JPH0788507B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0788507B2 JPH0788507B2 JP18222286A JP18222286A JPH0788507B2 JP H0788507 B2 JPH0788507 B2 JP H0788507B2 JP 18222286 A JP18222286 A JP 18222286A JP 18222286 A JP18222286 A JP 18222286A JP H0788507 B2 JPH0788507 B2 JP H0788507B2
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- Japan
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- compound
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- chiral
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な液晶物質を含有する液晶組成物に係わ
り、特に強誘電性液晶表示装置に関するものである。
り、特に強誘電性液晶表示装置に関するものである。
従来の技術 近年液晶表示は、腕時計，電卓等だけでなく映像機器に
も広く使われるようになり、液晶カラーテレビも市場に
出始めている。現在カラー表示用液晶パネルはネマチッ
ク液晶を用いたものがその主流を占めている。しかし、
そのネマチック液晶の諸特性は理想的とは言い難く多く
の問題を含んでいる。強誘電性液晶はその速い応答速
度，メモリー性等ネマチック液晶にはない諸特性を有し
ておりデイスプレイ装置への応用が考えられ多方面から
研究が進められている。（オプトロニクス,1983,No.9）
以下図面をみながら強誘電性液晶について説明する。第
11図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電性液晶
は通常スメクチック液晶と呼ばれる層構造を有する液晶
で、液晶分子は層法線方向に対してθだけ傾いた構造を
とっている。また、通常強誘電性液晶分子は、ラセミ体
でない光学活性な液晶分子によって構成されている。
も広く使われるようになり、液晶カラーテレビも市場に
出始めている。現在カラー表示用液晶パネルはネマチッ
ク液晶を用いたものがその主流を占めている。しかし、
そのネマチック液晶の諸特性は理想的とは言い難く多く
の問題を含んでいる。強誘電性液晶はその速い応答速
度，メモリー性等ネマチック液晶にはない諸特性を有し
ておりデイスプレイ装置への応用が考えられ多方面から
研究が進められている。（オプトロニクス,1983,No.9）
以下図面をみながら強誘電性液晶について説明する。第
11図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電性液晶
は通常スメクチック液晶と呼ばれる層構造を有する液晶
で、液晶分子は層法線方向に対してθだけ傾いた構造を
とっている。また、通常強誘電性液晶分子は、ラセミ体
でない光学活性な液晶分子によって構成されている。
第11図において、７は液晶分子、８は自発分極、９はＣ
ダイレクター、10はコーン、11は層構造、12は層法線方
向、13は傾き角θを示している。
ダイレクター、10はコーン、11は層構造、12は層法線方
向、13は傾き角θを示している。
第11図に示すように、強誘電性液晶分子は自発分極を有
しており、カイラルスメクチックＣ相においては、第11
図の円錐形10（コーン）の外側を自由に動くことができ
る。層毎に分子長軸方向は少しだけずれており全体とし
ては捩れ構造をとっている。次に強誘電性液晶の表示原
理について述べる。第12図は強誘電性液晶の動作原理図
である。第12図（ａ）は電圧無印加の状態、第12図
（ｂ）は紙面裏から表方向に電圧を印加した場合、第12
図（ｃ）は逆方向に電圧を印加した場合の動作原理図で
ある。14は層法線に対して分子長軸が＋θ度傾いた液晶
分子、15は−θ度傾いた液晶分子、16は紙面表方向を向
いている双極子モーメント、17は紙面裏方向を向いてい
る双極子モーメント、18は２枚のの偏光板の方向であ
る。強誘電性液晶を透明電極を有したガラス基板に挾み
そのパネルの厚を螺旋ピッチ以下にすると第12図（ａ）
のように螺旋がほどけ層に対して分子が＋θ度傾いた領
域と−θ度傾いた領域にわかれる。上下電極間紙面裏か
ら表方向に電圧を印加することにより第12図（ｂ）のよ
うにセル全体が＋θ度傾いたモノドメインになる。ま
た、逆電圧を印加すると第12図（ｃ）のようにセル全体
が−θ度傾いたモノドメインになる。従って、電気光学
効果による複屈折または２色性を利用すれば＋θ度傾い
た２つの状態により明暗を表すことができる。
しており、カイラルスメクチックＣ相においては、第11
図の円錐形10（コーン）の外側を自由に動くことができ
る。層毎に分子長軸方向は少しだけずれており全体とし
ては捩れ構造をとっている。次に強誘電性液晶の表示原
理について述べる。第12図は強誘電性液晶の動作原理図
である。第12図（ａ）は電圧無印加の状態、第12図
（ｂ）は紙面裏から表方向に電圧を印加した場合、第12
図（ｃ）は逆方向に電圧を印加した場合の動作原理図で
ある。14は層法線に対して分子長軸が＋θ度傾いた液晶
分子、15は−θ度傾いた液晶分子、16は紙面表方向を向
いている双極子モーメント、17は紙面裏方向を向いてい
る双極子モーメント、18は２枚のの偏光板の方向であ
る。強誘電性液晶を透明電極を有したガラス基板に挾み
そのパネルの厚を螺旋ピッチ以下にすると第12図（ａ）
のように螺旋がほどけ層に対して分子が＋θ度傾いた領
域と−θ度傾いた領域にわかれる。上下電極間紙面裏か
ら表方向に電圧を印加することにより第12図（ｂ）のよ
うにセル全体が＋θ度傾いたモノドメインになる。ま
た、逆電圧を印加すると第12図（ｃ）のようにセル全体
が−θ度傾いたモノドメインになる。従って、電気光学
効果による複屈折または２色性を利用すれば＋θ度傾い
た２つの状態により明暗を表すことができる。
強誘電性液晶をデイスプレイデバイスに応用する場合、
液晶材料に要求される条件として以下のものがあげられ
る。
液晶材料に要求される条件として以下のものがあげられ
る。
室温を含む広い温度範囲で強誘電性液晶相（たとえ
ばカイラルスメクチックＣ相）を示す。
ばカイラルスメクチックＣ相）を示す。
強誘電性液晶の電界に対する応答速度τは τ＝η/Ps・Ｅ ただし、η；粘度 Ps;自発分極 E;印加電場 で与えられる。このため、数μsecオーダーの高速応答
を実現するためには、大きな自発分極をもつことが必要
である。
を実現するためには、大きな自発分極をもつことが必要
である。
先述したように、強誘電性液晶の光学応答は、安定
な２状態（bistable state）により初めて実現される。
Clerkらによると、この状態を実現するためには、セル
ギャップｄを螺旋ピッチｐ以下にし螺旋をほどく必要が
ある。エヌ．エー．クラール、エス．ティー．ラガヴァ
ル；アプル．フィズ．レット．、36 899 （1980）
（N.A.Clerk.S.T.Lagerwall;Apll.Phys.Lett.、36 899
（1980））このため、セル作成上作成容易なセルギャッ
プの厚いセルを利用するためには、強誘電性液晶の螺旋
ピッチを長くする必要がある。
な２状態（bistable state）により初めて実現される。
Clerkらによると、この状態を実現するためには、セル
ギャップｄを螺旋ピッチｐ以下にし螺旋をほどく必要が
ある。エヌ．エー．クラール、エス．ティー．ラガヴァ
ル；アプル．フィズ．レット．、36 899 （1980）
（N.A.Clerk.S.T.Lagerwall;Apll.Phys.Lett.、36 899
（1980））このため、セル作成上作成容易なセルギャッ
プの厚いセルを利用するためには、強誘電性液晶の螺旋
ピッチを長くする必要がある。
強誘電性液晶の配向状態は、液晶材料の相系列によ
って異なり、特に強誘電性液晶相の高温側にスメクチッ
クＡ相（SmA）およびコレステリック相（Ch）を有する
液晶材料が良好な配向状態が得られると考えられてい
る。すなわち、強誘電性液晶材料の相系列が、たとえば
カイラルスメクチックＣ相の場合＊ Iso → Ch → SmA → SmC＊ ただし、Iso;等方性液体 Ch;コレステリック相 SmA;スメクチックＡ相 SmC＊；カイラルスメクチックＣ相 であることが望ましい。
って異なり、特に強誘電性液晶相の高温側にスメクチッ
クＡ相（SmA）およびコレステリック相（Ch）を有する
液晶材料が良好な配向状態が得られると考えられてい
る。すなわち、強誘電性液晶材料の相系列が、たとえば
カイラルスメクチックＣ相の場合＊ Iso → Ch → SmA → SmC＊ ただし、Iso;等方性液体 Ch;コレステリック相 SmA;スメクチックＡ相 SmC＊；カイラルスメクチックＣ相 であることが望ましい。
さらに、上記のような相系列を持つ液晶材料の中でもCh
相のピッチが長いものの方が配向状態が良好であると考
えられている。
相のピッチが長いものの方が配向状態が良好であると考
えられている。
以上述べた条件以外にも液晶分子の傾き角θ等に対する
様々な要求がある。
様々な要求がある。
従来の強誘電性液晶材料は温度範囲だけをとりあげてみ
ても実用的な材料は数少なく、上記の条件をすべて満た
し実用に耐え得る材料は皆無に等しいのが現状であっ
た。
ても実用的な材料は数少なく、上記の条件をすべて満た
し実用に耐え得る材料は皆無に等しいのが現状であっ
た。
以下に従来の強誘電性液晶材料の１例を示す。（＋）ｐ
−デシルオキシベンジリデンｐアミノ２−メチルブチル
シンナメイト（＋DOBAMBC） Iso → SmA → SmC＊ → SmG＊ 120℃ 91℃ 60℃ ただし、SmG＊；カイラルスメクチックＧ相 Ps＝４〜5nC τ＝数百μsec〜数msec このような液晶材料を用いた液晶表示セルにおいては、
良好な配向は得られず、上記の結果のようにカイラルス
メクチックＣ相を示す温度範囲は狭く表示特性は悪いも
のであった。
−デシルオキシベンジリデンｐアミノ２−メチルブチル
シンナメイト（＋DOBAMBC） Iso → SmA → SmC＊ → SmG＊ 120℃ 91℃ 60℃ ただし、SmG＊；カイラルスメクチックＧ相 Ps＝４〜5nC τ＝数百μsec〜数msec このような液晶材料を用いた液晶表示セルにおいては、
良好な配向は得られず、上記の結果のようにカイラルス
メクチックＣ相を示す温度範囲は狭く表示特性は悪いも
のであった。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来の強誘電性液晶材料は、その温度範
囲だけをとりあげても実用的なものは少なく先述の４つ
の条件を総て満たし即デイスプレイデバイスに応用でき
る液晶材料は皆無に等しいのが現状である。また温度範
囲の拡大のためには多くの種類の強誘電性液晶材料を混
合してやる必要がある。このとき先述の４つの条件を満
たすためには多くの強誘電性液晶材料単体のコレステリ
ック相およびカイラルスメクチックＣ相それぞれにおけ
るピッチの左右の向き，大きさ，自発分極の極性等を総
て考慮しながら混合しなければならず、実用的な強誘電
性液晶組成物は得にくいという問題点があった。そこで
本発明では、自発分極の大きい強誘電性液晶材料に非カ
イラルのスメクチックＣ相を示す液晶材料を混合する
か、あるいは自発分極の大きい強誘電性液晶材料に逆捩
れの液晶材料を混合しある程度ピッチをのばした混合物
に非カイラルのスメクチックＣ相を示す液晶材料を混合
して得られた液晶組成物を用いることにより、広い温度
範囲で動作し、容易に良好な配向が得られ、数十μsec
オーダーの高速応答可能な優れた表示品位の強誘電性液
晶表示装置を提供するものである。
囲だけをとりあげても実用的なものは少なく先述の４つ
の条件を総て満たし即デイスプレイデバイスに応用でき
る液晶材料は皆無に等しいのが現状である。また温度範
囲の拡大のためには多くの種類の強誘電性液晶材料を混
合してやる必要がある。このとき先述の４つの条件を満
たすためには多くの強誘電性液晶材料単体のコレステリ
ック相およびカイラルスメクチックＣ相それぞれにおけ
るピッチの左右の向き，大きさ，自発分極の極性等を総
て考慮しながら混合しなければならず、実用的な強誘電
性液晶組成物は得にくいという問題点があった。そこで
本発明では、自発分極の大きい強誘電性液晶材料に非カ
イラルのスメクチックＣ相を示す液晶材料を混合する
か、あるいは自発分極の大きい強誘電性液晶材料に逆捩
れの液晶材料を混合しある程度ピッチをのばした混合物
に非カイラルのスメクチックＣ相を示す液晶材料を混合
して得られた液晶組成物を用いることにより、広い温度
範囲で動作し、容易に良好な配向が得られ、数十μsec
オーダーの高速応答可能な優れた表示品位の強誘電性液
晶表示装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記の問題点を解決するために本発明は、自発分極が大
きい強誘電性液晶材料に非カイラルである（すなわち捩
れ構造，自発分極を全く有さない）スメクチックＣ相を
示す液晶材料を混合するか、或いは自発分極が大きい強
誘電性液晶材料にまず捩れの向きが逆であるような液晶
材料を混合してらせんのピッチの長い強誘電性液晶組成
物を作成し、このピッチの長い液晶組成物に非カイラル
である（すなわち捩れ構造，自発分極を全く有さな
い）。スメクチックＣ相を示す液晶材料を混合すること
により得られた液晶組成物を用いることにより、広い温
度範囲で動作し、容易に良好な配向が得られ、数十μse
cオーダーの高速応答可能な優れた表示品位を示すもの
である。
きい強誘電性液晶材料に非カイラルである（すなわち捩
れ構造，自発分極を全く有さない）スメクチックＣ相を
示す液晶材料を混合するか、或いは自発分極が大きい強
誘電性液晶材料にまず捩れの向きが逆であるような液晶
材料を混合してらせんのピッチの長い強誘電性液晶組成
物を作成し、このピッチの長い液晶組成物に非カイラル
である（すなわち捩れ構造，自発分極を全く有さな
い）。スメクチックＣ相を示す液晶材料を混合すること
により得られた液晶組成物を用いることにより、広い温
度範囲で動作し、容易に良好な配向が得られ、数十μse
cオーダーの高速応答可能な優れた表示品位を示すもの
である。
作用 一般に、液晶の温度範囲を拡大するためには、２種類以
上の分子形状の異なる液晶化合物を混合することが必要
である。ところが、強誘電性液晶材料を混合する際には
その化合物の自発分極の極性，強誘電性液晶相の捩れの
向き、コレステリック相の捩れの向き等の物質定数を考
慮にいれ混合しなければいけない。このため、捩れ構
造，自発分極を全く有さない非カイラルなスメクチック
Ｃ相を温度範囲拡大のために用いれば、捩れの向きおよ
び自発分極の極性等の物質定数を考慮することなしに温
度範囲の広い液晶組成物を容易に得ることができる。非
カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化合物を強誘電
性液晶化合物に混合する場合その自発分極は第９図に示
すように非カイラル成分の増加と共に直線的に減少する
ため自発分極の小さい強誘電性液晶化合物に非カイラル
な液晶化合物を混合するとその混合物の自発分極は極端
に小さくなってしまう。本発明の場合は、自発分極の非
常に大きな強誘電性液晶化合物に非カイラルな液晶化合
物を混合するため、その自発分極の減少はかなり抑えら
れ比較的自発分極の大きい強誘電性液晶組成物が容易に
得られる。螺旋軸の捩れ方向は、カイラル部の絶対的立
体配置とベンゼン環からカイラル中心までの分子数が偶
数か奇数かで決定されると考えられている。エム．ツカ
モト，テイ．オオツカ，ケイ．モリモト，ワイ．ムラカ
ミ；ジャパン．ジェイ．アプル．フィズ．、14 1307
（1975） （M.Tukamoto,T.Otsuka,K.Morimoto,Y.Murakami;J−apa
n.J.APPL.Phys.,14 1307（1975））すなわちカイラル
中心の絶対立体配置がＳ体でありベンゼン環からカイラ
ル中心までの原子数が偶数であれば捩れの方向は右であ
り奇数であれば左である。また、カイラル中心の絶対立
体配置がＲ体であれば逆になる。一般にピッチを伸すに
は、２つの方法が考えられる。１つは強誘電性液晶材料
にカイラルを持たない液晶材料を混合する方法と、捩れ
の方向が逆である液晶材料を混合する方法である。後者
の方法によれば少量逆捩れの液晶化合物を添加するだけ
でピッチの長い強誘電性液晶材料が容易に得られるが混
合に際しては、自発分極の極性も考慮に入れる必要があ
る。一方前者の方法によると、ピッチの長い強誘電性液
晶組成物を得るためには、非カイラルな液晶化合物の添
加量は多くなるが自発分極の極性等は考慮する必要がな
いため容易にピッチの長い強誘電性液晶組成物を得るこ
とができる。また、自発分極の極性が同一でありかつら
せんの捩れ方向が逆であるような液晶材料を混合しある
程度ピッチを伸した液晶組成物に非カイラルの液晶材料
を混合すれば少量の非カイラル成分の添加で自発分極の
大きな，ピッチの長い，温度範囲の広い強誘電性液晶組
成物が容易に得られる。この液晶組成物を用いることに
より良好な配向状態を持つ高速応答可能な表示品位の優
れた液晶表示装置が容易に得られる。
上の分子形状の異なる液晶化合物を混合することが必要
である。ところが、強誘電性液晶材料を混合する際には
その化合物の自発分極の極性，強誘電性液晶相の捩れの
向き、コレステリック相の捩れの向き等の物質定数を考
慮にいれ混合しなければいけない。このため、捩れ構
造，自発分極を全く有さない非カイラルなスメクチック
Ｃ相を温度範囲拡大のために用いれば、捩れの向きおよ
び自発分極の極性等の物質定数を考慮することなしに温
度範囲の広い液晶組成物を容易に得ることができる。非
カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化合物を強誘電
性液晶化合物に混合する場合その自発分極は第９図に示
すように非カイラル成分の増加と共に直線的に減少する
ため自発分極の小さい強誘電性液晶化合物に非カイラル
な液晶化合物を混合するとその混合物の自発分極は極端
に小さくなってしまう。本発明の場合は、自発分極の非
常に大きな強誘電性液晶化合物に非カイラルな液晶化合
物を混合するため、その自発分極の減少はかなり抑えら
れ比較的自発分極の大きい強誘電性液晶組成物が容易に
得られる。螺旋軸の捩れ方向は、カイラル部の絶対的立
体配置とベンゼン環からカイラル中心までの分子数が偶
数か奇数かで決定されると考えられている。エム．ツカ
モト，テイ．オオツカ，ケイ．モリモト，ワイ．ムラカ
ミ；ジャパン．ジェイ．アプル．フィズ．、14 1307
（1975） （M.Tukamoto,T.Otsuka,K.Morimoto,Y.Murakami;J−apa
n.J.APPL.Phys.,14 1307（1975））すなわちカイラル
中心の絶対立体配置がＳ体でありベンゼン環からカイラ
ル中心までの原子数が偶数であれば捩れの方向は右であ
り奇数であれば左である。また、カイラル中心の絶対立
体配置がＲ体であれば逆になる。一般にピッチを伸すに
は、２つの方法が考えられる。１つは強誘電性液晶材料
にカイラルを持たない液晶材料を混合する方法と、捩れ
の方向が逆である液晶材料を混合する方法である。後者
の方法によれば少量逆捩れの液晶化合物を添加するだけ
でピッチの長い強誘電性液晶材料が容易に得られるが混
合に際しては、自発分極の極性も考慮に入れる必要があ
る。一方前者の方法によると、ピッチの長い強誘電性液
晶組成物を得るためには、非カイラルな液晶化合物の添
加量は多くなるが自発分極の極性等は考慮する必要がな
いため容易にピッチの長い強誘電性液晶組成物を得るこ
とができる。また、自発分極の極性が同一でありかつら
せんの捩れ方向が逆であるような液晶材料を混合しある
程度ピッチを伸した液晶組成物に非カイラルの液晶材料
を混合すれば少量の非カイラル成分の添加で自発分極の
大きな，ピッチの長い，温度範囲の広い強誘電性液晶組
成物が容易に得られる。この液晶組成物を用いることに
より良好な配向状態を持つ高速応答可能な表示品位の優
れた液晶表示装置が容易に得られる。
実施例 本発明の実施例を図を用いて説明する。最初に本実施例
において、その強誘電性液晶材料の応答特性を測定した
液晶セルの構造を第10図に示す。ここで、１は偏光板、
２はガラス基板、３は透明電極、４はラビングにより配
向処理を施した有機高分子膜、５は強誘電性液晶層、６
はセル厚を一定に保つためのスペーサーを表している。
このような構造のセルに強誘電性液晶材料を封入しその
応答特性および自発分極を測定した。自発分極について
は三角波法を用いて測定を行った。
において、その強誘電性液晶材料の応答特性を測定した
液晶セルの構造を第10図に示す。ここで、１は偏光板、
２はガラス基板、３は透明電極、４はラビングにより配
向処理を施した有機高分子膜、５は強誘電性液晶層、６
はセル厚を一定に保つためのスペーサーを表している。
このような構造のセルに強誘電性液晶材料を封入しその
応答特性および自発分極を測定した。自発分極について
は三角波法を用いて測定を行った。
また、相転位温度については、偏光顕微鏡によるtextur
e観察およびDSCにより行い、Sc＊相のピッチはセル厚10
0ミクロンの配向処理を施したセルを用い、Ch相のピッ
チはCh相を示さない化合物についてはネマチック液晶と
混合することによりCh相とし厚さ５ミリの配向処理を施
したガラス基板を用いた楔型セルを用い通常法により測
定を行った。
e観察およびDSCにより行い、Sc＊相のピッチはセル厚10
0ミクロンの配向処理を施したセルを用い、Ch相のピッ
チはCh相を示さない化合物についてはネマチック液晶と
混合することによりCh相とし厚さ５ミリの配向処理を施
したガラス基板を用いた楔型セルを用い通常法により測
定を行った。
実施例１ 特許請求の範囲第（１）項記載の化合物（１）のカイラ
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である
化合物（Ｖ）に非カイラルの化合物として、一般式が特
許請求の範囲第（４）項記載の化合物（II）で表される
フェニルピリミジン系の化合物３種類からなるスメクチ
ックＣ相を示す液晶混合物（VI）を混合した４成分混合
系について相転位温度，自発分極，ピッチの長さ，応答
速度を測定した。以下の表１に非カイラル物質の構造と
混合比を示した。第１図に液晶混合物（VI）と化合物
（Ｖの相図を、第２図に25℃における自発分極と20Vpp
の印加時における応答速度の濃度依存を示した。第１図
より全組成範囲にわたって53℃付近から10℃付近まで室
温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ相を示
している。また、第２図より自発分極の値は非カイラル
成分の増加と共にほぼ直線的に減少しているが、カイラ
ル成分が25wt％になっても10nC以上の比較的大きな自発
分極をもっている。25℃のおける20Vppの電圧印加時の
応答速度は非カイラル成分が増加してもあまり遅くなっ
ておらずカイラル成分が25Wt％において33μsecという
高速応答を示している。またこの組成においてピッチは
かなり長くなっており配向状態は良好であった。また、
上記以外の組成の化合物についても良好な配向が得られ
た。
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である
化合物（Ｖ）に非カイラルの化合物として、一般式が特
許請求の範囲第（４）項記載の化合物（II）で表される
フェニルピリミジン系の化合物３種類からなるスメクチ
ックＣ相を示す液晶混合物（VI）を混合した４成分混合
系について相転位温度，自発分極，ピッチの長さ，応答
速度を測定した。以下の表１に非カイラル物質の構造と
混合比を示した。第１図に液晶混合物（VI）と化合物
（Ｖの相図を、第２図に25℃における自発分極と20Vpp
の印加時における応答速度の濃度依存を示した。第１図
より全組成範囲にわたって53℃付近から10℃付近まで室
温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ相を示
している。また、第２図より自発分極の値は非カイラル
成分の増加と共にほぼ直線的に減少しているが、カイラ
ル成分が25wt％になっても10nC以上の比較的大きな自発
分極をもっている。25℃のおける20Vppの電圧印加時の
応答速度は非カイラル成分が増加してもあまり遅くなっ
ておらずカイラル成分が25Wt％において33μsecという
高速応答を示している。またこの組成においてピッチは
かなり長くなっており配向状態は良好であった。また、
上記以外の組成の化合物についても良好な配向が得られ
た。
実施例２ 特許請求の範囲第（１）項記載の化合物（Ｉ）のカイラ
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である
化合物（Ｖ）に非カイラルの化合物として、一般式が特
許請求の範囲第（５）項記載の化合物（III）で表され
るエステル系の化合物４種類からなるスメクチックＣ相
を示す液晶混合物（VII）を混合した５成分混合系につ
いて相転位温度，自発分極，ピッチの長さ，応答温度を
測定した。以下の表２に非カイラル物質の構造と混合比
を示した。第３図に液晶混合物（VII）と化合物（Ｖ）
の相図を、第４図に25℃における自発分極と20Vpp印加
時における応答速度の濃度依存を示した。第２図より全
組成範囲にわたって50℃付近から室温を含む広い温度範
囲でカイラルスメクチックＣ相を示している。また、第
４図より自発分極の値は非カイラル成分の増加と共にほ
ぼ直線的に減少しているが、カイラル成分が2wt％にな
っても10nC以上の比較的大きな自発分極をもっている。
25℃における20Vppの電圧印加時の応答速度は非カイラ
ル成分が増加すると遅くなる傾向があるが、カイラル成
分が50Wt％において53μsec、25Wt％において95μsecと
いう高速応答を示している。またこれらの組成において
ピッチはかなり長くなっており配向状態は良好であっ
た。また、上記以外の組成の化合物についても良好な配
向が得られた。
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である
化合物（Ｖ）に非カイラルの化合物として、一般式が特
許請求の範囲第（５）項記載の化合物（III）で表され
るエステル系の化合物４種類からなるスメクチックＣ相
を示す液晶混合物（VII）を混合した５成分混合系につ
いて相転位温度，自発分極，ピッチの長さ，応答温度を
測定した。以下の表２に非カイラル物質の構造と混合比
を示した。第３図に液晶混合物（VII）と化合物（Ｖ）
の相図を、第４図に25℃における自発分極と20Vpp印加
時における応答速度の濃度依存を示した。第２図より全
組成範囲にわたって50℃付近から室温を含む広い温度範
囲でカイラルスメクチックＣ相を示している。また、第
４図より自発分極の値は非カイラル成分の増加と共にほ
ぼ直線的に減少しているが、カイラル成分が2wt％にな
っても10nC以上の比較的大きな自発分極をもっている。
25℃における20Vppの電圧印加時の応答速度は非カイラ
ル成分が増加すると遅くなる傾向があるが、カイラル成
分が50Wt％において53μsec、25Wt％において95μsecと
いう高速応答を示している。またこれらの組成において
ピッチはかなり長くなっており配向状態は良好であっ
た。また、上記以外の組成の化合物についても良好な配
向が得られた。
実施例３ 特許請求の範囲第（１）項記載の化合物（Ｉ）のカイラ
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である
化合物（Ｖ）のらせんの捩れ方向は右であるため逆捩れ
の左捩れの化合物として特許請求の範囲第（７）項記載
の化合物（IV）のＲがオクトキシ基である化合物（VII
I）を用い、非カイラルの化合物として、一般式が特許
請求の範囲第（３）項記載の化合物（II）で表されるフ
ェニルピリミジン系の化合物２種類と一般式が特許請求
の範囲第（４）項記載の化合物（III）で表されるエス
テル系の化合物４種類とからなるスメクチックＣ相を示
す液晶混合物（IX）を混合した８成分混合系について相
転位温度，自発分極，ピッチの長さ，応答速度を測定し
た。以下の表３に非カイラル物質の構造と混合比を示し
た。また、測定を行った混合系の組成は、化合物（VI
I）が25Wt％、混合物（IX）が75Wt％であった。この混
合物を用いて作成した液晶パネルの配向状態は非常に良
好であった。以下に測定結果を示す。
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である
化合物（Ｖ）のらせんの捩れ方向は右であるため逆捩れ
の左捩れの化合物として特許請求の範囲第（７）項記載
の化合物（IV）のＲがオクトキシ基である化合物（VII
I）を用い、非カイラルの化合物として、一般式が特許
請求の範囲第（３）項記載の化合物（II）で表されるフ
ェニルピリミジン系の化合物２種類と一般式が特許請求
の範囲第（４）項記載の化合物（III）で表されるエス
テル系の化合物４種類とからなるスメクチックＣ相を示
す液晶混合物（IX）を混合した８成分混合系について相
転位温度，自発分極，ピッチの長さ，応答速度を測定し
た。以下の表３に非カイラル物質の構造と混合比を示し
た。また、測定を行った混合系の組成は、化合物（VI
I）が25Wt％、混合物（IX）が75Wt％であった。この混
合物を用いて作成した液晶パネルの配向状態は非常に良
好であった。以下に測定結果を示す。
転移温度 Iso → Ch → SmA → SmC＊ → Ｃ 69℃ 62℃ 49℃ −15℃ 融点;5℃ 自発分極;6.5nC（33℃） Ch相のピッチ；無限大 SmC＊相のピッチ；無限大 応答速度;85μsec（25℃,40V） 実施例４ 特許請求の範囲第（１）項記載の化合物（Ｉ）のカイラ
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ
基である化合物（Ｘ）に非カイラル物質として特許請求
の範囲第（４）項記載の一般式（II）で表されるフェニ
ルピリミジン系の化合物３種類を混合したスメクチック
Ｃ相を示す混合物（VI）を用いた４成分系についてピッ
チの長さを測定し、この液晶組成物を用いた液晶表示装
置の応答特性を測定した。以下に測定の結果を示す。非
カイラル化合物の構造と組成は表１に示した。また、測
定を行った混合系の組成は、化合物（Ｘ）が25Wt％，混
合物（VI）が75Wt％であった。この混合物を用いて作成
した液晶セルの配向状態は非常に良好であった。以下に
測定結果を示す。
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ
基である化合物（Ｘ）に非カイラル物質として特許請求
の範囲第（４）項記載の一般式（II）で表されるフェニ
ルピリミジン系の化合物３種類を混合したスメクチック
Ｃ相を示す混合物（VI）を用いた４成分系についてピッ
チの長さを測定し、この液晶組成物を用いた液晶表示装
置の応答特性を測定した。以下に測定の結果を示す。非
カイラル化合物の構造と組成は表１に示した。また、測
定を行った混合系の組成は、化合物（Ｘ）が25Wt％，混
合物（VI）が75Wt％であった。この混合物を用いて作成
した液晶セルの配向状態は非常に良好であった。以下に
測定結果を示す。
実施例５ 特許請求の範囲第（１）項記載の化合物（Ｉ）のカイラ
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ
基である化合物（Ｘ）のらせんの捩れ方向は右であるた
め、逆捩れの化合物として捩れ方向が左の化合物（IV）
のカイラル部の立体配置がＳ体でありＲ′がオクトキシ
基である化合物（VIII）を用いピッチを伸した液晶材料
に非カイラル物質として特許請求の範囲第（４）項記載
のフェニルピリミジン系の化合物２種類と特許請求の範
囲第（５）項記載のエステル系の化合物４種類を混合し
たスメクチックＣ相を示す混合物（IX）を用いた８成分
系について相転移温度，ピッチの長さ，自発分極，応答
速度について測定を行った。用いた非カイラル混合物の
構造と組成は表３に示した。化合物（Ｘ）のピッチは化
合物（VIII）を75Wt％いれると発散する。そこで、カイ
ラル化合物としって化合物（Ｘ）が25Wt％，化合物（VI
II）が75Wt％の混合物（XI）を用いた。第５図に混合物
（VIII）と混合物（IX）の相図を、第６図に25℃におけ
る自発分極と44Vppの電圧印加時の応答速度の濃度依存
を示した。第５図より全組成範囲にわたり55℃−45℃付
近から室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチック
Ｃ相を示しており、特に混合物（IX）が25Wt％において
は、53℃から13℃までカイラルスメクチックＣ相を示し
ており第６図によりこの組成での応答速度は100μsecと
いう高速応答を示した。また、この組成においてピッチ
はかなり長くなっており配向状態は非常に良好であっ
た。また、上記以外の組成の化合物についても良好な配
向を示した。
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ
基である化合物（Ｘ）のらせんの捩れ方向は右であるた
め、逆捩れの化合物として捩れ方向が左の化合物（IV）
のカイラル部の立体配置がＳ体でありＲ′がオクトキシ
基である化合物（VIII）を用いピッチを伸した液晶材料
に非カイラル物質として特許請求の範囲第（４）項記載
のフェニルピリミジン系の化合物２種類と特許請求の範
囲第（５）項記載のエステル系の化合物４種類を混合し
たスメクチックＣ相を示す混合物（IX）を用いた８成分
系について相転移温度，ピッチの長さ，自発分極，応答
速度について測定を行った。用いた非カイラル混合物の
構造と組成は表３に示した。化合物（Ｘ）のピッチは化
合物（VIII）を75Wt％いれると発散する。そこで、カイ
ラル化合物としって化合物（Ｘ）が25Wt％，化合物（VI
II）が75Wt％の混合物（XI）を用いた。第５図に混合物
（VIII）と混合物（IX）の相図を、第６図に25℃におけ
る自発分極と44Vppの電圧印加時の応答速度の濃度依存
を示した。第５図より全組成範囲にわたり55℃−45℃付
近から室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチック
Ｃ相を示しており、特に混合物（IX）が25Wt％において
は、53℃から13℃までカイラルスメクチックＣ相を示し
ており第６図によりこの組成での応答速度は100μsecと
いう高速応答を示した。また、この組成においてピッチ
はかなり長くなっており配向状態は非常に良好であっ
た。また、上記以外の組成の化合物についても良好な配
向を示した。
実施例６ 特許請求の範囲第（１）項記載の化合物（Ｉ）のカイラ
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ
基である化合物（Ｘ）および化合物（Ｖ）のらせんの捩
れ方向は右であるため、逆捩れの化合物として捩れ方向
が左の化合物（IV）のカイラル部の立体配置がＳ体であ
りＲ′がオクトキシ基である化合物（VII）を用いピッ
チを伸した液晶材料に非カイラル物質として特許請求の
範囲第（４）項記載のフェニルピリミジン系の化合物２
種類と特許請求の範囲第（５）項記載のエステル系の化
合物４種類を混合したメクチックＣ相を示す混合物（I
X）を用いた８成分系について相転移温度，ピッチの長
さ，自発分極，応答温度について測定を行った。用いた
非カイラル混合物の構造と組成は表２に示した。化合物
（Ｖ）と化合物（Ｘ）の混合比は50Wt％としこの混合物
のピッチは化合物（VII）を75Wt％いれると発散する。
そこで、カイラル化合物として化合物（Ｖ）−化合物
（Ｘ）が25Wt％、化合物（VII）が75Wt％の混合物（XI
I）を用いた。この組成のカイラル物質に50Wt％の非カ
イラル混合物（IX）を混合した液晶組成物の転移温度，
ピッチ，自発分極，応答速度について測定を行った。以
下にその結果を示す。また、この組成の液晶組成物を用
いて作成した液晶パネルの配向状態は非常に良好であっ
た。
ル部の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ
基である化合物（Ｘ）および化合物（Ｖ）のらせんの捩
れ方向は右であるため、逆捩れの化合物として捩れ方向
が左の化合物（IV）のカイラル部の立体配置がＳ体であ
りＲ′がオクトキシ基である化合物（VII）を用いピッ
チを伸した液晶材料に非カイラル物質として特許請求の
範囲第（４）項記載のフェニルピリミジン系の化合物２
種類と特許請求の範囲第（５）項記載のエステル系の化
合物４種類を混合したメクチックＣ相を示す混合物（I
X）を用いた８成分系について相転移温度，ピッチの長
さ，自発分極，応答温度について測定を行った。用いた
非カイラル混合物の構造と組成は表２に示した。化合物
（Ｖ）と化合物（Ｘ）の混合比は50Wt％としこの混合物
のピッチは化合物（VII）を75Wt％いれると発散する。
そこで、カイラル化合物として化合物（Ｖ）−化合物
（Ｘ）が25Wt％、化合物（VII）が75Wt％の混合物（XI
I）を用いた。この組成のカイラル物質に50Wt％の非カ
イラル混合物（IX）を混合した液晶組成物の転移温度，
ピッチ，自発分極，応答速度について測定を行った。以
下にその結果を示す。また、この組成の液晶組成物を用
いて作成した液晶パネルの配向状態は非常に良好であっ
た。
転移温度 Iso → Ch → SmA → SmC＊ → Ｃ 67.5℃ 59℃ 50℃ −15.6℃ 融点;2.6℃ 自発分極;15.4nC（25℃） Ch相のピッチ；無限大 SmC＊相のピッチ；無限大 応答速度;30μsec（25℃,44Vpp） 実施例７ 特許請求の範囲第（１）項記載の化合物（Ｉ）のカイラ
ル部の立体配置が2S,3SでありＲがノニルオキシカルボ
ニルオキシ基である化合物（XIII）のらせんの捩れ方向
は右であるため、逆捩れの化合物として捩れ方向が左の
化合物（IV）のカイラル部の立体配置がＳ体でありＲ′
がオクトキシ基である化合物（VII）を用いピッチを伸
した液晶材料に非カイラル物質として特許請求の範囲第
（４）項記載のフェニルピリミジン系の化合物２種類と
特許請求の範囲第（５）項記載のエステル系の化合物４
種類を混合したスメクチックＣ相を示す混合物（IX）を
用いた。用いた非カイラル混合物の構造と組成は表３に
示した。化合物（XIII）のピッチは化合物（VII）を75W
t％いれると発散する。そこで、カイラル化合物として
化合物（XIII）が25Wt％，化合物（VII）が75Wt％の混
合物（XIV）を用いた。第７図に混合物（IX）と混合物
（XIV）の相図を、第８図に25℃における応答速度を示
した。測定に用いた混合物の組成は、化合物（XII）が1
2.5Wt％、化合物（XIII）が37.5Wt％、混合物（IX）が5
0Wt％であった。以下に転移温度，ピッチ，自発分極，
応答速度の測定結果を示す。また、この組成においてピ
ッチはかなり長くなっており配向状態は非常に良好であ
った。また、上記以外の組成の化合物についても良好な
配向を示した。
ル部の立体配置が2S,3SでありＲがノニルオキシカルボ
ニルオキシ基である化合物（XIII）のらせんの捩れ方向
は右であるため、逆捩れの化合物として捩れ方向が左の
化合物（IV）のカイラル部の立体配置がＳ体でありＲ′
がオクトキシ基である化合物（VII）を用いピッチを伸
した液晶材料に非カイラル物質として特許請求の範囲第
（４）項記載のフェニルピリミジン系の化合物２種類と
特許請求の範囲第（５）項記載のエステル系の化合物４
種類を混合したスメクチックＣ相を示す混合物（IX）を
用いた。用いた非カイラル混合物の構造と組成は表３に
示した。化合物（XIII）のピッチは化合物（VII）を75W
t％いれると発散する。そこで、カイラル化合物として
化合物（XIII）が25Wt％，化合物（VII）が75Wt％の混
合物（XIV）を用いた。第７図に混合物（IX）と混合物
（XIV）の相図を、第８図に25℃における応答速度を示
した。測定に用いた混合物の組成は、化合物（XII）が1
2.5Wt％、化合物（XIII）が37.5Wt％、混合物（IX）が5
0Wt％であった。以下に転移温度，ピッチ，自発分極，
応答速度の測定結果を示す。また、この組成においてピ
ッチはかなり長くなっており配向状態は非常に良好であ
った。また、上記以外の組成の化合物についても良好な
配向を示した。
転移温度 Iso → Ch → SmA → SmC＊ → Ｃ 57.6℃ 53℃ 34℃ −24℃ 融点；−7.5℃ 自発分極;9.15nC（25℃） Ch相のピッチ；無限大 SmC＊相のピッチ；無限大 応答速度;45μsec（25℃,40Vpp） 実施例８ 特許請求の範囲第（１）項記載の化合物（Ｉ）のカイラ
ル部の立体配置が2S,3SでありＲがノニルオキシカルボ
ニルオキシ基である化合物（XIII）および化合物（Ｖ）
のらせんの捩れ方向は右であるため、逆捩れの化合物と
して捩れ方向が左の化合物（IV）のカイラル部の立体配
置がＳ体でありＲ′がオクトキシ基である化合物（VI
I）を用いピッチを伸した液晶材料に非カイラル物質と
して特許請求の範囲第（４）項記載のフェニルピリミジ
ン系の化合物２種類と特許請求の範囲第（５）項記載の
エステル系の化合物４種類を混合したスメクチックＣ相
を示す混合物（XIII）を用いた８成分系について相転移
温度，ピッチの長さ，自発分極，応答速度について測定
を行った。用いた非カイラル混合物の構造と組成は表３
に示した。化合物（XIII）と化合物（Ｖ）の混合比は50
Wt％としこの混合物のピッチは化合物（VIIを75Wt％い
れると発散する。そこで、カイラル化合物として化合物
（XIII）−化合物（Ｖ）が25Wt％，化合物（VII）が75W
t％の混合物を用いた。この組成のカイラル物質に50Wt
％の非カイラル混合物（IX）を混合した液晶組成物の転
移温度，ピッチについて測定を行った。以下にその結果
を示す。また、この組成の液晶組成物を用いて作成した
液晶パネルの配向状態は非常に良好であった。
ル部の立体配置が2S,3SでありＲがノニルオキシカルボ
ニルオキシ基である化合物（XIII）および化合物（Ｖ）
のらせんの捩れ方向は右であるため、逆捩れの化合物と
して捩れ方向が左の化合物（IV）のカイラル部の立体配
置がＳ体でありＲ′がオクトキシ基である化合物（VI
I）を用いピッチを伸した液晶材料に非カイラル物質と
して特許請求の範囲第（４）項記載のフェニルピリミジ
ン系の化合物２種類と特許請求の範囲第（５）項記載の
エステル系の化合物４種類を混合したスメクチックＣ相
を示す混合物（XIII）を用いた８成分系について相転移
温度，ピッチの長さ，自発分極，応答速度について測定
を行った。用いた非カイラル混合物の構造と組成は表３
に示した。化合物（XIII）と化合物（Ｖ）の混合比は50
Wt％としこの混合物のピッチは化合物（VIIを75Wt％い
れると発散する。そこで、カイラル化合物として化合物
（XIII）−化合物（Ｖ）が25Wt％，化合物（VII）が75W
t％の混合物を用いた。この組成のカイラル物質に50Wt
％の非カイラル混合物（IX）を混合した液晶組成物の転
移温度，ピッチについて測定を行った。以下にその結果
を示す。また、この組成の液晶組成物を用いて作成した
液晶パネルの配向状態は非常に良好であった。
転移温度 Iso → Ch → SmA → SmC＊ → Ｃ 66.7℃ 59℃ 51℃ −９℃ Ch相のピッチ；無限大 SmC＊相のピッチ；無限大 発明の効果 以上のように本発明は自発分極の大きい強誘電性液晶材
料に非カイラルの液晶材料を混合するかあるいは自発分
極の大きい強誘電性液晶材料に逆捩れの液晶材料を混合
してピッチを伸したものに非カイラルの液晶材料を混合
して得られた液晶組成物を用いることにより、室温を含
む広い温度範囲で動作し、自発分極の大きい高速応答可
能な表示品位の優れた強誘電性液晶表示装置を提供する
ものである。
料に非カイラルの液晶材料を混合するかあるいは自発分
極の大きい強誘電性液晶材料に逆捩れの液晶材料を混合
してピッチを伸したものに非カイラルの液晶材料を混合
して得られた液晶組成物を用いることにより、室温を含
む広い温度範囲で動作し、自発分極の大きい高速応答可
能な表示品位の優れた強誘電性液晶表示装置を提供する
ものである。
第１図は本発明の実施例１における混合系の相図、第２
図は本発明の実施例１における強誘電性液晶セルの応答
速度と自発分極の濃度依存の特性図、第３図は本発明の
実施例２における混合系の相図、第４図は本発明の実施
例２における強誘電性液晶セルの応答速度と自発分極の
濃度依存の特性図、第５図は本発明の実施例５における
混合系の相図、第６図は本発明の実施例５における強誘
電性液晶セルの応答速度と自発分極の濃度依存の特性
図、第７図は本発明の実施例７における混合系の相図、
第８図は本発明の実施例７における強誘電性液晶セルの
応答特性図、第９図はカイラル物質に非カイラル物質を
混合した時の自発分極の濃度依存の特性図、第10図は強
誘電性液晶セルの構成図、第11図は強誘電性液晶の模式
図、第12図は強誘電性液晶の動作原理を示した模式図で
ある。 １……偏光板、２……上下のガラス基板、３……透明電
極、４……配向処理を施した有機配向膜、５……強誘電
性液晶相、６……セル厚を一定に保つためのスペーサ
ー、７……強誘電性液晶分子、８……自発分極、９……
Ｃダイレクター、10……コーン、11……層、12……層法
線、13……分子の層法線に対する傾き角θ、14……層法
線に対して分子の長軸が＋θ傾いた液晶分子、15……層
法線に対して分子の長軸が−θ傾いた液晶分子、16……
紙面表方向を向いている双極子モーメント、17……紙面
裏方向を向いている双極子モーメント、18……２枚の偏
光板の方向。
図は本発明の実施例１における強誘電性液晶セルの応答
速度と自発分極の濃度依存の特性図、第３図は本発明の
実施例２における混合系の相図、第４図は本発明の実施
例２における強誘電性液晶セルの応答速度と自発分極の
濃度依存の特性図、第５図は本発明の実施例５における
混合系の相図、第６図は本発明の実施例５における強誘
電性液晶セルの応答速度と自発分極の濃度依存の特性
図、第７図は本発明の実施例７における混合系の相図、
第８図は本発明の実施例７における強誘電性液晶セルの
応答特性図、第９図はカイラル物質に非カイラル物質を
混合した時の自発分極の濃度依存の特性図、第10図は強
誘電性液晶セルの構成図、第11図は強誘電性液晶の模式
図、第12図は強誘電性液晶の動作原理を示した模式図で
ある。 １……偏光板、２……上下のガラス基板、３……透明電
極、４……配向処理を施した有機配向膜、５……強誘電
性液晶相、６……セル厚を一定に保つためのスペーサ
ー、７……強誘電性液晶分子、８……自発分極、９……
Ｃダイレクター、10……コーン、11……層、12……層法
線、13……分子の層法線に対する傾き角θ、14……層法
線に対して分子の長軸が＋θ傾いた液晶分子、15……層
法線に対して分子の長軸が−θ傾いた液晶分子、16……
紙面表方向を向いている双極子モーメント、17……紙面
裏方向を向いている双極子モーメント、18……２枚の偏
光板の方向。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 櫻井 孝男 神奈川県川崎市川崎区鈴木町１番１号 味 の素株式会社中央研究所内 (72)発明者 樋口 量一 神奈川県川崎市川崎区鈴木町１番１号 味 の素株式会社中央研究所内
Claims (11)
- 【請求項１】強誘電性を示すメクチック液晶において、
一般式 （ただし、式中ＸはＲ−,RO−,RCOO−,ROCOO−のいずれ
かであり、Ｒはアルキル基を示す）で表されるカイラル
部がラセミ体をなさない液晶化合物と非カイラルなスメ
クチックＣ相を示す液晶化合物をそれぞれ１種類以上含
有する液晶組成物を用いたことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物の少なくとも１種類が、一般式 （ただし、式中R,R′はそれぞれアルキル基またはアル
コキシ基を示す）で表される液晶組成物を用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の液晶表示装
置。 - 【請求項３】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物の少なくとも１種類が、一般式 （ただし、式中R,R′はそれぞれアルキル基またはアル
コキシ基を示す）で表される液晶組成物を用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の液晶表示装
置。 - 【請求項４】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物が、少なくとも一般式（II）で表される化合物及
び一般式（III）で表される化合物である液晶組成物を
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項 第
（２）項 第（３）項のいずれかに記載の液晶表示装
置。 - 【請求項５】強誘電性を示すスメクチック液晶におい
て、一般式 （ただし、式中ＸはＲ−,RO−,RCOO−,ROCOO−のいずれ
かであり、Ｒはアルキル基を示す）で表されるカイラル
部がラセミ体をなさない液晶化合物に前記化合物とらせ
んの捩れ方向が逆である化合物を混合してなる液晶組成
物と非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化合物を
それぞれ１種類以上含有する液晶組成物を用いたことを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物の少なくとも１種類が、一般式 （ただし、式中R,R′はそれぞれアルキル基またはアル
コキシ基を示す）で表される液晶組成物を用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第（５）項記載の液晶表示装
置。 - 【請求項７】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物の少なくとも１種類が、一般式 （ただし、式中R,R′はそれぞれアルキル基またはアル
コキシ基を示す）で表される液晶組成物を用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第（５）項記載の液晶表示装
置。 - 【請求項８】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物が、少なくとも一般式（II）で表される化合物及
び一般式（III）で表される化合物である液晶組成物を
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第（５）項 第
（６）項 第（７）項のいずれかに記載の液晶表示装
置。 - 【請求項９】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物の少なくとも１種類が、一般式 （ただし、式中R,R′はそれぞれアルキル基またはアル
コキシ基を示す）で表され、一般式（Ｉ）で表される化
合物とらせんの捩れ方向が逆の化合物の少なくとも１種
類が、一般式 （ただし、式中Ｒはそれぞれアルキル基 アルコキシ基
を示す）で表されるカイラル部がラセミ体をなさない液
晶化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第
（５）項 第（６）項のいずれかに記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１０】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液
晶化合物の少なくとも１種類が、一般式 （ただし、式中Ｒ″,Rはそれぞれアルキル基またはア
ルコキシ基を示す）で表され、一般式（Ｉ）で表される
化合物とらせんの捩れ方向が逆の化合物の少なくとも１
種類が、一般式 （ただし、式中Ｒはそれぞれアルキル基 アルコキシ基
を示す）で表されるカイラル部がラセミ体をなさない液
晶化合物を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
（５）項 第（７）項のいずれかに記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１１】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液
晶化合物が、少なくとも一般式（II）で表される化合物
及び一般式（III）で表される化合物である液晶組成物
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第（９）項
第（10）項のいずれかに記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18222286A JPH0788507B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18222286A JPH0788507B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337189A JPS6337189A (ja) | 1988-02-17 |
| JPH0788507B2 true JPH0788507B2 (ja) | 1995-09-27 |
Family
ID=16114478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18222286A Expired - Lifetime JPH0788507B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0788507B2 (ja) |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP18222286A patent/JPH0788507B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337189A (ja) | 1988-02-17 |
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