JPS6162022A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPS6162022A JPS6162022A JP18414984A JP18414984A JPS6162022A JP S6162022 A JPS6162022 A JP S6162022A JP 18414984 A JP18414984 A JP 18414984A JP 18414984 A JP18414984 A JP 18414984A JP S6162022 A JPS6162022 A JP S6162022A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- control film
- phase
- orientation control
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示素子や液晶−光シャッタ等で用いる
液晶素子、特にプラスチック基板を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくは液晶分子の初期配向状態を改善するこ
とにより、表示並びに駆動特性を改善した液晶素子に関
するものである。
液晶素子、特にプラスチック基板を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくは液晶分子の初期配向状態を改善するこ
とにより、表示並びに駆動特性を改善した液晶素子に関
するものである。
これまでの液晶素子は、主にＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈ
ｅ１ｔｒｉｃｈ著”Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬ
ｅｔｔｅｒｓ” Ｖｏｌ、１８．Ｎｏ、４（１９７１
，２，１５）。
ｅ１ｔｒｉｃｈ著”Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬ
ｅｔｔｅｒｓ” Ｖｏｌ、１８．Ｎｏ、４（１９７１
，２，１５）。
Ｐ、１２７〜１２８ （７）“Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐ
ｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ
ｏｆ ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔ ｉｅ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”に記載されている様なＴＮ
（Ｔｗｉ ｓ ｔ ｅ ｄ Ｎｅｍａｔ Ｅ ｃ）方式
が採用されており、このＴＮ方式の配向制御を効率的に
保障する方法としてネマチック液晶の接する基板界面を
斜方蒸着によって形成したＳｉＯ又はＳ ｉ０２や一方
にラビング処理した有機樹脂、例えばポリイミド、ポリ
アミドで形成する方法が知られている。
ｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ
ｏｆ ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔ ｉｅ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”に記載されている様なＴＮ
（Ｔｗｉ ｓ ｔ ｅ ｄ Ｎｅｍａｔ Ｅ ｃ）方式
が採用されており、このＴＮ方式の配向制御を効率的に
保障する方法としてネマチック液晶の接する基板界面を
斜方蒸着によって形成したＳｉＯ又はＳ ｉ０２や一方
にラビング処理した有機樹脂、例えばポリイミド、ポリ
アミドで形成する方法が知られている。
このＴＮ方式を用いた表示パネルは、ＴＮ方式自体に高
速応答性とメモリー効果を持っていない′ため、高密度
画素の表示パネルを設計する上で、例えば薄膜トランジ
スタ（Ｔ Ｐ Ｔ）をアレイ状に配置したアクティブマ
トリクス基板を必要としている。しかし、この様なＴＮ
液晶を用いたアクティブマトリクス駆動方式の表示パネ
ルでは、使用するＴＰＴが複雑な構造を有しているため
、製造工程数が多く、高い製造コストがネックとなって
いる」−に、ＴＰＴを構成している薄膜半導体（例えば
、ポリシリコン、アモルファスシリコン）を広い面積に
亘って被膜形成することが難しいなどの問題点がある。
速応答性とメモリー効果を持っていない′ため、高密度
画素の表示パネルを設計する上で、例えば薄膜トランジ
スタ（Ｔ Ｐ Ｔ）をアレイ状に配置したアクティブマ
トリクス基板を必要としている。しかし、この様なＴＮ
液晶を用いたアクティブマトリクス駆動方式の表示パネ
ルでは、使用するＴＰＴが複雑な構造を有しているため
、製造工程数が多く、高い製造コストがネックとなって
いる」−に、ＴＰＴを構成している薄膜半導体（例えば
、ポリシリコン、アモルファスシリコン）を広い面積に
亘って被膜形成することが難しいなどの問題点がある。
これらの問題点を解決するものとして、Ｎ、Ａ、Ｃ１ａ
ｒｋ と Ｓ、Ｔ、Ｌａｇｅｒｗａｌｌの米
国特許第４３６７９２４号明細書で提案されている強誘
電性液晶素子が知られている。
ｒｋ と Ｓ、Ｔ、Ｌａｇｅｒｗａｌｌの米
国特許第４３６７９２４号明細書で提案されている強誘
電性液晶素子が知られている。
しかし、強誘電性液晶はカイラルスメクテイツク相でそ
の挙動を現わすが、一般にスメクテイツク相の液晶はネ
マチック相の液晶に較べ配向制御性や配向安定性が悪い
欠点がある。本発明者らの実験では、従来のＴＮ方式て
知られている様な配向制御法をスメクテイツク相の形成
に単に転用するだけでは、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイック相を形成できないが、下達する特
定の配向制御膜を用いることによって、均一なモノドメ
インのスメクテイック相を形成できることが判明した。
の挙動を現わすが、一般にスメクテイツク相の液晶はネ
マチック相の液晶に較べ配向制御性や配向安定性が悪い
欠点がある。本発明者らの実験では、従来のＴＮ方式て
知られている様な配向制御法をスメクテイツク相の形成
に単に転用するだけでは、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイック相を形成できないが、下達する特
定の配向制御膜を用いることによって、均一なモノドメ
インのスメクテイック相を形成できることが判明した。
従って、本発明の目的は、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相、特に強誘電性を示すカイラル
スメクテイツクＣ相（ＳｍＣ＊）。
インのスメクテイツク相、特に強誘電性を示すカイラル
スメクテイツクＣ相（ＳｍＣ＊）。
Ｈ相（ＳｍＨ本）、■相（ＳｍＩ＊）、Ｆ相（ＳｍＦ＊
） や Ｇ相（３ｍ６本）を示す液晶を形成する配向
制御膜を提供することにある。
） や Ｇ相（３ｍ６本）を示す液晶を形成する配向
制御膜を提供することにある。
又、本発明の別の目的は、プラスチック基板を用いたス
メクテイツク液晶素子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。
メクテイツク液晶素子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。
本発明のかかる目的は、電極を設けた一対の基板の間に
スメクテイツク液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が前記＃横オルガノシラン化合物から形成した配向制
御膜を有する液晶素子によって達成される。
スメクテイツク液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が前記＃横オルガノシラン化合物から形成した配向制
御膜を有する液晶素子によって達成される。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による液晶素子の一実施態様を示すもの
で、図中、ｌはプラスチック基板、２は該基板上に設け
られた透明導電膜より成る電極、３は配向制御膜、４は
シール部材、５はスペーサ部材、６はスメクテイツク液
晶物質を示す。プラスチック基板１としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ホリブチレンテレフタレート、ポ
リエーテルスルフォン、ポリカーボネート、三酢酸セル
ローズ、ポリオールやポリエーテルサルホンなどのプラ
スチックが使用され、これらに蒸着、低温スパッタ、Ｃ
ＶＤ、などの公知の手段により酸化スズ、酸化インジウ
ムやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）
等の透明導電膜２が設けられる。
で、図中、ｌはプラスチック基板、２は該基板上に設け
られた透明導電膜より成る電極、３は配向制御膜、４は
シール部材、５はスペーサ部材、６はスメクテイツク液
晶物質を示す。プラスチック基板１としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ホリブチレンテレフタレート、ポ
リエーテルスルフォン、ポリカーボネート、三酢酸セル
ローズ、ポリオールやポリエーテルサルホンなどのプラ
スチックが使用され、これらに蒸着、低温スパッタ、Ｃ
ＶＤ、などの公知の手段により酸化スズ、酸化インジウ
ムやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）
等の透明導電膜２が設けられる。
成分とする組成物より成る配向制御ＩＩ！ ３が形成さ
れる。
れる。
ク
オルガｌシラン化合物としては、−１１Ｑ式ＲｎＳ ｉ
Ｘ ４− ｎで表わきれるものが好ましい。一般式中
のｎは１，２．３であり、Ｘは例えば塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、メＩ・キシ、工ｌ・キシ、プロ
ポキシ、ブトキシなどのアルコキシ基又はアセトキシな
どのアシロキシ基、その他の加水分解性官能基である。
Ｘ ４− ｎで表わきれるものが好ましい。一般式中
のｎは１，２．３であり、Ｘは例えば塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、メＩ・キシ、工ｌ・キシ、プロ
ポキシ、ブトキシなどのアルコキシ基又はアセトキシな
どのアシロキシ基、その他の加水分解性官能基である。
式中、Ｒはメチル、エチル、プロピル、ブチルなどの飽
和の、又はビニル、アルケニルなどの不飽和の脂肪族炭
化水素基、又はフェニル、ナフチルなどの芳香族炭化水
素基で、これらの炭化水素基にはビニル、アルケニルな
どの不飽和基、ヒドロキシ基、カルボニル基、ハロゲン
原子、アミン基、その他の官能性有機基で置換されても
よい。
和の、又はビニル、アルケニルなどの不飽和の脂肪族炭
化水素基、又はフェニル、ナフチルなどの芳香族炭化水
素基で、これらの炭化水素基にはビニル、アルケニルな
どの不飽和基、ヒドロキシ基、カルボニル基、ハロゲン
原子、アミン基、その他の官能性有機基で置換されても
よい。
旦体的な化合物例を下記に列挙する。
化合物例
（１） ＣＨ２−ＣＨＣＨ２０（ＣＨ２） ３Ｓｉ （
ＯＣＨ３） ３（２） ＣＨ２＝ Ｃ−Ｃｏ （ＣＨ２
） ３ｓｉ （ＯＣＨ３） ３ＣＨ３０ （３） Ｈ２Ｎ （ＣＨ２） ２ＮＨ（ＯＨ２） ３ｓ
ｉ （ＯＣＨ３） ３（４） ＣＨ３−ＮＨ（ＣＨ２）
３ｓｉ （ＯＣＨ３） ３（５） ＣＨ２＝ ＣＨ３
１Ｃ文３ （６） ＣＨ２＝ ＣＨ３ｉ （ＯＣ２Ｈ５） ３（７
） ＣＨ２＝ ＣＨ３１（ＯＣ２Ｈ４０ＣＨ３）３（８
） Ｈ２Ｎ （ＣＨ２） ２ＮＨ（ＣＨ２） ３Ｓｉ
（ＯＣＨ３） ３■ ＣＨ３ （９）０文（ＣＨ２） ３Ｓｉ （ＯＣＨ３） ３（１
０） Ｈ３（ＣＨ２） ３Ｓｉ （ＯＣＨ３） ３（Ｉ
Ｉ） Ｈ２Ｎ （ＣＨ２） ａＳｉ （ＯＣ２Ｈ５）
３２〜′ オルガノシランを含有する塗布液を用いて配向制御膜３
を形成する際、その塗布液中のオルガノシランの濃度が
低すぎては配向性能が充分得られず、又高すぎた場合で
は成膜のうねり、屈折率から来る反射光の干渉色及び透
明導電膜」二の抵抗値の増大が生ずるため１〜５ｗｔ％
が好ましい。
ＯＣＨ３） ３（２） ＣＨ２＝ Ｃ−Ｃｏ （ＣＨ２
） ３ｓｉ （ＯＣＨ３） ３ＣＨ３０ （３） Ｈ２Ｎ （ＣＨ２） ２ＮＨ（ＯＨ２） ３ｓ
ｉ （ＯＣＨ３） ３（４） ＣＨ３−ＮＨ（ＣＨ２）
３ｓｉ （ＯＣＨ３） ３（５） ＣＨ２＝ ＣＨ３
１Ｃ文３ （６） ＣＨ２＝ ＣＨ３ｉ （ＯＣ２Ｈ５） ３（７
） ＣＨ２＝ ＣＨ３１（ＯＣ２Ｈ４０ＣＨ３）３（８
） Ｈ２Ｎ （ＣＨ２） ２ＮＨ（ＣＨ２） ３Ｓｉ
（ＯＣＨ３） ３■ ＣＨ３ （９）０文（ＣＨ２） ３Ｓｉ （ＯＣＨ３） ３（１
０） Ｈ３（ＣＨ２） ３Ｓｉ （ＯＣＨ３） ３（Ｉ
Ｉ） Ｈ２Ｎ （ＣＨ２） ａＳｉ （ＯＣ２Ｈ５）
３２〜′ オルガノシランを含有する塗布液を用いて配向制御膜３
を形成する際、その塗布液中のオルガノシランの濃度が
低すぎては配向性能が充分得られず、又高すぎた場合で
は成膜のうねり、屈折率から来る反射光の干渉色及び透
明導電膜」二の抵抗値の増大が生ずるため１〜５ｗｔ％
が好ましい。
オルカッシラン化合物を溶かす溶媒としてはその溶解性
の他に溶液状態での安定貯蔵性や配向膜形成時の揮散性
、膜中への残留性、基板への影響、などを考慮しなけれ
ばならない。これらの例については後の実施例で詳細に
示すが、一般的にメタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコール、ブタノールなどのアルコール系溶剤、ア
セトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤を用い
ることができる。
の他に溶液状態での安定貯蔵性や配向膜形成時の揮散性
、膜中への残留性、基板への影響、などを考慮しなけれ
ばならない。これらの例については後の実施例で詳細に
示すが、一般的にメタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコール、ブタノールなどのアルコール系溶剤、ア
セトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤を用い
ることができる。
上記条件を満たした配向膜形成成分含有溶液を基板に塗
布し、６０°〜ｌ ５０ ’Ｃ！で乾燥し膜とする。
布し、６０°〜ｌ ５０ ’Ｃ！で乾燥し膜とする。
膜形成後、綿布等で２０〜２００ ｇ ／ ｃ ｍ’、
好ましくは１００ ｇ ／ ｃ ｍ’付近の静圧下でラ
ビングすることで配向制御膜とし、基板間に液晶物質を
充填することにより液晶表示パネルが得られる。
好ましくは１００ ｇ ／ ｃ ｍ’付近の静圧下でラ
ビングすることで配向制御膜とし、基板間に液晶物質を
充填することにより液晶表示パネルが得られる。
この配向制御膜３の一般的な膜厚は、１００人〜１川、
好ましくは５００人〜２，０００人とすることができる
。
好ましくは５００人〜２，０００人とすることができる
。
本発明の液晶表示パネルの配向制御膜成形は浸漬法や吹
き伺は法などで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング（現象エツチング、ハクリ）工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチックフィルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。
き伺は法などで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング（現象エツチング、ハクリ）工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチックフィルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。
又、スペーサ部材５は、感光性樹脂、例えば感光性ポリ
イミドの被膜を形成した後、所定のホＩ・エツチングに
より得られる。
イミドの被膜を形成した後、所定のホＩ・エツチングに
より得られる。
本発明で用いるスメクテイツク液晶としては、強誘電性
を示すものが好ましく、例えばＳｍＣ＊、ＳｍＨ木、Ｓ
ｍＦ＊、ＳｍＦ＊ やＳｍＧ’なとのカイラルスメクテ
イツク相を有する液晶組成物を用いることができる。
を示すものが好ましく、例えばＳｍＣ＊、ＳｍＨ木、Ｓ
ｍＦ＊、ＳｍＦ＊ やＳｍＧ’なとのカイラルスメクテ
イツク相を有する液晶組成物を用いることができる。
本発明の液晶素子に用いるカイラルスメクテイツク相を
示す液晶をＦ記に示す。
示す液晶をＦ記に示す。
／′
（１）
ＣＨ３一メチルブチルシンナメート（ＤＯ
ＢＡＭＢＣ）■ 一クロルプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）−メ
チルブチル−α−シアノシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
ＣＣ）−メチルブチル−α−メチルシンナメートＣＨ３
０ ■ −ＣＯＯＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５ ネ ４．４′−アゾキシシンナミックアシッド−ビス（２−
メチルブチル）エステル （ＭＢＲＡ ８） これらの液晶は、単独又は２種以］：、を混合してもよ
く、あるいは他のスメクテイック液晶やコレステリック
（カイラルネマチック）液晶とＪＪ１合してもよい。
ＣＨ３一メチルブチルシンナメート（ＤＯ
ＢＡＭＢＣ）■ 一クロルプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）−メ
チルブチル−α−シアノシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
ＣＣ）−メチルブチル−α−メチルシンナメートＣＨ３
０ ■ −ＣＯＯＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５ ネ ４．４′−アゾキシシンナミックアシッド−ビス（２−
メチルブチル）エステル （ＭＢＲＡ ８） これらの液晶は、単独又は２種以］：、を混合してもよ
く、あるいは他のスメクテイック液晶やコレステリック
（カイラルネマチック）液晶とＪＪ１合してもよい。
第２図は、強誘電性液晶の動作説明の為に、セルの例を
模式的に描いたものである。１１と、１１′は、Ｉ ｎ
２０３．３ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ） ｖｖ）薄膜からなる透明電極で
被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層１２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊。
模式的に描いたものである。１１と、１１′は、Ｉ ｎ
２０３．３ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ） ｖｖ）薄膜からなる透明電極で
被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層１２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊。
木 木 本ＳｍＨ、Ｓｍ
Ｆ 、ＳｍＩ ＳｍＧ＊などのカイラルスメクティ
ック相の液晶が封入されている。太線で示した線１３か
液晶分子を表わしており、この治病分子１３はその分子
に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ上）１４を有し
ている。基板１１と１１’Ｊ−の電極間に一定の閾値以
上の電圧を印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほ
どけ、双極子モーメント（Ｐ土）１４がすべて電界方向
に向くよう、液晶分子１３は配向方向を変えることがで
きる。液晶分子１３は、細長い形状を有しており、その
長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例え
ばガラス面の−に下に互いにクロスニコルの偏光子を置
けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学
変調素子となることは、容易に理解される。
Ｆ 、ＳｍＩ ＳｍＧ＊などのカイラルスメクティ
ック相の液晶が封入されている。太線で示した線１３か
液晶分子を表わしており、この治病分子１３はその分子
に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ上）１４を有し
ている。基板１１と１１’Ｊ−の電極間に一定の閾値以
上の電圧を印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほ
どけ、双極子モーメント（Ｐ土）１４がすべて電界方向
に向くよう、液晶分子１３は配向方向を変えることがで
きる。液晶分子１３は、細長い形状を有しており、その
長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例え
ばガラス面の−に下に互いにクロスニコルの偏光子を置
けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学
変調素子となることは、容易に理解される。
本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１０゜以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなることにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状！ハ１でも液
晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、そ
の双極子モーメンｌ−ＰまたはＰ′は十向き（２４）又
は下向き（２４’）のどちらかの状態をとる。このよう
なセルに、第３図に示す如く一定の閾値具−１，の極性
の異る電界Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２１と２１’によ
り付！ｊ−すると、双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ
′の電界ベクトルに対応してＬ向き２４又は下向き２４
′と向きを変え、それに応して液晶分子は、第１の安定
状態２３かあるいは第２の安定状態２３′の何れか一方
に配向する。
の厚さを充分に薄く（例えば１０゜以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなることにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状！ハ１でも液
晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、そ
の双極子モーメンｌ−ＰまたはＰ′は十向き（２４）又
は下向き（２４’）のどちらかの状態をとる。このよう
なセルに、第３図に示す如く一定の閾値具−１，の極性
の異る電界Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２１と２１’によ
り付！ｊ−すると、双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ
′の電界ベクトルに対応してＬ向き２４又は下向き２４
′と向きを変え、それに応して液晶分子は、第１の安定
状態２３かあるいは第２の安定状態２３′の何れか一方
に配向する。
このような強誘電性を液晶素子として用いることの利点
は、先にも述べたが２つある。
は、先にも述べたが２つある。
その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向するが
、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの
電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態２３
′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を
切ってもこの状態に留っている。
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向するが
、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの
電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態２３
′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を
切ってもこの状態に留っている。
又、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセルと
しては出来るだけ薄い方が好ましい。
れの配向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセルと
しては出来るだけ薄い方が好ましい。
この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに当た
って最も問題となるのは、先にも述＊
木 べたように、ＳｍＣ、ＳｍＨ、ＳｍＦ木。
って最も問題となるのは、先にも述＊
木 べたように、ＳｍＣ、ＳｍＨ、ＳｍＦ木。
木 木
ＳｍＩ 、ＳｍＧ などのカイラルスメクティッ
ク相を有する層が基板面に対して垂直に配列しＨつ液晶
分子が基板面に略平行に配向した、モノドメイン性の高
いセルを形成することが困難なことであり、この点に解
決を与えることが本発明の主要な目的である。
ク相を有する層が基板面に対して垂直に配列しＨつ液晶
分子が基板面に略平行に配向した、モノドメイン性の高
いセルを形成することが困難なことであり、この点に解
決を与えることが本発明の主要な目的である。
第４図（Ａ）、ＣＢ）は本発明の液晶素子の一実施例を
示している。第４図（Ａ）は、本発明の液晶素子の平面
図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。
示している。第４図（Ａ）は、本発明の液晶素子の平面
図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。
第４１５Ｊで示すセル構造体ｌＯＯは、一対のガラス板
やプラスチック板基板１０１と１０１’（片側のみをプ
ラスチック基板としてもよい）をスペーサ１０４で所定
の間隔に保持され、この一対の基板をシーリングするた
めに接着剤１０６で接着したセル構造を有しており、さ
らに基板１０１の上には複数の透明電極１０２からなる
電極群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電圧
印加用電極群）が例えば帯状パターンなどの所定パター
ンで形成されている。
やプラスチック板基板１０１と１０１’（片側のみをプ
ラスチック基板としてもよい）をスペーサ１０４で所定
の間隔に保持され、この一対の基板をシーリングするた
めに接着剤１０６で接着したセル構造を有しており、さ
らに基板１０１の上には複数の透明電極１０２からなる
電極群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電圧
印加用電極群）が例えば帯状パターンなどの所定パター
ンで形成されている。
基板１０１’のトには前述の透明電極１０２と交差させ
た複数の透明電極１０２’からなる電極群（例えば、マ
トリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群）が形
成されている。
た複数の透明電極１０２’からなる電極群（例えば、マ
トリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群）が形
成されている。
この基板１０１と１０１’の上には、それぞれ前述のオ
ルガノシラン化合物から形成した配向制御膜１０５が設
けられている。
ルガノシラン化合物から形成した配向制御膜１０５が設
けられている。
第４図に示すセル構造体１００の中の液晶層１０３は、
ＳｍＣ、ＳｍＩ木、ＳｍＦ木。
ＳｍＣ、ＳｍＩ木、ＳｍＦ木。
＊
ＳｍＩ 、ＳｍＧ’などのカイラルスメクテイ本
ツク相とすることができる。
第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わしてい
る。第５図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
１０１と１０１’の間に複数のスペーサ部材２０１が配
置されている。
る。第５図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
１０１と１０１’の間に複数のスペーサ部材２０１が配
置されている。
このスペーサ部材２０１は、例えば配向制御膜１０５が
設けられていない基板１０１′の」−にＳｉＯ，５ｉ０
２．Ａ文２０３．ＴｉＯ２などの無機化合物あるいはポ
リビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエステ
ル、ポリカーボネ−１・、ポリビニルアセタール、ポリ
塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレ
ン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アク
リル樹脂やフォトレジスト樹脂などの樹脂類を適当な方
法で被膜形成した後に、所定の位置にスペーサ部材２０
３が配置される様にエツチングすることによってイ１１
ることができる。
設けられていない基板１０１′の」−にＳｉＯ，５ｉ０
２．Ａ文２０３．ＴｉＯ２などの無機化合物あるいはポ
リビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエステ
ル、ポリカーボネ−１・、ポリビニルアセタール、ポリ
塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレ
ン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アク
リル樹脂やフォトレジスト樹脂などの樹脂類を適当な方
法で被膜形成した後に、所定の位置にスペーサ部材２０
３が配置される様にエツチングすることによってイ１１
ることができる。
この様なセル構造体１００は、基板１０１と１０１’の
両側にはクロスニコル状１床又はパラレルニコル状態と
した偏光子１０７と１０８がそれぞれ配置されて、電極
１０２と１０２′の間に電圧を印加した時に光学変調を
生じることにな以下に本発明を実施例に基づき詳細に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
両側にはクロスニコル状１床又はパラレルニコル状態と
した偏光子１０７と１０８がそれぞれ配置されて、電極
１０２と１０２′の間に電圧を印加した時に光学変調を
生じることにな以下に本発明を実施例に基づき詳細に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
実施例１
１００ ｇｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパッ
タ装置でフィルム表面温度を１２０°Ｃ以下に抑えて形
成したプラスチック基板に、以下の組成の溶液を塗布し
、１２０ ’０３０分乾燥して薄膜を形成した。
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパッ
タ装置でフィルム表面温度を１２０°Ｃ以下に抑えて形
成したプラスチック基板に、以下の組成の溶液を塗布し
、１２０ ’０３０分乾燥して薄膜を形成した。
Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）
３ １ｇエタノール
１００ｍ文次に、１００ｇ／ｃｎｉ’の押
圧下で一方向にラビングし、このラビングした一対のプ
ラスチック基板を上下のラビング方向が平行となる様に
重ね合せ、注入１１となる個所を除いたその周辺をシー
リングした。この時の一対のプラスチック基板の間隔は
、１．であった。
３ １ｇエタノール
１００ｍ文次に、１００ｇ／ｃｎｉ’の押
圧下で一方向にラビングし、このラビングした一対のプ
ラスチック基板を上下のラビング方向が平行となる様に
重ね合せ、注入１１となる個所を除いたその周辺をシー
リングした。この時の一対のプラスチック基板の間隔は
、１．であった。
次にＰ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチルシンナメーＩ・（ＤＯＢＡＭＢＣ）１００
重量部に対して、コレステリルノナネ−１・を５重量部
加えて液晶組成物を調整した。
メチルブチルシンナメーＩ・（ＤＯＢＡＭＢＣ）１００
重量部に対して、コレステリルノナネ−１・を５重量部
加えて液晶組成物を調整した。
この液晶組成物を加熱して等吉相とし、上記で作製して
セル内に減圧下で注入口から注入し、その注入１」を封
目した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を約７
０°Ｃで維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル
状態で設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメイン
のＪｌらせん構造のＳｍＣ＊が形成Ｓせている事が確認
できた。
セル内に減圧下で注入口から注入し、その注入１」を封
目した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を約７
０°Ｃで維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル
状態で設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメイン
のＪｌらせん構造のＳｍＣ＊が形成Ｓせている事が確認
できた。
実施例２〜５
実施例１で用いたオルガノシラン化合物に代えて、 Ｃ
Ｈ３ＮＨ（ＣＨ２） ３ｓｉ （ＯＣＨ３）３ （実施
例２）、０文（ＣＨ２） ３ｓｉ （ＯＣＨ３）３
（実施例３）、Ｈ３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（実施例４）、Ｈ２Ｎ （ＣＨ２） ３ｓｉ （ＯＣ２
Ｈ５）３（実施例５）を用いたほかは、実施例１と同様
の方法で液晶素子を作成したところ、非らせん構造のＳ
ｍＣ＊が形成されていた。
Ｈ３ＮＨ（ＣＨ２） ３ｓｉ （ＯＣＨ３）３ （実施
例２）、０文（ＣＨ２） ３ｓｉ （ＯＣＨ３）３
（実施例３）、Ｈ３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（実施例４）、Ｈ２Ｎ （ＣＨ２） ３ｓｉ （ＯＣ２
Ｈ５）３（実施例５）を用いたほかは、実施例１と同様
の方法で液晶素子を作成したところ、非らせん構造のＳ
ｍＣ＊が形成されていた。
第１図は、本発明の液晶素子の一実施例を表わす断面図
である。 第２図および第３図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ｎ断面図である
。第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わす断
面図である。 ｌ ； プラスチック基板 ２ ； 透明導電膜の電極 ３ ；配向制御膜 ４ ； シール部材 ５ ； スペーサ部材 ６ ； スメクテイツク液晶 １００： セル構造体 １０１．１０１’ 、基板 １０２．１０２’ ；電極 １０３；液晶層 １０４．２０１ 、 スペーサ部材１０５ 、配
向制御膜 １０６ ； 接着剤（シール部材） １０７．１０８ 、偏光子 １０９：発熱体
である。 第２図および第３図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ｎ断面図である
。第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わす断
面図である。 ｌ ； プラスチック基板 ２ ； 透明導電膜の電極 ３ ；配向制御膜 ４ ； シール部材 ５ ； スペーサ部材 ６ ； スメクテイツク液晶 １００： セル構造体 １０１．１０１’ 、基板 １０２．１０２’ ；電極 １０３；液晶層 １０４．２０１ 、 スペーサ部材１０５ 、配
向制御膜 １０６ ； 接着剤（シール部材） １０７．１０８ 、偏光子 １０９：発熱体
Claims (6)
- （１）電極を設けた一対の基板の間にスメクテイツク液
晶を封入したセル構造を有する液晶素子において、前記
一対の基板のうち少なくとも一方の基板がオルガノシラ
ン化合物 から形成した配向制御膜を有 することを特徴とする液晶素子。 - （２）前記スメクテイツク液晶が強誘電性液晶である特
許請求の範囲第１項記載の液晶素子。 - （３）前記強誘電性液晶がカイラルスメクテイツク液晶
である特許請求の範囲第２項記載の液晶素子。 - （４）前記カイラルスメクテイツク液晶が非らせん構造
の相を形成している特許請求の範囲第３項記載の液晶素
子。 - （５）前期カイラルスメクテイツク液晶がＣ相、Ｈ相、
Ｉ相、Ｆ相又はＧ相である特許請求の範囲第３項又は第
４項記載の液晶素子。 - （６）前記一対の基板のうち、少なくとも一方の基板が
プラスチツク基板である特許請求の範囲第１項記載の液
晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18414984A JPS6162022A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18414984A JPS6162022A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6162022A true JPS6162022A (ja) | 1986-03-29 |
Family
ID=16148221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18414984A Pending JPS6162022A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6162022A (ja) |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP18414984A patent/JPS6162022A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4775225A (en) | Liquid crystal device having pillar spacers with small base periphery width in direction perpendicular to orientation treatment | |
| US4712875A (en) | Dimensions of spacer particles for a ferroelectric liquid crystal display | |
| US5604614A (en) | Liquid crystal device with one liquid crystal showing a cholesteric phase and one showing a chiral smectic phase | |
| JP2647828B2 (ja) | 液晶素子の製造法 | |
| JPS6162022A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0547086B2 (ja) | ||
| JP2927662B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH05341288A (ja) | 強誘電性液晶デバイス | |
| JPS61241727A (ja) | 液晶素子 | |
| US5724114A (en) | Liquid crystal device with composition containing optically active material and material showing smectic, smectic A and chiral smectic C phases upon temperature decrease | |
| JPS6162020A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS6163823A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61107221A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS6162019A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61205919A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS6162021A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61203427A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61186932A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH067235B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH05333343A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPS61205920A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0511251A (ja) | 高分子液晶の配向方法および高分子液晶素子 | |
| JPS61208034A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0415452B2 (ja) | ||
| JPS61208030A (ja) | 液晶素子 |