JPS61203427A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPS61203427A JPS61203427A JP4400385A JP4400385A JPS61203427A JP S61203427 A JPS61203427 A JP S61203427A JP 4400385 A JP4400385 A JP 4400385A JP 4400385 A JP4400385 A JP 4400385A JP S61203427 A JPS61203427 A JP S61203427A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- phase
- substrate
- spacer
- substrates
- Prior art date
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- Granted
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツタアレイ等に
適用する液晶素子に関し、詳しくは液晶分子の初期配向
状態を改善することにより、表示ならびに駆動特性を改
善した液晶素子に関する。
適用する液晶素子に関し、詳しくは液晶分子の初期配向
状態を改善することにより、表示ならびに駆動特性を改
善した液晶素子に関する。
従来の液晶素子としては、例えばエム拳シャ・シト(M
、5chadt)とダブリュー拳ヘルフリッヒ(W、
He l f r i ch)著″アプライド・フィジ
ックス会しダーズ″(”Applied Physi
cs Lett e r s ” )第18巻、第4
号(1971年2月15日発行)、第127頁〜128
頁の″ボルテージ嗜ディペンダントーオプティカル・7
クテイビテイー書オブ争ア・ツィステッド・ネマチック
・リキッドeクリスタル″(Voltage Dep
en−dent 0pticat Activit
y of a Twfsted Nemati
c Liquid Cry s t a l ”
)に示されたツィステッド・ネマチック(twiste
d nematic)液晶を用いたものが知られてい
る。このTN液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電
極構造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生す
る問題点があるため、画素数が制限されていた。
、5chadt)とダブリュー拳ヘルフリッヒ(W、
He l f r i ch)著″アプライド・フィジ
ックス会しダーズ″(”Applied Physi
cs Lett e r s ” )第18巻、第4
号(1971年2月15日発行)、第127頁〜128
頁の″ボルテージ嗜ディペンダントーオプティカル・7
クテイビテイー書オブ争ア・ツィステッド・ネマチック
・リキッドeクリスタル″(Voltage Dep
en−dent 0pticat Activit
y of a Twfsted Nemati
c Liquid Cry s t a l ”
)に示されたツィステッド・ネマチック(twiste
d nematic)液晶を用いたものが知られてい
る。このTN液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電
極構造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生す
る問題点があるため、画素数が制限されていた。
又、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素子
を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素子
が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成する
ことが難しい問題点がある。
を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素子
が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成する
ことが難しい問題点がある。
この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク(C1
ark)およびラガウェル(Lage rwa l l
)により提案されている(特開昭56−107216号
公報、米国特許第4387924号明細書等)、y、安
定性を有する液晶としては、一般に、カイラルスメクテ
ィックC相(SmC本)又はH相(SmH”)、を有す
る強誘電性液晶が用いられる。
、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク(C1
ark)およびラガウェル(Lage rwa l l
)により提案されている(特開昭56−107216号
公報、米国特許第4387924号明細書等)、y、安
定性を有する液晶としては、一般に、カイラルスメクテ
ィックC相(SmC本)又はH相(SmH”)、を有す
る強誘電性液晶が用いられる。
この液晶は電界に対して第1の光学的安定状態と第2の
光学安定状態からなる双安定状態を有し、従って前述の
TN型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり、例
えば一方の電界ベクトルに対して第1の光学的安定状態
に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第2の
光学的安定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶
は、加えられる電界に応答して、極めて速やかに上記2
つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のない
ときはその状態を維持する性質を有する。このような性
質を利用することにより、上述した従来のTN型素子の
問題点の多くに対して、がなり木質的な改善が得られる
。この点は、本発明と関連して、以下に、更に詳細に説
明する。しかしながら、この双安定性を有する強誘電性
液晶が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行
基板間に配置される液晶が、電界の印加状態とは無関係
に、上記2つの安定状態の間での変換が効果的に起るよ
うな分子配列状態にあることが必要である。
光学安定状態からなる双安定状態を有し、従って前述の
TN型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり、例
えば一方の電界ベクトルに対して第1の光学的安定状態
に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第2の
光学的安定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶
は、加えられる電界に応答して、極めて速やかに上記2
つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のない
ときはその状態を維持する性質を有する。このような性
質を利用することにより、上述した従来のTN型素子の
問題点の多くに対して、がなり木質的な改善が得られる
。この点は、本発明と関連して、以下に、更に詳細に説
明する。しかしながら、この双安定性を有する強誘電性
液晶が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行
基板間に配置される液晶が、電界の印加状態とは無関係
に、上記2つの安定状態の間での変換が効果的に起るよ
うな分子配列状態にあることが必要である。
例えばS m C”又はSmH”相を有する強誘電性液
晶については、SmC”又はSmH”相を有する液晶分
子層が基板面に対して垂直で、したがって液晶分子軸が
基板面にほぼ平行に配列した領域(モノドメイン)が形
成される必要がある。しかしながら、従来の双安定性を
有する強誘電性液晶素子においては、このようなドメイ
ン構造を有する液晶の配向状態が、必ずしも満足に形成
されなかったために、充分な特性が得られなかったのが
実情である。
晶については、SmC”又はSmH”相を有する液晶分
子層が基板面に対して垂直で、したがって液晶分子軸が
基板面にほぼ平行に配列した領域(モノドメイン)が形
成される必要がある。しかしながら、従来の双安定性を
有する強誘電性液晶素子においては、このようなドメイ
ン構造を有する液晶の配向状態が、必ずしも満足に形成
されなかったために、充分な特性が得られなかったのが
実情である。
たとえば、C1arkらによれば、このような配向状態
を与えるために、磁界を印加する方法、せん断力を印加
する方法、基板間に小間隔で平行なりツジ(ridge
)を配列する方法などが提案されている。しかしながら
、これらは、いずれも必ずしも満足すべき結果を与える
ものではなかった。たとえば、磁界を印加する方法は、
大規模な装置を要求するとともに作動特性の良好な薄層
セルとは両立しがたいという難点があり、また、せん断
力を印加する方法は、セルを作成後に液晶を注入する方
法と両立しないという難へ7二−ある、又、セル内に平
行なりツジを配列する方法では、それのみによっては、
安定な配向効果を与えられない。
を与えるために、磁界を印加する方法、せん断力を印加
する方法、基板間に小間隔で平行なりツジ(ridge
)を配列する方法などが提案されている。しかしながら
、これらは、いずれも必ずしも満足すべき結果を与える
ものではなかった。たとえば、磁界を印加する方法は、
大規模な装置を要求するとともに作動特性の良好な薄層
セルとは両立しがたいという難点があり、また、せん断
力を印加する方法は、セルを作成後に液晶を注入する方
法と両立しないという難へ7二−ある、又、セル内に平
行なりツジを配列する方法では、それのみによっては、
安定な配向効果を与えられない。
本発明の目的は、前述した事情に鑑み、高速応答性、高
密度画素と大面積を有する表示素子、或いは高速度のシ
ャッタスピードを有する光学シャッター等として潜在的
な適性を有する強誘電性液晶素子において、従来問題で
あったモノドメイン形成性ないしは初期配向性を改善す
ることにより、その特性を充分に発揮させ得る強誘電性
液晶素子を提供することにある。
密度画素と大面積を有する表示素子、或いは高速度のシ
ャッタスピードを有する光学シャッター等として潜在的
な適性を有する強誘電性液晶素子において、従来問題で
あったモノドメイン形成性ないしは初期配向性を改善す
ることにより、その特性を充分に発揮させ得る強誘電性
液晶素子を提供することにある。
本発明者らは、前述の目的に沿って研究した結果、液晶
を挟持する一対の平行基板のうち少なくとも一方の基板
の面がラビング等による一軸性配向処理効果と一対の基
板間に配置したストライプ状の側壁を有する構造部材の
配列による効果を併用するとともに、少なくともカイラ
ルスメクティック相を示す液晶と少なくともコレステリ
ック相を示す液晶とを含有した液晶組成物のスメクティ
ック相、例えばSmA (スメクティツクA相)、カイ
ラルスメクティック相等を該スメクティック相より高温
側の相、例えばコレステリック相(カイラルネマチック
相)、ネマチック相、等吉相からの徐冷による相転移を
用いた場合、スメクティック相のモノドメインを形成す
ることができ、この結果強誘電性液晶の双安定性に基づ
く素子の作動と液晶層のモノドメイン性を両立し得る構
造の液晶素子が得られることを見い出した。
を挟持する一対の平行基板のうち少なくとも一方の基板
の面がラビング等による一軸性配向処理効果と一対の基
板間に配置したストライプ状の側壁を有する構造部材の
配列による効果を併用するとともに、少なくともカイラ
ルスメクティック相を示す液晶と少なくともコレステリ
ック相を示す液晶とを含有した液晶組成物のスメクティ
ック相、例えばSmA (スメクティツクA相)、カイ
ラルスメクティック相等を該スメクティック相より高温
側の相、例えばコレステリック相(カイラルネマチック
相)、ネマチック相、等吉相からの徐冷による相転移を
用いた場合、スメクティック相のモノドメインを形成す
ることができ、この結果強誘電性液晶の双安定性に基づ
く素子の作動と液晶層のモノドメイン性を両立し得る構
造の液晶素子が得られることを見い出した。
本発明の液晶素子は、前述の知見に基づくものであり、
より詳しくは、一対の平行基板間に液晶を挟持させてな
る液晶素子において、該一対の平行基板のうちの第1の
基板の液晶と接触する側の面には、それぞれ側壁を有す
る複数の構造部材がストライブ状に配置され、第2の基
板の液晶と接する側の面には、前記第1の基板上の複数
の構造部材の延長方向とほぼ平行もしくは垂直な方向の
一軸性配向処理が施されているとともに、少なくともカ
イラルスメクティック相を示す液晶と少なくともコレス
テリック相を示す液晶とを含宥した液晶組成物のスメク
ティック相を該スメクティック相より高温側の相からの
徐冷による相転移により形成した点に特徴を有している
。
より詳しくは、一対の平行基板間に液晶を挟持させてな
る液晶素子において、該一対の平行基板のうちの第1の
基板の液晶と接触する側の面には、それぞれ側壁を有す
る複数の構造部材がストライブ状に配置され、第2の基
板の液晶と接する側の面には、前記第1の基板上の複数
の構造部材の延長方向とほぼ平行もしくは垂直な方向の
一軸性配向処理が施されているとともに、少なくともカ
イラルスメクティック相を示す液晶と少なくともコレス
テリック相を示す液晶とを含宥した液晶組成物のスメク
ティック相を該スメクティック相より高温側の相からの
徐冷による相転移により形成した点に特徴を有している
。
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を更に詳
細に説明する。
細に説明する。
本発明で用いる液晶は1強誘電性を有するものであって
、具体的にはカイラルスメクティックC相(Sm0本)
、H相(SmH”)、I相(SmI”)、J相(SmJ
”)、に相(SmKX)、G相(SmG”)又1fF相
(SmF”)を有する液晶を用いることができる。
、具体的にはカイラルスメクティックC相(Sm0本)
、H相(SmH”)、I相(SmI”)、J相(SmJ
”)、に相(SmKX)、G相(SmG”)又1fF相
(SmF”)を有する液晶を用いることができる。
本発明の強誘電性液晶素子で用いることができる液晶の
具体例は、下記のとおりである。
具体例は、下記のとおりである。
本発明の液晶組成物に用いるカイラルスメクティック相
を示す液晶の具体例を表1に示す。
を示す液晶の具体例を表1に示す。
コレステリック相を示す液晶の具体例を表2に示す。
表 1
カイライルスメクティック相を示す液晶の具体例(化合
物名、構造式及び相転移点) P−デシロキシベンジリデン−y−アミノ−2−一メチ
ルブチルシンナメート(DOBAMBC)P−へキシロ
キシベンジリデン−y−アミノ−2−一クロルプロビル
シンナメート(HOBACPC)”s
+/ 27℃ 本 38℃ mC −COOCH2CHC2m(5 ネ 4.4′−7ゾキシシンナミツクアシツドービス(2−
メチルブチル)エステルH 表 2 コレステリック相を示す液晶の具体例 (化合物名、構造式及び相転移点) (A) コレステリルプロピオネート(B)
コレステリルノナネート(C) コレステリルパ
ルミテート(D) コレステリルノナネート4−
(2″−メチルブチル)−4’−シアノビフェニルS
mA −□ :2いテ、ッ、相 ′″′″30℃−
−54℃ 4−(2”−メチルブチルオキシ)−4’−シアノビフ
ェニル−(4−β−メチルブチルベンゾイルオキシ)ベ
ンゾエート4−シアノベンジリデン−4’−(2−メチ
ルブチル)アニリン4− (2−メチルブチル)フェニ
ル−4′−デシロキシベンツ゛エートこれらのカイラル
スメクティック相を示す液晶又はコレステリック相を示
す液晶は、それぞれ2種以上組合せて使用することもで
きる。
物名、構造式及び相転移点) P−デシロキシベンジリデン−y−アミノ−2−一メチ
ルブチルシンナメート(DOBAMBC)P−へキシロ
キシベンジリデン−y−アミノ−2−一クロルプロビル
シンナメート(HOBACPC)”s
+/ 27℃ 本 38℃ mC −COOCH2CHC2m(5 ネ 4.4′−7ゾキシシンナミツクアシツドービス(2−
メチルブチル)エステルH 表 2 コレステリック相を示す液晶の具体例 (化合物名、構造式及び相転移点) (A) コレステリルプロピオネート(B)
コレステリルノナネート(C) コレステリルパ
ルミテート(D) コレステリルノナネート4−
(2″−メチルブチル)−4’−シアノビフェニルS
mA −□ :2いテ、ッ、相 ′″′″30℃−
−54℃ 4−(2”−メチルブチルオキシ)−4’−シアノビフ
ェニル−(4−β−メチルブチルベンゾイルオキシ)ベ
ンゾエート4−シアノベンジリデン−4’−(2−メチ
ルブチル)アニリン4− (2−メチルブチル)フェニ
ル−4′−デシロキシベンツ゛エートこれらのカイラル
スメクティック相を示す液晶又はコレステリック相を示
す液晶は、それぞれ2種以上組合せて使用することもで
きる。
本発明で用いる液晶組成物でのカイラルスメクティック
相を示す液晶とコレステリック相を示す液晶の割合は、
使用する液晶の種類によって相違するが、一般的にカイ
ラルスメクティック相を示す液晶100重量部に対して
コレステリック相を示す液晶0.1〜50重量部、好ま
しくは1〜20重量部である。
相を示す液晶とコレステリック相を示す液晶の割合は、
使用する液晶の種類によって相違するが、一般的にカイ
ラルスメクティック相を示す液晶100重量部に対して
コレステリック相を示す液晶0.1〜50重量部、好ま
しくは1〜20重量部である。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
がSmC”相又はSmH”相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
銅ブロック等により支持することができる。
がSmC”相又はSmH”相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
銅ブロック等により支持することができる。
第1図は、強誘電性液晶の動作説明の為に、セルの例を
模式的に描いたものである。21aと21bは、I n
203.5n02あるいはITO(Indium−Ti
n 0xide)等の薄膜からなる透明電極で被覆さ
れた基板(ガラス板)であり、その間に液晶分子層22
がガラス面に垂直になるよう配向したSmC”相又はS
mH”相の液晶が封入、されている、太線で示した線2
3が液晶分子を表わしており。
模式的に描いたものである。21aと21bは、I n
203.5n02あるいはITO(Indium−Ti
n 0xide)等の薄膜からなる透明電極で被覆さ
れた基板(ガラス板)であり、その間に液晶分子層22
がガラス面に垂直になるよう配向したSmC”相又はS
mH”相の液晶が封入、されている、太線で示した線2
3が液晶分子を表わしており。
この液晶分子23はその分子に直交した方向に双極子モ
ーメント(P上)24を有している。
ーメント(P上)24を有している。
基板21aと21b上の電極間に一定の閾値以上の電圧
を印加すると、液晶分子23のらせん構造がほどけ、双
極子モーメント(P上)24がすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子23は配向方向を変えることが〒きる。液
晶分子23は、細長い形状を有しており、その長軸方向
と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス
面ノ上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧
印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子と
なることは、容易に理解される。
を印加すると、液晶分子23のらせん構造がほどけ、双
極子モーメント(P上)24がすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子23は配向方向を変えることが〒きる。液
晶分子23は、細長い形状を有しており、その長軸方向
と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス
面ノ上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧
印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子と
なることは、容易に理解される。
本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く(例えば10−l!l 1 ’
+ + X j h 獣 1嘩 、’f
ス ! /7”l 1−−”l L、−
(Iff X μ等 h(薄くなるにしたがい、第
2図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、非らせん構造を採り、その双
極子モーメン)PaまたはPbは上向き(34a)又は
下向き(34b)のどちらかの状態をとる。このような
セルに、第2図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る
電界Ea又はEbを電圧印加手段31aと31bにより
付与すると、双極子モーメントは、電界Ea又はEbの
電界ベクトルに対応して上向き34a又は下向き34b
と向きを変え、それに応じて液晶分子は、第1の安定状
態33aか或いは第2の安定状833bの何れか一方に
配向する。
の厚さを充分に薄く(例えば10−l!l 1 ’
+ + X j h 獣 1嘩 、’f
ス ! /7”l 1−−”l L、−
(Iff X μ等 h(薄くなるにしたがい、第
2図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、非らせん構造を採り、その双
極子モーメン)PaまたはPbは上向き(34a)又は
下向き(34b)のどちらかの状態をとる。このような
セルに、第2図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る
電界Ea又はEbを電圧印加手段31aと31bにより
付与すると、双極子モーメントは、電界Ea又はEbの
電界ベクトルに対応して上向き34a又は下向き34b
と向きを変え、それに応じて液晶分子は、第1の安定状
態33aか或いは第2の安定状833bの何れか一方に
配向する。
このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが2つある。
利点は、先にも述べたが2つある。
その第1は、応答速度が極めて速いことであり、第2は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第2の
点を、例えば第2図によって更に説明すると、電界Ea
を印加すると液晶分子は第1の安定状態33aに配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第2の安定状態
33bに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界E
aが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態に
やはり維持されている。このような応答速度の速さと、
双安定性が有効に実現されるにはセルとしては出来るだ
け薄い方が好ましい。
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第2の
点を、例えば第2図によって更に説明すると、電界Ea
を印加すると液晶分子は第1の安定状態33aに配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第2の安定状態
33bに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界E
aが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態に
やはり維持されている。このような応答速度の速さと、
双安定性が有効に実現されるにはセルとしては出来るだ
け薄い方が好ましい。
この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに当た
って最も問題となるのは、先にも述べたように、SmC
”相又はSmH”相を有する層が基板面に対して垂直に
配列し且つ液晶分子が基板面に略平行に配向した、モノ
ドメイン性の高いセルを形成することが困難なことであ
り、この点に解決を与えることが本発明の主要な目的で
ある。
って最も問題となるのは、先にも述べたように、SmC
”相又はSmH”相を有する層が基板面に対して垂直に
配列し且つ液晶分子が基板面に略平行に配向した、モノ
ドメイン性の高いセルを形成することが困難なことであ
り、この点に解決を与えることが本発明の主要な目的で
ある。
第3図(A)−(C)は、本発明の液晶素子の一実施例
を示している。第3図(A)は同実施例の斜視図であり
、第3図(B)はその側面の断面図、第3図(C)はそ
の正面の断面図である。但し第3図(A)においては、
液晶ならびに偏光子の図示は省略しである。
を示している。第3図(A)は同実施例の斜視図であり
、第3図(B)はその側面の断面図、第3図(C)はそ
の正面の断面図である。但し第3図(A)においては、
液晶ならびに偏光子の図示は省略しである。
第3図(A)−(C)において、ガラス板またはプラス
チック板などからなる基板101の1に、複数の電極1
02からなる電極群(例えば走査電極群を構成)が、所
定のパターンにエツチング等により形成されている。更
に、これら電極102と交互に且つ並列する位置関係で
、ストライブ形状で複数配置された側壁106および1
07を有するスペーサ部材104が形成されている。
チック板などからなる基板101の1に、複数の電極1
02からなる電極群(例えば走査電極群を構成)が、所
定のパターンにエツチング等により形成されている。更
に、これら電極102と交互に且つ並列する位置関係で
、ストライブ形状で複数配置された側壁106および1
07を有するスペーサ部材104が形成されている。
さらに基板lot上のスペーサ部材104形成部を除き
電極102を覆って絶縁膜103が形成されている。
電極102を覆って絶縁膜103が形成されている。
スペーサ部材104は、例えばポリビニルアルコール、
ポリイミド、ポリアミドイミド。
ポリイミド、ポリアミドイミド。
ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩
化ビニル、ポリ酢酸ビニル。
ル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩
化ビニル、ポリ酢酸ビニル。
ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン
樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、或いは
感光性ポリイミド、感光性ポリアミド、環化ゴム系フォ
トレジスト、フェノールノボラック系フォトレジスト或
いは電子線フォトレジスト (ポリメチルメタクリレー
ト。
樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、或いは
感光性ポリイミド、感光性ポリアミド、環化ゴム系フォ
トレジスト、フェノールノボラック系フォトレジスト或
いは電子線フォトレジスト (ポリメチルメタクリレー
ト。
エポキシ化−1,4−ポリブタジェンなど)などから選
択して形成することが好ましい。
択して形成することが好ましい。
絶縁膜103は、電極102から液晶層への電荷の注入
を防上する機能を有し、例えば−酸化ケイ素、二酸化ケ
イ素、酸化アルミニウム。
を防上する機能を有し、例えば−酸化ケイ素、二酸化ケ
イ素、酸化アルミニウム。
ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ
化セリウム、シリコン窒化物シリコン炭化物、ホウ素窒
化物、などの化合物を用いて例えば蒸着により被膜形成
して得ることができる。またそれ以外にも、例えばポリ
ビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステルイミド、ポリパラキシリレ、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セ
ルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂やアクリル樹
脂などの樹脂類の塗膜として形成することもできる。絶
縁III l 03の膜厚は、材料のもつ電荷注入防止
能力と、液晶層の厚さにも依存するが、通常50人〜5
ル、好適には、500人〜5000人の範囲で設定され
る。一方、液晶層の層厚は、液晶材料に特有の配向のし
易さと素子として要求される応答速度に依存するが、ス
ペーサ部材104の高さによって決定され1通常0.2
w〜200終、好適には、0.5鉢〜10pの範囲で設
定される。又、スペーサ部材104の幅は1通常0.5
ル〜50ル、好適には1w〜20牌の範囲で設定される
。スペーサ部材104のピッチ(間隔)は、あまり大き
すぎると液晶分子の均一な配向性を阻害し、一方あまり
小さ過ぎると液晶光学素子としての有効面積の減少を招
く。この為、通常lOル〜2mm、好適には、50〜7
00.の範囲でピッチが設定される。これらスペーサ部
材104は、例えばスクリーン印刷等の各種印刷法、或
いは、より好ましくはフォトリソグラフィー、電子線リ
ソグラフィー等の技術により所定のパターンならびに寸
法に形成される。
化セリウム、シリコン窒化物シリコン炭化物、ホウ素窒
化物、などの化合物を用いて例えば蒸着により被膜形成
して得ることができる。またそれ以外にも、例えばポリ
ビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステルイミド、ポリパラキシリレ、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セ
ルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂やアクリル樹
脂などの樹脂類の塗膜として形成することもできる。絶
縁III l 03の膜厚は、材料のもつ電荷注入防止
能力と、液晶層の厚さにも依存するが、通常50人〜5
ル、好適には、500人〜5000人の範囲で設定され
る。一方、液晶層の層厚は、液晶材料に特有の配向のし
易さと素子として要求される応答速度に依存するが、ス
ペーサ部材104の高さによって決定され1通常0.2
w〜200終、好適には、0.5鉢〜10pの範囲で設
定される。又、スペーサ部材104の幅は1通常0.5
ル〜50ル、好適には1w〜20牌の範囲で設定される
。スペーサ部材104のピッチ(間隔)は、あまり大き
すぎると液晶分子の均一な配向性を阻害し、一方あまり
小さ過ぎると液晶光学素子としての有効面積の減少を招
く。この為、通常lOル〜2mm、好適には、50〜7
00.の範囲でピッチが設定される。これらスペーサ部
材104は、例えばスクリーン印刷等の各種印刷法、或
いは、より好ましくはフォトリソグラフィー、電子線リ
ソグラフィー等の技術により所定のパターンならびに寸
法に形成される。
本発明の液晶素子は、上記のようにして処理された基板
lotと平行に重ね合されたもう一方の基板11Oを備
えており、この基板110の上には複数の電極(たとえ
ば信号電極)111からなる電極群と、更にその上に絶
縁膜112が形成されている。複数の(信号)電極11
1と、もう一方の複数の(走査)電極102は、マトリ
クス構造で配線されることができる。基板110上の絶
縁膜112は、前述の絶縁膜103と同様に液晶層10
5に流れる電流の発生を防止するものであり、前述の絶
縁膜103と同様の物質によって被膜形成される0本発
明に従い、この基板101の絶縁膜112のなす平面1
13には一軸配向性処理を行ない、その配向方向を、前
記基板101上のスペーサ部材104の延長方向とほぼ
平行(すなわち、これら二方向のなす角度をθとして、
好ましくは0″≦0<15’)または直交(好ましくは
、80″くθ<100’)させる、この際、これら二方
向のなす角度0を直交した場合の液晶セルは、角度θを
平行とした場合の液晶セルと比較して配向欠陥を生じる
傾向が大きく、特に一軸性配向処理として下達のラビン
グ処理を適用した場合では角度θを平行とした液晶セル
の方が角度0を直交とした液晶セルに較べ配向欠陥のな
いモノドメインを形成することができる6木発明者等の
研究によれば、このような平行または直交関係が満たさ
れないと、スペーサのエツジ部分で液晶分子の配向が乱
れたり、記憶作用を有するセルにおいては、双安定状態
間でのスイッチングがうまく行なわれない現象が生じる
。但し上記″したθの範囲表現からもわかるように、1
5″程度までのずれは実用上問題ない、このような一軸
配向性処理は、TN型液晶セルについてよく知られてい
るように、絶縁膜112をビロード、布または紙などに
よりラビング処理するか、或いは絶縁膜112の斜め蒸
着法により達成することができる。
lotと平行に重ね合されたもう一方の基板11Oを備
えており、この基板110の上には複数の電極(たとえ
ば信号電極)111からなる電極群と、更にその上に絶
縁膜112が形成されている。複数の(信号)電極11
1と、もう一方の複数の(走査)電極102は、マトリ
クス構造で配線されることができる。基板110上の絶
縁膜112は、前述の絶縁膜103と同様に液晶層10
5に流れる電流の発生を防止するものであり、前述の絶
縁膜103と同様の物質によって被膜形成される0本発
明に従い、この基板101の絶縁膜112のなす平面1
13には一軸配向性処理を行ない、その配向方向を、前
記基板101上のスペーサ部材104の延長方向とほぼ
平行(すなわち、これら二方向のなす角度をθとして、
好ましくは0″≦0<15’)または直交(好ましくは
、80″くθ<100’)させる、この際、これら二方
向のなす角度0を直交した場合の液晶セルは、角度θを
平行とした場合の液晶セルと比較して配向欠陥を生じる
傾向が大きく、特に一軸性配向処理として下達のラビン
グ処理を適用した場合では角度θを平行とした液晶セル
の方が角度0を直交とした液晶セルに較べ配向欠陥のな
いモノドメインを形成することができる6木発明者等の
研究によれば、このような平行または直交関係が満たさ
れないと、スペーサのエツジ部分で液晶分子の配向が乱
れたり、記憶作用を有するセルにおいては、双安定状態
間でのスイッチングがうまく行なわれない現象が生じる
。但し上記″したθの範囲表現からもわかるように、1
5″程度までのずれは実用上問題ない、このような一軸
配向性処理は、TN型液晶セルについてよく知られてい
るように、絶縁膜112をビロード、布または紙などに
よりラビング処理するか、或いは絶縁膜112の斜め蒸
着法により達成することができる。
なお上記したような一軸配向性処理は、基本的には基板
101については行なう必要はないが、基板101につ
いても行なうことができ、この際は、スペーサ部材10
4の延長方向とほぼ平行または直交する一軸配向性処理
後に、絶縁膜103を蒸着により形成するか、或いは絶
縁膜103の形成後に一軸配向性処理を行ない、その後
に絶縁膜103のなす面108の配向処理効果を選択的
に除くことにより、スペーサ部材104の側壁106お
よび107に選択的に配向処理効果を付与することが、
得られる液晶素子の応答速度を速くする為に望ましい6
本発明の液晶素子には、一対の平行基板101と110
の両側、すなわち基板101と110を挟む一対の偏光
手段(偏光子114と検光子115)を用いることがで
きる。偏光子114と検光子115としては、通常の偏
光板、偏光膜や偏光ビームスプリッタ−を用いることが
でき、この際4この偏光手段をクロスニコル状態又はパ
ラレルニコル状態で、配置することが可能である。
101については行なう必要はないが、基板101につ
いても行なうことができ、この際は、スペーサ部材10
4の延長方向とほぼ平行または直交する一軸配向性処理
後に、絶縁膜103を蒸着により形成するか、或いは絶
縁膜103の形成後に一軸配向性処理を行ない、その後
に絶縁膜103のなす面108の配向処理効果を選択的
に除くことにより、スペーサ部材104の側壁106お
よび107に選択的に配向処理効果を付与することが、
得られる液晶素子の応答速度を速くする為に望ましい6
本発明の液晶素子には、一対の平行基板101と110
の両側、すなわち基板101と110を挟む一対の偏光
手段(偏光子114と検光子115)を用いることがで
きる。偏光子114と検光子115としては、通常の偏
光板、偏光膜や偏光ビームスプリッタ−を用いることが
でき、この際4この偏光手段をクロスニコル状態又はパ
ラレルニコル状態で、配置することが可能である。
本発明の液晶素子は、一対の平行基板を上記したスペー
サ部材の延長方向と一軸性配向処理方向の相互関係を満
たすように固定し、それらの周辺をエポキシ系接着剤や
低融点ガラスで封止した後、強誘電性液晶を封入し等方
(isotropic)相にまで加熱した状態より、精
密に温度コントロールし乍ら徐冷することによって、得
ることができる。
サ部材の延長方向と一軸性配向処理方向の相互関係を満
たすように固定し、それらの周辺をエポキシ系接着剤や
低融点ガラスで封止した後、強誘電性液晶を封入し等方
(isotropic)相にまで加熱した状態より、精
密に温度コントロールし乍ら徐冷することによって、得
ることができる。
−上記においては、本発明の液晶素子を、その好ましい
一実施例に基づいて説明した。しかしながら本発明の範
囲内で、上記実施例を種々変形することができることは
、容易に理解できよう、たとえば、上記例においてスペ
ーサ部材104として説明した部材は、液晶に対して必
要な壁効果を及ぼすための側壁を有するならば、一対の
平行基板の両方に接触してスペーサ部材としても機能す
るものでなくてもよい。
一実施例に基づいて説明した。しかしながら本発明の範
囲内で、上記実施例を種々変形することができることは
、容易に理解できよう、たとえば、上記例においてスペ
ーサ部材104として説明した部材は、液晶に対して必
要な壁効果を及ぼすための側壁を有するならば、一対の
平行基板の両方に接触してスペーサ部材としても機能す
るものでなくてもよい。
但し上述の例からも分る通り、スペーサ部材は好ましい
構造部材の例であり、又、スペーサ部材104が直線に
沿って、ドツト状に配置した変形ストライプ状スペーサ
とすることも可能である。また、電極は上記した単純ス
トライプ状のマトリクス電極に限らず、他の形状、例え
ば7セグメント構造の電極配線で形成されていてもよい
。
構造部材の例であり、又、スペーサ部材104が直線に
沿って、ドツト状に配置した変形ストライプ状スペーサ
とすることも可能である。また、電極は上記した単純ス
トライプ状のマトリクス電極に限らず、他の形状、例え
ば7セグメント構造の電極配線で形成されていてもよい
。
以下、本発明の光学変調素子の具体的な製造例を説明す
る。
る。
実施例1
一対のI TO(I nd i um−Ti n −O
x i d e)からなるストライプ状のパターン電極
が形成された基板の一方に、ポリイミド膜を1500λ
程度の膜厚で形成し、一方向にラビング処理した。また
他方の基板にはポリイミド膜を24mの膜厚で形成し、
フォトエツチングにより、200.u、mピッチで巾2
0.cmのストライプ状スペーサを形成した。
x i d e)からなるストライプ状のパターン電極
が形成された基板の一方に、ポリイミド膜を1500λ
程度の膜厚で形成し、一方向にラビング処理した。また
他方の基板にはポリイミド膜を24mの膜厚で形成し、
フォトエツチングにより、200.u、mピッチで巾2
0.cmのストライプ状スペーサを形成した。
ポリイミドとしては、東し社製5P−510を用い、そ
のN−メチルピロリドン溶液をディッピングもしくはス
ピナーコーティングにより塗布してポリイミド膜形成し
た。
のN−メチルピロリドン溶液をディッピングもしくはス
ピナーコーティングにより塗布してポリイミド膜形成し
た。
エツチングは、ヒドラジン:Na0H=1:工の混合液
をエツチング液として、これを30℃に昇温し、ポリイ
ミド膜を形成した基板を、 3分間浸漬してエツチング
を行なった。
をエツチング液として、これを30℃に昇温し、ポリイ
ミド膜を形成した基板を、 3分間浸漬してエツチング
を行なった。
以上の工程で作成した一対の電極基板を。
ストライプ状スペーサの方向とラビング方向をほぼ平行
に一致させて液晶セル(セル厚;2鉢m)を構成した。
に一致させて液晶セル(セル厚;2鉢m)を構成した。
この液晶セルに等吉相の下記組成物Aを注入した後に、
セルの温度を5℃/時間の割合で徐冷し、SmC)Ic
の液晶セルを作成した。このSmC*の液晶セルを偏光
顕微鏡で観察したところ、配向欠陥を生じていない非ら
せん構造のモノドメインが形成されていることが判明し
た。
セルの温度を5℃/時間の割合で徐冷し、SmC)Ic
の液晶セルを作成した。このSmC*の液晶セルを偏光
顕微鏡で観察したところ、配向欠陥を生じていない非ら
せん構造のモノドメインが形成されていることが判明し
た。
組Jし直通
DOBAMBC100重量部
コレステリルノナネート 5重量部実施例2〜
6 前記実施例1で用いた組成物Aに代えて、下記組成物B
(実施例2)、C(実施例3)、D(実施例4)、E(
実施例5)及びF(実施例6)を用いたほかは、実施例
1と全く同様の方法で液晶セルを作成し、それぞれのS
mC)kの液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、何
れの場合でも配向欠陥を生じていない非らせん構造のモ
ノドメインの形式が確認できた。
6 前記実施例1で用いた組成物Aに代えて、下記組成物B
(実施例2)、C(実施例3)、D(実施例4)、E(
実施例5)及びF(実施例6)を用いたほかは、実施例
1と全く同様の方法で液晶セルを作成し、それぞれのS
mC)kの液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、何
れの場合でも配向欠陥を生じていない非らせん構造のモ
ノドメインの形式が確認できた。
綴1虹」
DOBAMBC100重量部
4−(2−メチルブチル)フェニル−4′−デシロキシ
ベンゾニー) 10重量部糺重上匹 DOBAMBCI O0重量部 4−(2”−メチルブチルオキシ)−4’−シアノビフ
ェニル 8重Mm糺底1J DOBAMBCI O0重量部 4−へキシルオキシ−4’−(2− メチルブチル)ベンゾニー) 12重量部糺底上」 HOBACPC100重量部 4−へキシルオキシ−4’−(2− メチルブチル)ベンゾエート 6重量部1底上」 HOBACPC100重量部 4−(2−メチルブチル)−4′−へ午シルオキシアゾ
ベンゼン 6重量部実施例7 一対のITOからなるストライプ状のパターン電極が形
成された基板の一方に、ポリイミド膜を1500人程度
の膜厚で形成し、一方向にラビング処理した。また他方
の基板にはポリイミド膜を2pmの膜厚で形成し、フォ
トエツチングにより、200ILmピッチで巾20pm
のストライプ状スペーサを形成し、ストライプ状スペー
サの方向と平行にラビング処理した。
ベンゾニー) 10重量部糺重上匹 DOBAMBCI O0重量部 4−(2”−メチルブチルオキシ)−4’−シアノビフ
ェニル 8重Mm糺底1J DOBAMBCI O0重量部 4−へキシルオキシ−4’−(2− メチルブチル)ベンゾニー) 12重量部糺底上」 HOBACPC100重量部 4−へキシルオキシ−4’−(2− メチルブチル)ベンゾエート 6重量部1底上」 HOBACPC100重量部 4−(2−メチルブチル)−4′−へ午シルオキシアゾ
ベンゼン 6重量部実施例7 一対のITOからなるストライプ状のパターン電極が形
成された基板の一方に、ポリイミド膜を1500人程度
の膜厚で形成し、一方向にラビング処理した。また他方
の基板にはポリイミド膜を2pmの膜厚で形成し、フォ
トエツチングにより、200ILmピッチで巾20pm
のストライプ状スペーサを形成し、ストライプ状スペー
サの方向と平行にラビング処理した。
ポリイミドとしては、東し社製5P−510を用い、そ
のN−メチルピロリドン溶液をディッピングもしくはス
ピナーコーティングにより塗布してポリイミド膜形成し
た。
のN−メチルピロリドン溶液をディッピングもしくはス
ピナーコーティングにより塗布してポリイミド膜形成し
た。
エツチングは、ヒドラジン: Na0H= 1 :lの
混合液をエツチング液として、これを30℃に昇温し、
ポリイミド膜を形成した基板を3分間浸漬してエツチン
グを行なった。
混合液をエツチング液として、これを30℃に昇温し、
ポリイミド膜を形成した基板を3分間浸漬してエツチン
グを行なった。
以上の工程で作成した一対の電極基板を。
ストライプ状のスペーサの方向とラビング方向をほぼ平
行に一致させて液晶セル′(セル厚;2fiLm)を構
成した。
行に一致させて液晶セル′(セル厚;2fiLm)を構
成した。
この液晶セルに実施例1で用いた等吉相の組成物Aを注
入した後に、セルの温度を5℃/時間の割合で徐冷し、
顕微鏡で観察した処、配向欠陥を生じていない非らせん
構造のモノドメイが形成されていた。
入した後に、セルの温度を5℃/時間の割合で徐冷し、
顕微鏡で観察した処、配向欠陥を生じていない非らせん
構造のモノドメイが形成されていた。
実施例8
実施例1において、一対の基板を、それらのラビング処
理方向とストライプ状スペーサの延長方向が直交するよ
うに組合わせ、それ以外は実施例1と同様にして液晶セ
ルを構成した。
理方向とストライプ状スペーサの延長方向が直交するよ
うに組合わせ、それ以外は実施例1と同様にして液晶セ
ルを構成した。
この液晶セルを偏光顕微鏡で観察した処、ストライプ状
スペーサのエッヂ部付近に若干の配向欠陥が観察された
。
スペーサのエッヂ部付近に若干の配向欠陥が観察された
。
実施例9
一対のITOからなるストライプ状のパターン電極が形
成された基板の一方に、ポリイミド膜を1000人程度
0膜厚で形成し、一方向にラビング処理した。tた他方
の基板にはポリイミド膜を2jLmの膜厚で形成し、フ
ォトエツチングにより、2004mピッチで巾20pm
のストライプ状スペーサを形成した。
成された基板の一方に、ポリイミド膜を1000人程度
0膜厚で形成し、一方向にラビング処理した。tた他方
の基板にはポリイミド膜を2jLmの膜厚で形成し、フ
ォトエツチングにより、2004mピッチで巾20pm
のストライプ状スペーサを形成した。
ポリイミドとしては、東し社製5P−510を用い、そ
のN−メチルピロリドン溶液をディッピングもしくはス
ピナーコーティングにより塗布してポリイミド膜形成し
た。
のN−メチルピロリドン溶液をディッピングもしくはス
ピナーコーティングにより塗布してポリイミド膜形成し
た。
エツチングは、ヒドラジン:Na0H=1:1の混合液
をエツチング液として、これを30℃に昇温し、ポリイ
ミド膜を形成した基板を3分間浸漬してエツチングを行
なった0次いで。
をエツチング液として、これを30℃に昇温し、ポリイ
ミド膜を形成した基板を3分間浸漬してエツチングを行
なった0次いで。
このストライプ状スペーサが形成されている基板上に前
述と同様のポリイミド膜を全面に亘って形成した。但し
、この時のポリイミドの膜厚を1000人とした0次い
で、このポリイミド膜の表面にストライプ状スペーサの
延長方向と平行方向にラビング処理を施した。
述と同様のポリイミド膜を全面に亘って形成した。但し
、この時のポリイミドの膜厚を1000人とした0次い
で、このポリイミド膜の表面にストライプ状スペーサの
延長方向と平行方向にラビング処理を施した。
以上の工程で作成した一対の電極基板を。
それぞれのラビング方向が平行となる様にセル組(セル
厚; 2 h m )みし、このセル中に等吉相下の組
成物Aを注入し、徐冷によって非らせん構造のSmC*
液晶セルを作成してから。
厚; 2 h m )みし、このセル中に等吉相下の組
成物Aを注入し、徐冷によって非らせん構造のSmC*
液晶セルを作成してから。
例1と同様の方法で観察したところ、同様の結果が得ら
れた。
れた。
この液晶セルは、他の例で用いた液晶セルに比較して数
日間放置後でもSmC)ICには配向欠陥を生じない安
定したモノドメインを形成していることが判明した。
日間放置後でもSmC)ICには配向欠陥を生じない安
定したモノドメインを形成していることが判明した。
さらに、この液晶素子に20Vで1m5eのパルス信号
を印加して駆動させたところ、実施例1の場合と較べ、
明状態と暗状態のコントラストが大きくなることが判明
した。
を印加して駆動させたところ、実施例1の場合と較べ、
明状態と暗状態のコントラストが大きくなることが判明
した。
比較例1
実施例1の液晶セルを作成した際のセル組み時に、一対
の電極基板を、ストライプ状スペーサの方向とラビング
方向とのなす角度θを256に設定して、重ね合せた他
は、実施例1と同様の方法で非らせん構造のSmC*液
晶セルを作成した。
の電極基板を、ストライプ状スペーサの方向とラビング
方向とのなす角度θを256に設定して、重ね合せた他
は、実施例1と同様の方法で非らせん構造のSmC*液
晶セルを作成した。
このS m C*液晶セルを実施例1と同様の方法で観
察したところ、ストライプ状スペーサのエッヂ付近に無
数の配向欠陥に帰因する黒すじ状態が観察され、この黒
すじ体が電極形成部を覆っており、この一対の電極間に
互いに極性の異なる2種の電極信号を印加しても、この
黒すじ体が形成されている部分では双安定性を全く示さ
ないことが判明した。
察したところ、ストライプ状スペーサのエッヂ付近に無
数の配向欠陥に帰因する黒すじ状態が観察され、この黒
すじ体が電極形成部を覆っており、この一対の電極間に
互いに極性の異なる2種の電極信号を印加しても、この
黒すじ体が形成されている部分では双安定性を全く示さ
ないことが判明した。
比較例2
実施例9の液晶セルを作成した際に用いたストライプ状
スペーサとポリイミド膜を設けた電極基板と同一のもの
を用意し、このポリイミド膜の表面にストライプ状スペ
ーサの延長方向に対して角度25°の方向にラビング処
理を施した。
スペーサとポリイミド膜を設けた電極基板と同一のもの
を用意し、このポリイミド膜の表面にストライプ状スペ
ーサの延長方向に対して角度25°の方向にラビング処
理を施した。
次いで、実施例9で使用した片側の電極基板と同一のも
のを用意し、これに一方向にラビング処理を施した。
のを用意し、これに一方向にラビング処理を施した。
この2枚の電極基板をそれぞれのラビング方向が平行と
なる様に重ね合せてからセル組みし、以下、実施例1と
同様の手順で非らせん構造のSmC)k液晶セルを作成
してから、この液晶セルを実施例1と同様の方法で観察
したところ、やはり比較例1と同様にディスプレイデバ
イスとしては致命的な配向欠陥が観察された。
なる様に重ね合せてからセル組みし、以下、実施例1と
同様の手順で非らせん構造のSmC)k液晶セルを作成
してから、この液晶セルを実施例1と同様の方法で観察
したところ、やはり比較例1と同様にディスプレイデバ
イスとしては致命的な配向欠陥が観察された。
又、前述と同様に一対の電極間に電気信号を印加したが
、双安定性は全く示していなかった。
、双安定性は全く示していなかった。
前記したように、本発明によれば、一対の電極基板の一
方の電極基板にストライプ状の側壁を有する構造部材(
好ましくは兼スペーサ)を形成し、他方の基板に一軸性
配向処理(例えば、ラビ:/グ)を行ない、その処理方
向を上記構造部材とほぼ平行もしくは直交する方向に規
制するとともに、液晶として少なくともカイラルスメク
ティック相を示す液晶と少なくともコレステリック相を
示す液晶とを含有した液晶組成物を用いることにより、
特に欠陥の現われやすい記憶状態においてもスペーサエ
ツジでの欠陥を除くことができる。
方の電極基板にストライプ状の側壁を有する構造部材(
好ましくは兼スペーサ)を形成し、他方の基板に一軸性
配向処理(例えば、ラビ:/グ)を行ない、その処理方
向を上記構造部材とほぼ平行もしくは直交する方向に規
制するとともに、液晶として少なくともカイラルスメク
ティック相を示す液晶と少なくともコレステリック相を
示す液晶とを含有した液晶組成物を用いることにより、
特に欠陥の現われやすい記憶状態においてもスペーサエ
ツジでの欠陥を除くことができる。
第1図は、カイラルスメクティック液晶を用いた液晶素
子を模式的に示す斜視図である。第2図は、同液晶素子
の双安定性を模式的に示す斜視図である。第3図(A)
は、本発明の液晶素子の斜視図、第3図(B)はその側
断面図、第3図(C)はその正断面図である。 第30(C)
子を模式的に示す斜視図である。第2図は、同液晶素子
の双安定性を模式的に示す斜視図である。第3図(A)
は、本発明の液晶素子の斜視図、第3図(B)はその側
断面図、第3図(C)はその正断面図である。 第30(C)
Claims (3)
- (1)一対の基板間に液晶を配置した液晶素子に於いて
、前記一対の基板のうち一方の基板がストライプ状に配
列した側壁を有する複数の構造部材を有し、前記一対の
基板のうち少なくとも一方の基板が前記複数の構造部材
の延長方向とほぼ平行又は垂直な方向に一軸性配向処理
が施されているとともに、少なくともカイラルスメクテ
ィック相を示す液晶と少なくともコレステリック相を示
す液晶とを含有した液晶組成物のスメクティック相を該
スメクティック相より高温側の相からの相転移により形
成したことを特徴とする液晶素子。 - (2)前記側壁を有する複数の構造部材が、一対の基板
間のストライプ状スペーサー部材として機能し、かつ強
誘電性液晶に双安定性を付与するに適当な厚さを有する
特許請求の範囲第1項に記載の液晶素子。 - (3)前記側壁を有する複数の構造部材の延長方向と前
記一軸性配向処理のなす角度θが、0°≦θ<15°ま
たは80°<θ<100°の関係を満たす特許請求の範
囲第1項に記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60044003A JPH06100749B2 (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60044003A JPH06100749B2 (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 液晶素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61203427A true JPS61203427A (ja) | 1986-09-09 |
JPH06100749B2 JPH06100749B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=12679526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60044003A Expired - Lifetime JPH06100749B2 (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 液晶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06100749B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6378126A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネル |
JPS63133121A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶素子とその製造法 |
US5029983A (en) * | 1986-12-06 | 1991-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with a smectic chiral liquid crystal |
JPH07318912A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-12-08 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶パネル枠、液晶パネル体及び液晶ディスプレイ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59201021A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP60044003A patent/JPH06100749B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS59201021A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
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JPH07318912A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-12-08 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶パネル枠、液晶パネル体及び液晶ディスプレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06100749B2 (ja) | 1994-12-12 |
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