JPH0745658B2 - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPH0745658B2 JPH0745658B2 JP18222486A JP18222486A JPH0745658B2 JP H0745658 B2 JPH0745658 B2 JP H0745658B2 JP 18222486 A JP18222486 A JP 18222486A JP 18222486 A JP18222486 A JP 18222486A JP H0745658 B2 JPH0745658 B2 JP H0745658B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な液晶物質を含有する液晶組成物に係わ
り、特に強誘電性液晶材料に関するものである。
り、特に強誘電性液晶材料に関するものである。
従来の技術 近年液晶表示は、腕時計，電卓等だけでなく映像機器に
も広く使われるようになり、液晶カラーテレビも市場に
出始めている。現在カラー表示用液晶パネルはネマチッ
ク液晶を用いたものがその主流を占めている。しかし、
そのネマチック液晶の諸特性は理想的とは言い難く多く
の問題を含んでいる。強誘電性液晶はその速い応答速
度、メモリー性等ネマチック液晶にはない諸特性を有し
ておりディスプレイ装置への応用が考えられ多方面から
研究が進められている。（オプトロニクス、1983、No.
9）以下図面をみながら強誘電性液晶について説明す
る。第６図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電
性液晶は通常スメクチック液晶と呼ばれる層構造を有す
る液晶で、液晶分子は層法線方向に対してθだけ傾いた
構造をとっている。また、通常強誘電性液晶分子は、ラ
セミ体でない光学活性な液晶分子によって構成されてい
る。
も広く使われるようになり、液晶カラーテレビも市場に
出始めている。現在カラー表示用液晶パネルはネマチッ
ク液晶を用いたものがその主流を占めている。しかし、
そのネマチック液晶の諸特性は理想的とは言い難く多く
の問題を含んでいる。強誘電性液晶はその速い応答速
度、メモリー性等ネマチック液晶にはない諸特性を有し
ておりディスプレイ装置への応用が考えられ多方面から
研究が進められている。（オプトロニクス、1983、No.
9）以下図面をみながら強誘電性液晶について説明す
る。第６図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電
性液晶は通常スメクチック液晶と呼ばれる層構造を有す
る液晶で、液晶分子は層法線方向に対してθだけ傾いた
構造をとっている。また、通常強誘電性液晶分子は、ラ
セミ体でない光学活性な液晶分子によって構成されてい
る。
第６図に於て、10は液晶分子、11は自発分極、12はＣダ
イレクター、13はコーン、14は層構造、15は層法線方
向、16は傾き角θを示している。
イレクター、13はコーン、14は層構造、15は層法線方
向、16は傾き角θを示している。
第６図に示すように、強誘電性液晶分子は自発分極を有
しており、カイラルスメクチックＣ相に於いては、第６
図の円錐形13（コーン）の外側を自由に動くことができ
る。層毎に分子長軸の方向は少しだけずれており全体と
してはねじれ構造をとっている。次に強誘電性液晶の表
示原理について述べる。第７図は強誘電性液晶の動作原
理図で有る。第７図は（ａ）は電圧無印加の状態、第７
図（ｂ）は紙面裏から表方向に電圧を印加した場合、第
７図（ｃ）は逆方向に電圧を印加した場合の動作原理図
である。17は層法線に対して分子長軸が＋θ度傾いた液
晶分子、18は−θ度傾いた液晶分子、19は紙面表方向を
向いている双極子モーメント、20は紙面裏方向を向いて
いる双極子モーメント、21は２枚の偏光板の方向であ
る。強誘電性液晶を透明電極を有したガラス基板に挾み
そのパネルの厚を螺旋ピッチ以下にすると第７図（ａ）
のように螺旋がほどけ層に対して分子が＋θ度傾いた領
域と−θ度傾いた領域にわかれる。上下電極間紙面裏か
ら表方向に電圧を印加することにより第７図（ｂ）のよ
うにセル全体が＋θ度傾いたモノドメインになる。ま
た、逆電圧を印加すると第７図（ｃ）のようにセル全体
が−θ度傾いたモノドメインになる。従って、電気光学
効果による複屈折または２色性を利用すれば＋θ度傾い
た２つの状態により明暗を表すことができる。
しており、カイラルスメクチックＣ相に於いては、第６
図の円錐形13（コーン）の外側を自由に動くことができ
る。層毎に分子長軸の方向は少しだけずれており全体と
してはねじれ構造をとっている。次に強誘電性液晶の表
示原理について述べる。第７図は強誘電性液晶の動作原
理図で有る。第７図は（ａ）は電圧無印加の状態、第７
図（ｂ）は紙面裏から表方向に電圧を印加した場合、第
７図（ｃ）は逆方向に電圧を印加した場合の動作原理図
である。17は層法線に対して分子長軸が＋θ度傾いた液
晶分子、18は−θ度傾いた液晶分子、19は紙面表方向を
向いている双極子モーメント、20は紙面裏方向を向いて
いる双極子モーメント、21は２枚の偏光板の方向であ
る。強誘電性液晶を透明電極を有したガラス基板に挾み
そのパネルの厚を螺旋ピッチ以下にすると第７図（ａ）
のように螺旋がほどけ層に対して分子が＋θ度傾いた領
域と−θ度傾いた領域にわかれる。上下電極間紙面裏か
ら表方向に電圧を印加することにより第７図（ｂ）のよ
うにセル全体が＋θ度傾いたモノドメインになる。ま
た、逆電圧を印加すると第７図（ｃ）のようにセル全体
が−θ度傾いたモノドメインになる。従って、電気光学
効果による複屈折または２色性を利用すれば＋θ度傾い
た２つの状態により明暗を表すことができる。
強誘電性液晶をディスプレイデバイスに応用する場合、
液晶材料に要求される条件として以下のものがあげられ
る。
液晶材料に要求される条件として以下のものがあげられ
る。
（１） 室温を含む広い温度範囲で強誘電性液晶相（例
えばカイラルスメクチックＣ相）を示す。
えばカイラルスメクチックＣ相）を示す。
（２） 強誘電性液晶の電界に対する応答速度τは、 τ＝η/Ps・Ｅ 但し、η；粘度 Ps;自発分極 E;印加電場 で与えられる。この為、数μsecオーダーの高速応答を
実現するためには、大きな自発分極をもつことが必要で
ある。
実現するためには、大きな自発分極をもつことが必要で
ある。
（３） 先述したように、強誘電性液晶の光学応答は、
安定な２状態（bistable state）により初めて実現され
る。Clerkらによると、この状態を実現するためには、
セルギャップｄを螺旋ピッチｐ以下にし螺旋をほどく必
要がある。エヌ．エー．クラーク、エス．テイー．ラガ
ヴァル；アプル．フィズ．レット．、36 899（1980）
（N.A.Clerk,S.T.Lagerwall;Apll.Phys.Lett.、36 899
（1980））この為、セル作成上作成容易なセルギャップ
の厚いセルを利用するためには、強誘電性液晶の螺旋ピ
ッチを長くする必要がある。
安定な２状態（bistable state）により初めて実現され
る。Clerkらによると、この状態を実現するためには、
セルギャップｄを螺旋ピッチｐ以下にし螺旋をほどく必
要がある。エヌ．エー．クラーク、エス．テイー．ラガ
ヴァル；アプル．フィズ．レット．、36 899（1980）
（N.A.Clerk,S.T.Lagerwall;Apll.Phys.Lett.、36 899
（1980））この為、セル作成上作成容易なセルギャップ
の厚いセルを利用するためには、強誘電性液晶の螺旋ピ
ッチを長くする必要がある。
（４） 強誘電性液晶の配向状態は、液晶材料の相系列
によって異なり、特に強誘電性液晶相の高温側にスメク
チックＡ相（SmA）及びコレステリック相（Ch）を有す
る液晶材料が良好な配向状態が得られると考えられてい
る。即ち、強誘電性液晶材料の相系列が、例えばカイラ
ルスメクチックＣ相の場合＊ Iso→Ch→SmA→SmC＊ 但し、Iso;等方性液体 Ch;コレステリック相 SmA;スメクチックＡ相 SmC＊；カイラルスメクチックＣ相 であることが望ましい。
によって異なり、特に強誘電性液晶相の高温側にスメク
チックＡ相（SmA）及びコレステリック相（Ch）を有す
る液晶材料が良好な配向状態が得られると考えられてい
る。即ち、強誘電性液晶材料の相系列が、例えばカイラ
ルスメクチックＣ相の場合＊ Iso→Ch→SmA→SmC＊ 但し、Iso;等方性液体 Ch;コレステリック相 SmA;スメクチックＡ相 SmC＊；カイラルスメクチックＣ相 であることが望ましい。
更に、上記のような相系列を持つ液晶材料の中でもCh相
のピッチが長いものの方が配向状態が良好であると考え
られている。
のピッチが長いものの方が配向状態が良好であると考え
られている。
以上述べた条件以外にも液晶分子の傾き角θ等に対する
様々な要求がある。
様々な要求がある。
従来の強誘電性液晶材料は温度範囲だけをとりあげてみ
ても実用的な材料は数少なく、上記の条件をすべて満た
し実用に耐え得る材料は皆無に等しいのが現状であっ
た。
ても実用的な材料は数少なく、上記の条件をすべて満た
し実用に耐え得る材料は皆無に等しいのが現状であっ
た。
以下に従来の強誘電性液晶材料の１例を示す。（＋）ｐ
−デシルオキシベンジリデンｐ アミノ２−メチルブチ
ルシンナメイト（＋DOBAMBC） 但し、SmG＊；カイラルスメクチックＧ相 Ps＝４〜5nC τ＝数百μsec〜数msec 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来の強誘電性液晶材料は、その温度範
囲だけをとりあげても実用的なものは少なく先述の４つ
の条件を総て満たし即デイスプレイデバイスに応用でき
る液晶材料は皆無に等しいのが現状である。そこで本発
明では、自発分極が大きく、且つ捩れの向きが逆である
ような液状材料を混合することにより、広い温度範囲で
強誘電性液晶相を示し、容易に良好な配向が得られ、数
十μsecオーダーの高速応答可能な強誘電性液晶材料を
提供するものである。
−デシルオキシベンジリデンｐ アミノ２−メチルブチ
ルシンナメイト（＋DOBAMBC） 但し、SmG＊；カイラルスメクチックＧ相 Ps＝４〜5nC τ＝数百μsec〜数msec 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来の強誘電性液晶材料は、その温度範
囲だけをとりあげても実用的なものは少なく先述の４つ
の条件を総て満たし即デイスプレイデバイスに応用でき
る液晶材料は皆無に等しいのが現状である。そこで本発
明では、自発分極が大きく、且つ捩れの向きが逆である
ような液状材料を混合することにより、広い温度範囲で
強誘電性液晶相を示し、容易に良好な配向が得られ、数
十μsecオーダーの高速応答可能な強誘電性液晶材料を
提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決する為に本発明の強誘電性液晶材料
は、自発分極が大きく、且つ捩れの向きが逆であるよう
な液晶材料を混合することにより、広い温度範囲で強誘
電性液晶相を示し、容易に良好な配向が得られ、数十μ
secオーダーの高速応答可能な強誘電性液晶材料であ
る。
は、自発分極が大きく、且つ捩れの向きが逆であるよう
な液晶材料を混合することにより、広い温度範囲で強誘
電性液晶相を示し、容易に良好な配向が得られ、数十μ
secオーダーの高速応答可能な強誘電性液晶材料であ
る。
作用 一般に、液晶の温度範囲を拡大する為には、２種類以上
の分子形状の異なる液晶化合物を混合することが必要で
ある。ところが、強誘電性液晶材料を混合する際にはそ
の化合物の自発分極の極性、強誘電性液晶相の捩れの向
き、コレステリック相の捩れの向き等の物質定数を考慮
にいれ混合しなければいけない。自発分極は、第３図
（ａ）に示すように＋のものと第３図（ｂ）に示すよう
に−のものが有りこの極性はカイラル中心の立体配置と
双極子モーメントの向きで決定される。自発分極の極性
の同一な液晶化合物を混合した場合の自発分極の変化を
第４図に、自発分極の極性の異なる液晶化合物を混合し
た場合の自発分極の変化を第５図に示す。又、第５図
（ａ）は自発分極の大きさのほぼ等しい場合、第５図
（ｂ）は自発分極の大きさの大きく異なる場合の自発分
極の変化を示す。この図より明らかなように、自発分極
の極性の異なる液晶化合物を混合すると自発分極の値は
小さくなってしまうが、自発分極の極性の同一の液晶化
合物を混合することにより自発分極の大きい液晶化合物
を容易に得ることができる。又自発分極の極性の異なる
液晶化合物を混合する場合でも第５図（ｂ）のように、
一方の自発分極の大きさが他方に比べて大きい場合には
自発分極の減少は抑えられ比較的大きな自発分極をもっ
た液晶化合物がえられる。
の分子形状の異なる液晶化合物を混合することが必要で
ある。ところが、強誘電性液晶材料を混合する際にはそ
の化合物の自発分極の極性、強誘電性液晶相の捩れの向
き、コレステリック相の捩れの向き等の物質定数を考慮
にいれ混合しなければいけない。自発分極は、第３図
（ａ）に示すように＋のものと第３図（ｂ）に示すよう
に−のものが有りこの極性はカイラル中心の立体配置と
双極子モーメントの向きで決定される。自発分極の極性
の同一な液晶化合物を混合した場合の自発分極の変化を
第４図に、自発分極の極性の異なる液晶化合物を混合し
た場合の自発分極の変化を第５図に示す。又、第５図
（ａ）は自発分極の大きさのほぼ等しい場合、第５図
（ｂ）は自発分極の大きさの大きく異なる場合の自発分
極の変化を示す。この図より明らかなように、自発分極
の極性の異なる液晶化合物を混合すると自発分極の値は
小さくなってしまうが、自発分極の極性の同一の液晶化
合物を混合することにより自発分極の大きい液晶化合物
を容易に得ることができる。又自発分極の極性の異なる
液晶化合物を混合する場合でも第５図（ｂ）のように、
一方の自発分極の大きさが他方に比べて大きい場合には
自発分極の減少は抑えられ比較的大きな自発分極をもっ
た液晶化合物がえられる。
螺旋軸の捩れ方向は、カイラル部の絶対的立体配置とベ
ンゼン環からカイラル中心までの分子数が偶数か奇数か
で決定されると考えられている。エム．ツカモト，テ
イ．オオツカ、ケイ．モリモト、ワイ．ムラカミ；ジャ
パン．ジェイ．アプル．フィズ．、14 1307（1975）
（M.Tukamoto,T.Otsuka,K.Morimoto,Y.Murakami;Japan.
J.Appl.Phys.,14 1307（1975））即ちカイラル中心の
絶対立体配置がＳ体でありベンゼン環からカイラル中心
までの原子数が偶数であれば捩れの方向は右であり奇数
であれば左である。又、カイラル中心の絶対立体配置が
Ｒ体であれば逆になる。一般にピッチを伸すには、２つ
の方法が考えられる。１つは強誘電性液晶材料にカイラ
ルを持たない液晶材料を混合する方法と、捩れの方向が
逆である液晶材料を混合する方法である。前者の方法に
よるとピッチを伸すためにはカイラルを持たない液晶材
料をかなりの割合混合する必要があり、自発分極は非カ
イラル成分の増加と共に減少するので非常に小さくなっ
てしまう。一方後者の方法によれば先程述べたように、
自発分極の極性が同一でかつピッチの捩れ方向が逆の液
晶材料を混合するか或いは自発分極の極性が逆であって
も一方の自発分極が非常に大きく、且つ互いのピッチの
捩れ方向が逆である液晶材料を混合することにより自発
分極の大きな且つピッチの発散した強誘電性液晶材料が
容易に得られる。
ンゼン環からカイラル中心までの分子数が偶数か奇数か
で決定されると考えられている。エム．ツカモト，テ
イ．オオツカ、ケイ．モリモト、ワイ．ムラカミ；ジャ
パン．ジェイ．アプル．フィズ．、14 1307（1975）
（M.Tukamoto,T.Otsuka,K.Morimoto,Y.Murakami;Japan.
J.Appl.Phys.,14 1307（1975））即ちカイラル中心の
絶対立体配置がＳ体でありベンゼン環からカイラル中心
までの原子数が偶数であれば捩れの方向は右であり奇数
であれば左である。又、カイラル中心の絶対立体配置が
Ｒ体であれば逆になる。一般にピッチを伸すには、２つ
の方法が考えられる。１つは強誘電性液晶材料にカイラ
ルを持たない液晶材料を混合する方法と、捩れの方向が
逆である液晶材料を混合する方法である。前者の方法に
よるとピッチを伸すためにはカイラルを持たない液晶材
料をかなりの割合混合する必要があり、自発分極は非カ
イラル成分の増加と共に減少するので非常に小さくなっ
てしまう。一方後者の方法によれば先程述べたように、
自発分極の極性が同一でかつピッチの捩れ方向が逆の液
晶材料を混合するか或いは自発分極の極性が逆であって
も一方の自発分極が非常に大きく、且つ互いのピッチの
捩れ方向が逆である液晶材料を混合することにより自発
分極の大きな且つピッチの発散した強誘電性液晶材料が
容易に得られる。
実施例 本発明の実施例を図に用いて説明する。最初に本実施例
において、その強誘電性液晶材料の応答特性を測定した
液晶セルの構造を第５図に示す。ここで、４は偏光板、
５はガラス基板、６は透明電極、７はラビングにより配
向処理を施した有機高分子膜、８は強誘電性液晶層、９
はセル厚を一定に保つためのスペーサーを表している。
このような構造のセルに強誘電性液晶材料を封入しその
応答特性及び自発分極を測定した。自発分極については
三角波法を用いて測定を行った。
において、その強誘電性液晶材料の応答特性を測定した
液晶セルの構造を第５図に示す。ここで、４は偏光板、
５はガラス基板、６は透明電極、７はラビングにより配
向処理を施した有機高分子膜、８は強誘電性液晶層、９
はセル厚を一定に保つためのスペーサーを表している。
このような構造のセルに強誘電性液晶材料を封入しその
応答特性及び自発分極を測定した。自発分極については
三角波法を用いて測定を行った。
又、相転移温度については、偏光顕微鏡によるtexture
観察及びDSCにより行い、Sc＊相のピッチはセル厚100ミ
クロンの配向処理を施したセルを用い、Ch相のピッチは
Ch相を示さない化合物についてはネマチック液晶と混合
することによりCh相とし厚さ５ミリの配向処理を施した
ガラス基板を用いた楔型セルを用い通常法により測定を
行った。
観察及びDSCにより行い、Sc＊相のピッチはセル厚100ミ
クロンの配向処理を施したセルを用い、Ch相のピッチは
Ch相を示さない化合物についてはネマチック液晶と混合
することによりCh相とし厚さ５ミリの配向処理を施した
ガラス基板を用いた楔型セルを用い通常法により測定を
行った。
実施例１ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置がＳ体でありＲがノニル基であり１が０であ
る化合物（VI）と下記のカイラル部の立体配置が2S,3S
である化合物（VII）のらせんのねじれ方向は右である
ため、逆ねじれの左ねじれの化合物として化合物（IV）
のカイラルの立体配置がＳ体でありＲ′がオクタノイッ
クオキシ基であり１が２、ｍ、ｎがそれぞれ１である化
合物（VIII）を用いた３成分系についてその転移温度、
ピッチの長さについて測定をおこなった。また測定を行
った化合物の組成は、化合物（VI）が40wt％、化合物
（VII）が10wt％、化合物（VIII）が50wt％であった。
以下にその結果を示す。
の立体配置がＳ体でありＲがノニル基であり１が０であ
る化合物（VI）と下記のカイラル部の立体配置が2S,3S
である化合物（VII）のらせんのねじれ方向は右である
ため、逆ねじれの左ねじれの化合物として化合物（IV）
のカイラルの立体配置がＳ体でありＲ′がオクタノイッ
クオキシ基であり１が２、ｍ、ｎがそれぞれ１である化
合物（VIII）を用いた３成分系についてその転移温度、
ピッチの長さについて測定をおこなった。また測定を行
った化合物の組成は、化合物（VI）が40wt％、化合物
（VII）が10wt％、化合物（VIII）が50wt％であった。
以下にその結果を示す。
相転移温度 Ch相のらせんピッチ；無限大 実施例２ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置が2SでありＲがオクチル基でありｌが０であ
る化合物（VI）のらせんのねじれ方向は右であるため、
逆ねじれの左ねじれの化合物として化合物（III）のカ
イラルの立体配置がＳ体でありＲがデシロキシ基であり
ｌ、ｍ、ｎがそれぞれ１である化合物（IX）を用いた２
成分系についてその転移温度、ピッチの長さについて測
定をおこなった。第１図にこの２成分混合系の相図をし
めす。また測定を行った化合物の組成は、化合物（VI）
が70wt％（IX）が30wt％であった。以下にその結果を示
す。
の立体配置が2SでありＲがオクチル基でありｌが０であ
る化合物（VI）のらせんのねじれ方向は右であるため、
逆ねじれの左ねじれの化合物として化合物（III）のカ
イラルの立体配置がＳ体でありＲがデシロキシ基であり
ｌ、ｍ、ｎがそれぞれ１である化合物（IX）を用いた２
成分系についてその転移温度、ピッチの長さについて測
定をおこなった。第１図にこの２成分混合系の相図をし
めす。また測定を行った化合物の組成は、化合物（VI）
が70wt％（IX）が30wt％であった。以下にその結果を示
す。
相転移温度 Ch相のらせんピッチ；無限大 実施例３ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置がＳ体でありＲがノニル基でありｌが０でる
る化合物（VI）のらせんのねじれ方向は右である為、逆
ねじれの化合物としてねじれ方向が左の化合物（Ｉ）の
カイラル部の立体配置がＲ体でありＲ′がデシルオキシ
基である化合物（Ｘ）を用いた２成分系についてその相
転移温度、ピッチの長さについて測定を行った。又、測
定を行った化合物の組成は、化合物（VI）が50wt％、化
合物（IX）が50wt％であった。又、上記の液晶を用いて
作成した液晶セルの配向状態は良好であった。以下にそ
の結果を示す。
の立体配置がＳ体でありＲがノニル基でありｌが０でる
る化合物（VI）のらせんのねじれ方向は右である為、逆
ねじれの化合物としてねじれ方向が左の化合物（Ｉ）の
カイラル部の立体配置がＲ体でありＲ′がデシルオキシ
基である化合物（Ｘ）を用いた２成分系についてその相
転移温度、ピッチの長さについて測定を行った。又、測
定を行った化合物の組成は、化合物（VI）が50wt％、化
合物（IX）が50wt％であった。又、上記の液晶を用いて
作成した液晶セルの配向状態は良好であった。以下にそ
の結果を示す。
相転移温度 Ch相のピッチ；無限大 発明の効果 以上のように本発明は自発分極の大きい、且つピッチの
捩れ方向が逆であるような強誘電性液晶材料を混合する
ことにより室温を含む広い温度範囲で液晶相を示し、配
向状態の良好な、自発分極の大きい高速応答可能な強誘
電性液晶材料を提供するものである。
捩れ方向が逆であるような強誘電性液晶材料を混合する
ことにより室温を含む広い温度範囲で液晶相を示し、配
向状態の良好な、自発分極の大きい高速応答可能な強誘
電性液晶材料を提供するものである。
第１図は本発明の実施例１における２成分混合系の相
図、第２図は自発分極の極性を示す模式図、第３図は自
発分極の極性の同一の化合物を混合した場合の自発分極
の濃度依存特性図、第４図は自発分極の極性の異なる化
合物を混合した場合の自発分極の濃度依存特性図、第５
図は強誘電性液晶セルの構成図、第６図は強誘電性液晶
の模式図、第７図は強誘電性液晶の動作原理を示した模
式図である。 １……層法線方向、２……分子長軸方向、３……自発分
極の方向、４……偏光板、５……上下のガラス基板、６
……透明電極、７……配向処理を施した有機配向膜、８
……強誘電性液晶相、９……セル厚を一定に保つための
スペーサー、10……強誘電性液晶分子、11……自発分
極、12……Ｃダイレクター、13……コーン、14……層、
15……層法線、16……分子の層法線に対する傾き角θ、
17……層法線に対して分子の長軸が＋θ傾いた液晶分
子、18……層法線に対して分子の長軸が−θ傾いた液晶
分子、19……紙面表方向を向いている双極子モーメン
ト、20……紙面裏方向を向いている双極子モーメント、
21……２枚の偏光板の方向。
図、第２図は自発分極の極性を示す模式図、第３図は自
発分極の極性の同一の化合物を混合した場合の自発分極
の濃度依存特性図、第４図は自発分極の極性の異なる化
合物を混合した場合の自発分極の濃度依存特性図、第５
図は強誘電性液晶セルの構成図、第６図は強誘電性液晶
の模式図、第７図は強誘電性液晶の動作原理を示した模
式図である。 １……層法線方向、２……分子長軸方向、３……自発分
極の方向、４……偏光板、５……上下のガラス基板、６
……透明電極、７……配向処理を施した有機配向膜、８
……強誘電性液晶相、９……セル厚を一定に保つための
スペーサー、10……強誘電性液晶分子、11……自発分
極、12……Ｃダイレクター、13……コーン、14……層、
15……層法線、16……分子の層法線に対する傾き角θ、
17……層法線に対して分子の長軸が＋θ傾いた液晶分
子、18……層法線に対して分子の長軸が−θ傾いた液晶
分子、19……紙面表方向を向いている双極子モーメン
ト、20……紙面裏方向を向いている双極子モーメント、
21……２枚の偏光板の方向。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 櫻井 孝男 神奈川県川崎市川崎区鈴木町１番１号 味 の素株式会社中央研究所内 (72)発明者 樋口 量一 神奈川県川崎市川崎区鈴木町１番１号 味 の素株式会社中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、
一般式 （但し、式中ｌは０または１の整数を、Ｒはアルキル基
を示す）で表されるカイラル部がラセミ体をなさない液
晶化合物とこの化合物とらせんのねじれ方向が逆である
ような化合物をそれぞれ１種類以上含有することを特徴
とする液晶組成物。 - 【請求項２】強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、
一般式 （但し、式中ｌは０または１の整数を、Ｒはアルキル基
を示す）で表されるカイラル部がラセミ体をなさない液
晶化合物とこの化合物とらせんのねじれ方向が逆であり
自発分極の極性が同一である化合物をそれぞれ１種類以
上含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の液晶組成物。 - 【請求項３】一般式（Ｉ）で表される化合物とらせんの
ねじれ方向が逆であるような化合物が、一般式 （但し、式中Ｒ′はアルカノイル基またはアルコキシ基
を又、l,mは１または２の整数、ｎは０または１の整数
を示す）で表されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項のいずれかに記載の液晶組成物。 - 【請求項４】一般式（Ｉ）で表される化合物とらせんの
ねじれ方向が逆であるような化合物が、一般式 （但し、式中Ｒ′はアルカノイル基またはアルコキシ基
を示す）で表されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項、第３項のいずれかに記載の液晶組成物。 - 【請求項５】一般式（Ｉ）で表される化合物とらせんの
ねじれ方向が逆であるような化合物が、一般式 （但し、式中Ｒ′はアルカノイル基またはアルコキシ基
を示す）で表されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項、第３項のいずれかに記載の液晶組成物。 - 【請求項６】一般式（Ｉ）で表される化合物とらせんの
ねじれ方向が逆であるような化合物が、一般式 （但し、式中Ｒ′はアルカノイル基またはアルコキシ基
を示す）で表されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項、第３項のいずれかに記載の液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18222486A JPH0745658B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18222486A JPH0745658B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337190A JPS6337190A (ja) | 1988-02-17 |
| JPH0745658B2 true JPH0745658B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=16114509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18222486A Expired - Lifetime JPH0745658B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745658B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01252938A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネル |
| JPH01254793A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶組成物 |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP18222486A patent/JPH0745658B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337190A (ja) | 1988-02-17 |
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