JPH08101370A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
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Abstract
無い均一な表示などの駆動かつ高コントラストを得る。 【構成】 (Tc−1)℃における強誘電性液晶のティ
ルト角が8゜以下でC2配向の面積率が100パーセン
トとなり、表示素子全面がC2配向の均一な配向とな
る。このように、全面C2配向状態を得ることにより、
むらの無い均一な表示かつ高コントラストを得ることが
可能となる。
Description
タヘッドなどに用いる強誘電性液晶素子に関する。
示素子に加えてスメクティック相を利用した種々の表示
モードの研究も盛んに行われており、特に、表面安定化
強誘電性液晶表示素子が有望視されている。このような
表示素子は、例えば、文献(N.A.Clark,et
al.,Appl.Phys.Lett.,36,8
99(1980))に開示されている。
配向状態には、消光位を示すユニフォーム状態と消光位
を示さないツイスト状態が存在することが知られてい
る。
て、図25に示すように、強誘電性液晶はシェブロン層
構造と呼ばれる折れ曲がったスメクティック層構造を示
すが、このスメクティック層構造の折れ曲がり方向と配
向膜の一軸配向処理の方向が、反対であるC1配向と、
同一であるC2配向の2つの配向領域が存在しうること
が文献(J.Kanbe et al.,Ferroe
lectrics,114,3(1991))から知ら
れている。
向膜を用いたパラレルラビングの強誘電性液晶セルにお
いて、C1U(C1ユニフォーム)配向、C1T(C1
ツイスト)配向、C2配向の3つの配向が同時に混在し
て得られたことを、文献(M.Koden et a
l.,Jpn.J.Appl.Phys.,30,L1
823(1991))から報告している。
のパラレルラビングの強誘電性液晶セルにおいて、C1
U配向、C1T配向、C2U(C2ユニフォーム)配
向、C2T(C2ツイスト)配向の4つの配向状態が同
時に混在して得られたことを、文献(A.Tagawa
et al.,Japan Display’92,
519(1992))から報告している。
晶分子配向モデルを示している。
晶素子においては、一般に、その配向状態によって駆動
特性が異なるため、素子全面が均一な配向となることが
望ましい。また、上記従来の強誘電性液晶素子のように
C1配向とC2配向が混在すると、駆動特性が異なるだ
けでなく、C1配向とC2配向の境界であるライトニン
グ欠陥・ヘアピン欠陥により表示不良やコントラストの
低下などが起こるため、素子全面が均一な配向となるこ
とが望ましい。特に、配向状態としては、駆動電圧や応
答速度、消光性などの観点から、C1U配向やC1T配
向よりもC2U配向の方が好ましい。
り報告されている文献「負の誘電異方性を有する液晶材
料を利用する方法」(P.W.H.Surguy et
al.,Ferroelectrics,122,6
3(1991))などの技術を用いれば、C2T配向も
C2U配向と同様の良好な駆動特性やコントラストが得
られることを見出した。
のみを選択的に得る方法については、これまで詳細に検
討されていなかった。
で、全面C2配向状態を得ることにより、むらの無い均
一な表示などの駆動かつ高コントラストの強誘電性液晶
素子を提供することを目的とする。
子は、電極を有する一対の絶縁性基板間に、温度により
キラルネマティック相、スメクティックA相、およびキ
ラルスメクティックC相のうち少なくともスメクティッ
クA相およびキラルスメクティックC相を示す強誘電性
液晶を挟持し、該電極に選択的に駆動電圧を印加するこ
とによって該強誘電性液晶の光軸を切り換えて駆動する
強誘電性液晶素子において、該強誘電性液晶のキラルス
メクティックC相上限温度をTc℃としたとき、該強誘
電性液晶が、(Tc−1)℃において8゜以下のティル
ト角を有するものであり、そのことにより上記目的が達
成される。また、好ましくは、本発明の強誘電性液晶素
子における一対の絶縁性基板の強誘電性液晶側に配向制
御層が設けられ、該強誘電性液晶のスメクティック層構
造の折れ曲がり方向と該配向制御層の一軸配向の処理方
向が同一である。さらに、好ましくは、本発明の強誘電
性液晶素子における強誘電性液晶が、光軸を切り換えて
駆動するための2つの安定状態を持ち、かつ、該2つの
安定状態のうち一方の安定状態から他方の安定状態へ書
き換えるのに必要な単極性パルスのパルス幅−パルス電
圧特性において、パルス幅の極小値を与えるパルス電圧
が存在する。
くとも電極と配向制御層を有する一対の絶縁性基板間
に、温度によりキラルネマティック相、スメクティック
A相、および、キラルスメクティックC相のうち少なく
ともスメクティックA相およびキラルスメクティックC
相を示す強誘電性液晶を挟持し、この電極に選択的に駆
動電圧を印加することによって液晶の光軸を切り換える
駆動手段と光軸の切り換えを光学的に識別する手段とを
有している。
を有する一対の絶縁性基板間に、温度によりキラルネマ
ティック相、スメクティックA相、およびキラルスメク
ティックC相のうち少なくともスメクティックA相およ
びキラルスメクティックC相を示す強誘電性液晶を挟持
し、該電極に選択的に駆動電圧を印加することによって
該強誘電性液晶の光軸を切り換えて駆動する駆動手段を
有する強誘電性液晶素子において、該強誘電性液晶のキ
ラルスメクティックC相上限温度をTc℃としたとき、
該強誘電性液晶が、(Tc−1)℃において8゜以下の
ティルト角を有し、かつ、光軸を切り換えて駆動するた
めの2つの安定状態を持ち、該駆動手段は、 0<V2<V4 V4−V3>V2−V1 なる該駆動電圧としての第1パルス電圧V1、第2パル
ス電圧V2、第1パルス電圧V3、第2パルス電圧V4を
用い、該画素が選択されたとき、該画素へ第1パルス電
圧V1に引き続いて第2パルス電圧V2、または、第1パ
ルス電圧−V1に引き続いて第2パルス電圧−V2を印加
することにより、該画素内のある部分を構成する強誘電
性液晶分子を一方の安定状態、または他方の安定状態と
し、その同じ画素へ次の第1パルス電圧V3に引き続い
て第2パルス電圧V4、または、第1パルス電圧−V3に
引き続いて第2パルス電圧−V4を印加することによ
り、その画素内の同じ部分を構成する強誘電性液晶分子
の安定状態を保持するように駆動するものであり、その
ことにより上記目的が達成される。
の走査電極と複数の信号電極を互いに交差する方向に配
列し、該走査電極と該信号電極が交差した領域の強誘電
性液晶が、2つの安定状態を持った強誘電性液晶素子で
あって、該領域を画素とし、該画素が選択されたとき、
その画素へ第1パルス電圧V1に引き続いて第2パ ルス
電圧V2、または、第1パルス電圧−V1に引き続いて第
2パルス電圧−V2を印加すれば、該画素内のある部分
を構成する強誘電性液晶分子を一方の安定状態、また
は、他方の安定状態とし、その同じ画素へ第1パルス電
圧V3に引き続いて第2パルス電圧V4、または、第1パ
ルス電圧−V3に引き続いて第2パルス電圧−V4を印加
すれば、その画素内の同じ部分を構成する強誘電性液晶
分子の安定状態を保持する、 0<V2<V4 V2−V1<V4−V3 なる電圧V1、V2、V3、V4を用いる駆動方法で画素を
駆動する。
等方性液体相やネマティック相を示す温度から徐冷する
ことにより配向させるが、本発明者等は、強誘電性液晶
素子の配向状態が、通常、冷却時スメクティックC相上
限温度Tcからその数度下までの温度域で決定されるこ
とに注目し、この温度域での物性を検討した結果、全面
C2配向の強誘電性液晶素子を得る有効な方法を見出し
た。
液晶のティルト角とC2配向の面積率との関係を示して
いる。図1からも明らかなように、(Tc−1)℃にお
ける強誘電性液晶のティルト角が8゜以下でC2配向の
面積率が100パーセントとなり、素子全体がC2配向
の均一な配向となる。このように、本発明の強誘電性液
晶素子に用いる強誘電性液晶は、温度によりキラルネマ
ティック相、スメクティックA相、および、キラルスメ
クティックC相のうち少なくともスメクティックA相お
よびキラルスメクティックC相を示し、キラルスメクテ
ィックC相上限温度をTc℃としたとき、(Tc−1)
℃において8°以下のティルト角を有することを特徴と
する。このように、全面C2配向状態を得ることによ
り、むらの無い均一な表示などの駆動かつ高コントラス
トを得ることが可能となる。これにより、請求項1のよ
うに、強誘電性液晶が(Tc−1)℃において8゜以下
のティルト角を有すれば、全面C2配向状態が得られる
ことになる。
理由は、本発明者等は以下のように考察している。
ら冷却すると、C1配向さらにC2配向が安定な状態に
なる。温度が下がるに連れてスメクティック層構造の折
れ曲がりが大きくなると、例えばC1配向でこの折れ曲
がりが大きくなると、C2配向が安定な温度であっても
折れ曲がり方向が逆のC2配向にはなりにくい。このテ
ィルト角と折れ曲がり角度とは関連しており、(Tc−
1)℃におけるティルト角が8゜以下の強誘電性液晶を
用いれば、C1配向よりC2配向が安定となる温度での
スメクティック層構造の折れ曲がり角度は、折れ曲がり
方向の反転が可能な程度に小さく、その結果、容易にC
2配向となる。
ば(Tc−1.5)℃であっても(Tc−2)℃であっ
てもそのときのティルト角の条件が相対的に異なるだけ
であり、(Tc−1)℃において8°以下のティルト角
という条件は必ず存在するためである。
c℃はキラルスメクティックC相が存在し得る上限温度
として定義する。よって、例えば、キラルスメクティッ
クC相からスメクティックA相への相転移において2相
共存状態が存在する場合には、キラルスメクティックC
相とスメクティックA相の混在状態からスメクティック
A相のみの状態になる温度、即ち、2相共存状態の上限
温度がTc℃となる。上記ティルト角を図2に基づいて
説明する。
における液晶分子の状態図である。図2において、強誘
電性液晶に十分大きな正または負の電界を印加すると、
液晶分子11は、スメクティック相の層法線13に対し
対称な状態16または17となる。この状態16または
17における液晶分子11の長軸方向とスメクティック
相の層法線13とのなす角の絶対値θがティルト角であ
る。なお、ティルト角θが温度により決まる各強誘電性
液晶固有の物性値であるのに対して、駆動時のメモリ状
態14,15における液晶分子11の長軸方向のなす角
2θmは、強誘電性液晶の種類や素子構造、駆動条件な
ど様々な因子により決まる強誘電性液晶素子の物性値で
ある。
ティック層構造の折れ曲がり方向と配向膜の一軸配向の
処理方向が同一で、配向膜の一軸配向処理方法として、
例えばパラレルラビング処理とすれば、ネマティック相
において螺旋構造が存在しても、上下の基板の両側から
液晶分子の配向方向を規制するので、容易に均一なC2
配向が得られる。
一方の安定状態から他方の安定状態へ書き換えるのに必
要なパルス幅−パルス電圧特性において、パルス幅の極
小値を与えるパルス電圧が存在する強誘電性液晶を用い
れば、JOERS/A1vey駆動法などの請求項4の
駆動手段を用いることができて高コントラストで高品位
な表示などの駆動となる。また、パルス幅の極小値を与
えるパルス電圧は、駆動時印加される電圧の最大値との
関係などで選択すればよい。
す強誘電性液晶素子の断面図である。図3において、絶
縁性基板21上に、電極となる導電性膜22、絶縁性膜
23さらに配向制御膜24が順次設けられて下側基板2
5が構成され、また、絶縁性基板26上に、電極となる
導電性膜27、絶縁性膜28さらに配向制御膜29が順
次設けられて上側基板30が構成されている。これら下
側基板25と上側基板30が上下に対向して配設されて
おり、この間にシール剤31が設けられている。これら
下側基板25と上側基板30、さらにシール剤31で囲
まれた領域内には強誘電性液晶32が注入されている。
この強誘電性液晶32は、(Tc−1)℃において8゜
以下のティルト角を有している。また、絶縁性基板2
1,26の強誘電性液晶32がある側とは反対側に、光
軸の切り換えを光学的に識別するための偏光板33,3
4がそれぞれ配設されている。以上により強誘電性液晶
素子35が構成される。
素子35の製造方法について説明する。
の基板が用いられ、通常ガラス基板が使用される。この
絶縁性基板21,26上には、InO3,SnO2,IT
O(Indium−Tin Oxide)等をCVD
(Chemical Vapor Depositio
n)法またはスパッタ法で、所定のパターンの透明電極
である導電性膜22,27が形成される。この導電性膜
22,27の膜厚は50〜200nmが好ましい。
200nmで絶縁性膜23,28を形成する。この絶縁
性膜23,28には、例えばSiO2、SiNX、Al2
O3、Ta2O5などの無機系薄膜、ポリイミド、フォト
レジスト樹脂、高分子液晶などの有機系薄膜などを使用
することができる。絶縁性膜23,28が無機系の場合
には蒸着法、スパッタ法、CVD法、溶液塗布法などに
よって形成できる。また、絶縁性膜23,28が有機系
の場合には、有機物質を溶かした溶液またはその前駆体
溶液を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリ
ーン印刷法、ロール塗布法などで塗布し、所定の硬化条
件(加熱、光照射など)で硬化させ形成する方法で形成
することができ、または蒸着法、スパッタ法、CVD
法、LB(Langmuir−Blodgett)法等
で形成することもできる。しかしながら、この絶縁性膜
23,28は省略することもできる。
0〜100nmで配向制御膜24,29を形成する。た
だし、絶縁性膜23,28を省略した場合には導電性膜
22,27の上に直接配向制御膜24,29を形成す
る。この配向制御膜24,29には無機系または有機系
の膜を使用することができる。配向制御膜24,29が
無機系の場合には酸化ケイ素などが使用でき、その成膜
方法には、例えば、斜め蒸着法、回転蒸着法などの公知
の方法を使用することができる。また、配向制御膜2
4,29が有機系の場合には、ナイロン、ポリビニルア
ルコール、ポリイミドなどが使用でき、通常この上をラ
ビングする。また、高分子液晶、LB膜を用いる場合に
は、磁場により配向させたり、スペーサエッジ法による
配向なども可能である。また、SiO2,SiNXなどを
蒸着法、スパッタ法、CVD法などによって成膜し、そ
の上をラビングする方法も使用することができる。この
ようにして得られた下側基板25と上側基板30を対向
させて貼り合わせ、その間に強誘電性液晶32を注入し
て本実施例の強誘電性液晶素子35とする。
素子35は画素数1のスイッチング素子として説明した
が、本発明の強誘電性液晶素子35は大容量マトリクス
の表示装置にも適用可能である。この場合には上下基板
の透明電極である導電性膜を、図4の平面模式図に示す
ように、走査電極L1,L2,L3,L4,L5・・
・、信号電極S1,S2,S3,S4,S5・・・とし
てマトリクス型に組み合わせ、これらの走査電極と信号
電極の互いに交差した領域を画素とする。これらの画素
は、走査電極L1,L2,L3,L4,L5・・・に接
続された走査電極駆動回路36、および、信号電極S
1,S2,S3,S4,S5・・・に接続された信号電
極駆動回路37により選択的に駆動電圧を印加すること
によって液晶の光軸を切り換えて駆動する。
配向膜の一軸配向処理方法について説明する。
軸配向処理方法として、最も好ましい方法はラビング法
である。このラビング法には、主にパラレルラビング、
アンチパラレルラビング、片ラビングなどの方法があ
る。パラレルラビングは上下基板をラビングし、そのラ
ビング方向が平行なラビング法である。アンチパラレル
ラビングは上下基板をラビングし、そのラビング方向が
反平行なラビング法である。片ラビングは上下基板のう
ち片側の基板のみラビングする方法である。
作るのが難しいという欠点を有する。なぜなら、強誘電
性液晶材料は光学活性な液晶であり、その液晶材料のネ
マティック相は必然的に螺旋構造を有しており、冷却に
よりネマティック相からスメクティックA相に相転移す
る際、ネマティック相の螺旋構造がスメクティックA相
の層法線の均一な配向を阻害するからである。
ング方向に沿って線状の欠陥が生じやすく、やはり均一
な配向が得られにくい。
ろった均一配向を得るための、最も好ましい配向膜の一
軸配向処理方法は、パラレルラビング処理である。この
場合、ネマティック相において螺旋構造が存在するが、
上下の基板の両側から分子の配向方向を規制するため、
ネマティック相において均一な配向が得られやすく、そ
の状態からスメクティックA相、キラルスメクティック
C相へと降温してゆけば層法線の方向のそろった均一な
配向が容易に得られる。
膜の一軸配向処理方法としては、ラビング法だけではな
く、斜め蒸着法など他の方法を用いることもできる。
レティルト角が生ずるが、配向膜にポリイミドを用いた
場合、そのプレティルト角はおおむね0〜20°程度が
報告されている。本発明の強誘電性液晶素子における配
向膜のプレティルト角は1〜10°が好ましい。
について説明する。
法の一つとして、Surguyらにより提案されている
「負の誘電異方性を有する液晶材料を利用する方法」
(P.W.H.Surguy et al.,Ferr
oelectrics,122,63(1991))を
挙げることができる。この手法は高コントラストを実現
するために有望な手法であり、P.W.Ross,Pr
oc.SID,217(1992)には、この手法を用
いた強誘電性液晶ディスプレイが開示されている。
液晶材料の駆動法について説明する。
材料の場合、一方の安定状態から他方の安定状態へスイ
ッチさせるのに必要な単極性パルスのパルス幅τ、パル
ス電圧Vは図5(a)に示すような関係となる。即ち、
パルス電圧Vが高くなるにつれてパルス幅τが単調に低
下するτ−V特性となる。これに対して、負の誘電異方
性を有する強誘電性液晶材料の場合、図5(b)のよう
な、パルス幅τが極小値を示すτ−V特性が得られる。
におけるパルス幅τが、図5(b)のように極小値を示
すためには、液晶材料の誘電異方性よりも2軸誘電異方
性の方が重要であると文献(J.C.Jones et
al.,Ferroelectrics,121,9
1(1991))で報告されている。
駆動する駆動法として図6に示す駆動波形(A)を用い
たJOERS/Alvey駆動法を報告している。この
駆動法の原理を図7に簡単に示す。|Vs−Vd|の電
圧を印加したとき、強誘電性液晶素子のメモリ状態をス
イッチングさせ、この電圧より高い電圧である|Vs+
Vd|を印加したとき、およびこの電圧より低い|Vd
|を印加したときにはスイッチングさせないという方法
である。
よる駆動法も考えられる。これらの駆動法は部分書き換
えができる駆動法であり、この強誘電性液晶素子を用い
て2000×2000ラインなどの大表示容量のディス
プレイを作製するには好ましい駆動法である。駆動波形
(B)では、画素に印加される電圧波形は図8の(a)
〜(d)の波形で表わされるが、書き換えないときの波
形(b)〜(d)の電圧が印加されたときのτが等し
く、透過光量がほぼ等しいため、フリッカのない良好な
表示が得られる。
するMalvern駆動法(WO92/02925(P
CT)、または、Liquid Crystals、1
993、vol13、No.4、597−60)は、図
10に示すように、1タイムスロットの0V部分と1タ
イムスロットの0Vでないメインパルス部分を用いた駆
動波形(A)によるJOERS/Alvey駆動法に対
して、メインパルス幅を任意の長さに変えられるように
したものであり、電圧を印加するタイミングを電極間で
重ねられ、ラインアドレスタイムを小さくできるので好
ましい駆動法の一つである。
のような、パルス幅τが極小値を示すτ−V特性を有す
る強誘電性液晶材料の駆動法は、以下のような点で特徴
付けられる。
の画素へ、第1パルス電圧V1に引き続いて第2パルス
電圧V2、または、第1パルス電圧−V1に引き続いて第
2パルス電圧−V2を印加すれば、強誘電性液晶分子
を、電圧印加前の安定状態によらず、印加電圧の極性に
より一方の安定状態、または、他方の安定状態とし、そ
の同じ画素へ第1パルス電圧V3に引き続いて第2パル
ス電圧V4、または、第1パルス電圧−V3に引き続いて
第2パルス電圧−V4を印加すれば、印加電圧の極性に
よらず、電圧印加前の強誘電性液晶分子の安定状態を保
持する、 0<V2<V4 V2−V1<V4−V3 なる電圧V1、V2、V3、V4を用いる。即ち、選択期間
最初の2タイムスロットにおいて、書き換えに適用する
波形よりも保持に適用する波形の方が、第2パルス電圧
が高く、かつ、第1パルスと第2パルスの電圧差が大き
い。例えばこのような電圧V1、V2、V3、V4は 図6の駆動波形(A)では V1=Vd、V2=Vs−Vd、V3=−Vd、V4=Vs
+Vd 図8の駆動波形(B)では V1=0、V2=Vs−Vd、V3=−Vd、V4=Vs+
Vd 図9の駆動波形(C)では V1=Vd、V2=Vs−Vd、V3=−Vd、V4=Vs
+Vd となる。
パルス幅τの極小値τminを与える電圧Vminは、駆動時
印加される電圧の最大値に直接関係する。駆動に用いる
駆動回路の耐圧からVminが60V以下、また、汎用の
ICドライバを使った駆動回路を用いるためにはVmin
が40V以下である強誘電性液晶材料が必要となる。
また、図5(b)のような、パルス幅τが極小値を示す
τ−V特性を有する強誘電性液晶材料の駆動において
は、例えばセルギャップや電極形状など素子構造を修飾
するなどの方法で、画素内に駆動特性の異なる領域を任
意に作ることによって、画素内の特定の部分の書き換え
に適用する波形を同じ画素内の他の部分では保持に適用
する波形として用いたり、画素内の特定の部分の保持に
適用する波形を同じ画素内の他の部分では書き換えに適
用する波形として用いることが可能であるため、階調表
示を行うこともできる。
好ましい利用法の一例として誘電異方性が負の強誘電性
液晶材料、パラレルラビング処理、特定の駆動法などに
ついて説明したが、もちろん、本発明は本実施例に限定
されるものではなく、別のタイプの強誘電性液晶材料、
強誘電性液晶素子、駆動法にも適用可能なのは言うまで
もない。
制御膜24,29の一軸配向処理方法としては、本実施
例ではパラレルラビング処理により配向制御したが、こ
の配向制御方法はラビング法だけではなく、斜め蒸着法
など他の方法も用いることもできる。
が、さらに、具体的に強誘電性液晶や液晶セルについ
て、以下の実施例2〜13で説明する。
(表2)に示す光学活性化合物を用いて、(表3)に示
す組成の強誘電性液晶組成物1〜10の相転移温度を
(表4)に示している。
よび(表2)に示す光学活性化合物を用いて、(表5)
に示す組成の強誘電性液晶組成物11〜20を作製し
た。組成物11〜20の相転移温度を(表6)に示す。
成物(品番:MLC−6072−000)および(表
1)に示す化合物を用いて、(表7)に示す組成の強誘
電性液晶組成物21〜24を作製した。この強誘電性液
晶組成物(品番:MLC−6072−000)および組
成物21〜24の相転移温度を(表8)に示す。
nmのITOからなる透明電極を形成し、この透明電極
上に100nmのSiO2からなる絶縁性膜を形成し、
この絶縁性膜上に、2,2−ビス[4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル]プロパンと1,2,4,5−ベン
ゼンテトラカルボン酸二無水物を主原料とし、少量の4
−トリメトキシシリルアニリンを添加して縮合形成され
たポリイミド配向膜を膜厚50nmで塗布し、ラビング
処理を施した。この2枚のガラス基板をラビング方向が
反平行になるようにセル厚50μmで貼り合わせ、メル
ク社製ネマティック液晶組成物E−8を注入した。磁場
容量法(K.Suzuki,K.Toriyamaan
d A.Fukuhara,Appl.Phys.Le
tt.33,561(1987))によって、上記ポリ
イミド配向膜のプレティルト角を測定したところ、3°
であった。
nmのITOからなる透明電極を形成し、この透明電極
上に100nmのSiO2からなる絶縁性膜を形成し、
この絶縁性膜上に、2,2−ビス[4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル]プロパンと1,2,4,5−ベン
ゼンテトラカルボン酸二無水物を主原料とし、少量の4
−トリメトキシシリルアニリンを添加して縮合形成され
たポリイミド配向膜を膜厚50nmで塗布し、ラビング
処理を施した。この2枚のガラス基板をラビング方向が
平行になるようにセル厚1.7μmで張り合わせて、強
誘電性液晶素子用のセルとした。
セルに上記(実施例2)で作製した強誘電性液晶組成物
1〜10をそれぞれ注入して、強誘電性液晶素子とし
た。
1〜10の配向状態と、各組成物のスメクティックC相
上限温度をTc℃としたときの(Tc−1)℃でのティ
ルト角θ(Tc−1)を表9と図11に示す。θ(Tc
−1)が8.5°以下の強誘電性液晶素子において全面
C2ユニフォーム配向が得られた。
板の間に強誘電性液晶素子を設置して、±20V、25
0Hzの矩形波を印加し、フォトダイオードによって検
出される2つの消光位のなす角度の1/2とした。
強誘電性液晶素子のうち全面C2配向の得られた素子
の、2つの安定状態間をスイッチさせるのに必要な単極
性パルスのパルス幅(τ)−パルス電圧(V)特性を3
0℃で測定し、極小となるパルス幅τminとそのとき の
パルス電圧Vminを求めた。その結果を表10と図12
〜20に示す。
強誘電性液晶素子のうち全面C2配向の得られた素子
を、図9に示す駆動波形(C)を用いて30℃で駆動し
た。このときの駆動条件および駆動結果を表11に示
す。なお、表11中の駆動メモリ角は駆動時の2つのメ
モリ状態による消光位のなす角を示す。
たセルに上記(実施例3)で作製した強誘電性液晶組成
物11〜20をそれぞれ注入して、強誘電性液晶素子と
した。
11〜20の配向状態と、各組成物のスメクティックC
相上限温度をTc℃としたときの(Tc−1)℃でのテ
ィルト角θ(Tc−1)を表12と図21に示す。θ
(Tc−1)が8°以下の強誘電性液晶素子において全
面C2ユニフォーム配向が得られた。
の間に強誘電性液晶素子を設置して、±20V、250
Hzの矩形波を印加し、フォトダイオードによって検出さ
れる2つの消光位のなす角度の1/2とした。
たセルに上記MLC−6072−000および上記(実
施例4)で作製した強誘電性液晶組成物21〜24をそ
れぞれ注入して、強誘電性液晶素子とした。
−6072−000と組成物21〜24の配向状態と、
各組成物のスメクティックC相上限温度をTc℃とした
ときの(Tc−1)℃でのティルト角θ(Tc−1)を
表13と図22に示す。θ(Tc−1)が8°以下の強
誘電性液晶素子において全面C2ユニフォーム配向が得
られた。 なお、ティルト角は、2枚の直交する偏光板の間に強誘
電性液晶素子を設置して、±20V、250Hzの矩形波
を印加し、フォトダイオードによって検出される2つの
消光位のなす角度の1/2とした。
した強誘電性液晶素子のうち全面C2配向の得られた素
子の、2つの安定状態間をスイッチさせるのに必要な単
極性パルスのパルス幅(τ)−パルス電圧(V)特性を
30℃で測定し、極小となるパルス幅τminとそのと き
のパルス電圧Vminを求めた。結果を表14と図23、
24に示す。
した強誘電性液晶素子のうち全面C2配向の得られた素
子を、図9に示す駆動波形(C)を用いて30℃で駆動
した。このときの駆動条件および駆動結果を表15に示
す。なお、表15中の駆動メモリ角は駆動時の2つのメ
モリ状態による消光位のなす角を示す。
液晶が(Tc−1)℃におけるティルト角8゜以下でC
2配向の面積率が100パーセントとなるため、むらの
無い均一な表示などの駆動かつ高コントラストの強誘電
性液晶素子を得ることができる。
ト角の関係を示す図である。
晶分子の状態図である。
構成を示す断面図である。
いた場合であって、電極配線をマトリクス型に組み合わ
せて用いた大容量の強誘電性液晶表示素子の模式図であ
る。
液晶材料のτ−V特性図、(b)は誘電異方性が負の強
誘電性液晶材料のτ−V特性図である。
素子を駆動する駆動波形(A)の波形図である。
る。
素子を駆動する駆動波形(B)の一例を示す図である。
素子を駆動する駆動波形(C)の一例を示す図である。
ern駆動法を説明するための波形図である。
の配向状態とティルト角の関係を示す図である。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
の配向状態とティルト角の関係を示す図である。
の配向状態とティルト角の関係を示す図である。
特性図である。
特性図である。
晶のスメクティック層構造のC1配向とC2配向を示
し、(a)はその平面図、(b)はその断面図である。
2U配向およびC2T配向の4つの配向状態における液
晶分子配向モデル図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 電極を有する一対の絶縁性基板間に、温
度によりキラルネマティック相、スメクティックA相、
およびキラルスメクティックC相のうち少なくともスメ
クティックA相およびキラルスメクティックC相を示す
強誘電性液晶を挟持し、該電極に選択的に駆動電圧を印
加することによって該強誘電性液晶の光軸を切り換えて
駆動する強誘電性液晶素子において、 該強誘電性液晶のキラルスメクティックC相上限温度を
Tc℃としたとき、該強誘電性液晶が、(Tc−1)℃
において8゜以下のティルト角を有する強誘電性液晶素
子。 - 【請求項2】 前記一対の絶縁性基板の前記強誘電性液
晶側に配向膜が設けられ、該強誘電性液晶のスメクティ
ック層構造の折れ曲がり方向と該配向膜の一軸配向の処
理方向が同一である請求項1記載の強誘電性液晶素子。 - 【請求項3】 前記強誘電性液晶が、光軸を切り換えて
駆動するための2つの安定状態を持ち、かつ、該2つの
安定状態のうち一方の安定状態から他方の安定状態へ書
き換えるのに必要なパルス幅−パルス電圧特性におい
て、パルス幅の極小値を与えるパルス電圧が存在する請
求項1または2記載の強誘電性液晶素子。 - 【請求項4】 電極を有する一対の絶縁性基板間に、温
度によりキラルネマティック相、スメクティックA相、
およびキラルスメクティックC相のうち少なくともスメ
クティックA相およびキラルスメクティックC相を示す
強誘電性液晶を挟持し、 該電極に選択的に駆動電圧を印加することによって該強
誘電性液晶の光軸を切り換えて駆動する駆動手段を有す
る強誘電性液晶素子において、 該強誘電性液晶のキラルスメクティックC相上限温度を
Tc℃としたとき、該強誘電性液晶が、(Tc−1)℃
において8゜以下のティルト角を有し、かつ、光軸を切
り換えて駆動するための2つの安定状態を持ち、 該駆動手段は、 0<V2<V4 V4−V3>V2−V1 なる該駆動電圧としての第1パルス電圧V1、第2パル
ス電圧V2、第1パルス電圧V3、第2パルス電圧V4を
用い、 該画素が選択されたとき、該画素へ第1パルス電圧V1
に引き続いて第2パルス電圧V2、または、第1パルス
電圧−V1に引き続いて第2パルス電圧−V2を印加する
ことにより、該画素内のある部分を構成する強誘電性液
晶分子を一方の安定状態、または他方の安定状態とし、 その同じ画素へ次の第1パルス電圧V3に引き続いて第
2パルス電圧V4、または、第1パルス電圧−V3に引き
続いて第2パルス電圧−V4を印加することにより、そ
の画素内の同じ部分を構成する強誘電性液晶分子の安定
状態を保持するように駆動する強誘電性液晶素子。
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- 1995-09-29 EP EP95306896A patent/EP0704744A1/en not_active Ceased
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