JPS59214824A - 液晶電気光学装置 - Google Patents
液晶電気光学装置Info
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- JPS59214824A JPS59214824A JP8873183A JP8873183A JPS59214824A JP S59214824 A JPS59214824 A JP S59214824A JP 8873183 A JP8873183 A JP 8873183A JP 8873183 A JP8873183 A JP 8873183A JP S59214824 A JPS59214824 A JP S59214824A
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- Japan
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- glass substrates
- layer
- rubbing
- rubbed
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抜晶電更光学装置に関し、カイラルスメクチッ
ク液晶を用い、印加電圧と分子配向との強い結合により
迅速に応答する液晶電気光学装置の肴に液晶の配向方法
に関する。
ク液晶を用い、印加電圧と分子配向との強い結合により
迅速に応答する液晶電気光学装置の肴に液晶の配向方法
に関する。
近年、カイラルスメクチック液晶を液晶電気光学装置に
用いる試みが種々の研究機関に於いて行なわれている。
用いる試みが種々の研究機関に於いて行なわれている。
これはカイラルスメクチック液晶が強誘電性を示すこと
によシ、電気光学効果が従来の液晶材料と比べ著しく優
れ、しかも液晶電気光学装置の特徴である低電圧駆動、
低消費電力、小型薄型化が可能であるという性質を兼ね
そなえ全く新しい電気光学装置の可能性を秘めているこ
とによる、 このカイラルスメクチ・ツク液晶のスメクチ・ツクＣ相
又はＨ相における層構造と分子配向をモデル的に示すと
第１図のようになる。分子長軸は層に垂直な方向からθ
だけ傾いている。傾き角θはどの層でも′一定であるが
、傾（方向（方位角φ）は層から層へ僅かず９ねじれ、
分子配向にねじれ構造を生じている。ねじれは液晶分子
中の不斉炭素の存在によるものである。また分子の傾き
面Ｃ層の法線と分子長軸を含む而）とほぼ垂直な方向に
双極子モーメン）Ｐが整列している。従って層と平行に
電場を印加すると、Ｐが電場方向に揃うという著しい特
徴がある、この電場と分子配向の結合は、誘電体の異方
性により得られるものより著しく強い。更に前記結合は
極性的なものであり、その結果印加電場の優性を反転さ
せることによ〜て好ましい分子配向を反転させることが
できる、これにより従来液晶電気光学装置と比較して１
０００から１００００倍もの応答速度が得られる。更に
強誘電体の特徴であるヒステリシスループヲ描きメモリ
ー性がある。
によシ、電気光学効果が従来の液晶材料と比べ著しく優
れ、しかも液晶電気光学装置の特徴である低電圧駆動、
低消費電力、小型薄型化が可能であるという性質を兼ね
そなえ全く新しい電気光学装置の可能性を秘めているこ
とによる、 このカイラルスメクチ・ツク液晶のスメクチ・ツクＣ相
又はＨ相における層構造と分子配向をモデル的に示すと
第１図のようになる。分子長軸は層に垂直な方向からθ
だけ傾いている。傾き角θはどの層でも′一定であるが
、傾（方向（方位角φ）は層から層へ僅かず９ねじれ、
分子配向にねじれ構造を生じている。ねじれは液晶分子
中の不斉炭素の存在によるものである。また分子の傾き
面Ｃ層の法線と分子長軸を含む而）とほぼ垂直な方向に
双極子モーメン）Ｐが整列している。従って層と平行に
電場を印加すると、Ｐが電場方向に揃うという著しい特
徴がある、この電場と分子配向の結合は、誘電体の異方
性により得られるものより著しく強い。更に前記結合は
極性的なものであり、その結果印加電場の優性を反転さ
せることによ〜て好ましい分子配向を反転させることが
できる、これにより従来液晶電気光学装置と比較して１
０００から１００００倍もの応答速度が得られる。更に
強誘電体の特徴であるヒステリシスループヲ描きメモリ
ー性がある。
このような優れた特性を有する液晶電気光学装置でおる
が、下記に示すことによりその開発が納げられている。
が、下記に示すことによりその開発が納げられている。
それは、スメクチ・ツクＷｔ晶はネマチック液晶と異な
り、全体が均一なモノ・ドメインにはなり難い。従って
良好なるコントラスト特性が得にくく、液晶電気光学装
置として用いにくい。即ち、このカイラルスメクチック
液晶を用いた液晶電気光学装置を作るためには、液晶分
子の良好なる配向方法を見つけだす必要がある、従来よ
り、上記配向方法として十分液晶層厚の厚いセルにおい
ては゛、数キロから２０キロガウス程度の磁場を印加し
、モノ・ドメインを作成していた。しかしこの方法に於
いては、確かにある程度のモノ・ドメインは作成できる
が実用的な液晶層厚範囲であるｄ＝１０μｍ以下位にな
以下刃ラス基板壁面の影響が強く配向状態が非常に低下
する。
り、全体が均一なモノ・ドメインにはなり難い。従って
良好なるコントラスト特性が得にくく、液晶電気光学装
置として用いにくい。即ち、このカイラルスメクチック
液晶を用いた液晶電気光学装置を作るためには、液晶分
子の良好なる配向方法を見つけだす必要がある、従来よ
り、上記配向方法として十分液晶層厚の厚いセルにおい
ては゛、数キロから２０キロガウス程度の磁場を印加し
、モノ・ドメインを作成していた。しかしこの方法に於
いては、確かにある程度のモノ・ドメインは作成できる
が実用的な液晶層厚範囲であるｄ＝１０μｍ以下位にな
以下刃ラス基板壁面の影響が強く配向状態が非常に低下
する。
更に、大きな磁場発生器が必要になること及び、大型の
液晶電気光学装置の液晶層の配向は困難であること等か
ら実用的方法でないのが実状である。
液晶電気光学装置の液晶層の配向は困難であること等か
ら実用的方法でないのが実状である。
又最近、磁場を用いない配向方法として液晶層厚をきめ
るスペーサ一部に方向性樹脂を使用し、側面側から液晶
層を配向させる方法が呈示されているが、大きな液晶電
気光学装置を作り難く実用性に乏しい。
るスペーサ一部に方向性樹脂を使用し、側面側から液晶
層を配向させる方法が呈示されているが、大きな液晶電
気光学装置を作り難く実用性に乏しい。
上記、従来のカイラルスメクチック液晶の配向方法を改
善すべく、我々は以前平行ラビング、片側ラビングによ
る配向方法を呈示した。本発明は前回状々の呈示り、
ｆｃ方法のＷＫ改良した方法でありより配向性に優れ、
簡易で実用的な配向方法を呈示するものである。、−れ
によねカイラルスメクチック液晶の優れた特性を液晶電
気光学装置に有効に利用できるものである。即ち、カイ
ラルスメクチックＣ相ヌはＨ相を有する液晶を封入する
２枚のガラス基板の液晶層側の面上の少なくとも一方に
ポリ／１゛ミド樹脂又けＰＶＡもしくはアミノシランか
らなる層を２００〜１ｏｏｏｏ１設は更にラビング処理
を施したもので、（ｌｉ；のもう一方のガラス基板の液
晶層側の表面は無処理のまま、垂直処理或いは、ガラス
表面をラビング又はガラス表面にポリイミド樹脂又けＰ
’ＶＡあるいはアミノシラン層を設はラビングした構成
にし、２枚のガラス基板ともラビング処理する構成は上
下同一方向にラビング処理を揃えたものであり、これに
よりカイラルスメクチック液晶の配向性が著しく向上し
、良好なコントラスト時性を可能にしたものである。更
にポリイミド樹脂又ＲＰＶ Ａもしくはアミノシラン層
の厚みの限定理由について説明する。ポリイミド樹脂又
はＰＶＡ或いはアミノシラン層はラビング処理により液
晶層をホモジニアス配向させるために必要であり、しか
も通常液晶電気光学装置に用いられているネマチック液
晶におい−てけ、用い万くても又、２０〜３０’ｄ１度
設ければ十分である。しかしスメクチック液晶ではあま
り良くない。我々の数多くの実験によると５０λ程度に
なるとかなり配向性は向上するが肉視てまだ若干のドメ
インが観察される。更に２００λを越えるあたりから配
向性が著しく向上し肉視的にはドメインがわからない程
度となる。この２００’Ａというのは、ラビングの際の
溝の深さに関係しているものと思われる。
善すべく、我々は以前平行ラビング、片側ラビングによ
る配向方法を呈示した。本発明は前回状々の呈示り、
ｆｃ方法のＷＫ改良した方法でありより配向性に優れ、
簡易で実用的な配向方法を呈示するものである。、−れ
によねカイラルスメクチック液晶の優れた特性を液晶電
気光学装置に有効に利用できるものである。即ち、カイ
ラルスメクチックＣ相ヌはＨ相を有する液晶を封入する
２枚のガラス基板の液晶層側の面上の少なくとも一方に
ポリ／１゛ミド樹脂又けＰＶＡもしくはアミノシランか
らなる層を２００〜１ｏｏｏｏ１設は更にラビング処理
を施したもので、（ｌｉ；のもう一方のガラス基板の液
晶層側の表面は無処理のまま、垂直処理或いは、ガラス
表面をラビング又はガラス表面にポリイミド樹脂又けＰ
’ＶＡあるいはアミノシラン層を設はラビングした構成
にし、２枚のガラス基板ともラビング処理する構成は上
下同一方向にラビング処理を揃えたものであり、これに
よりカイラルスメクチック液晶の配向性が著しく向上し
、良好なコントラスト時性を可能にしたものである。更
にポリイミド樹脂又ＲＰＶ Ａもしくはアミノシラン層
の厚みの限定理由について説明する。ポリイミド樹脂又
はＰＶＡ或いはアミノシラン層はラビング処理により液
晶層をホモジニアス配向させるために必要であり、しか
も通常液晶電気光学装置に用いられているネマチック液
晶におい−てけ、用い万くても又、２０〜３０’ｄ１度
設ければ十分である。しかしスメクチック液晶ではあま
り良くない。我々の数多くの実験によると５０λ程度に
なるとかなり配向性は向上するが肉視てまだ若干のドメ
インが観察される。更に２００λを越えるあたりから配
向性が著しく向上し肉視的にはドメインがわからない程
度となる。この２００’Ａというのは、ラビングの際の
溝の深さに関係しているものと思われる。
更にポリイミド又はＰＶＡ或いはアミノシラン層を厚く
していくと、顕微鏡下で多少欠陥は減少していくがあま
り顕著な変化は胛られなくなる。む１７ろ１００００人
を越えるあたねから樹脂層の厚みむらが目立ち始め液晶
電気光学装置を駆動させた時にコントラストむらとなっ
て現われる。従って樹脂層厚は２００〜１００００スに
限定される。父、仙方のガラス基板の表面処理は前言己
ガラス基板と同様な構成でしかも平行にラビングしたも
のが最も理想的であるが、無処理、垂ｉＵ処匪において
も同様の効果が得られた。これは一方の壁面の規制力が
大きいとはｔｆそれに従う或いは平行ラビングのように
２方向から規制されないために、かえってモノ・ドメイ
ンになり易くなることがあるのだろう。
していくと、顕微鏡下で多少欠陥は減少していくがあま
り顕著な変化は胛られなくなる。む１７ろ１００００人
を越えるあたねから樹脂層の厚みむらが目立ち始め液晶
電気光学装置を駆動させた時にコントラストむらとなっ
て現われる。従って樹脂層厚は２００〜１００００スに
限定される。父、仙方のガラス基板の表面処理は前言己
ガラス基板と同様な構成でしかも平行にラビングしたも
のが最も理想的であるが、無処理、垂ｉＵ処匪において
も同様の効果が得られた。これは一方の壁面の規制力が
大きいとはｔｆそれに従う或いは平行ラビングのように
２方向から規制されないために、かえってモノ・ドメイ
ンになり易くなることがあるのだろう。
又、液晶層の厚み（セル厚）は、中文に厚いと液晶分子
はらせん構造となり、コントラストｕ出ない。従ってら
せんのほどける１０μｍ以下位が望ましい。
はらせん構造となり、コントラストｕ出ない。従ってら
せんのほどける１０μｍ以下位が望ましい。
以下実施例に従って本発明を更に具体的に説明する。
第２図に本発明液晶電体光学装置の概略断面図を示す。
２０．２１は上下ガラス基板である。この基板上に透明
電極２２が設はられ更にその上にポリイミド樹脂（東し
社製トレニース２０００＃） ２３及び２４を２０００
Ａずつそれぞれ塗布し、ラビングマシンにてサラン布
等でラビングし、更に上下２枚のガラス基板をスペーサ
ー２５を介して１５μｍの間隔で、ラビング方向を上下
平行になるように８と略す）の液晶２６を等方性にした
状態で封入した。更にこのセルの上下に偏光板２７．２
８を設は、光軸を直交させた。このような液晶電気光学
装置において温度４０℃の±１５Ｖの駆動電圧でのオン
、オフにより、応答速度ｒｆｉ９３０μｓｅｃでありコ
ントラスト比は６２対１であった。又応答速度が強誘電
性スメクチック液晶としては比較的遅いのけ、一般に不
斉炭素と分子長軸に垂直な双極子モーメントとが接近し
ていると大きな自発分極が現われると言われており上記
構造式かられかるようにこのＭＢＲＡ−８は離れている
ことによるものと思われる。
電極２２が設はられ更にその上にポリイミド樹脂（東し
社製トレニース２０００＃） ２３及び２４を２０００
Ａずつそれぞれ塗布し、ラビングマシンにてサラン布
等でラビングし、更に上下２枚のガラス基板をスペーサ
ー２５を介して１５μｍの間隔で、ラビング方向を上下
平行になるように８と略す）の液晶２６を等方性にした
状態で封入した。更にこのセルの上下に偏光板２７．２
８を設は、光軸を直交させた。このような液晶電気光学
装置において温度４０℃の±１５Ｖの駆動電圧でのオン
、オフにより、応答速度ｒｆｉ９３０μｓｅｃでありコ
ントラスト比は６２対１であった。又応答速度が強誘電
性スメクチック液晶としては比較的遅いのけ、一般に不
斉炭素と分子長軸に垂直な双極子モーメントとが接近し
ていると大きな自発分極が現われると言われており上記
構造式かられかるようにこのＭＢＲＡ−８は離れている
ことによるものと思われる。
実施例２
第２図の２３に１″ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を
２２０ Ａ塗布したものをラビングマシンにてラビング
処理し、２４の層は弗化炭素カチオン系垂直処理剤を５
０′Ａコーテイングし７たそれぞれのガラス基板２０．
２１をスペーサ−２５を介して、０５μｍ間隔で貼り合
せｆｃｏこれに下記構造式％式％ Ｃ以下ＤＯＢＡＭＢＣと略す）の液晶を封入した。
２２０ Ａ塗布したものをラビングマシンにてラビング
処理し、２４の層は弗化炭素カチオン系垂直処理剤を５
０′Ａコーテイングし７たそれぞれのガラス基板２０．
２１をスペーサ−２５を介して、０５μｍ間隔で貼り合
せｆｃｏこれに下記構造式％式％ Ｃ以下ＤＯＢＡＭＢＣと略す）の液晶を封入した。
更に偏光板２７．２８を設は光軸を重文させた。このよ
うな液晶電気光学装置ＶＣおいて温度８０℃の時±７Ｖ
の駆動電圧でのオン、オフにより、応答速度は、２２μ
ｓｅｃでありコントラスト比は５８対１であった。
うな液晶電気光学装置ＶＣおいて温度８０℃の時±７Ｖ
の駆動電圧でのオン、オフにより、応答速度は、２２μ
ｓｅｃでありコントラスト比は５８対１であった。
実施例３
第２図の２３ｖｃポリイミド樹脂を５０００Ａ塗布した
ものを又もう一方の基板２１には透明電極２２を設けた
だけで２４はなにも層を設けないことにして、上下ガラ
ス基板２０．２１の表面をラビングマシンにてラビング
し、２ペーサ−２５を介して３３μｍの間隔で、ラビン
グ方向を上下平行になるように貼り合せた。これにＤＯ
ＢＡＭＢＯ液晶を封入した。更に偏光板２７．２８を設
は光軸を直交させた。このような電気光学装置において
、温度８５℃の時±１０Ｖで応答速度は、１３μｓｅｃ
でありコントラスト比は４９対１であった。
ものを又もう一方の基板２１には透明電極２２を設けた
だけで２４はなにも層を設けないことにして、上下ガラ
ス基板２０．２１の表面をラビングマシンにてラビング
し、２ペーサ−２５を介して３３μｍの間隔で、ラビン
グ方向を上下平行になるように貼り合せた。これにＤＯ
ＢＡＭＢＯ液晶を封入した。更に偏光板２７．２８を設
は光軸を直交させた。このような電気光学装置において
、温度８５℃の時±１０Ｖで応答速度は、１３μｓｅｃ
でありコントラスト比は４９対１であった。
実施例４
第２図の２５．２４にアミノシランをそれぞれ９０００
Ａ塗布しラビングマシンにてラビングし。
Ａ塗布しラビングマシンにてラビングし。
スペーサ−２５を介して９８μｍの間隔でラビング方向
が平行となるように貼り合せた。これに下記構造式 ％式％（ ＨＯＢＡＯＰＯと略す）の液晶を封入した。このような
液晶電気光学装置において温度７２℃の時の±１５Ｖで
のオン、オフにより、応答速度は１５μ・ｓｅｃであり
、コントラスト比は、３９対１であつた。アミノシラン
が厚い割にコントラスト比が低いのけセル厚が厚くなっ
てきたこと（Ｃよるものと思われる。
が平行となるように貼り合せた。これに下記構造式 ％式％（ ＨＯＢＡＯＰＯと略す）の液晶を封入した。このような
液晶電気光学装置において温度７２℃の時の±１５Ｖで
のオン、オフにより、応答速度は１５μ・ｓｅｃであり
、コントラスト比は、３９対１であつた。アミノシラン
が厚い割にコントラスト比が低いのけセル厚が厚くなっ
てきたこと（Ｃよるものと思われる。
実施例５
第２ 図ｒ７） ２３ ｖｃ ホ＋Ｉ ヒニルアルコー
ル（ＰＶ八）を５０００Ａ塗布ｔ、、ラビンダマシンに
よりラビングし、もう一方の基板２１の２４はなにも層
を設けず処理しない状態のものを使用し、スペ−サ−２
５を介して５．１μｍの間隔で貼り合せた。１これにＭ
Ｅ、ＲＡ−８を封入し、更に偏光板２７．２８を設は光
軸を直交させた。どのような液晶電気光学装置において
温度５０″Ｇの時士１５Ｖの駆動電圧での応答速度は５
８０μｓｅｃ でコントラスト比は４４対１であった
。
ル（ＰＶ八）を５０００Ａ塗布ｔ、、ラビンダマシンに
よりラビングし、もう一方の基板２１の２４はなにも層
を設けず処理しない状態のものを使用し、スペ−サ−２
５を介して５．１μｍの間隔で貼り合せた。１これにＭ
Ｅ、ＲＡ−８を封入し、更に偏光板２７．２８を設は光
軸を直交させた。どのような液晶電気光学装置において
温度５０″Ｇの時士１５Ｖの駆動電圧での応答速度は５
８０μｓｅｃ でコントラスト比は４４対１であった
。
又、比較のために実施例５に用いた構造でＰＶＡ厚２０
Ａのものはコントラスト比１８対１で応答速度は測定で
きなかった。ヌ、更ＫＰＶＡ厚１５０００ＡＩｆ４のも
のけコントラスト比から１−ｔ２１対１であったがコン
トラヌトむらを生じた。
Ａのものはコントラスト比１８対１で応答速度は測定で
きなかった。ヌ、更ＫＰＶＡ厚１５０００ＡＩｆ４のも
のけコントラスト比から１−ｔ２１対１であったがコン
トラヌトむらを生じた。
以上の如く本発明によればカイラルスメクチンク液晶を
簡易にしかも良好に配向できるため、その高速応答を利
用した電子シャヴター、高密度テレビスクリーン等、液
晶電気光学装置を安価にしかも簡易に作成することが５
可能である。
簡易にしかも良好に配向できるため、その高速応答を利
用した電子シャヴター、高密度テレビスクリーン等、液
晶電気光学装置を安価にしかも簡易に作成することが５
可能である。
第１図は、カイラルスメクチ・・り液晶をモデル的に示
したものである。 第２図は、本発明液晶電気光学装置の概略断面図である
。 ２０・・・・・・上側ガラス基板 ２１・・・・・・下側ガラス基板 ２２・・・・・・透明電極 ２３・・・・・・配向処理層 ２４・・・・・・配向処理層 ２５・・・・・・スペーサー ２６・・・・・・液晶層 ２７．２８・・・・・・偏光板 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎
したものである。 第２図は、本発明液晶電気光学装置の概略断面図である
。 ２０・・・・・・上側ガラス基板 ２１・・・・・・下側ガラス基板 ２２・・・・・・透明電極 ２３・・・・・・配向処理層 ２４・・・・・・配向処理層 ２５・・・・・・スペーサー ２６・・・・・・液晶層 ２７．２８・・・・・・偏光板 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎
Claims (2)
- （１） カイラルなスメクチックＣ相又はスメクチッ
クＨ相を有する液晶を、電極を設けた２枚のガラス基板
中に封入し、前記２枚のガラス基板の上下方に偏光板を
直交させて設け、更に電極に電界を印加し、電界の優性
を変えることにより、光を通過又は遮断しＯＮ、ＯＦＦ
させる液晶光学装置において、前記２枚のガラス基板の
うち少なくとも一方の電極側表面にポリイミド樹脂又は
、Ｐ Ｖ Ａもしくはアミノシランからなる層を２００
から１００００１設は更にラビング処理を施したことを
特徴とする液晶電気光学装置。 - （２） 前記２枚のガラス基板のうち、もう一方は無
処理のままもしくは垂直処理或いは、ガラス表面をラビ
ング又は、ガラス表面にポリイミド樹脂′９．け、ＰＶ
Ａもしくはアミノシランからなる層を設はラビングした
ものであることを特徴とし、しかも２枚のガラス基板と
もラビング処理する構成は、互いにラビング方向が平行
であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
の液晶電気光学芸（ｉｆ ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8873183A JPS59214824A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8873183A JPS59214824A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 液晶電気光学装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17181793A Division JPH06313889A (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 液晶電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59214824A true JPS59214824A (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=13951057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8873183A Pending JPS59214824A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59214824A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6162018A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-03-29 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS61159627A (ja) * | 1985-01-07 | 1986-07-19 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
| JPS61189519A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS61219931A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US4633012A (en) * | 1984-07-03 | 1986-12-30 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Liquid crystal compound |
| JPS626226A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
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