６・・・・・・セル厚を一定
に保つためのスペーサー、７・・・・・・強誘電性液晶
分子、８・・・・・・自発分極、９・・・・・・Ｃダイ
レクタ−１ｌＯ・・・・・・コーン、１）・・・・・・
層、１２・・・・・・層法線、１３・・・・・・分子の
層法線に対する傾き角θ、１４・・・・・・層法線に対
して分子の長軸が十〇傾いた液晶分子、１５・・・・・
・層法線に対して分子の長軸が−θ傾いた液晶分子、１
Ｇ・・・・・・紙面表方向を向いている双極子モーメン
ト、１７・・・・・・紙面裏方向を向いている双極子モ
ーメント、１８・・・・・・２枚の偏光板の方向。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 ｏ ６Ｄ
ｔｏ。 ４Ｄ合Ａ勿 ｔｄＶ）＠ Ｗｔ ％ 第２図 、比倫’ Ｉ’ｌｌ （／Ｖ） ／） １ｇ１；ｙ第３
図 イし金４勿 （１／／θ ｔｙｒｔｕｔＺＭ ４ 図 方イラルＡ７分のｕｔｔ％ 第 ５ 図 第６図
図は本発明の実施例１における強誘電性液晶セルの応答
速度と自発分極の濃度依存の特性を示すグラフ、第３図
は本発明の実施例２における混合系の相図、第４図は本
発明の強誘電性液晶イ■成物の自発分極と応答速度のカ
イラル成分の濃度依存の特性を示すグラフ、第５図は強
誘電性液晶セルの構成図、第６図は強誘電性液晶の模式
図、第７図は強誘電性液晶の動作原理を示した模式図で
ある。 Ａ、Ａ’・・・・・・自発分極の濃度依存、Ｂ、Ｂ’・
・・・・・応答速度の濃度依存を示す。 ■、１′・・・・・・偏光板、２．２′・・・・・・上
下のガラス基板、３，３′・・・・・・透明電極、４，
４′・・・・・・配向処理を施した有機配向膜、５・・
・・・・強誘電性液晶相、６・・・・・・セル厚を一定
に保つためのスペーサー、７・・・・・・強誘電性液晶
分子、８・・・・・・自発分極、９・・・・・・Ｃダイ
レクタ−１ｌＯ・・・・・・コーン、１）・・・・・・
層、１２・・・・・・層法線、１３・・・・・・分子の
層法線に対する傾き角θ、１４・・・・・・層法線に対
して分子の長軸が十〇傾いた液晶分子、１５・・・・・
・層法線に対して分子の長軸が−θ傾いた液晶分子、１
Ｇ・・・・・・紙面表方向を向いている双極子モーメン
ト、１７・・・・・・紙面裏方向を向いている双極子モ
ーメント、１８・・・・・・２枚の偏光板の方向。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 ｏ ６Ｄ
ｔｏ。 ４Ｄ合Ａ勿 ｔｄＶ）＠ Ｗｔ ％ 第２図 、比倫’ Ｉ’ｌｌ （／Ｖ） ／） １ｇ１；ｙ第３
図 イし金４勿 （１／／θ ｔｙｒｔｕｔＺＭ ４ 図 方イラルＡ７分のｕｔｔ％ 第 ５ 図 第６図
Claims (5)
- （１）強誘電性液晶を示す液晶組成物に、非カイラルな
スメクチックＣ相を示す液晶化合物を少なくとも１種類
以上３０〜７０ｗｔ％添加して得られた液晶組成物を用
いることを特徴とする液晶表示装置。 - （２）非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化合物
の一般式が ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し式中Ｒ、Ｒ′はアルキル基又はアルコキシ基又は
アシルオキシ基を示す）で表される液晶組成物を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の液晶
表示装置。 - （３）強誘電性液晶を示す液晶組成物のらせんピッチが
のびている液晶組成物を用いることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項または第（２）項のいずれかに記載
の液晶表示装置。 - （４）非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化合物
の一般式が ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し式中Ｒ、Ｒ′、Ｒ″、Ｒ′″はアルキル基又はア
ルコキシ基又はアシルオキシ基を示す）で表される液晶
組成物を用いることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の液晶表示装置。 - （５）強誘電性液晶を示す液晶組成物のらせんピッチが
のびている液晶組成物を用いることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項または第（４）項のいずれかに記載
の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9021087A JPS63254421A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9021087A JPS63254421A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254421A true JPS63254421A (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=13992121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9021087A Pending JPS63254421A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63254421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5174920A (en) * | 1989-03-28 | 1992-12-29 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195187A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Chisso Corp | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPS61291679A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-22 | Chisso Corp | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPS6337188A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶組成物 |
| JPS6388165A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Ajinomoto Co Inc | 液晶 |
| JPS63122650A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-26 | Chisso Corp | α−アルコキシプロピオン酸エステル類 |
| JPS63126842A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-30 | Chisso Corp | 光学活性化合物 |
| JPS63190842A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-08 | Chisso Corp | ２−置換アルキルエ−テル類および液晶組成物 |
| JPS63277295A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-11-15 | Asahi Glass Co Ltd | 強誘電性液晶組成物 |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP9021087A patent/JPS63254421A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195187A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Chisso Corp | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
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| JPS63190842A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-08 | Chisso Corp | ２−置換アルキルエ−テル類および液晶組成物 |
Cited By (1)
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