JPS6194023A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シャッタ等で用いる
液晶素子、特にプラスチック基板を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくは液晶分子の初期配向状態を改善するこ
とにより、表示並びに駆動特性を改善した液晶素子に関
するものである。

これまでの液晶素子は、主にＭ、５ｃｈａｄｔ　とＷ、
Ｈｅ１ｔｒｉｃｈ著”Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ”　　Ｖｏｌ、１８．Ｎｏ、４（１９７
１，２，１５）　。

Ｐ、１２７〜１２８　ノ”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎ
ｄｅｎｔＯｐｔｉ’ｃａｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　
ａ　ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔ　ｉｅ　Ｌｉｑｕｉｄ　
Ｃｒｙｓｔａｌ”に記載されている様なＴＮ（Ｔｗｉｓ
ｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）方式が採用されており、この
ＴＮ方式の配向制御を効率的に保障する方法としてネマ
チック液晶の接する基板界面を斜方蒸着によって形成し
たＳｉＯ又は５ｉ０２や一方にラビング処理した有機樹
脂、例えばポリイミド、ポリアミドで形成する方法が知
られている。

このＴＮ方式を用いた表示パネルは、ＴＮ方式自体に高
速応答性とメモリー効果を持っていないため、高密度画
素の表示パネルを設計する」二で１例えは薄膜トランジ
スタ（ＴＰＴ）をアレイ状に配置したアクティブマトリ
クス基板を必要としている。しかし、この様なＴＮａ、
品を用いたアクティブマトリクス駆動方式の表示パネル
では、使用するＴＰＴが複雑な構造を有しているため、
製造工程数が多く、高い製造コストがネックとなってい
る−にに、ＴＰＴを構成している薄膜半導体（例えば、
ポリシリコン、アモルファスシリコン）を広い面積に亘
って被膜形成することが難しいなどの問題点がある。

これらの問題点を解決するものとして、Ｎ、Ａ、Ｃ１ａ
ｒｋとＳ、Ｔ、Ｌａｇｅｒｗａｌ　Ｉの米国特許第４３
６７９２４号明細書で提案されている強誘電性液晶素子
が知られている。

しかし、強誘電性液晶はカイラルスメクティツク相でそ
の挙動を現わすが、一般にスメクテイツク相の液晶はネ
マチック相の液晶に較べ配向制御性や配向安定性が悪い
欠点がある。木発明者らの実験では、従来のＴＮ方式で
知られている様な配向制御法をスメクテイツク相の形成
に単に転用するだけでは、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できないが、下達する特
定の配向制御膜を用いることによって、均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できることが判明した。

従って、本発明の目的は、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイ□ツク相、特に強誘電性を示すカイラ
ルスメクテイツクＣ相（ＳｍＣ＊）　。

Ｈ相（ＳｍＨ＊）、Ｉ相（ＳｍＩ木）、Ｊ相（ＳｍＪ木
）。

Ｋ相（ＳｍＫ＊）、Ｆ相（ＳｍＦ＊）　　や　Ｇ相（Ｓ
ｍＧ＊）　　を示す液晶を形成する配向制御膜を提供す
ることにある。

又、本発明の別の目的は、プラスチック基板を用いたス
メクテイツク液晶素子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。

本発明のかかる目的は、電極を設けた一対の基板の間に
スメクテイツク液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が有機ジルコニウム化合物と有機樹脂を含有する組成
物から形成した配向制御膜を有する液晶素子によって達
成される。

以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明による液晶素子の一実施態様を示すもの
で、図中、１はプラスチック基板、２は該基板上に設け
られた透明導電膜より成る電極、３は配向制御膜、４は
シール部材、５はスペーサ部材、６はスメクテイツク液
晶物質を示す。プラスチック基板１としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ホリブチレンテレフタレート、ポ
リエーテルスルフォン、ポリカーボネート、三酢酸セル
ロース、ポリオールやポリエーテルサルホンなどのプラ
スチックが使用され、これらに蒸着、低温スパッタ、Ｃ
ＶＤ、などの公知の手段により酸化スズ、酸化インジウ
ムやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）等の
透明導電膜２が設けられる。

本発明では上記透明電極３を形成したプラスチック基板
１上に有機ジルコニウム化合物を主成分とする組成物よ
り成る配向制御膜３が形成される。

有機ジルコニウム化合物としては、 Ｚｒ　（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）　４　、　Ｚｒ　（ＯＣ４Ｈ
９）　４゜Ｚｒ（○Ｃ３Ｈ１１）　４　、　Ｚ　ｒ　（
ＯＣ８Ｈ１７）　ａ　、　Ｚｒ　（ＯＣ９Ｈ１９）　４
などの様なアルコキシタイプのものや、Ｚｒ　（ＣＨ３
ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）　４　（７）様ナキレートタイプ
のものが挙げられ、スメクテイツク液晶６に対する配向
性能あるいは成膜性や取扱いの点から後者のキレートタ
イプのものが好ましい。

有機樹脂としては、各種のものを用いることができるが
、特にポリエステル樹脂、インシアネート樹脂、ポリア
ミ　ド樹脂、ポリイミ　ド樹脂、ポリエステルイミド樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂及びポリビニ
ルアルコール樹脂などからなる樹脂類より選択したもの
を用いることができる。

ポリエステル樹脂とは線状飽和ポリエステルであり、テ
レフタル酸、インフタル酸、アジピン酸、セバシン酸、
無水トリメット酸などの飽和多価カルボン酩とエチレン
グリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリ
コールなどの飽和多価アルコール及びスチレンモノマー
、メタクリル酸メチル、ジアリルフタレートなどのモノ
マーに種々のＩＩ！ｌ！奴や促進剤によって合成された
飽和ポリエステル又はその共重合体で、特にテレフタル
酸を主体とし、融点Ｔｍが６０°＜Ｔｍ＜１５０’Ｃで
あることが配向制御膜形成上、耐熱性、反応性の点から
好ましい。

インシアネート樹脂とは樹脂中にインシアネート基（−
Ｎ’　ＣＯ）含有化合物を単独あるいはヒドロキシル基
（−ＯＨ）、　アミノ基（−ＮＨ２）、カルボキシル基
（−ＣＯＯＨ）を含むインシアネートと反応しやすい物
質と混合されたものを指し、インシアネート基の高い極
性と反応性か特徴となっている。例としてトリフェニル
メタントリイソシアネート　（商品名Ｄｅｓｍ’ｏｄｕ
ｒ　　　　　Ｒ）、　　　　ト　　リ　　ス　　　（４
−）二ニルイソシアネート）チオフォスフェート（商品
名　Ｄｅｓｍｏｄｕｒ　　ＲＦ）、ＴＤに量体（商品名
　Ｄｅｓｍｏｄｕｒ　　ＴＴ）、ＴＤＩ三量体（商品名
　ＤｅｓｍｏｄｕｒＩＬ）：２，４．４’−ジフェニル
エーテルトリイソシアネート（商品名　Ｈｙｌｅｎ　　
ＤＭ）、ＭＤＩ（商品名　Ｃｏｒｏｎａｔｅ　　ＡＰ）
、他にポリイソシアネートとしてＴＩＯとトリメチロー
ルプロパンとの反応生成物（商品名Ｃｏｒｏｎａｔｅ　
　Ｌ）などが挙げられ、毒性や取扱いの容易性、貯蔵安
定性及び配向制御膜形成時の反応性の点からポリイソシ
アネートが好ましい。

ポリアミド樹脂は、一般にナイロンで称されているもの
で、その原料としては、例えばナイロン６の原料である
カプロラクタム、ないし６−アミノカプロン酸、ナイロ
ン６６、ナイロン６１０の原料であるヘキサメチレンジ
アミンとアジピン酸、セバシン酸などのジカルボン酸、
ナイロン１１の原料である１１−アミノウンデカン酸、
ナイロン１２の原料であるＷ−ラウロラクタムなどが挙
げられ、さらに、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メ
タン、メタキシクレンジアミン、もしくはこの水素化物
、ピペラジン、２．５−ジメチルピペラジン、トリメチ
ルへキサメチレンジアミンなどのジアミンも挙げられる
。特に、ナイロン６７６６、ナイロン６／６６／６１０
　、ナイロン６／６６／６１０／１２などの共重合体は
アルコール可溶性であることから好ましいものである。

エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ、４．
４’−ジヒドロキシビフエこル、２゜２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）メタンやトリヒドロキシジフェニル
ジメチルメタンナトの多価フェノールとエピハロヒドリ
ン（エピクロルヒドリン）やエピハロヒドリンへ誘導さ
れ得る化合物（ジクロロヒドリンの如きジノペロヒドリ
ン）とを塩基性あるいは酸性触媒下で反応させ、脱ハロ
ゲン化反応により得ることができる。その他に、例えば
、「エポキシ樹脂」　（合成樹脂工業技術９、清野繁夫
著、誠文堂新光社発行）や「エポキシ樹脂の製造と応用
」　（垣内弘偏、高分子化学刊行会発行）に記載された
エポキシ樹脂を用いることができる。

本発明で用いるポリイミド、ポリエステルイミドとポリ
アミドイミドは、その前駆体であるポリアミド酸を溶媒
に溶解し、基板上に塗布した後に加熱処理により脱水閉
環して得られる。

ポリアミドイミドの前駆体であるポリアミド酸は過剰の
ジアミンから得られるポリゴジミンとジカルボン酸の無
水物との縮合により合成される。ポリエステルイミドの
前駆体であるポリアミド酸はエステル基を有するジカル
ボン酸無水物とジアミンとの縮合により合成される。こ
のエステル基を有するジカルボン酸無水物はトリメリッ
ト酸とジオールから得られる。又、ポリイミドの前駆体
であるポリアミド酸は、ジカルボン酸無水物とジアミン
の縮合によって得られる。これらの代表的なジカルボン
酸無水物及びジアミンとしては、例えば米国特許第３１
７９６３４号公報に記載されたものを用いることができ
る。具体的には、ジアミンとしてはｍ又はｐ−フェニレ
ンジアミン、ｍ又はｐ−キシレンジアミン、４．４′−
ジアミノジフェニルエーテルや４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタンが挙げられ、又ジオールとしてはヒドロキ
ノン、ビスフェノールＡ、ジクロルビスフェノールＡ、
テトラクロロビスフェノールＡが挙げられる。ジカルボ
ン酸無水物としては、ピロメリットａ無水物、２，３，
６．７−ナフタレンテトラカルボン酸無水物などが使用
される。

有機ジルコニウムと有機樹脂を含有する塗布液を用いて
配向制御膜３を形成する際、その塗布液中の有機ジルコ
ニウムと有機樹脂の濃度が低すぎては配向性能が充分得
られず、又高すぎた場合では成膜のうねり、屈折率から
来る反射光の干渉色及び透明導電膜上の抵抗値の増大が
生ずるため１〜１０ｗｔ％が好ましい。

塗布液を作成するに当って、使用する溶媒としてはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノ
ールなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチル
ケトンなどのアセトン類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サンなどの環式エーテル類や酢酸メチル、酢酸エチルな
どのエステル類が挙げられる。

これらの塗布液は、基板、特にプラスチック基板の上に
スピンナー塗布法やスクリーン印刷法により塗布した後
、６０°Ｃ〜１５０°Ｃで加熱して膜とすることができ
る。

膜形成後、綿布等テ２０〜２００　ｇ　／　ｃ　ｒｎ’
、好ましくは１００　ｇ　／　ｃ　ｍ７付近の静圧下で
ラビングすることで配向制御膜とし、基板間に液晶物質
を充填することにより液晶表示パネルが得られる。

この配向制御膜３の一般的な膜厚は、１００人〜１ｐ、
好ましくは５００久〜２０００人とすることができる。

本発明の液晶表示パネルの配向制御膜成形は浸漬法や吹
き付は法などで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング（現象エツチング、ハクリ）工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチックフィルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。

又、スペーサ部材５は、感光性樹脂、例えば感光性ポリ
イミドの被膜を形成した後、所定のホトエツチングによ
り得られる。

本発明で用いるスメクテイック液晶としては、強誘電性
を示すものが好ましく、例えばＳ　ｍ　Ｃ木、ＳｍＨ＊
、、ＳｍＪ＊、ＳｍＫ木。

ＳｍＦ＊、ＳｍＦ木やＳｍＧ＊などのカイラルスメクテ
イツク相を有する液晶組成物を用いることができ、る。

本発明の液晶素子に用いるカイラルスメクテイツク相を
示す液晶を下記に示す。

（１）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　ＣＨ３一ノチルブチルシンナメー１−　（Ｄ
ＯＢＡＭＢＣ）（２）　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　Ｃ文一クロルプロビルシンナ
メート（ＨＯＢＡＣＰＣ）（３）　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　ＣＮ　　　　　　　ＣＨ３一メチル
ブチルーα−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡＭＢＣＣ
）７８ｏＯ１０４°Ｃ 結晶　→　　ＳｍＡ　　→　等吉相 −メチルブチル−α−クロロシンナメート（ＯＯＢＡＭ
ＢＣＣ）４１℃　　　　６６°Ｃ 結晶　→　　ＳｍＡ　　→　等吉相 −メチルブチル−α−メチルシンナメートＣＨ３０ ■ −ＣＯＯＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５ ネ ４．４′−アゾキシシンナミックアシッド−ビス（２−
メチルブチル）エステル Ｈ ４−０−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４′
−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ　　８） これらの液晶は、単独又は２種以上を混合してもよく、
あるいは他のスメクテイック液晶やコレステリック（カ
イラルネマチック）液晶と混合してもよい。

第２図は、強誘電性液晶の動作説明の為に、セルの例を
模式的に描いたものである。１１と、１１′は、Ｉ　ｎ
２０３．５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　　Ｔ
ｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で被覆
された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子層１
２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊。

ＳｍＨ＊、Ｓｍ、Ｆ＊、ＳｍＩ木、ＳｍＧ木などのカイ
ラルスメクティック相の液晶が封入されている。太線で
示した線１３が液晶分子を表わしており、この液晶分子
１３はその分子に直交した方向に双極子モーメン）　（
Ｐ上）１４を有している。基板１１と１１’上の電極間
に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子１３の
らせん構造がほどけ、双極子モーメン）　（Ｐ土）１４
がすべて電界方向に向くよう、液晶分子１３は配向方向
を変えることができる。液晶分子１３は、細長い形状を
有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばガラス面の」−下に互いにクロスニ
コルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性
が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解さ
れる。

本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１０ｇ以下）することがで
きる。このように液晶層がなりくなることにしたがい、
第３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶
分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その
双極子モーメン）ＰまたはＰ′は上向き（２４）又は下
向き（２４’）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに、第３図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電
界Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２１と２１′により付与す
ると、双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電界ベク
トルに対応して上向き２４又は下向き２４′と向きを変
え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態２３かあ
るいは第２の安定状態２３′の何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向するが
、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの
電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態２３
′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を
切ってもこの状態に留っている。

又、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセルと
しては出来るだけ薄い方が好ましい。

この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに当た
って最も問題となるのは、先にも述べたように、Ｓ　ｍ
　Ｃ末、ＳｍＨ木、　Ｓ　ｍ　Ｆ木。

Ｓｍ１本、ＳｍＧ＊、ＳｍＫ＊、ＳｍＪ＊。

などのカイラルスメクティック相を有する層が基板面に
対して垂直に配列し且つ液晶分子が基板面に略平行に配
向した、モノドメイン性の高いセルを形成することが困
難なことであり、この点に解決を与えることが本発明の
主要な目的である。

第４図（Ａ）と（Ｂ）は本発明の液晶素子の一実施例を
示している。第４図（Ａ）は、本発明の液晶素子の平面
図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−ｘ断面図である。

第４図で示すセル構造体１００は、一対のガラス板やプ
ラスチック板基板１０１と１０１’（片側のみをプラス
チック基板としてもよい）をスペーサ１０４で所定の間
隔に保持され、この一対の基板をシーリングするために
接着剤１０６で接着したセル構造を有しており、さらに
基板１０１の上には複数の透明電極１０２からなる電極
群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電圧印加
用電極群）が例えば帯状パターンなどの所定パターンで
形成されている。

基板１０１′の」−には前述の透明電極１０２と交差さ
せた複数の透明電極１０２′からなる電極群（例えば、
マトリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群）が
形成されている。

この基板１０１と１０１′の上には、それぞれ前述の有
機ジルコニウム化合物と有機樹脂を含有する塗布液から
形成した配向制御膜１０５が設けられている。

第４図に示すセル構造体１００の中の液晶層１０３は、
Ｓ　ｍ　Ｃ木、ＳｍＨ木、ＳｍＦ＊。

ＳｍＫ木、ＳｍＪ＊、ＳｍＩ木、ＳｍＧ＊など゛のカイ
ラルスメクテイツク相とすることができる。

第５図は、木発明の液晶素子の別の具体例を表わしてい
る。第５図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
１０１と１０１’の間に複数のスペーサ部材２０１が配
置されている。

このスペーサ部材２０１は、例えば配向制御膜１０５が
設けられていない基板１０１′の上にＳ　ｉｏ、Ｓ　ｉ
ｏ２　、Ａ文２０３．ＴｉＯ２などの無機化合物あるい
はポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエ
ステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセクール、ポ
リ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチ
レン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、ア
クリル樹脂やフォトレジスト樹脂などの樹脂類を適当な
方法で被膜形成した後、所定の位置にスペーサ部材２０
１が配置される様にエツチングすることによって得るこ
とができる。

この様なセル構造体１００は、基板１０１と１０１′の
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子１０７と１０８がそれぞれ配置されて、電極１
０２と１０２′の間に電圧を印加した時に光学変調を生
じることになる。

以下に木発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発
明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定され
るものではない。

実施例１ ｌ１００７ｐのポリエチレンテレフタレートフィルムに
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパッ
タ装置でフィルム表面温度を１２０°Ｃ以下に抑えて形
成したプラスチック基板に、以下の組成の溶液（溶液組
成（１））を塗布し、１２０°０３０分乾燥して薄膜を
形成した。

症蔗ｍ工」） Ｚｒ　　（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）　　４　１ｇポ
リエステル樹脂（東洋紡；バイロン３０ｐ）０．５ｇ テトラヒドロフラン　　　　　　　　１０ｍ文メチルエ
チルケトン　　　　　　　　９０ｍ立次に、１００　ｇ
　／　ｃ　ｍ’の押圧下で一方向にラビングし、このラ
ビングした一対のプラスチック基板を上下のラビング方
向が平行となる様に重ね合せ、注入口となる個所を除い
たその周辺をシーリングした。この時の一対のプラスチ
ック基板の間隔は、１にであった。

次にＰ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）１００重
量部に対して、コレステリルノナネートを５重量部加え
て液晶組成物を調製した。

この液晶組成物を加熱して等吉相とし、上記で作製して
セル内に減圧下で注入口から注入し、その注入口を封口
した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を約７０
℃で維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル状態
で設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメインの非
らせん構造のＳｍＣ木が形成させている事が確認できた
。

実施例２〜５ 実施例１で用いた下記に示す溶液組成（２）〜（５）の
塗布液を用いたほかは、実施例１と同様の方法で液晶素
子を作成した。

躍瀕ｌ化城 ２（実施例２） Ｚｒ　（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）４　　１　ｇイン
シアネート樹脂　　　　　　　　　０．５ｇ（日本ポリ
ウレタン、コロネールＬ）（固形分）テトラヒドロフラ
ン　　　　　　　　１０ｍ文メチルエチルケトン　　　
　　　　　９０ｍ文酢酸エチル　　　　　　　　　　　
　　７ｍ文３（実施例３） Ｚ　ｒ　（ＣＨ３Ｃ０ＣＨＣＯＣＨ３）４　　１　ｇポ
リアミド樹脂　　　　　　　　　　　０．５ｇ（東し；
ＣＭ−４０００） イソプロピルアルコール　　　　　　１０ｔｎＱメチル
エチルケトン　　　　　　　　９０ｍ文４（実施例４） Ｚｒ　（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）４　　１　ｇエポ
キシ樹脂　　　　　　　　　　　　０．５ｇ（シェル化
学、エピコート８３６） テトラヒドロフラン　　　　　　　　１０ｍ文メチルエ
チルケトン　　　　　　　　９０ｍ文５（実施例５） ｚｒ（ｃＨ３ｃｏｃＨｃｏｃＨ３）４　１ｇポリビニル
アルコール樹脂　　　　　　０．５ｇイソプロピルアル
コール　　　　　　２０ｍｕテトラヒドロフラン　　　
　　　　　５０ｍ文メチルエチルケトン　　　　　　　
　３０ｍ文これらの液晶セルについて実施例１と同様の
方法で測定したところ、同様に均一なモノドメインの非
らせん構造が観察された。

実施例６ 実施例１で用いた有機ジルコニウム化合物に代えて、Ｚ
　ｒ　（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４を用イタほかは、実施例１
と同様の方法で液晶素子を作成したところ、非らせん構
造のＳｍＣ木が形成されていた。

実施例７ ピッチ１１００ｐで幅６２．５　ｐ−ｍ　ｃ７）　スト
ライプ状のＩＴＯ膜を電極として設けたガラス板の上に
下記溶液組成（６）の塗布液をスピンナー塗布した。

溶液組成（６） Ｚｒ　（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）　４１ｇポリイミ
ドの前駆体であるピロメリット酸無水物と４．４′−ジ
アミノジフェニルエーテルとの縮合生成物（ポリアミド
酸）　　　　　０．５ｇ（固形分） イソプロピルアール　　　　　　　　５０ｍ文エタノー
ル　　　　　　　　　　　　５０ｍ文この溶液組成（６
）を塗布したガラス板を２３０°Ｃで約１時間の加熱に
よる脱水閉環反応によりポリイミド膜を形成した。

次に、ｌｏｏｇ／ｃｒｎ’の抑圧下で−゛方向ラビング
し、このラビングした一対のガラス板を上下のラビング
方向が平行となる様に重ね合せ、注入口となる個所を除
いたその周辺をシーリングした。この時の一対のガラス
基板の間隔は、１ルであった。次いで、実施例１と同様
の方法で液晶セルを作成し、観察したところ、モノドメ
インの非らせん構造のＳｍＣ木が形成されていた。

実施例８〜９ 実施例７で用いたポリイミドの前駆体である縮合生成物
に代えて、ポリエステルイミドの前駆体であるトリメリ
ット酸とヒドロキノンとから得た芳香族ジカルボン酸無
水物と４，４′−ジアミノジフェニルエーテルとの縮合
生成物（ポリアミド酸）（実施例８）、ポリアミドイミ
ドの前駆体であるＮ、Ｎ′−どス（３−アミノフェニル
）インフタルアミドとピロメリット酸無水物との縮合生
成物（ポリアミド酸）（実施例９）を用いたほかは実施
例７と同様の方法で液晶セルを作成し、観察したところ
、同様の結果が得られた。

実施例１０ 実施例７で用いた有機ジルコニウム化合物に代えて、Ｚ
　ｒ　（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４を用いたほかは、実施例７
と同様の方法で液晶素子を作成したところ、非らせん構
造のＳｍＣ木が形成されていた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の液晶素子の一実施例を表わす断面図
である。 第２図および第３図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−ｘ断面図である
。第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わす断
面図である。 ｌ　；　プラスチック基板 ２　；　透明導電膜の電極 ３　；　配向制御膜 ４　；　シール部材 ５　；　スペーサ部材 ６　；　スメクテイツク液晶 １００　　；　　セル構造体 １０１．１０１’　　、　　基板 １０２．１０２’　　、　　電極 １０３　；　液晶層 １０４．２０１　　；　　スペーサ部材１０５　；　配
向制御膜 １０６　　、　　接着剤（シール部材）１０７、Ｊ、０
８　　、　　偏光子 １ｏ９　；　発熱体

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極を設けた一対の基板の間にスメクテイツク液
   晶を封入したセル構造を有する液晶素子において、前記
   一対の基板のうち少なくとも一方の基板が有機ジルコニ
   ウム化合物と有機樹脂を含有する組成物から形成した配
   向制御膜を有することを特徴とする液晶素子。
2. （２）前記スメクテイツク液晶が強誘電性液晶である特
   許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
3. （３）前記強誘電性液晶がカイラルスメクテイツク液晶
   である特許請求の範囲第２項記載の液晶素子。
4. （４）前記カイラルスメクテイツク液晶が非らせん構造
   の相を形成している特許請求の範囲第３項記載の液晶素
   子。
5. （５）前記カイラルスメクテイツク液晶がＣ相、Ｈ相、
   Ｉ相、Ｆ相、Ｊ相、Ｋ相又はＧ相である特許請求の範囲
   第３項又は第４項記載の液晶素子。
6. （６）前記有機樹脂がポリエステル樹脂、イソシアネー
   ト樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステ
   ルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂及
   びポリビニルアルコール樹脂からなる樹脂類から少なく
   とも１種を選択した樹脂である特許請求の範囲第１項記
   載の液晶素子。
7. （７）前記一対の基板のうち、少なくとも一方の基板が
   プラスチツク基板である特許請求の範囲第１項記載の液
   晶素子。