JPH01254793A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH01254793A JPH01254793A JP8154188A JP8154188A JPH01254793A JP H01254793 A JPH01254793 A JP H01254793A JP 8154188 A JP8154188 A JP 8154188A JP 8154188 A JP8154188 A JP 8154188A JP H01254793 A JPH01254793 A JP H01254793A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高速、高コントラストな強誘電性液晶組成物に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
液晶表示装置は１型化・軽量化・低電圧駆動可能等の長
所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現在
使用されているネマティック液晶は応答速度が数ミリ−
数十ミリ秒と遅い為に高速応答が不可能であり、利用分
野は限られている。
所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現在
使用されているネマティック液晶は応答速度が数ミリ−
数十ミリ秒と遅い為に高速応答が不可能であり、利用分
野は限られている。
−力強誘電性液晶はマイクロ秒単位の応答速度及びメモ
リ効果の為に、高速表示素子、メモリ形デイスプレィ、
液晶シャッター等の分野に適用が可能である。現在配向
方法としてはラビング法、斜方蒸着法、磁界印加法、電
界印加法、シェアリング法等が発明されており、蟹産性
、実用性の面に於いてはラビング法が最も優れているが
、ラビング配同法では一軸性が強すぎるために華安定に
なったり、あるいはツイスト安定になり、良好なユニフ
ォーム形の双安定な特性を得る事は困難である。また強
誘電性液晶においてＩｓｏ相からＳｍＣ”相までの相系
列は ■ｌ５ｏ−＋ＳｍＡ−４３ｍＣ！ （ＩＡＣ系）■ｌ５
ｏ−＋Ｎ” −ＳｍＣ” （ｌ ＮＣ系）■ｌ５ｏ
−４Ｎ” ＝ＳｍＡ”ＳｍＣ” （ＩＮＡＣ系）■Ｉ
ＳＯ→ＳｍＣ″ （ＩＣ系）などが考えられる
。
リ効果の為に、高速表示素子、メモリ形デイスプレィ、
液晶シャッター等の分野に適用が可能である。現在配向
方法としてはラビング法、斜方蒸着法、磁界印加法、電
界印加法、シェアリング法等が発明されており、蟹産性
、実用性の面に於いてはラビング法が最も優れているが
、ラビング配同法では一軸性が強すぎるために華安定に
なったり、あるいはツイスト安定になり、良好なユニフ
ォーム形の双安定な特性を得る事は困難である。また強
誘電性液晶においてＩｓｏ相からＳｍＣ”相までの相系
列は ■ｌ５ｏ−＋ＳｍＡ−４３ｍＣ！ （ＩＡＣ系）■ｌ５
ｏ−＋Ｎ” −ＳｍＣ” （ｌ ＮＣ系）■ｌ５ｏ
−４Ｎ” ＝ＳｍＡ”ＳｍＣ” （ＩＮＡＣ系）■Ｉ
ＳＯ→ＳｍＣ″ （ＩＣ系）などが考えられる
。
強誘電性液晶の配向はＳｍＣ“相よりも高温側の相系列
に大きく依存する。従来はＳｍＣ”相で均一な配向を行
う為にはＮ゛相が必要であり、Ｎ９［■のピノ千が長い
程、薄いセルに於ては強誘電性液晶のらせんがほどけ、
ＳｍＡ相になった場合に相かきもんと整列し、Ｓ ｍ
Ｃ“相においても良好な配向が得られると考えられてい
た。
に大きく依存する。従来はＳｍＣ”相で均一な配向を行
う為にはＮ゛相が必要であり、Ｎ９［■のピノ千が長い
程、薄いセルに於ては強誘電性液晶のらせんがほどけ、
ＳｍＡ相になった場合に相かきもんと整列し、Ｓ ｍ
Ｃ“相においても良好な配向が得られると考えられてい
た。
発明が解決しようとする課題
上記の様なＮ０相を示ず強誘電性液晶は、Ｓｍ八（■で
は層がきちんと整列するが、ＳｍＡ相からＳｍＣ“川に
転移した場合に分子が層法線からイ頃＜ために層をゆが
めてしまい多くのディスクリ不一ノヨンが住したり、昨
安定やツイスト安定になってしまう。またＳｍＡ相のな
い強誘電性液晶を用いると層方向が規制されないために
配向がみだれる。
は層がきちんと整列するが、ＳｍＡ相からＳｍＣ“川に
転移した場合に分子が層法線からイ頃＜ために層をゆが
めてしまい多くのディスクリ不一ノヨンが住したり、昨
安定やツイスト安定になってしまう。またＳｍＡ相のな
い強誘電性液晶を用いると層方向が規制されないために
配向がみだれる。
課題を解決するための手段
等方相からスメタティソクＡ相への転多の温度幅が５℃
以上であり自発分極が２０ ｎ Ｃ／ｃ＋＋Ｉ以上１０
０ｎＣ／ｃ４以下である強誘電性液晶■生物を用いる。
以上であり自発分極が２０ ｎ Ｃ／ｃ＋＋Ｉ以上１０
０ｎＣ／ｃ４以下である強誘電性液晶■生物を用いる。
作用
この強誘電性液晶を用いると高速、高コントラストでユ
ニフォーム形の双安定な特性を得る事が出来る。Ｎ゛相
を含まないＩＡＣ系液晶においてはＩｓｏ相からＳｍＡ
相に転移する時に分子長帖の配向と層の形成が同時にお
こる。この転移点の温度幅が狭い場合には層が揃いにく
くなるために配向が乱れるが、転移点の温度幅が広い場
合には層の形成が緩やかに行われるために良好な配向を
示しユニフォーム形の双安定性が出現するのである。
ニフォーム形の双安定な特性を得る事が出来る。Ｎ゛相
を含まないＩＡＣ系液晶においてはＩｓｏ相からＳｍＡ
相に転移する時に分子長帖の配向と層の形成が同時にお
こる。この転移点の温度幅が狭い場合には層が揃いにく
くなるために配向が乱れるが、転移点の温度幅が広い場
合には層の形成が緩やかに行われるために良好な配向を
示しユニフォーム形の双安定性が出現するのである。
実施例
以下本発明の一実施例の強誘電性液晶ｔ■成物について
、図面を参照しながら説明する。
、図面を参照しながら説明する。
第１図に示すように透明ガラス基板１，２上に透明電極
としてＩＴＯ膜３，４を形成し、その上に配向膜として
ポリイミド樹脂をスピンナーにより塗布し５．６両方の
基板の配向膜上にラビング処理を施し、この基板の配向
膜面同士を貼り合せる。セルの厚さはシール樹脂７に混
入したスペーサーにより２ｕｍとしている。このセルに
強誘電性液晶８を封入した。 Ｉ Ｎ Ａ Ｃ系、ＩＮ
Ｃ系、ＩＣ系液晶を封入した場合はＩＡＣ系液晶を封入
した場合に比べて良好な配向は得られず、羊安定あるい
はツイスト安定となった。またＩＡＣ系液晶のＩｓｏ相
からＳｍＡ相への温度幅及び自発分極を変化させた場合
の特性をく表１〉〈表２〉に示す。
としてＩＴＯ膜３，４を形成し、その上に配向膜として
ポリイミド樹脂をスピンナーにより塗布し５．６両方の
基板の配向膜上にラビング処理を施し、この基板の配向
膜面同士を貼り合せる。セルの厚さはシール樹脂７に混
入したスペーサーにより２ｕｍとしている。このセルに
強誘電性液晶８を封入した。 Ｉ Ｎ Ａ Ｃ系、ＩＮ
Ｃ系、ＩＣ系液晶を封入した場合はＩＡＣ系液晶を封入
した場合に比べて良好な配向は得られず、羊安定あるい
はツイスト安定となった。またＩＡＣ系液晶のＩｓｏ相
からＳｍＡ相への温度幅及び自発分極を変化させた場合
の特性をく表１〉〈表２〉に示す。
く 表 １ 〉
（以 下 余 白）
く 表 ２ 〉
この結果から明らかなように、Ｉｓｏ相からＳｍＡ相へ
の温度幅が５℃より小さいと液晶分子の配向が乱れるた
めにコントラストが悪くなる。
の温度幅が５℃より小さいと液晶分子の配向が乱れるた
めにコントラストが悪くなる。
また自発分極が２０ｎＣ／ｃ＋（より小さいとツイスト
安定になるためにコントラストが悪くなり、１００ ｎ
Ｃ／ｃｆｆｌより大きくなると単安定となる。
安定になるためにコントラストが悪くなり、１００ ｎ
Ｃ／ｃｆｆｌより大きくなると単安定となる。
すなわちｌｓｏ和からＳｍＡ相への温度幅を５℃以上と
し、自発分極を２０ｎＣ／ｃＩ１１以上１００ｎｃ／
ａｄ以下とすることにより、高速、高コントラストでユ
ニフォーム形の双安定な特性が得られた。
し、自発分極を２０ｎＣ／ｃＩ１１以上１００ｎｃ／
ａｄ以下とすることにより、高速、高コントラストでユ
ニフォーム形の双安定な特性が得られた。
なお上記の発明において基板は少なくとも一方が透明で
あれば良く、また配向膜としてポリイミドを例にとり説
明したが、それ以外の材料でも良く、また配向膜により
表面処理を施さなくても可能である。
あれば良く、また配向膜としてポリイミドを例にとり説
明したが、それ以外の材料でも良く、また配向膜により
表面処理を施さなくても可能である。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によればＩｓｏ
和からＳｍＡ相への転移点の温度幅が５℃以上で自発分
極が２０ｎＣ／ｃｎ！以上１００ｎＣ／ｃｆｌＩ以下の
ＩＡＣ系強誘電性液晶を用いることにより、高速、高コ
ントラストなユニフォーム形の双安定な特性を得ること
が出来る。
和からＳｍＡ相への転移点の温度幅が５℃以上で自発分
極が２０ｎＣ／ｃｎ！以上１００ｎＣ／ｃｆｌＩ以下の
ＩＡＣ系強誘電性液晶を用いることにより、高速、高コ
ントラストなユニフォーム形の双安定な特性を得ること
が出来る。
第１図は本発明の一実施例による強誘電性液晶パネルの
構成図である。 １・・・・・・上ガラス基板、２・・・・・・下ガラス
基板、３゜４・・・・・・ＴＴＯ電極、５，６・・・・
・・配向膜、７・・・・・・シール樹脂、８・・・・・
・強誘電性液晶。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名１− 上
がラヌ基鈑 ２− 下ガラス基極 ３・４−ＩＴＯ電モ ５．６− 配置′８ｉ′Ｔ頗 ７− シール樹Ｍａ ８− 強請を性液晶 第 １ 図
構成図である。 １・・・・・・上ガラス基板、２・・・・・・下ガラス
基板、３゜４・・・・・・ＴＴＯ電極、５，６・・・・
・・配向膜、７・・・・・・シール樹脂、８・・・・・
・強誘電性液晶。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名１− 上
がラヌ基鈑 ２− 下ガラス基極 ３・４−ＩＴＯ電モ ５．６− 配置′８ｉ′Ｔ頗 ７− シール樹Ｍａ ８− 強請を性液晶 第 １ 図
Claims (2)
- （１）相系列が等方相からスメクティックＡ相への相転
移を示し、かつその転移温度幅が５℃以上であることを
特徴とする強誘電性液晶組成物。 - （２）強誘電性液晶組成物の自発分極が２０ｎＣ／ｃｍ
＾２以上１００ｎＣ／ｃｍ＾２以下であることを特徴と
する請求項（１）記載の強誘電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8154188A JPH01254793A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8154188A JPH01254793A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01254793A true JPH01254793A (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=13749157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8154188A Pending JPH01254793A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01254793A (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60248789A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-09 | Hitachi Ltd | 強誘電性液晶組成物 |
| JPS62106985A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Chisso Corp | 複屈折型表示素子用強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPS62205189A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS62223172A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Chisso Corp | ２−（４′−アルコキシフエニル）−５−アルキルピリジン |
| JPS6337186A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶組成物 |
| JPS6337190A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶組成物 |
| JPS6363641A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-22 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | 安息香酸ビフエニルエステル誘導体 |
| JPS6363666A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-22 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | ピリミジニルフエニルエステル誘導体 |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP8154188A patent/JPH01254793A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60248789A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-09 | Hitachi Ltd | 強誘電性液晶組成物 |
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| JPS62205189A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS62223172A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Chisso Corp | ２−（４′−アルコキシフエニル）−５−アルキルピリジン |
| JPS6337186A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶組成物 |
| JPS6337190A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶組成物 |
| JPS6363641A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-22 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | 安息香酸ビフエニルエステル誘導体 |
| JPS6363666A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-22 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | ピリミジニルフエニルエステル誘導体 |
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