KR0147616B1 - 열방성 측쇄형 액정고분자 및 이를 배향막으로서 채용한 액정표시소자 - Google Patents

열방성 측쇄형 액정고분자 및 이를 배향막으로서 채용한 액정표시소자

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Abstract

본 발명에는 열방성 측쇄형 액정고분자 및 이를 배향막으로서 채용하고 있는 강유전성 액정표시소자가 개시되어 있다. 본 발명의 측쇄형 액정고분자는 용이하게 합성될 수 있고 일반적인 유기용매에 용해될 수 있어 가공성이 우수하며 기타 광투과성, 내환경성, 접착성 등이 우수하다. 따라서, 이 액정고분자를 채용한 본 발명의 액정표시소자는 결함이 아주 적은 균일한 배향막을 가지고 있어 콘트라스트비와 메모리특성이 매우 우수하다.

Description

열방성 측쇄형 액정고분자 및 이를 배향막으로서 채용한 액정표시소자
제1도는 본 발명의 한 실시예에 따른 열방성 측쇄형 액정고분자인 SCLCP-1을 이용하여 제작한 강유전성 액정판넬의 액정배향상태에서 펄스높이 +20V, 펄스폭 50㎲, 주파수 60Hz인 전계하에서의 전기광학특성을 나타내는 도면이다.
제2도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열방성 측쇄형 액정고분자인 SCLCP-2을 이용하여 제작한 강유전성 액정판넬의 액정배향상태에서 펄스높이 +20V, 펄스폭 50㎲, 주파수 60Hz인 전계하에서의 전기광학특성을 나타내는 도면이다.
제3도는 본 발명의 한 실시예에 따른 열방성 측쇄형 액정고분자인 SCLCP-1을 이용하여 제작한 강유전성 액정판넬의 액정배향상태를 나타내는 도면이다.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열방성 측쇄형 액정고분자인 SCLCP-2을 이용하여 제작한 강유전성 액정판넬의 액정배향상태를 나타내는 도면이다.
제5도는 제3도의 SCLCP-1을 이용하여 제작한 강유전성 액정판넬의 러빙 전 (a), (b)의 AFM 사진을 나타내는 도면이다.
제6도는 본 발명의 비교예에 따른 강유전성 액정판넬의 액정배향상태에서 펄스 높이 +20V, 펄스폭 50㎲, 주파수 60Hz인 전계하에서의 전기광학특성을 나타내는 도면이다.
제7도는 본 발명의 비교예에 따른 강유전성 액정판넬의 액정배향상태를 나타내는 도면이다.
본 발명은 열방성 측쇄형 액정고분자 및 이 액정고분자를 액정배향막으로서 채용함으로써 균일한 배향과 우수한 메모리 특성을 갖는 강유전성 액정표시소자에 관한 것이다.
일반적으로 액정 (Liquid crystal)이란 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비한 액체와 고체의 중간적 성질을 갖는 물질로서, 전계 또는 열에 의해 그 광학적 이방성이 변화될 수 있다. 이러한 성질을 이용한 것이 액정표시소자 (LCD:Liquid crystal Display)로서, 플라즈마 디스플레이나 발광장치와 더불어 평판 표시장치의 대표적인 것으로 알려져 있다.
현재의 정보화 사회에 대응하는 LCD로서 STN (Super Twisted Nematic) 형과 TFT-TN (Thin Film Transitor-Twisted Nematic) 형이 주류를 이루고 있는데, 이들은 구동 및 패널의 구조에 따라 차이를 보이고 있다. STN형은 단순한 매트릭스 형의 상, 하 전극 사이에 액정을 210-270°트위스트시켜 패시브 구동을 하고, TFT-TN형은 각각의 화소마다 TFT를 만들어 화소를 제어하고, 상, 하 기판 사이에 액정을 90° 트위스트시켜 액티브 구동을 한다. 이러한 소자의 차이에 의하여 STN형은 제조가 용이하고 가격이 저렴한 반면 반응응답이 늦고 화소의 수에 제한이 있으므로 표시특성이 우수하지 못하다. 반면, TFT-TN형은 표시특성이 우수하지만 제조가 어렵고 가격이 비싸다.
그러나, FLC (Ferroelectric LC) 의 경우 빠른 응답특성과 메모리 특성을 이용하여 단순한 매트릭스 형의 패시브 구동이 가능하고 화소의 수에 제한이 없으므로 저렴한 가격으로 대용량의 고정세 디스플레이를 구현할 수 있다는 장점이 있다. 표시면적에 있어서도 TFT-TN LCD는 소자의 제조 수율 및 원가, 패널의 크기의 한계에 의하여 20 인치 이상의 대면적화가 곤란한 반면 FLCD의 경우 20 인치 이상의 대화면 LCD의 실현이 가능하며, 시야각이 넓고 메모리 특성이 우수하여 한 번 입력한 화면은 소자를 계속하여 구동하지 않아도 유지되므로 전력의 소비가 아주 적다. 이러한 특성을 이용하여 반사형 휴대용 단말기를 만들 경우, 동급의 STN형 단말기에 비하여 표시성능이 우수할 뿐만 아니라 소비전력도 1/20에 불과하므로 제한된 배터리 용량으로 장시간 이용할 수 있는 장점이 있다. 이러한 점에서 최근에 활발히 연구가 진행되고 있는 강유전성 LCD 분야는 차세대 LCD로서의 가능성을 충분히 가지고 있다.
1974년 마이어 (Meyer)에 의해 특정 대칭요소를 갖는 액정이 강유전성을 갖는다는 연구 결과가 발표되면서 액정에 있어서 강유전성은 매우 흥미있는 분야가 되었다. 1980년에는 강유전성을 갖는 액정을 표면안정화 시킴으로써 빠른 응답특성과 메모리 특성을 나타내는 표시소자를 제작할 수 있다는 것이 클라크 (N.A.Clark)와 라고월 (S.T.Lagerwell)에 의해 밝혀졌다. 그 후 상품화를 위한 FLCD의 연구는 많은 진전을 거듭해 왔으며 휴대용 단말기, 사무자동화기기, 워크스테이션, 벽결이 TV 등 대용량, 고정세 디스플레이로의 적용이 활발히 진행되어 왔다.
1984년에는 파텔 (Patel) 등이 배향물질의 특성과 배향처리와의 관계를 고려하여 배향물질로 여러 종류의 고분자를 사용하여 강유전성 액정을 배향시키는 연구를 수행하였다. 그 결과, 강유전성 액정은 열경화성 고분자 액정보다 열가소성 고분자 액정을 배향막으로 사용할 경우 배향이 잘 된다는 사실을 밝혀냈다.
이러한 강유전성 액정을 이용하여 액정 판넬을 제조하는 경우, 가장 중요한 기술과제는 우수한 전기광학특성 (electro-optic property)과 우수한 메모리 특성을 얻을 수 있도록 액정을 균일하게 배향시킬 수 있는 물질을 개발하는 것이다.
일반적으로 액정의 물성정수는 분자배열 상태에 의해 변하고, 그 결과 전계 등 외력에 대한 응답특성도 크게 변화되므로 액정소자를 제작함에 있어서 액정의 균일한 배향제어는 중요한 핵심기술로서 많은 연구가 진행되고 있다.
액정의 균일한 분자배열 상태는 단순히 액정을 상하 기판 사이에 끼우는 것만으로는 얻기 힘들다. 따라서 균일한 배향을 위해 기판에 배향막을 형성하는 것이 일반적이다. 이러한 액정 배향법으로는 무기물질(주로 실리콘 옥사이드계)을 경사증착하여 러빙에 의존하지 않고 분자배열을 제어하는 방법이 있으나 대형화에 어려움이 있고, 생산성이 낮아 양산에 부적합하여 연구단계에 머무르고 있는 수준이다. 따라서, 유기 고분자 재료를 코팅하여 러빙처리하는 방법이 일반적으로 사용되고 있다. 이중에서도 양산 공정에서는 제조공정상의 효율이나 액정배향 효율, 내환경성 등의 배향재료가 갖추어야 할 요건을 고려하여 대부분 폴리이미드 (PI)가 사용되고 있다.
그러나 일반 폴리이미드계 배향재료는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹산 (polyamic acid, PA)을 합성하기 위해서는 고순도의 단량체 및 용매가 필요하므로 합성이 까다롭고 비용이 많이 든다.
둘째, 용매인 NMP (N-메틸-2-피롤리돈)가 흡수성이 강하고 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹산이 수분에 의해 분해되므로 개방계에서 오래 사용되거나 장기간 보관시 분자량 감소가 생겨 물성이 변한다.
세째, 균일한 박막 (600Å 이하)을 얻기가 어렵다.
네째, 폴리아믹산의 경우 기판에 대한 접착성을 향상시키기 위해 고분자 골격에 실록산기를 도입하거나 일반적으로 실란 커플링제 (silane coupling agent)를 첨가하고 액정과 배향막의 접촉각을 제어하기 위하여 금속착제를 첨가한 혼합계가 사용되기 때문에 균일한 배향제어에 어려움이 있고 액정의 분자구조와 배향제의 분자구조 간의 상호작용이 분자배열에 미치는 영향을 평가하기가 어렵다. 따라서 액정과 배향제의 효율적인 선택과 설계가 어렵다.
다섯째, 경화 (cure) 온도나 배향조건 등 소자제작 시의 조건변동에 대해 배향특성이 크게 변화되는 단점이 있다.
표시특성이 우수한 FLCD를 개발하기 위해서는 액정의 배향을 균일하게 제어하는 기술이 필수적이다. 특히 표면안정화 강유전성 액정소자의 경우 키랄스메틱 C상 (SmC*)을 가지는 액정재료를 사용하므로 등방상 (isotropic phase)에서 액정을 주입하고 온도를 내리면 키랄네마틱 (N*) 상을 거쳐 러빙방향에 수직인 층구조를 갖는 스메틱 A상이 되고 다시 키랄스메틱 C상으로 변화하면서 층내의 분자 디렉터가 러빙방향에 대해 특정한 각으로 기울어지게 된다. 이때 스메틱 층간의 간격이 줄어들면서 이에 대한 부피의 변화를 보상하기 위하여 스메틱층의 꺾임이 생긴다. 이와 같이 꺾여진 층구조를 쉐브론 (chevron) 구조라 하며 꺾임의 방향에 따라 액정디렉터의 방향이 서로 다른 도메인이 형성되고 그 경계면에 지그재그 결함, 헤어핀 결함, 마운틴 결함 등이 존재하는 균일하지 않은 배향이 얻어진다. 그 결과 콘트라스트비가 낮아지고 쌍안정성이 불량한 소자가 만들어지게 되는 것이다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 종래의 폴리이미드의 단점을 극복한 새로운 열방성 측쇄형 액정고분자 및 이 고분자를 배향막으로 사용하여 액정, 배향재료 및 배향특성을 조절함으로써 소자의 표시특성 및 생산성이 향상된 강유전성 액정표시소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
그러므로, 본 발명에 따르면 하기 일반식 (I)로 표시되는 열방성 측쇄형 액정고분자가 제공된다.
여기서, R1은 알콕시이며, R2는 알콕시 또는 CN기이며, m은 10-100의 정수이다.
상기 R1으로는 (CH2)nO 또는 (CH2CH2O)n(n은 1-10의 정수)가 바람직하게 이용된다.
상기 R2로는 O(CH2)×CH3(x는 1-6의 정수)로 표현되는 알콕시기가 바람직하게 이용된다.
상기 바이사이클릭 링으로서는 지방족 또는 방향족이 모두 가능하며, 그 바람직한 예는 다음과 같다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따르면, 상하 한쌍의 기판, 각 기판 상부에 형성된 투명전극, 각 투명전극의 상부에 형성되어 소정의 방향으로 러빙된 배향막, 배향막 사이에 투입된 강유전성 액정을 구비하며, 상기 배향막이 하기 일반식 (I)로 표시되는 열방성 측쇄형 액정고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전성 액정표시소자가 제공된다.
여기서, R1은 알콕시이며, R2는 알콕시 또는 CN기이며, m은 10-100의 정수이다.
상기 R1으로는 (CH2)nO 또는 (CH2CH2O)n(n은 1-10의 정수)가 바람직하게 이용된다.
상기 R2로는 O(CH2)×CH3(x는 1-6의 정수)로 표현되는 알콕시기가 바람직하게 이용된다.
상기 바이사이클릭 링으로서는 지방족 또는 방향족이 모두 가능하며, 그 바람직한 예는 다음과 같다.
상기 일반식 (I)로 표시되는 열방성 측쇄형 액정고분자는 일반적인 유기용매에 용해될 수 있다. 특히 사이클로헥사논에 2중량%로 용해된 용액이 스핀코팅에 의해 박막 (500Å05㎛)으로 만들어질 수 있다. 이와 같이 형성된 강유전성 액정 배향막은 핀홀이나 기타 결함이 아주 적은 균일한 막을 형성하여 공기중의 산소, 수분이나 화학물질에 대해서도 안정하며 특히 기판에 대한 접착성이 매우 우수하다.
이하, 실시예와 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
[실시예 1]
6-메톡시-6'-헥실옥시 바이페닐메타크릴레이트 폴리머(SCLCP-1)의 제조
1) 4-메톡시-4'-하이드록시 바이페닐 (1)의 합성
4,4'-디하이드록시바이페닐 (74g, 0.40몰)을 10% NaOH 수용액에 용해한 후 디메틸설페이트 (50g, 0.4몰)을 천천히 적하하였다. 반응이 진행됨에 따라 형성된 고체를 진공여과방법으로 분리하여 10% NaOH 수용액 (500㎖)으로 세척한 후 끓는 증류수에 넣었다. 용해되지 않은 침전물은 여과하여 제거하고 수용액은 20% HCl로 산성화시킨 후 얻어진 고체를 진공여과 후 에탄올로 재결정하였다. m.p : 183, 수율: 56%
2) 4-메톡시-4'-헥실옥시 바이페닐 (2)의 합성
0.4몰의 화합물 (1)을 150㎖의 에탄올과 0.11몰의 KOH (물 50㎖) 혼합물에 용해한 후 6-클로로-1-헥사놀 (0.11몰)을 천천히 적하한 후 20시간 반응시켰다. 반응 종료 후 1ℓ의 물에 부었다. 형성된 고체를 진공여과 후 건조시키고 300㎖의 에탄올로 재결정하였다. m.p. : 134-136, 수율: 75%
3) 6-메톡시-6'-헥실옥시 바이페닐 메타크릴레이트 (3)의 합성.
화합물 (2) (3.5 × 10-3몰)를 50㎖의 THF와 1㎖의 트리에틸아민 (7 × 10-3몰) 에 용해하였다. 이 용액을 얼음물로 0℃로 냉각 후 0.5 ㎖ (5 × 10-3몰)의 메타크릴로일 클로라이드를 천천히 적하하였다. 반응혼합물을 상온에서 24시간 반응시킨 후 200㎖의 물에 부었다. 형성된 고체를 진공여과 후 건조시키고 70㎖의 에탄올로 재결정하였다. 수율: 79%
4) 6-메톡시-6'-헥실옥시 바이페닐 메타크릴레이트의 중합
(SCLCP-1의 제조)
상기 화합물 (3) 1g을 10㎖의 1,4-디옥산에 용해한 후 라디칼 중합의 개시제인 AlBN (0.01g, 1중량%)을 진공하에서 주입한 후 60℃에서 24시간 반응시켰다. 중합이 완료된 후 반응혼합물은 100㎖의 메탄올에 침전시킨 후 진공여과 후 건조시켰다. 중합의 수율은 약 80%이고 수평균분자량은 14800, 분자량분포는 2.7범위였다. 중합된 측쇄형 액정고분자 (SCLCP-1)의 구조확인은 1H, 13C-NMR, FT-IR, 물리적 성질은 DSC, 편광현미경 등으로 관찰하였으며, 여러가지 물성값에 대해서는 표2에 나타내었다.
[실시예 2]
6-시아노-6'헥실옥시 바이페닐메타크릴레이트 폴리머
(SCLCP-2)의 제조
4'-시아노-4-하이드록시바이페닐 (1')을 출발물질로 사용하여 실시예 1의 화합물 (2), (3)의 합성방법과 동일한 방법에 의해 중간생성물들인 4-시아노-4'-헥실옥시바이페닐 화합물 (2')과 6-시아노-6'헥실옥시 바이페닐 메타크릴레이트 화합물(3')을 합성한 후, 실시예 1에 기재되어 있는 화합물 (3)의 중합방법과 동일한 방법에 의해 6-시아노-6'헥실옥시 바이페닐 메타크릴레이트폴리머 (SCLCP-2)를 얻었다. 이 폴리머에 대해 여러가지 물성을 조사하여 표2에 나타내었다.
[실시예 3]
실험 셀의 제조 및 액정 주입
1) 실험 셀의 제조
투명전극이 코팅된 유리기판을 깨끗이 세정한 후 투명전극을 감광성 수지를 이용하여 패터닝하였다. 이어서, 표1에 기재된 바와 같은 조건으로 RN-715와 액정 고분자를 이용하여 배향막 형성 및 코팅을 실시하였다. 이때 코팅머신 (CONOVAC, 독일)을 사용하였다. 수평배향시킬 경우에는 배향제만을 도포하는 것만으로는 액정분자가 기판표면에 대하여 평행으로 배향될 뿐 액정분자를 일정 방향으로 배향시킬 수 없으므로 배향막의 표면을 일정 방향으로 러빙하여 액정분자를 러빙한 방향으로 배열시키는 작업이 필요하다. 이에 따라 인조견사가 감겨진 러빙장치를 이용하여 러빙하였다. 러빙장치는 자체 제작하였으며, 러빙롤의 속도는 600rpm, 기판의 이동속도는 80rpm이며, 러빙깊이는 0.3㎜로 하였다.
러빙처리를 한 다음 한 쪽 기판에는 그 주변부에 접착제 (ES-5500, 미쯔이)를 150㎛의 선폭으로 스크린 인쇄하고 80℃/15분 정도로 가열하여 용매를 제거하였다. 액정 주입을 위하여 5-10㎜ 정도 남겨두고 사각모양으로프린팅하였다. 다른 기판에는 1.5㎛의 구형 스페이서를 30-50/㎣ 정도로 도포하였다. 이어서, 두 장의 기판을 접합하여 인쇄된 접착제가 경화되는 온도 및 압력으로 가압, 가열하여 액정판넬을 제조하였다. 셀갭 (cell gap)을 1.5±0.1㎛로 조절하기 위하여 핫프레스로 내부 감압 및 외부 가압, 가열을 동시에 할 수 있도록 특수 제작하였다.
2) 액정의 주입 및 특성 평가
일반 액정 주입과 달리 강유전성 액정의 등방성 온도가 상온보다 높아서 액정 주입에 가열이 필요하기 때문에 가열장치가 부착된 액정주입장치를 사용하였다. 액정 주입은 판넬을 주입장치 내부에 매달아 액정 주입구멍을 통하여 비어 있는 판넬 내부를 진공이 되도록 주입기 전체를 로타리 펌르로 감압하였다. 5×10-3토르가 되면 바로 디퓨젼 펌프를 사용하여 1×10-2토르 이하로 감압하였다. 그 후 액정이 담겨 있는 용기에 액정 판넬의 주입구가 닿도록 한 후 판넬 외부의 진공을 제거하고 가압함으로써 판넬 내부 진공 (1×10-2토르 이하)과 대기압과의 압력차이에 따라 액정이 판넬로 주입되도록 하였다. 본 발명을 통해서 사용된 액정은 훽스트사의 Felix-T250으로서 그 등방성 온도가 85℃이므로 90℃에서 주입하였다. 참고로 Felix-T250 강유전성 액정의 열적 성질은 다음과 같다.
강유전성 액정은 온도에 따라 상전이할 경우 등방상에서 강유전성 액정상까지 상변화 전이온도에서 불안정한 배향과 형태를 형성하므로 상전이온도에서 액정을 안정화시키기 위해서 0.5℃/분으로 서냉하였다.
특성 평가에 사용된 장치들은 강유전성 액정의 배항상태를 관찰할 수 있는 크로스니콜 편광현미경과 전기광학특성을 측정할 수 있는 장치를 사용하였다. 또한 러빙 전후의 표면상태를 관찰하기 위하여 AFM (Atomic Force Microscopy) 을 사용하였고 셀 갭은 UV로 측정하였다.
제1도 및 제2도는 각각 SCLCP-1 및 SCLCP-2를 배향막으로 사용한 강유전성 액정 판넬의 쌍안정성을 나타내고 있다. 또한 SCLCP-1의 러빙 전, 후의 배향상태를 관찰한 결과는 AFM 사진으로서 제5도에 나타나 있다. 제5도로부터, 러빙 전, 후의 AFM 사진의 차이가 거의 없는 것으로 보아 종래의 배향 메카니즘인 마이크로 그루부에 의한 배향이라기 보다는 측쇄형 고분자의 견고한 메조겐에 의한 표면 배향에 의한 것으로 설명될 수 있다.
[비교예 1]
비교를 위해 닛산 케미칼의 RN-715를 배향막으로 사용한 액정표시소자를 제작하여 전기광학 특성에 대해 알아보았다.
RN-715를 NMP (1-메틸-2-피롤리돈)와 부틸세로솔브의 혼합용매 (중량비 80:20)를 사용하여 3중량%로 희석시켜 사용하였다. 3000rpm에서 20초간 스핀코팅한 후 80℃에서 15분 예비건조한 다음 260℃에서 30분간 소성하였다. 배향처리에 대한 구체적인 조건에 대해서는 하기 표1에 본 발명의 열방성 측쇄형 고분자 액정과 비교하여 나타내었다. 러빙처리에 이어서 상기 실시예 3에 기술되어 있는 것과 동일한 방법으로 빈 셀을 제작하여 훽스트사의 Felix-T250 액정을 주입하고 열안정화, 전계안정화하여 전기광학특성을 측정하였다. 그 결과가 제6도, 제7도 및 표2에 나타나 있다.
이와 같이 본 발명의 열방성 측쇄형 액정고분자는 용매 이용성이 우수하고 가공성이 우수하다.
결론적으로, 닛산 케미칼의 RN-715에 비해 본 발명의 열방성 측쇄형 액정고분자는 배향상태가 매우 균일할 뿐만 아니라 큰트라스트비 및 메모리 특성이 우수하고 가공성이 양호하다.
본 발명에서는 종래에 사용하지 않았던 새로운 열방성 측쇄형 액정고분자를 강유전성 액정소자에 응용함으로써 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 배향재료의 합성이 간편하고 경제적이다.
둘째, 클로로포름, THF 등의 일반적인 유기용매에 용해될 수 있으며 수분에 안정하므로 분해가 일어나지 않기때문에 장시간 안정성이 우수하고 물성의 변화도 거의 없다.
셋째, 열적 숙성 (thermal annealing)에 의하여 측쇄의 액정 유도체들을 일정한 방향으로 배열시킴으로써 강유전성을 갖는 액정 화합물들이 배향막인 측쇄형 액정고분자의 배열을 따름으로써 종래의 폴리이미드 배향막에 의한 배향보다 좋은 배향특성을 나타낸다.
넷째, 광투과성, 내환경성, 기판에 대한 접착성, 균일한 박막 형성능력, 내화학적 안정성 및 러빙에 의한 우수한 배향특성을 가지고 있다.
다섯째, 핀홀이나 기타 결함이 적은 박막을 형성할 수 있으며, 러빙에 의한 배향특성이 우수하여 콘트라스트비와 메모리특성이 우수한 액정표시소자의 제조가 가능하다.
이상 살펴본 바와 같이, 본 발명의 측쇄형 액정고분자는 용이하게 합성될 수 있고 일반적인 유기용매에 용해될 수 있어 가공성이 우수하며 기타 광투과성, 내환경성, 접착성 등이 우수하다. 따라서, 이 액정고분자를 채용한 본 발명의 액정표시소자는 결함이 아주 적은 균일한 배향막을 가지고 있어 콘트라스트비와 메모리특성이 매우 우수하다.

Claims (8)

  1. 하기 일반식(1)로 표시되는 열방성 측쇄형 액정고분자.
    여기서, R1은 알콕시이며, R2는 알콕시 또는 CN기이며, m은 10-100의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 R1이 (CH2)nO 또는 (CH2CH2O)n(n은 1-10의 정수)으로 표시되는 알콕시인 것을 특징으로 하는 액정고분자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 R2가 O(CH2)×CH3(x는 1-6의 정수)로 표시되는는 알콕시인 것을 특징으로 하는 액정고분자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 바이사이클릭 링이 하기 구조식으로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 액정고분자.
  5. 상하 한쌍의 기판, 각 기판 상부에 형성된 투명전극, 각 투명전극의 상부에 형성되어 소정의 방향으로 러빙된 배향막, 배향막 사이에 투입된 강유전성 액정을 구비하며, 상기 배향막이 하기 일반식 (I)로 표시되는 열방성 측쇄형 액정고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전성 액정표시소자.
    여기서, R1은 알콕시이며, R2는 알콕시 또는 CN기이며, m은-10-100의 정수이다.
  6. 제5항에 있어서, 상기 R1이 (CH2)nO 또는 (CH2CH2O)n(n은 1-10의 정수)으로 표시되는 알콕시인 것을 특징으로 하는 강유전성 액정표시소자.
  7. 제5항에 있어서, 상기 R2가 O(CH2)×CH3(x는 1-6의 정수)로 표시되는 알콕시인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  8. 제5항에 있어서, 상기 바이사이클릭 링이 하기 구조식으로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
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