JPH067235B2 - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPH067235B2 JPH067235B2 JP59184870A JP18487084A JPH067235B2 JP H067235 B2 JPH067235 B2 JP H067235B2 JP 59184870 A JP59184870 A JP 59184870A JP 18487084 A JP18487084 A JP 18487084A JP H067235 B2 JPH067235 B2 JP H067235B2
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- liquid crystal
- resin
- resins
- crystal device
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツタ等で用いる
液相素子、特にプラスチツク基板を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくは液晶分子の初期配向状態を改善するこ
とにより、表示並びに駆動特性を改善した液晶素子に関
するものである。
液相素子、特にプラスチツク基板を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくは液晶分子の初期配向状態を改善するこ
とにより、表示並びに駆動特性を改善した液晶素子に関
するものである。
これまでの液晶素子は、主にM.SchadtとW.Heltrich著
“Applied Physics Letters”Vol.18,No.4(1971.2.15),
P.127〜128の"Voltage-Dependent Optical Activity of
a Twisted Nematie Liquid Crystal”に記載されてい
る様なTN(Twsted Nematic)方式が採用されており、この
ＴＮ方式の配向制御を効率的に保障する方法としてネマ
チツク液晶の接する基板界面を斜方蒸着によって形成し
たSiO又はSiO2や一方にラビング処理した有機樹脂、例
えばポリイミド、ポリアミドで形成する方法が知られて
いる。
“Applied Physics Letters”Vol.18,No.4(1971.2.15),
P.127〜128の"Voltage-Dependent Optical Activity of
a Twisted Nematie Liquid Crystal”に記載されてい
る様なTN(Twsted Nematic)方式が採用されており、この
ＴＮ方式の配向制御を効率的に保障する方法としてネマ
チツク液晶の接する基板界面を斜方蒸着によって形成し
たSiO又はSiO2や一方にラビング処理した有機樹脂、例
えばポリイミド、ポリアミドで形成する方法が知られて
いる。
このＴＮ方式を用いた表示パネルは、ＴＮ方式自体に高
速応答性とメモリー効果を持っていないため、高密度画
素の表示パネルを設計する上で、例えば薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）をアレイ状に配置したアクテイブマトリク
ス基板を必要としている。しかし、この様なＴＮ液晶を
用いたアクテイブマトリクス駆動方式の表示パネルで
は、使用するＴＦＴが複雑な構造を有しているため、製
造工程数が多く、高い製造コストがネツクとなっている
上に、ＴＦＴを構成している薄膜半導体（例えば、ポリ
シリコン、アモルフアスシリコン）を広い面積に亘って
被膜形成することが難しいなどの問題点がある。
速応答性とメモリー効果を持っていないため、高密度画
素の表示パネルを設計する上で、例えば薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）をアレイ状に配置したアクテイブマトリク
ス基板を必要としている。しかし、この様なＴＮ液晶を
用いたアクテイブマトリクス駆動方式の表示パネルで
は、使用するＴＦＴが複雑な構造を有しているため、製
造工程数が多く、高い製造コストがネツクとなっている
上に、ＴＦＴを構成している薄膜半導体（例えば、ポリ
シリコン、アモルフアスシリコン）を広い面積に亘って
被膜形成することが難しいなどの問題点がある。
これらの問題点を解決するものとして、Ｎ．Ａ．Ｃｌａ
ｒｋとＳ．Ｔ．Lagerwallの米国特許第４３６７９２４
号明細書で提案されている強誘電性液晶素子が知られて
いる。
ｒｋとＳ．Ｔ．Lagerwallの米国特許第４３６７９２４
号明細書で提案されている強誘電性液晶素子が知られて
いる。
しかし、強誘電性液晶はカイラルスメクテイツク相でそ
の挙動を現わすが、一般にスメクテイツク相の液晶はマ
ネチツク相の液晶に較べ配向制御性や配向安定性が悪い
欠点がある。本発明者らの実験では、従来のＴＮ方式て
知られている様な配向制御法をスメクテイツク相の形成
に単に転用するだけでは、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できないが、下述する特
定の配向制御膜を用いることによって、均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できることが判明した。
の挙動を現わすが、一般にスメクテイツク相の液晶はマ
ネチツク相の液晶に較べ配向制御性や配向安定性が悪い
欠点がある。本発明者らの実験では、従来のＴＮ方式て
知られている様な配向制御法をスメクテイツク相の形成
に単に転用するだけでは、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できないが、下述する特
定の配向制御膜を用いることによって、均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できることが判明した。
従って、本発明の目的は、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相、特に強誘電性を示すカイラル
スメクテイツクＣ相(SmC*)，Ｈ相(SmH*)，Ｉ相(SmI*)，
Ｆ相(SmF*)やＧ相(SmG*)を示す液晶を形成する配向制御
膜を提供することにある。
インのスメクテイツク相、特に強誘電性を示すカイラル
スメクテイツクＣ相(SmC*)，Ｈ相(SmH*)，Ｉ相(SmI*)，
Ｆ相(SmF*)やＧ相(SmG*)を示す液晶を形成する配向制御
膜を提供することにある。
又、本発明の別の目的は、プラスチツク基板を用いたス
メクテイツク液晶素子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。
メクテイツク液晶素子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。
本発明のかかる目的は、電極を設けた一対の基板の間に
スメクテイツク液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が前記オルガノシラン化合物と有機樹脂を含有する組
成物から形成した配向制御膜を有する液晶素子によって
達成される。
スメクテイツク液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が前記オルガノシラン化合物と有機樹脂を含有する組
成物から形成した配向制御膜を有する液晶素子によって
達成される。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明による液晶素子の一実施態様を示すもの
で、図中、１はプラスチツク基板、２は該基板上に設け
られた透明導電膜より成る電極、３は配向制御膜、４は
シール部材、５はスペーサ部材、６はスメクテイツク液
晶物質を示す。プラスチツク基板１としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポ
リエーテルスルフオン、ポリカーボネート、三酢酸セル
ローズ、ポリオールやポリエーテルサルホンなどのプラ
スチツクが使用され、これらに蒸着、低温スパツタ、Ｃ
ＶＤ、などの公知の手段により酸化スズ、酸化インジウ
ムやＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜２が設
けられる。
で、図中、１はプラスチツク基板、２は該基板上に設け
られた透明導電膜より成る電極、３は配向制御膜、４は
シール部材、５はスペーサ部材、６はスメクテイツク液
晶物質を示す。プラスチツク基板１としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポ
リエーテルスルフオン、ポリカーボネート、三酢酸セル
ローズ、ポリオールやポリエーテルサルホンなどのプラ
スチツクが使用され、これらに蒸着、低温スパツタ、Ｃ
ＶＤ、などの公知の手段により酸化スズ、酸化インジウ
ムやＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜２が設
けられる。
本発明では上記透明電極３を形成したプラスチツク基板
１上にオルガノシラン化合物を主成分とする組成物より
成る配向制御膜３が形成される。
１上にオルガノシラン化合物を主成分とする組成物より
成る配向制御膜３が形成される。
オルガノシラン化合物としては、一般式ＲｎＳｉＸ４−
ｎで表わされるものが好ましい。一般式中のｎは１，
２，３であり、Ｘは例えば塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シなどのアルコキシ基又はストキシなどのアシロキシ
基、その他の加水分解性官能基である。式中、Ｒはメチ
ル，エチル，プロピル，ブチルなどの飽和の、又はビニ
ル、アルケニルなどの不飽和の脂肪族炭化水素基、又は
フエニル、ナフチルなどの芳香族炭化水素基で、これら
の炭化水素基にはビニル，アルケニルなどの不飽和基、
ヒドロキシ基、カルボニル基、ハロゲン原子、アミノ
基、その他の官能性有機基で置換されてもよい。
ｎで表わされるものが好ましい。一般式中のｎは１，
２，３であり、Ｘは例えば塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シなどのアルコキシ基又はストキシなどのアシロキシ
基、その他の加水分解性官能基である。式中、Ｒはメチ
ル，エチル，プロピル，ブチルなどの飽和の、又はビニ
ル、アルケニルなどの不飽和の脂肪族炭化水素基、又は
フエニル、ナフチルなどの芳香族炭化水素基で、これら
の炭化水素基にはビニル，アルケニルなどの不飽和基、
ヒドロキシ基、カルボニル基、ハロゲン原子、アミノ
基、その他の官能性有機基で置換されてもよい。
具体的な化合物例を下記に列挙する。
化合物例 (3) H2N(CH2)2NH(OH2)3Si(OCH3)3 (4) ＣＨ３−ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ (5) ＣＨ２＝ＣＨＳｉＣｌ３ (6) ＣＨ２＝ＣＨＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）３ (7) ＣＨ２＝ＣＨＳｉ（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３ (9) Ｃｌ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ (10) ＨＳ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ (11) Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３ 有機樹脂としては、各種のものを用いることができる
が、特にポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂及びポリビニ
ルアルコール樹脂などからなる樹脂類より選択したもの
を用いることができる。
が、特にポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂及びポリビニ
ルアルコール樹脂などからなる樹脂類より選択したもの
を用いることができる。
ポリエステル樹脂とは線状飽和ポリエステルであり、テ
レフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸、セバシン酸、
無水トリメツト酸などの飽和多価カルボン酸とエチレン
グリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリ
コールなどの飽和多価アルコール及びスチレンモノマ
ー、メタクリル酸メチル、ジアリルフタレートなどのモ
ノマーに種々の触媒や促進剤によって合成された飽和ポ
リエステル又はその共重合体で、特にテレフタル酸を主
体とし、融点Ｔｍが６０°＜Ｔｍ＜１５０℃であること
が配向制御膜形成上、耐熱性、反応性の点から好まし
い。
レフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸、セバシン酸、
無水トリメツト酸などの飽和多価カルボン酸とエチレン
グリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリ
コールなどの飽和多価アルコール及びスチレンモノマ
ー、メタクリル酸メチル、ジアリルフタレートなどのモ
ノマーに種々の触媒や促進剤によって合成された飽和ポ
リエステル又はその共重合体で、特にテレフタル酸を主
体とし、融点Ｔｍが６０°＜Ｔｍ＜１５０℃であること
が配向制御膜形成上、耐熱性、反応性の点から好まし
い。
イソシアネート樹脂とは樹脂中にイソシアネート基（−
ＮＣＯ）含有化合物を単独あるいはヒドロキシル基（−
ＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）、カルボキシル（−ＣＯ
ＯＨ）を含イソシアネートと反応しやすい物質と混合さ
れたものを指し、イソシアネート基の高い極性と反応性
が特徴となっている。例としてトリフェニルメタントリ
イソシアネート（商品名Ｄｅｓｍｏｄｕｒ Ｒ）、トリ
ス（４−フエニルイソシアネート）チオフオスフエート
（商品名 Ｄｅｓｍｏｄｕｒ ＲＦ）、ＴＤＩ二重体
（商品名 Ｄｅｓｍｏｄｕｒ ＴＴ）、ＴＤＩ三重体
（商品名 Ｄｅｓｍｏｄｕｒ ＩＬ）、２，４，４′−
ジフエニルエーテルトリイソシアネート（商品名 Ｈｙ
ｌｏｎ ＤＭ）、ＭＤＩ（商品名 Ｃｏｒｏｎａｔｅ
ＡＰ）、他にポリイソシアネートとしてＴＤＩとトリメ
チロールプロパンとの反応生成物（商品名 Ｃｏｒｏｎ
ａｔｅ Ｌ）などが挙げられ、毒性の取扱いの容易性、
貯蔵安定性及び配向制御膜形成時の反応性の点からポリ
シソシアネートが好ましい。
ＮＣＯ）含有化合物を単独あるいはヒドロキシル基（−
ＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）、カルボキシル（−ＣＯ
ＯＨ）を含イソシアネートと反応しやすい物質と混合さ
れたものを指し、イソシアネート基の高い極性と反応性
が特徴となっている。例としてトリフェニルメタントリ
イソシアネート（商品名Ｄｅｓｍｏｄｕｒ Ｒ）、トリ
ス（４−フエニルイソシアネート）チオフオスフエート
（商品名 Ｄｅｓｍｏｄｕｒ ＲＦ）、ＴＤＩ二重体
（商品名 Ｄｅｓｍｏｄｕｒ ＴＴ）、ＴＤＩ三重体
（商品名 Ｄｅｓｍｏｄｕｒ ＩＬ）、２，４，４′−
ジフエニルエーテルトリイソシアネート（商品名 Ｈｙ
ｌｏｎ ＤＭ）、ＭＤＩ（商品名 Ｃｏｒｏｎａｔｅ
ＡＰ）、他にポリイソシアネートとしてＴＤＩとトリメ
チロールプロパンとの反応生成物（商品名 Ｃｏｒｏｎ
ａｔｅ Ｌ）などが挙げられ、毒性の取扱いの容易性、
貯蔵安定性及び配向制御膜形成時の反応性の点からポリ
シソシアネートが好ましい。
ポリアミド樹脂は、一般にナイロンで称されているもの
で、その原料としては、例えばナイロン６の原料である
カプロラクタム、ないし６−アミノカプロン酸、ナイロ
ン６６、ナイロン６１０の原料であるヘキサメチレンジ
アミンとアジピン酸、セバシン酸などのジカルボン酸、
ナイロン１１の原料である１１−アミノウンデカン酸、
ナイロン１２の原料であるＷ−ラウロラクタムなどが挙
げられ、さらに、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メ
タン、メタキシクレンジアミン、もしくはこの水素化
物、ピペラジン、２．５−ジメチルピペラジン、トリメ
チルヘキサメチレンジアミンなどのジアミンが挙げられ
る。特に、ナイロン６／６６，ナイロン６／６６／６１
０，ナイロン６／６６／６１０／１２などの共重合体や
ナイロン１２はアルコール可溶性であることから好まし
いものである。
で、その原料としては、例えばナイロン６の原料である
カプロラクタム、ないし６−アミノカプロン酸、ナイロ
ン６６、ナイロン６１０の原料であるヘキサメチレンジ
アミンとアジピン酸、セバシン酸などのジカルボン酸、
ナイロン１１の原料である１１−アミノウンデカン酸、
ナイロン１２の原料であるＷ−ラウロラクタムなどが挙
げられ、さらに、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メ
タン、メタキシクレンジアミン、もしくはこの水素化
物、ピペラジン、２．５−ジメチルピペラジン、トリメ
チルヘキサメチレンジアミンなどのジアミンが挙げられ
る。特に、ナイロン６／６６，ナイロン６／６６／６１
０，ナイロン６／６６／６１０／１２などの共重合体や
ナイロン１２はアルコール可溶性であることから好まし
いものである。
エポキシ樹脂としては、例えばビスフエノールＡ、４，
４′−ジヒドロキシビフエニル、２，２′−ビス（４−
ヒドロキシフエニル）メタンやトリヒドロキシジフエニ
ルジメチルメタンなどの多価フエノールとエピハロヒド
リン（エピクロルヒドリン）やエピハロヒドリンへ誘導
され得る化合物（ジクロロヒドリンの如きジヒロヒドリ
ン）とを塩基性あるいは酸性触媒下で反応させ、脱ハロ
ゲン化反応により得ることができる。その他に、例え
ば、「エポキシ樹脂」（合成樹脂工業技術９、清野繁夫
著、誠文堂新光社発行）や「エポキシ樹脂の製造と応
用」（垣内弘偏、高分子化学刊行会発行）に記載された
エポキシ樹脂を用いることができる。
４′−ジヒドロキシビフエニル、２，２′−ビス（４−
ヒドロキシフエニル）メタンやトリヒドロキシジフエニ
ルジメチルメタンなどの多価フエノールとエピハロヒド
リン（エピクロルヒドリン）やエピハロヒドリンへ誘導
され得る化合物（ジクロロヒドリンの如きジヒロヒドリ
ン）とを塩基性あるいは酸性触媒下で反応させ、脱ハロ
ゲン化反応により得ることができる。その他に、例え
ば、「エポキシ樹脂」（合成樹脂工業技術９、清野繁夫
著、誠文堂新光社発行）や「エポキシ樹脂の製造と応
用」（垣内弘偏、高分子化学刊行会発行）に記載された
エポキシ樹脂を用いることができる。
本発明で用いるポリイミド、ポリエステルイミドとポリ
アミドイミドは、その前駆体であるポリアミド酸を溶媒
に溶解し、基板上に塗布した後に加熱処理により脱水閉
環して得られる。ポリアミドイミドの前駆体であるポリ
アミド酸は過剰のジアミンから得られるポリゴジミンと
ジカルボン酸の無水物との縮合により合成される。ポリ
エステルイミドの前駆体であるポリアミド酸はエステル
基を有するジカルボン酸無水物とジアミンとの縮合によ
り合成される。このエステル基を有するジカルボン酸無
水物はトリメリツト酸とジオールから得られる。又、ポ
リイミドの前駆体であるポリアミド酸は、ジカルボン酸
無水物とジアミンの縮合によって得られる。これらの代
表的なジカルボン酸無水物及びジアミンとしては、例え
ば米国特許第３１７９６３４号公報に記載されたものを
用いることができる。具体的には、ジアミンとしてはｍ
又はｐ−フエニレンジアミン、ｍ又はｐ−キシレンジア
ミン、４，４′−ジアミノジフエニルエーテルや４，
４′−ジアミンジフエニルメタンが挙げられ、又ジオー
ルとしてはヒドロキノン、ビスフエノールＡ、ジクロル
ビスフエノールＡ、テトラクロロビスフエノールＡが挙
げられる。ジカルボン酸無水物としては、ピロメリツト
酸無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラかレボン
酸無水物などが使用される。
アミドイミドは、その前駆体であるポリアミド酸を溶媒
に溶解し、基板上に塗布した後に加熱処理により脱水閉
環して得られる。ポリアミドイミドの前駆体であるポリ
アミド酸は過剰のジアミンから得られるポリゴジミンと
ジカルボン酸の無水物との縮合により合成される。ポリ
エステルイミドの前駆体であるポリアミド酸はエステル
基を有するジカルボン酸無水物とジアミンとの縮合によ
り合成される。このエステル基を有するジカルボン酸無
水物はトリメリツト酸とジオールから得られる。又、ポ
リイミドの前駆体であるポリアミド酸は、ジカルボン酸
無水物とジアミンの縮合によって得られる。これらの代
表的なジカルボン酸無水物及びジアミンとしては、例え
ば米国特許第３１７９６３４号公報に記載されたものを
用いることができる。具体的には、ジアミンとしてはｍ
又はｐ−フエニレンジアミン、ｍ又はｐ−キシレンジア
ミン、４，４′−ジアミノジフエニルエーテルや４，
４′−ジアミンジフエニルメタンが挙げられ、又ジオー
ルとしてはヒドロキノン、ビスフエノールＡ、ジクロル
ビスフエノールＡ、テトラクロロビスフエノールＡが挙
げられる。ジカルボン酸無水物としては、ピロメリツト
酸無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラかレボン
酸無水物などが使用される。
オルガノシランと有機樹脂を含有する塗布液を用いて配
向制御膜３を形成する際、その塗布液中のオルガノシラ
ンと有機樹脂の濃度が低すぎては配向性能が充分得られ
ず、又高すぎた場合では成膜のうねり、屈折率から来る
反射光の干渉色及び透明導電膜上の抵抗値の増大が生ず
るため１〜１０ｗｔ％が好ましい。
向制御膜３を形成する際、その塗布液中のオルガノシラ
ンと有機樹脂の濃度が低すぎては配向性能が充分得られ
ず、又高すぎた場合では成膜のうねり、屈折率から来る
反射光の干渉色及び透明導電膜上の抵抗値の増大が生ず
るため１〜１０ｗｔ％が好ましい。
塗布液を作成する当って、使用する溶媒としてはメタノ
ール、エタノール、イソピロピルアルコール、ブタノー
ルなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケ
トンなどのアセトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンなどの環式エーテル類や酢酸メチル、酢酸エチルなど
のエステル類が挙げられる。
ール、エタノール、イソピロピルアルコール、ブタノー
ルなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケ
トンなどのアセトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンなどの環式エーテル類や酢酸メチル、酢酸エチルなど
のエステル類が挙げられる。
これらの塗布液は、基板、特にプラスチツク基板の上に
スピンナー塗布法やスクリーン印刷法により塗布した
後、６０℃〜１５０℃で加熱して膜とすることができ
る。
スピンナー塗布法やスクリーン印刷法により塗布した
後、６０℃〜１５０℃で加熱して膜とすることができ
る。
膜形成後、綿布等で２０〜２００ｇ／ｃｍ2、好ましく
は１００ｇ／ｃｍ2付近の静圧下でラビングすることで
配向制御膜とし、基板間に液晶物質を充填することによ
り液晶表示パネルが得られる。
は１００ｇ／ｃｍ2付近の静圧下でラビングすることで
配向制御膜とし、基板間に液晶物質を充填することによ
り液晶表示パネルが得られる。
この配向制御膜３の一般的な膜厚は、１００Å〜１μ、
好ましくは５００Å〜２０００Åとすることがてきる。
好ましくは５００Å〜２０００Åとすることがてきる。
本発明の液晶表示パネルの配向制御膜成形は浸漬法や吹
き付け法などで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング（現象エツチング、ハクリ）工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチツクフイルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。
き付け法などで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング（現象エツチング、ハクリ）工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチツクフイルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。
又、スペーサ部材５は、感光性樹脂、例えば感光性ポリ
イミドの被膜を形成した後、所定のホトエツチングによ
り得られる。
イミドの被膜を形成した後、所定のホトエツチングによ
り得られる。
本発明で用いるスメクテイツク液晶としては、強誘電性
を示すものが好ましく、例えばＳｍＣ＊、ＳｍＨ＊、Ｓ
ｍＦ＊、ＳｍＦ＊やＳｍＧ＊などのカイラルスメクテイ
ツク相を有する液晶組成物を用いることができる。
を示すものが好ましく、例えばＳｍＣ＊、ＳｍＨ＊、Ｓ
ｍＦ＊、ＳｍＦ＊やＳｍＧ＊などのカイラルスメクテイ
ツク相を有する液晶組成物を用いることができる。
本発明の液晶素子に用いるカイラルスメクテイツク相を
示す液晶を下記に示す。
示す液晶を下記に示す。
これらの液晶は、単独又は２種以上を混合してもよく、
あるいは他のスメクテイツク液晶やコレステリック（カ
イラルネマチツク）液晶と混合してもよい。
あるいは他のスメクテイツク液晶やコレステリック（カ
イラルネマチツク）液晶と混合してもよい。
第２図は、強誘電性液晶の動作説明の為に、セルの例を
模式的に描いたものである。１１と、１１′は、Ｉｎ２
Ｏ３、ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で被覆された
基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子層１２がガ
ラス綿に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊，ＳｍＨ＊，
ＳｍＦ＊，ＳｍＩ＊ＳｍＧ＊などのカイラルスメクティ
ック相の液晶が封入されている。太線で示した線１３が
液晶分子を表わしており、この液晶分子１３はその分子
に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）１４を有し
ている。基板１１と１１′上の電極間に一定の閾値以上
の電圧を印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほど
け、双極子モーメント（Ｐ⊥）１４がすべて電界方向に
向くよう、液晶分子１３は配向方向を変えることができ
る。液晶分子１３は、細長い形状を有しており、その長
軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えば
ガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置け
ば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変
調素子となることは、容易に理解される。
模式的に描いたものである。１１と、１１′は、Ｉｎ２
Ｏ３、ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で被覆された
基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子層１２がガ
ラス綿に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊，ＳｍＨ＊，
ＳｍＦ＊，ＳｍＩ＊ＳｍＧ＊などのカイラルスメクティ
ック相の液晶が封入されている。太線で示した線１３が
液晶分子を表わしており、この液晶分子１３はその分子
に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）１４を有し
ている。基板１１と１１′上の電極間に一定の閾値以上
の電圧を印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほど
け、双極子モーメント（Ｐ⊥）１４がすべて電界方向に
向くよう、液晶分子１３は配向方向を変えることができ
る。液晶分子１３は、細長い形状を有しており、その長
軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えば
ガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置け
ば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変
調素子となることは、容易に理解される。
本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなることにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双
極子モーメントＰまたはＰ′は上向き（２４）又は下向
き（２４′）のどちらかの状態をとる。このようなセル
に、第３図に示す如く一定の閾値以上の極性を異る電界
Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２１と２１′により付与する
と、双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電界ベクト
ルに対応して上向き２４又は下向き２４′と向きを変
え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態２３かあ
るいは第２の安定状態２３′の何れか一方に配向する。
の厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなることにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双
極子モーメントＰまたはＰ′は上向き（２４）又は下向
き（２４′）のどちらかの状態をとる。このようなセル
に、第３図に示す如く一定の閾値以上の極性を異る電界
Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２１と２１′により付与する
と、双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電界ベクト
ルに対応して上向き２４又は下向き２４′と向きを変
え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態２３かあ
るいは第２の安定状態２３′の何れか一方に配向する。
このような強誘電性を液晶素子として用いることの利点
は、先にも述べたが２つある。
は、先にも述べたが２つある。
その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態
２３′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態には
やり維持されている。このような応答速度の速さと、双
安定性が有効に実現されるにはセルとしては出来るだけ
薄い方が好ましい。
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態
２３′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態には
やり維持されている。このような応答速度の速さと、双
安定性が有効に実現されるにはセルとしては出来るだけ
薄い方が好ましい。
この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに当た
って最も問題となるのは、先にも述べたように、ＳｍＣ
＊，ＳｍＨ＊，ＳｍＦ＊，ＳｍＩ＊，ＳｍＧ＊などのカ
イラルスメクティック相を有する層が基板面に対して垂
直に配列し且つ液晶分子が基板面に略平行に配向した、
モノドメイン性の高いセルを形成することが困難なこと
であり、この点に解決を与えることが本発明の主要な目
的である。
って最も問題となるのは、先にも述べたように、ＳｍＣ
＊，ＳｍＨ＊，ＳｍＦ＊，ＳｍＩ＊，ＳｍＧ＊などのカ
イラルスメクティック相を有する層が基板面に対して垂
直に配列し且つ液晶分子が基板面に略平行に配向した、
モノドメイン性の高いセルを形成することが困難なこと
であり、この点に解決を与えることが本発明の主要な目
的である。
第４図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の液晶素子の一実施例を
示している。第４図（Ａ）は、本発明の液晶素子の平面
図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図である。
示している。第４図（Ａ）は、本発明の液晶素子の平面
図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図である。
第４図で示すセル構造体１００は、一対のガラス板やプ
ラスチック板基板１０１と１０１′（片側のみをプラス
チック基板としてもよい）をスペーサ１０４で所定の間
隔に保持され、この一対の基板をシーリングするために
接着剤１０６で接着したセル構造を有しており、さらに
基板１０１の上には複数の透明電極１０２からなる電極
群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電圧印加
用電極群）が例えば帯状パターンなどの所定パターンで
形成されている。基板１０１′の上には前述の透明電極
１０２と交差させた複数の透明電極１０２′からなる電
極群（例えば、マトリクス電極構造のうちの信号電圧印
加用電極群）が形成されている。
ラスチック板基板１０１と１０１′（片側のみをプラス
チック基板としてもよい）をスペーサ１０４で所定の間
隔に保持され、この一対の基板をシーリングするために
接着剤１０６で接着したセル構造を有しており、さらに
基板１０１の上には複数の透明電極１０２からなる電極
群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電圧印加
用電極群）が例えば帯状パターンなどの所定パターンで
形成されている。基板１０１′の上には前述の透明電極
１０２と交差させた複数の透明電極１０２′からなる電
極群（例えば、マトリクス電極構造のうちの信号電圧印
加用電極群）が形成されている。
この基板１０１と１０１′の上には、それぞれ前述のオ
ルガノシラン化合物と有機樹脂を含有する塗布液から形
成した配向制御膜１０５が設けられている。
ルガノシラン化合物と有機樹脂を含有する塗布液から形
成した配向制御膜１０５が設けられている。
第４図に示すセル構造体１００の中の液晶層１０３は、
ＳｍＣ＊，ＳｍＨ＊，ＳｍＦ＊，ＳｍＩ＊，ＳｍＧ＊な
どのカイラルスメクティック相とすることができる。
ＳｍＣ＊，ＳｍＨ＊，ＳｍＦ＊，ＳｍＩ＊，ＳｍＧ＊な
どのカイラルスメクティック相とすることができる。
第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わしてい
る。第５図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
１０１と１０１′の間に複数のスペーサ部材２０１が配
置されている。このスペーサ部材２０１は、例えば配向
制御膜１０５が設けられていない基板１０１′の上にＳ
ｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２などの無機化合
物あるいはポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリア
ミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシリレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセ
タール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミ
ド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユ
リヤ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジスト樹脂などの樹
脂類を適当な方法で被膜形成した後に、所定の位置にス
ペーサ部材２０３が配置される様にエッチングすること
によって得ることができる。
る。第５図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
１０１と１０１′の間に複数のスペーサ部材２０１が配
置されている。このスペーサ部材２０１は、例えば配向
制御膜１０５が設けられていない基板１０１′の上にＳ
ｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２などの無機化合
物あるいはポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリア
ミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシリレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセ
タール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミ
ド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユ
リヤ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジスト樹脂などの樹
脂類を適当な方法で被膜形成した後に、所定の位置にス
ペーサ部材２０３が配置される様にエッチングすること
によって得ることができる。
この様なセル構造体１００は、基板１０１と１０１′の
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子１０７と１０８がそれぞれ配置されて、電極１
０２と１０２′の間に電圧を印加した時に光学変調を生
じることになる。
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子１０７と１０８がそれぞれ配置されて、電極１
０２と１０２′の間に電圧を印加した時に光学変調を生
じることになる。
以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発
明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定され
るものではない。
明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定され
るものではない。
実施例１ １００μｍのポリエチレンテレフタレートフイルムに酸
化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパツタ
装置でフイルム表面温度を１２０℃以下に抑えて形成し
たプラスチツク基板に、以下の組成の溶液（溶液組成
（１））を塗布し、１２０℃３０分乾燥して薄膜を形成
した。
化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパツタ
装置でフイルム表面温度を１２０℃以下に抑えて形成し
たプラスチツク基板に、以下の組成の溶液（溶液組成
（１））を塗布し、１２０℃３０分乾燥して薄膜を形成
した。
溶液組成（１） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３ Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ １ｇ ポリエステル樹脂（東洋紡；バイロン３０ｐ） ０．５ｇ テトラヒドロフラン １０ｍｌ メチルエチルケトン ９０ｍｌ イソプロピルアルコール ３０ｍｌ 次に、１００ｇ／ｃｍ２の押圧下で一方向にラビング
し、このラビングした一対のプラスチツク基板を上下の
ラビング方向が平行となる様に重ね合せ、注入口となる
個所を除いたその周辺をシーリングした。この時の一対
のプラスチツク基板の間隔は、１μであった。
し、このラビングした一対のプラスチツク基板を上下の
ラビング方向が平行となる様に重ね合せ、注入口となる
個所を除いたその周辺をシーリングした。この時の一対
のプラスチツク基板の間隔は、１μであった。
次にＰ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）１００重
量部に対して、コレステリルノナネートを５重量部加え
て液晶組成物を調整した。
メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）１００重
量部に対して、コレステリルノナネートを５重量部加え
て液晶組成物を調整した。
この液晶組成物を加熱して等方相とし、上記で作製して
セル内に減圧下で注入口から注入し、その注入口を封口
した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を約７０
℃で維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル状態
で設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメインの非
らせん構造のＳｍＣ＊が形成されている事が確認でき
た。
セル内に減圧下で注入口から注入し、その注入口を封口
した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を約７０
℃で維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル状態
で設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメインの非
らせん構造のＳｍＣ＊が形成されている事が確認でき
た。
実施例２〜５ 実施例１で用いた下記に示す溶液組成（２）〜（５）の
塗布液を用いたほかは、実施例１と同様の方法で液晶素
子を作成した。
塗布液を用いたほかは、実施例１と同様の方法で液晶素
子を作成した。
溶液組成 ２（実施例２） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３− −Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ １ｇ イソシアネート樹脂 ０．５ｇ （日本ポリウレタン、コロネールＬ）（固形分） テトラヒドロフラン １０ｍｌ メチルエチルケトン ９０ｍｌ 酢酸エチル ７ｍｌ イソプロピルアルコール ３０ｍｌ ３（実施例）３ Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３− −Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ １ｇ ポリアミド樹脂 ０．５ｇ （東レ，ＣＭ４０００） イソプロピルアルコール ９０ｍｌ メチルエチルケトン ９０ｍｌ ４（実施例４） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２（ＣＨ２）３− −Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ １ｇ エポキシ樹脂 ０．５ｇ （シエル化学，エピコート８３６） テトラヒドロフラン １０ｍｌ メチルエチルケトン ９０ｍｌ イソプロピルアルコール ３０ｍｌ ５（実施例５） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３− −Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ １ｇ ポリビニルアルコール樹脂 ０．５ｇ イソプロピルアルコール ８０ｍｌ テトラヒドロフラン ５０ｍｌ メチルエチルケトン ３０ｍｌ これらの液晶セルについて実施例１と同様の方法で測定
したところ、同様に均一なモノドメインの非らせん構造
が観察された。
したところ、同様に均一なモノドメインの非らせん構造
が観察された。
実施例６〜１０ 実施例１で用いたオルガノシラン化合物に代えて、 ＣＨ３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ （実施例
６）、 Ｃｌ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ （実施例７）、 ＨＳ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＯＨ３）３ （実施例８）、 Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３ （実施例
９） を用いたほかは、実施例１と同様の方法で液晶素子を作
成したところ、非らせん構造のＳｍＣ＊が形成されてい
た。
６）、 Ｃｌ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ （実施例７）、 ＨＳ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＯＨ３）３ （実施例８）、 Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３ （実施例
９） を用いたほかは、実施例１と同様の方法で液晶素子を作
成したところ、非らせん構造のＳｍＣ＊が形成されてい
た。
実施例１１ ピツチ１００μｍで幅６２．５μｍのストライプ状のＩ
ＴＯ膜を電極として設けたガラス板の上に下記溶液組成
（６）の塗布液をスピンナー塗布した。
ＴＯ膜を電極として設けたガラス板の上に下記溶液組成
（６）の塗布液をスピンナー塗布した。
溶液組成（６） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３− −Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ １ｇ ポリイミドの前駆体であるピロメリツト酸無水物と４，
４′−ジアミノジフエニルエーテルとの縮合生成物（ポ
イアミド酸） ０．５ｇ （固形分） イソプロピルアール ５０ｍｌ エタノール ５０ｍｌ この溶液組成（６）を塗布したガラス板を２３０℃で約
１時間の加熱による脱水閉環反応によりポリイミド膜を
形成した。
４′−ジアミノジフエニルエーテルとの縮合生成物（ポ
イアミド酸） ０．５ｇ （固形分） イソプロピルアール ５０ｍｌ エタノール ５０ｍｌ この溶液組成（６）を塗布したガラス板を２３０℃で約
１時間の加熱による脱水閉環反応によりポリイミド膜を
形成した。
次に、１００ｇ／ｃｍ２の押圧下で一方向にラビング
し、このラビングした一対のガラス板を上下のラビング
方向が平行となる様に重ね合せ、注入口となる個所を除
いたその周辺をシーリングした。この時の一対のガラス
基板の間隔は、１μであった。次いで、実施例１と同様
の方法で液晶セルを作成し、観察したところ、モノドメ
イの非らせん構造のＳｍＣ＊が形成されていた。
し、このラビングした一対のガラス板を上下のラビング
方向が平行となる様に重ね合せ、注入口となる個所を除
いたその周辺をシーリングした。この時の一対のガラス
基板の間隔は、１μであった。次いで、実施例１と同様
の方法で液晶セルを作成し、観察したところ、モノドメ
イの非らせん構造のＳｍＣ＊が形成されていた。
実施例１２〜１３ 実施例１１で用いたポリイミドの前駆体である縮合生成
物に代えて、ポリエステルイミドの前駆体であるトリメ
リツト酸とヒドロキノンとから得た芳香族ジカルボン酸
無水物と４，４′−ジアミノジフエニルエーテルとの縮
合生成物（ポリアミド酸）（実施例１２）、ポリアミド
イミドの前駆体であるＮ，Ｎ′−ビス（３−アミノフエ
ニル）イソフタルアミドとピロメリツト酸無水物との縮
合生成物（ポリアミド酸）（実施例１３）を用いたほか
は実施例１１と同様の方法で液晶セルを作成し、観察し
たところ、同様の結果が得られた。
物に代えて、ポリエステルイミドの前駆体であるトリメ
リツト酸とヒドロキノンとから得た芳香族ジカルボン酸
無水物と４，４′−ジアミノジフエニルエーテルとの縮
合生成物（ポリアミド酸）（実施例１２）、ポリアミド
イミドの前駆体であるＮ，Ｎ′−ビス（３−アミノフエ
ニル）イソフタルアミドとピロメリツト酸無水物との縮
合生成物（ポリアミド酸）（実施例１３）を用いたほか
は実施例１１と同様の方法で液晶セルを作成し、観察し
たところ、同様の結果が得られた。
実施例１４ 実施例１１で用いたオリガノシラン化合物に代えて、Ｃ
Ｈ３ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３を用いたほか
は、実施例１１と同様の方法で液晶素子を作成したとこ
ろ、非らせん構造のＳｍＣ＊が形成されていた。
Ｈ３ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３を用いたほか
は、実施例１１と同様の方法で液晶素子を作成したとこ
ろ、非らせん構造のＳｍＣ＊が形成されていた。
第１図は、本発明の液晶素子の一実施例を表わす断面図
である。 第２図および第３図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図であ
る。第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わす
断面図である。 １；プラスチツク基板 ２；透明導電膜の電極 ３；配向制御膜 ４；シール部材 ５；スペーサ部材 ６；スメクテイツク液晶 １００；セル構造体 １０１，１０１′；基板 １０２，１０２′；電極 １０３；液晶層 １０４，２０１；スペーサ部材 １０５；配向制御膜 １０６；接着剤（シール部材） １０７，１０８；偏光子 １０９；発熱体
である。 第２図および第３図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図であ
る。第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わす
断面図である。 １；プラスチツク基板 ２；透明導電膜の電極 ３；配向制御膜 ４；シール部材 ５；スペーサ部材 ６；スメクテイツク液晶 １００；セル構造体 １０１，１０１′；基板 １０２，１０２′；電極 １０３；液晶層 １０４，２０１；スペーサ部材 １０５；配向制御膜 １０６；接着剤（シール部材） １０７，１０８；偏光子 １０９；発熱体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−84530（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−120323（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−214824（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】電極を設けた一対の基板の間にカイラルス
メクティック液晶を封入したセル構造を有する液晶素子
において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板
がオルガノシラン化合物と有機樹脂とを含有する組成物
から形成した配向制御膜を有することを特徴とする液晶
素子。 - 【請求項２】前記カイラルスメクティック液晶がらせん
構造の形成を抑制させて前記一対の基板の間に封入され
ている特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。 - 【請求項３】前記有機樹脂がポリエステル樹脂、イソシ
アネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ
エステルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ
樹脂及びポリビニルアルコール樹脂からなる樹脂類から
少なくとも１種を選択した樹脂である特許請求の範囲第
１項記載の液晶素子。 - 【請求項４】前記有機樹脂がポリアミド樹脂である特許
請求の範囲第１項記載の液晶素子。 - 【請求項５】前記有機樹脂がポリイミド樹脂である特許
請求の範囲第１項記載の液晶素子。 - 【請求項６】前記カイラルスメクティック液晶がコレス
テリック相を生じる液晶を含有した液晶である特許請求
の範囲第１項記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59184870A JPH067235B2 (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59184870A JPH067235B2 (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6162018A JPS6162018A (ja) | 1986-03-29 |
| JPH067235B2 true JPH067235B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=16160749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59184870A Expired - Fee Related JPH067235B2 (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067235B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63231417A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-27 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
| JP5486370B2 (ja) | 2010-03-25 | 2014-05-07 | ユニ・チャーム株式会社 | 連続ウエブの処理装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589125A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Hitachi Ltd | 液晶配向膜印刷塗布組成物 |
| JPS5855913A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-02 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPS58123519A (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-22 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPS58123520A (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-22 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPS59214824A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
| JPS6084530A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-13 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS60120323A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-27 | Hitachi Ltd | スメクチツク液晶表示装置 |
-
1984
- 1984-09-04 JP JP59184870A patent/JPH067235B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6162018A (ja) | 1986-03-29 |
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