JPS6162018A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シャッタ等で用いる
液晶素子、特にプラスチック基板を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくは液晶分子の初期配向状態を改善するこ
とにより、表示並びに駆動特性を改善した液晶素子に関
するものである。

これまでの液晶素子は、主にＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈ
ｅ１ｔｒｉｃｈ著”Ａｐｐｌｉｅｄ　ＰｈｙｓｉｃｓＬ
ｅｔｔｅｒｓ”　　Ｖｏｌ、１８．Ｎｏ、４（１９７１
，２，１５）。

Ｐ、１２７〜１２８の”Ｖｏ　Ｉｔ　ａｇｅ−Ｄｅｐｅ
ｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏ
ｆ　　ａ　ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｅ　Ｌｉｑ−ｕ
ｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ”に記載されている様なＴＮ（Ｔ
ｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）方式か採用されており
、このＴＮ方式の配向制御を効率的に保障する方法とし
てネマチック液晶の接する基板界面を斜方蒸着によって
形成したＳｉＯ又は５ｉ０２や一方にラビング処理した
有機樹脂、例えばポリイミド、ポリアミドで形成する方
法が知られている。

このＴＮ方式を用いた表示パネルは、ＴＮ方式自体に高
速応答性とメモリー効果を持っていないため、高密度画
素の表示パネルを設５］する七で、例えば薄膜トランジ
スタ（ＴＰＴ）をアレイ状に配置したアクティブマトリ
クス基板を必要としている。しかし、この様なＴＮ液晶
を用いたアクティブマトリクス駆動方式の表示パネルで
は、使用するＴＰＴが複雑な構造を有しているため、製
造工程数が多く、高い製造コストがネックとなっている
」−に、ＴＰＴを構成している薄膜半導体（例えば、ポ
リシリコン、アモルファスシリコン）を広い面積に亘っ
て被膜形成することが難しいなどの問題点がある。

これらの問題点を解決するものとして、Ｎ、Ａ、Ｃ１ａ
ｒｋ　　　　と　　　Ｓ　　、Ｔ、　　Ｌａｇｅ　　ｒ
ｗａ　　ｌ　　ｌの米国特許第４３６７９２４号明細Ｊ
）で提案されている強誘電性液晶素子が知られている。

しかし、強誘電性液晶はカイラルスメクテイツク相でそ
の挙動を現わすが、一般にスメクテイツク相の液晶はネ
マチック相の液晶に較べ配向制御性や配向安定性が悪い
欠点がある。本発明者らの実験では、従来のＴＮ方式で
知られている様な配向制御法をスメクテイツク相の形成
に単に転用するだけでは、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できないが、下述する特
定の配向制御膜を用いることによって、均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できることが判明した。

従って、本発明の目的は、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相、特に強誘電性を示すカイラル
スメクテイツクＣ相（ＳｍＣ＊）　。

Ｈ相（ＳｍＨ＊）、Ｉ相（ＳｍＩ＊）、Ｆ相（ＳｍＦ＊
）　　や　Ｇ相（ＳｍＧ＊）を示す液晶を形成する配向
制御膜を提供することにある。

又、本発明の別の目的は、プラスチック基板を用いたス
メクテイツク液晶素子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。

本発明のかかる目的は、電極を設けた一対の基板の間に
スメクテイツク液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が前記オルガノシラン化合物と有機樹脂を含有する組
成物から形成した配向制御膜を有する液晶素子によって
達成される。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明による液晶素子の一実施態様を示すもの
で、図中、１はプラスチック基板、２は該基板」−に設
けられた透明導電膜より成る電極、３は配向制御膜、４
はシール部材、５はスペーサ部材、６はスメクテイツク
液晶物質を示す。プラスチック基板１としては、ポリエ
チレンテレフタレート、ホリブチレンテレフタレート、
ポリエーテルスルフォン、ポリエーテル−１・、三酢酸
セルローズ、ポリオールやポリエーテルサルホンなどの
プラスチックが使用され、これらに蒸着、低温スパッタ
、ＣＶＤ、などの公知の手段により酸化スズ、酸化イン
ジウムやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　　Ｔｉｎ　　Ｏｘｉｄ
ｅ）等の透明導電膜２が設けられる。

成分とする組成物より成る配向制御膜３が形成される。

オルガ洟シラン化合物としては、一般式ＲｎＳ　ｉ　Ｘ
　４−　ｎで表わされるものが好ましい。一般式中のｎ
は１，２．３であり、Ｘは例えばｍ素原子、臭素原子な
どのハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
ブトキシなどのアルコキシ基又はアセトキシなどのアシ
ロキシ基、その他の加水分解性官能基である。式中、Ｒ
はメチル、エチル、プロピル、ブチルなどの飽和の、又
はビニル、アルケニルなどの不飽和の脂肪族炭化水素基
、又はフェニル、ナフチルなどの芳香族炭化水素基で、
これらの炭化水素基にはビニル、アルケニルなどの不飽
和基、ヒドロキシ基、カルボニル基、ハロゲン原子、ア
ミノ基、その他の官能性有機基で置換されてもよい。

旦体的な化合物例を下記に列挙する。

化合物例 （２）　ＣＨ２＝　Ｃ−Ｃｏ　（ＣＨ２）　３ｓｔ　（
ＯＣＨ３）　３　ＩＩ ＯＨ３０ （３）　Ｈ２Ｎ　（ＣＨ２）　２ＮＨ（ＯＨ２）　３ｓ
ｉ　（ＯＣＨ３）　３（４）　ＣＨ３−ＮＨ（Ｃ）（２
）　３Ｓｉ　（ＯＣＨ３）　３（５）　ＣＨ２＝　ＣＨ
３１Ｃ交３ （６）　ＣＨ２＝　ＣＨ３１（ＯＣ２Ｈ５）３（７）　
ＣＨ２＝　ＣＨ３１（ＯＣ２Ｈ４０ＣＨ３）３（８）　
Ｈ２Ｎ　（ＣＨ２）　２ＮＨ（ＣＨ２）　３ｓｉ　（Ｏ
ＣＨ３）　３冨 ＯＨ３ （９）０文（ＣＨ２）　３’Ｓ　ｉ　（ＯＣＨ３）　３
（１０）　Ｈ３（ＣＨ２）　３ｓｉ　（ＯＣＨ３）　３
（１１）　Ｈ２Ｎ　（ＣＨ２）　３Ｓ　１（ＯＣ２Ｈ５
）　３有機樹脂としては、各種のものを用いることがで
きるが、特にポリエステル樹脂、インシアネート樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステルイミド
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂及びポリビ
ニルアルコール樹脂などからなる樹脂類より選択したも
のを用いることができる。

ポリエステル樹脂とは線状飽和ポリエステルであり、テ
レフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸、セバシン酸、
無水トリメツ）Ｍなどの飽和多価カルボン酸とエチレン
グリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリ
コールなどの飽和多価アルコール及びスチレンモノマー
、メタクリル酸メチル、ジアリルフタレートなどの七ツ
マ−に種々の触媒や促進剤によって合成された飽和ポリ
エステル又はその共重合体で、特にテレフタル酸を主体
とし、融点Ｔｍが６００くＴｍく１５０℃であることが
配向制御膜形成上、耐熱性、反応性の点から好ましい。

イソシアネート樹脂とは樹脂中にイソシアネート基（−
ＮＧＯ）含有化合物を単独あるいはヒドロキシル基（−
ＯＨ）、アミ７基（−ＮＨ２）、　カルボキシル（−Ｃ
ｏｏｌ（）を含むイソシアネートと反応しやすい物質と
混合されたものを指し、インシアネート基の高い極性と
反応性が特徴となっている。例としてトリフェニルメタ
ントリイソシアネート（商品名Ｄｅｓｍｏｄｕｒ　　Ｒ
）、ｌ−リス（４−フェニルイソシアネーｉ・）チオフ
ォスフェート（商品名　Ｄｅｓｍｏｄｕｒ　　ＲＦ）、
ＴＤに重体（商品名　Ｄｅｓｍｏｄｕｒ　　ＴＴ）、Ｔ
ＤＩ三重体（商品名　ＤｅｓｍｏｄｕｒＩＬ）、２，４
．４’−ジフェニルエーテルトリイソシアネート（商品
名　）１ｙｌｏｎ　　ＤＭ）、ＭＤＩ（商品名　Ｃｏｒ
ｏｎａｔｅ　　ＡＰ）、他にポリイソシアネートとじて
ＴＤＩとトリメチロールプロパンとの反応生成物（商品
名Ｃｏｒｏｎａｔｅ　　Ｌ）などが挙げられ、ｈ性や取
扱いの容易性、貯蔵安定性及び配向制御膜形成時の反応
性の点からポリイソシアネートが好ましい。

ポリアミド樹脂は、一般にナイロンで称ぶれているもの
で、その原料としては、例えばナイロン６の原料である
カプロラクタム、ないし６−アミノカプロン酸、ナイロ
ン６６、ナイロン６１０の原料であるヘキサメチレンジ
アミンとアジピン酸、セバシン酸などのジカルボン酸、
ナイロン１１の原料である１１−アミノウンデカン酸、
ナイロン１２の原料であるＷ−ラウロラクタムなどが挙
げられ、さらに、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メ
タン、メタキシクレンジアミン、もしくはこの水素化物
、ピペラジン、２．５−ジメチルピペラジン、トリメチ
ルへキサメチレンジアミンなどのジアミンも挙げられる
。特に、ナイロン６／６６、ナイロン６／ことから好ま
しいものである。

エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ、４．
４′−ジヒドロキシビフェニル、２゜２′−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）メタンやトリヒドロキシジフェニ
ルジメチルメタンなどの多価フェノールとエピハロヒド
リン（エピクロルヒドリン）やエピハロヒドリンへ誘導
されイ１↓る化合物（ジクロロヒドリンの如きジハロヒ
ドリン）とを塩基性あるいは耐性触媒下で反応させ、脱
ハロゲン化反応によりイ！）ることかできる。その他に
、例えば、「エポキシ樹脂」　（合成樹脂工業技術９、
漬野繁夫著、誠文堂新光社発行）や「エポキシ樹脂の製
造と応用」　（垣内弘偏、高分子化学刊行会発行）に記
載されたエポキシ樹脂を用いることができる。

本発明で用いるポリイミド、ポリエステルイミドとポリ
アミドイミドは、その前駆体であるポリアミド酸を溶媒
に溶解し、基板」−に塗布した後に加熱処理により脱水
閉環して得られる。

ポリアミドイミドの前駆体であるポリアミド酸は過剰の
ジアミンから得られるポリゴジミンとジカルボン酸の無
水物との縮合により合成される。ポリエステルイミドの
前駆体であるボリアミド酸はエステル基を有するジカル
ボン酸無水物とジアミンとの縮合により合成される。こ
のエステル基を有するジカルボン酸無水物はトリメリッ
ト酸とジオールから得られる。又、ポリイミドの前駆体
であるポリアミド酸は、ジカルボン酸無水物とジアミン
の縮合によって得られる。これらの代表的なジカルボン
酸無水物及びジアミンとしては、例えば米国特許第３１
７９６３４号公報に記載されたものを用いることができ
る。具体的には、ジアミンとしてはｍ又はｐ−フェニレ
ンジアミン、ｍ又はｐ−＋シレンジアミン、４．４′−
ジアミノジフェニルエーテルや４，４′−ジアミンジフ
ェニルメタンが挙げられ、又ジオールとしてはヒドロキ
ノン、ビスフェノールＡ、ジクロルビスフェノールＡ、
テトラクロロビスフェノールＡが挙げられる。ジカルボ
ン酸無水物としては、ピロメリット酸無水物、２，３，
６．７−ナフタレンテトラかレボン酸無水物などが使用
される。

オルガノシランと有機樹脂を含有する塗布液を用いて配
向制御膜３を形成する際、その塗布液中のオルガノシラ
ンと有機樹脂の濃度が低すぎては配向性能が充分得られ
ず、又高すぎた場合では成膜のうねり、屈折率から来る
反射光の干渉色及び透明導電膜」−の抵抗値の増大が生
ずるため１〜１０ｗｔ％が好ましい。

塗布液を作成する当って、使用する溶媒としてはメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタソー
ルなどのアルコール系溶奴、アセトン、メチルエチルケ
トンなどのアセトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンなどの環式エーテル類や酢酸メチル、酢酸エチルなど
のエステル類が挙げられる。

これらの塗布液は、基板、特にプラスチック基板の上に
スピンナー塗布法やスクリーン印刷法により塗布した後
、６０°Ｃ〜１５０°Ｃで加熱して膜とすることができ
る。

膜形成後、綿布等で２０〜２００ｇ／ｃｒｎ’、好まし
くはｌ　ＯＯｇ　／　ｃ　ｍ’付近の静圧下でラビソゲ
することで配向制御膜とし、ノ、（板間に液晶物質を充
填することにより液晶表示パネルが得られる。

この配向制御膜３の一般的な膜厚は、１００人〜ｌｐＬ
、好ましくは５００人〜２０００人とすることがてきる
。

本発明の液晶表示パネルの配向制御膜成形は浸漬法や吹
き付は法などで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング（現象エツチング、パクリ）工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチックフィルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。

又、スペーサ部材５は、感光性樹脂、例えば感光性ポリ
イミドの被膜を形成した後、所定のホトエツチングによ
り得られる。

本発明で用いるスメクテイツク液晶としては、強誘電性
を示すものが好ましく、例えばＳｍＣ＊　、ＳｍＨ＊、
ＳｍＦ＊、ＳｍＦ木やＳ　ｍ　Ｇ　＊などのカイラルス
メクティック相を有する液晶組成物を用いることができ
る。

本発明の液晶素子に用いるカイラルスメクテイツク相を
示す液晶を下記に示す。

一メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）−クロ
ルプロビルシンナメー）　（ＨＯＢＡＣＰＣ）７０℃　
ｓｍＨ＊　　７５°Ｃ （７）　　ＣＨ３ ＣＨ３０ 区 −ＣＯＯＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５ ＊ Ｈ １′ｊ これらの液晶は、単独又は２種以］−を混合してもよく
、あるいは他のスメクテイック液晶やコレステリック（
カイラルネマチック）液晶と７Ｌこ合してもよい。

第２図は１強誘電性液晶の動作説明の為に。

セルの例を模式的に描いたものである。１１と、１１’
は、Ｉ　ｎ２０３．５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ　　Ｔｉｎ　　Ｏｘ　ｉ　ｄｅ）等の薄膜からなる
透明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層１２がガラス面に垂直になるよう配向した
ＳｍＣ＊。

＊　　　　　　　　＊ ＳｍＨ、ＳｍＦ　　、ＳｍＩ＊ＳｍＧ＊などのカイラル
スメクティック相の液晶が封入されている。太線で示し
た線１３が液晶分子を表わしており、この液晶分子１３
はその分子に直交した方向に双極イモ−メン）　（Ｐ土
）１４を有している。ノ、（板１１とｌｌ′」二の電極
間に一定の閾イ１６以」−の電圧を印加する゛と、液晶
分子１３のらせん構造がほどけ、双極子モーメン）　（
Ｐ工）１４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子１３
は配向方向を変えることができる。液晶分子１３は、細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例工ばガラス面の上下に互いに
クロスニフルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。

本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１ＯｐＬ以下）することが
できる。このように液晶層が薄くなることにしたがい、
第３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶
分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その
双極子モーメン）ＰまたはＰ′は上向き（２４）又は下
向き（２４’）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに、第３図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電
界Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２１と２１′により付与す
ると、双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電界ベク
トルに対応して上向き２４又は下向き２４′と向きを変
え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態２３かあ
るいは第２の安定状態２３′の何れか一方に配向する。

このような強誘電性を液晶素子として用いることの利点
は、先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向するが
、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの
電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態２３
′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を
切ってもこの状態に留っている。

又、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセルと
しては出来るだけ薄い方が好ましい。

この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに当た
って最も問題となるのは、先にも述＊　　　　　　　　
＊ べたように、ＳｍＣ、ＳｍＨ、ＳｍＦ＊。

木　　　　　　　　木 ＳｍＩ　　、ＳｍＧ　　　などのカイラルスメクティッ
ク相を有する層が基板面に対して垂直に配列し目、つ液
晶分子が基板面に略平行に配向した、モノドメイン性の
高いセルを形成することが困難なことであり、この点に
解決を与えることが本発明の主要な目的である。

第４図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の液晶素子の一実施例を
示している。第４図（Ａ）は、本発明の液晶素子の平面
図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。

第４図で示すセル構造体１００は、一対のガラス板やプ
ラスチック板基板１０１と１０１′（片側のみをプラス
チック基板としてもよい）をスペーサ１０４で所定の間
隔に保持され、この一対の基板をシーリングするために
接着剤１０６で接着したセル構造を有しており、さらに
基板１０１の」二には複数の透明電極１０２からなる電
極群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電圧印
加用電極群）が例えば帯状パターンなどの所定パターン
で形成されている。

基板１０１’の」二には前述の透明電極１０２と交差さ
せた複数の透明電極１０２′からなる電極群（例えば、
マＩ・リフスミ極構造のうちの信号電圧印加用電極群）
が形成されている。

この基板１０１と１０１′の−にに１±、それぞれ前述
のオルガノシラン化合物と有機樹脂を含有する塗布液か
ら形成した配向制御膜１０５が設けられている。

第４図に示すセル構造体１００の中の液晶層零　　　　
　　　＊ １０３は、ＳｍＣ、ＳｍＨ、ＳｍＦ木。

ＳｍＩ　　、ＳｍＧ＊などのカイラルスメクティ＊ ツク相とすることができる。

第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わしてい
る。第５図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
ｌＯ１と１０１′の間に複数のスペーサ部材２０１が配
置されている。

このスペーサ部材２０１は、例えば配向制御膜１０５が
設けられていない基板１０１′の」−にＳｉＯ，５ｉ０
２．Ａ文２０３．ＴｉＯ２などの無機化合物あるいはポ
リビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩
化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン
、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリ
ル樹脂やフォトレジスト樹脂などの樹脂類を適当な方法
で被膜形成した後に、所定の位置にスペーサ部材２０３
が配置される様にエツチングすることによって得ること
ができる。

この様なセル構造体１００は、基板１０１と１０１′の
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子１０７と１０８がそれぞれ配置されて、電極１
０２と１０２’の間に電圧を印加した時に光学変調を生
じることになる。

以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発
明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定され
るものではない。

実施例１ ｌ１００ｐのポリエチレンテレフタレートフィルムに酸
化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパッタ
装置でフィルム表面温度を１２０°Ｃ以下に抑えて形成
したプラスチック基板に、以下の組成の溶液（溶液組成
（１））を塗布し、１２０’０３０分乾燥して薄膜を形
成した。

溶」Ｌ紅嘩：℃」） Ｈ２Ｎ　　（ＣＨ２）　　２ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ　　
（ＯＣＨ３）３　　　　　　　　　１ｇポリエステル樹
脂（東洋紡；バイロン３０ｐ）０．５ｇ テトラヒドロフラン　　　　　　　　１０ｍ文メチルエ
チルケトン　　　　　　　　９０ｍｕイソプロピルアル
コール　　　　　　３０ｍ１次に、１００　ｇ　／　ｃ
　ｍ’の抑圧下で一方向にうピングし、このラビングし
た一対のプラスチック基板を上下のラビング方向が平行
となる様に重ね合せ、注入口となる個所を除いたその周
辺をシーリングした。この時の一対のプラスチック基板
の間隔は、ｌＩＬであった。

次にＰ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチルシンナメー）　（ＤＯＢＡＭＢＣ）１００
重量部に対して、コレステリルノナネートを５重量部加
えて液晶組成物を調整した。

この液晶組成物を加熱して等吉相とし、」−記で作製し
てセル内に減圧下で注入口から注入し、その注入口を封
口した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を約７
０℃で維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル状
態で設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメインの
非らせん構造のＳｍＣ＊が形成させている事が確認でき
た。

実施例２〜５ 実施例１で用いた下記に示す溶液組成（２）〜（５）の
塗布液を用いたほかは、実施例１と同様の方法で液晶素
子を作成した。

乳疲１誠 ２（実施例２） Ｈ２Ｎ　（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−−３　ｉ　　
（ＯＣＨ３）　３　　　　　　　　　１　ｇインシアネ
ート樹脂　　　　　　　　０．５ｇ（日本ポリウレタン
、コロネールＬ）（固形分）テトラヒドロフラン　　　
　　　　　１０ｍＭメチルエチルケトン　　　　　　　
　９０ｍ文酢酸エチル　　　　　　　　　　　　　７ｍ
文イソプロピルアルコール　　　　　　３０＋ｎＪ１３
（実施例３） Ｈ２Ｎ　（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−−３ｉ　　（
ＯＣＨ３）３　　　　　　　　　１ｇポリアミド樹脂　
　　　　　　　　　０．．５ｇ（東し、ＣＭ４０００） イソプロピルアルコール　　　　　　９０　ｍ　！１メ
チルエチルケトン　　　　　　　　９０ｍ文４（実施例
４） Ｈ２Ｎ　（ＣＨ２）２ＮＨ２（ＣＨ２）３＝−Ｓ　ｉ　
（ＯＣＨ３）３　　　　　　　　　１　ｇエポキシ樹脂
　　　　　　　　　　　０．５ｇ（′シェル化学、エピ
コート８３６） テトラヒドロフラン　　　　　　　　１０ｍ文メチルエ
チルケトン　　　　　　　　９０ｍ０ｍ文イソプロピル
アルコール　　　　３０＋ｎＪ１５（実施例５） Ｈ２Ｎ　（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−−Ｓ　ｉ　　
（ＯＣＨ３）　３　　　　　　　　　１　ｇポリビニル
アルコール樹脂　　　　　０・５ｇイソプロピルアルコ
ール　　　　　　８０ｍＡテトラヒドロフラン　　　　
　　　　５０ｍ文メチルエチルケトン　　　　　　　　
３０ｍ文これらの液晶セルについて実施例１と同様の方
法で測定したところ、同様に均一なモノドメインの非ら
せん構造が観察された。

実施例６〜ｌＯ 実施例１で用いたオルガノシラン化合物に代えて、 ＣＨ３ＮＨ（ＣＨ２）　　３ｓｉ　　（ＯＣＨ３）３（
実施例６）、 Ｃ立（ＣＨ２）３　Ｓ　ｔ　（ＯＣＨ３）３（実施例７
）、 Ｈ３（ＣＨ２）３　Ｓ　ｉ　（ＯＣＨ３）３（実施例８
）、 Ｈ２Ｎ　（ＣＨ２）　３ｓｉ　（ＯＣ２Ｈ５）３（実施
例９） を用いたほかは、実施例１と同様の方法でと 液晶素子を作成したさころ、非らせん構造のＳｍＣ＊が
形成されていた。

実施例１１ ピッチ１１００ＩＬで＠　６２．５　ｐ、　ｍのストラ
イプ状のＩＴＯ膜を電極として設けたガラス板の」；に
下記溶液組成（６）の塗布液をスピンナー塗布した。

溶液組成（６） Ｈ２Ｎ　（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−−３　ｉ　　
（ＯＣＨ３）　３　　　　　　　　　１　ｇポリイミド
の前駆体であるピロメリットＭ無水物と４．４′−ジア
ミノジフェニルエーテルとの縮合生成物（ポリアミドＭ
）　　　　　　０．５ｇ（固形分） イソプロピルアール　　　　　　　　５０ｍリエタノー
ル　　　　　　　　　　　　　５０ｍ立この溶液組成（
６）を塗布したガラス板を２３０°Ｃで約１時間の加熱
による脱水閉環反応によりポリイミド膜を形成した。

次に、１００　ｇ　／　ｃ　ｍ’の抑圧下で一方向にラ
ビングし、このラビングした一対のガラス板を上下のラ
ビング方向が平行となる様に重ね合せ、注入口となる個
所を除いたその周辺をシーリングした。この時の一対の
ガラス基板の間隔は、１にであった。次いで、実施例１
と同様の方法で液晶セルを作成し、観察したところ、モ
ノドメイの非らせん構造のＳｍＣ＊が形成されていた。

実施例１２〜１３ 実施例１１で用いたポリイミドの前駆体である縮合生成
物に代えて、ポリエステルイミドの前駆体であるトリメ
リッＩ−酸とヒドロキノンとからＴ”Ｊた芳香族ジカル
ボン酸無水物と４．４’−ジアミノジフェニルエーテル
との縮合生成物（ポリアミド酎）（実施例１２）、ポリ
アミドイミドの前駆体であるＮ、Ｎ′−ビス（３−アミ
ノフェニル）イソフタルアミドとピロメリット酸無水物
との縮合生成物（ポリアミド醇）（実施例１３）を用い
たほかは実施例１１と同様の方法で液晶セルを作成し、
観察したところ、同様の結果が得られた。

実施例１４ 実施例１１で用いたオルガノシラン化合物に代えて、Ｃ
Ｈ３ＮＨ（ＣＨ２）　３Ｓ　ｉ　（ＯＣＨ３）３を用い
たほかは、実施例１１と同様の方法で液晶素子を作成し
たところ、非らせん構造のＳ　ｍ　Ｃ木が形成されてい
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の液晶素子の一実施例を表わす断面図
である。 第２図および第３図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図であ
る。第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わす
断面図である。 １　；　プラスチック基板 ２　；　透明導電膜の電極 ３　；　配向制御膜 ４　；　シール部材 ５　；　スペーサ部材 ６　；　スメクテイツク液晶 １００　　、　　セル構造体 ｉｏｉ、ｔｏｔ’　　、　　基板 １０２．１０２’　　；　　電極 １０３　；　液晶層 １０４．２０１　　；　　スペーサ部材１０５　；　配
向制御膜 １０６　　、　　接着剤（シール部材）１０７．１０８
　　、　　偏光子 １０９　；　発熱体

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極を設けた一対の基板の間にスメクテイツク液
   晶を封入したセル構造を有する液晶素子において、前記
   一対の基板のうち少なくとも一方の基板がオルガノシラ
   ン化合物と有機樹脂を含有する組成物から形成した配向
   制御膜を有することを特徴とする液晶素子。
2. （２）前記スメクテイツク液晶が強誘電性液晶である特
   許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
3. （３）前記強誘電性液晶がカイラルスメクテイツク液晶
   である特許請求の範囲第２項記載の液晶素子。
4. （４）前記カイラルスメクテイツク液晶が非らせん構造
   の相を形成している特許請求の範囲第３項記載の液晶素
   子。
5. （５）前記カイラルスメクテイツク液晶がＣ相、Ｈ相、
   Ｉ相、Ｆ相又はＧ相である特許請求の範囲第３項又は第
   ４項記載の液晶素子。
6. （６）前記有機樹脂がポリエステル樹脂、イソシアネー
   ト樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステ
   ルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂及
   びポリビニルアルコール樹脂からなる樹脂類から少なく
   とも１種を選択した樹脂である特許請求の範囲第１項記
   載の液晶素子。
7. （７）前記一対の基板のうち、少なくとも一方の基板が
   プラスチック基板である特許請求の範囲第１項記載の液
   晶素子。