JPS6084530A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPS6084530A JPS6084530A JP19231183A JP19231183A JPS6084530A JP S6084530 A JPS6084530 A JP S6084530A JP 19231183 A JP19231183 A JP 19231183A JP 19231183 A JP19231183 A JP 19231183A JP S6084530 A JPS6084530 A JP S6084530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display element
- crystal display
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スメクチック相をもつ液晶を、熱と電界との
相互作用によって画像を表示する液晶表示素子に係υ、
特に、液晶分子に、電極及び導電〔発明の背景〕 情報の多様化に伴ない、精細で大面積の表示方式が期待
されている。このような期待に応える為の液晶表示素子
として、素子に熱を与えることによる液晶の相転移を利
用して画像を表示し、これを投影機によシ写し出す熱書
き込み方式が提案されている。
相互作用によって画像を表示する液晶表示素子に係υ、
特に、液晶分子に、電極及び導電〔発明の背景〕 情報の多様化に伴ない、精細で大面積の表示方式が期待
されている。このような期待に応える為の液晶表示素子
として、素子に熱を与えることによる液晶の相転移を利
用して画像を表示し、これを投影機によシ写し出す熱書
き込み方式が提案されている。
このような熱書き込み方式を用いた液晶表示素子の構成
を第１図に基いて説明する。
を第１図に基いて説明する。
第１図において、符号１はガラス基板（以下単に基板と
いう）、２は電極、３は液晶を垂直に並ばせる為の配向
制御膜（以下嚇に配向膜という）、４はスペーサ、５は
液晶、６け電源、７は半透明鏡、８は収束レンズ、９は
レーザ光、１０はタングステンランプ、１１は拡大鏡、
１２はスクリーンを示す。
いう）、２は電極、３は液晶を垂直に並ばせる為の配向
制御膜（以下嚇に配向膜という）、４はスペーサ、５は
液晶、６け電源、７は半透明鏡、８は収束レンズ、９は
レーザ光、１０はタングステンランプ、１１は拡大鏡、
１２はスクリーンを示す。
透明な電極２の上に配向膜３を形成しｆｃ２枚の基板１
を、夫々配向膜が内側になるようにスペーサ４により任
意の間隙を保ち、その間隙に液晶が封入されている。こ
の状態におい−Ｃ１液晶５は基板１に対して垂直に配向
している。次に外部よシ入射されるレーザ光９を収束レ
ンズ８で、半透明鏡７を通して液晶上でスポット状にす
ると、レーザの熱によりこの部分の液晶は散乱状態とな
り、濁って見える。
を、夫々配向膜が内側になるようにスペーサ４により任
意の間隙を保ち、その間隙に液晶が封入されている。こ
の状態におい−Ｃ１液晶５は基板１に対して垂直に配向
している。次に外部よシ入射されるレーザ光９を収束レ
ンズ８で、半透明鏡７を通して液晶上でスポット状にす
ると、レーザの熱によりこの部分の液晶は散乱状態とな
り、濁って見える。
一方、外部に設けたタングステンランプ１０より発せら
れた白色光を半透明鏡７にて反射させ、液晶素子を通シ
過させた後、拡大鏡１１で拡大し、大きな画面として、
スクリーン１２に投写される。
れた白色光を半透明鏡７にて反射させ、液晶素子を通シ
過させた後、拡大鏡１１で拡大し、大きな画面として、
スクリーン１２に投写される。
スクリーン１２には垂直配向している部分は透明に、濁
った部分は黒く表示される。
った部分は黒く表示される。
第２図は、反射型の熱書き込み液晶表示素子の１例を示
すものである。
すものである。
第２図において、符号１乃至６及び９は第１図と同じ意
味を有し、符号１３は導電性熱媒体を、１４はライトペ
ンを示す。
味を有し、符号１３は導電性熱媒体を、１４はライトペ
ンを示す。
レーザ光が入射する側とは反対側の基板１の電極２の上
に、反射板を兼ねた例えばＣｒやＡ４の導電性熱媒体１
３の膜が形成されている。更に、この導電性熱媒体１３
の上には配向膜３が形成されてお如、半導体レーザ光９
を発射できるライトペン１４を用いて、手書きによ多自
由に画像を描くことができる。この場合表示面積は透過
型に較べて大きくなる。そしてスクリーンなどの不用の
ため、小形軽量になり、又導電性熱媒体１３のため熱の
伝わシが速いので、レーザの出力を小さくすることがで
きる。
に、反射板を兼ねた例えばＣｒやＡ４の導電性熱媒体１
３の膜が形成されている。更に、この導電性熱媒体１３
の上には配向膜３が形成されてお如、半導体レーザ光９
を発射できるライトペン１４を用いて、手書きによ多自
由に画像を描くことができる。この場合表示面積は透過
型に較べて大きくなる。そしてスクリーンなどの不用の
ため、小形軽量になり、又導電性熱媒体１３のため熱の
伝わシが速いので、レーザの出力を小さくすることがで
きる。
更に、第３図によって、熱書き込み方式の表示の原理を
詳細に説明する。この図は室温でスメクチック相を示す
液晶の、温度と透過率との関係を示している。初期状態
では液晶は均一に垂直配向しているので、図中１で示す
ように透過率の高い透明状態となっている。レーザビー
ムの照射ニよシ液晶の温度が上昇すると、液晶はスメク
チックると、３に示す散乱状態すなわち透過率の低い状
態に変化し、この状態で安定に保持され（メモリー効果
）、いわゆる誉き込み動作が達成される。
詳細に説明する。この図は室温でスメクチック相を示す
液晶の、温度と透過率との関係を示している。初期状態
では液晶は均一に垂直配向しているので、図中１で示す
ように透過率の高い透明状態となっている。レーザビー
ムの照射ニよシ液晶の温度が上昇すると、液晶はスメク
チックると、３に示す散乱状態すなわち透過率の低い状
態に変化し、この状態で安定に保持され（メモリー効果
）、いわゆる誉き込み動作が達成される。
一方、３の状態にある液晶にレーザビームを照射して、
等力性液体２まで温度を上昇させ、冷却プロセス中に電
界を印加すると、冷却後は透明状態１に復帰する。すな
わち、降温時に通過するネマチック相では、電界の印加
方向に液晶（Δｃ〉０）が配向されるため、垂直配向を
とり、このままスメクチック相に戻るので、液晶の配向
は初期状態に復帰する。このようにして、液晶素子全体
に電界を印加し、かつ消去したい部分をレーザビームで
走査することによシ消去することができる。
等力性液体２まで温度を上昇させ、冷却プロセス中に電
界を印加すると、冷却後は透明状態１に復帰する。すな
わち、降温時に通過するネマチック相では、電界の印加
方向に液晶（Δｃ〉０）が配向されるため、垂直配向を
とり、このままスメクチック相に戻るので、液晶の配向
は初期状態に復帰する。このようにして、液晶素子全体
に電界を印加し、かつ消去したい部分をレーザビームで
走査することによシ消去することができる。
一般にネマチック液晶を用いたＴＮ表示素子と同様に、
スメクチック液晶を用いた本熱書き込み表示素子にも、
低電圧、低出力で駆動し応答が速く、シかも表示むらが
なく、コントラストが高いことなどが要求される。特に
スメクチック液晶は、その粘度がネマチック液晶（２０
センチポイズ）に較べて高い（２ボイズ）ので、ネマチ
ック液晶のＴＮ表示素子と同様又はそれ以上の応答を速
くするのには素子の間隙（以下ギャップ）、即ち、液晶
層のギャップを小さくしなければならない。
スメクチック液晶を用いた本熱書き込み表示素子にも、
低電圧、低出力で駆動し応答が速く、シかも表示むらが
なく、コントラストが高いことなどが要求される。特に
スメクチック液晶は、その粘度がネマチック液晶（２０
センチポイズ）に較べて高い（２ボイズ）ので、ネマチ
ック液晶のＴＮ表示素子と同様又はそれ以上の応答を速
くするのには素子の間隙（以下ギャップ）、即ち、液晶
層のギャップを小さくしなければならない。
ギャップを小さくすると、レーザ出力を小さくしても、
熱の伝わシが速く、又冷却速度も速いので、書き込み速
度も速くなる。しかも書き込みを消去する電圧も小さく
なる。一方、ギャップを小さくすると、一般にコントラ
ストは逆に小さくなるといわれている。コストラストは
第３図の初期状態１と、散乱状態、即ち書き込み状態３
との透過光強度の比で表わされるので、この値を大きく
すれば、コントラストの低下を抑えることができる。そ
れには初期状態が良いこと、即ち一様に垂直配向するこ
と、レーザが照射された部分が完全に散乱状態になるこ
とが必要である。
熱の伝わシが速く、又冷却速度も速いので、書き込み速
度も速くなる。しかも書き込みを消去する電圧も小さく
なる。一方、ギャップを小さくすると、一般にコントラ
ストは逆に小さくなるといわれている。コストラストは
第３図の初期状態１と、散乱状態、即ち書き込み状態３
との透過光強度の比で表わされるので、この値を大きく
すれば、コントラストの低下を抑えることができる。そ
れには初期状態が良いこと、即ち一様に垂直配向するこ
と、レーザが照射された部分が完全に散乱状態になるこ
とが必要である。
以」二の種々の要求に対しては、配向膜の効果が起因す
る′ところが太きい。即ち、配向膜がギャップの小さい
ところで、初期には一様に垂直配向性を示し、書き込み
及び消去が低出力、低電圧で駆動できる程度のメモリー
性を保つことである。これには、垂直配向能が任意に制
御できる配向膜があれば許易に目的を達ることかできる
。
る′ところが太きい。即ち、配向膜がギャップの小さい
ところで、初期には一様に垂直配向性を示し、書き込み
及び消去が低出力、低電圧で駆動できる程度のメモリー
性を保つことである。これには、垂直配向能が任意に制
御できる配向膜があれば許易に目的を達ることかできる
。
熱書き込み方式を用いた液晶表示素子の配向膜に関し、
特開昭５１−１０８５２９においては垂直配向膜材料と
して、ＤＭＯＡＰ （Ｎ−Ｎジメチル・Ｎ・オクタデシ
ル・３アミノ・プロピルトリメトキシシラン・クロライ
ド）を用いている。これによると、ギャップ２０μｍの
素子にレーザ出力ｍＪ／ｃｒＢ”のオーダで書き込みを
行ない、電圧４０Ｖで消去し、応答時間５Ｇｍｓを得て
いる。しかし、この配向膜は、初期の配向能が強いため
、冷却時に初期の垂直配向に戻ってしまうため、散乱状
態が生ぜず書き込みができない。即ちメモリー効果がな
い。
特開昭５１−１０８５２９においては垂直配向膜材料と
して、ＤＭＯＡＰ （Ｎ−Ｎジメチル・Ｎ・オクタデシ
ル・３アミノ・プロピルトリメトキシシラン・クロライ
ド）を用いている。これによると、ギャップ２０μｍの
素子にレーザ出力ｍＪ／ｃｒＢ”のオーダで書き込みを
行ない、電圧４０Ｖで消去し、応答時間５Ｇｍｓを得て
いる。しかし、この配向膜は、初期の配向能が強いため
、冷却時に初期の垂直配向に戻ってしまうため、散乱状
態が生ぜず書き込みができない。即ちメモリー効果がな
い。
メモリー効果をだすためには、配向膜の垂直配向能を弱
めるか、ギャップを大きくして影響を小さくするのが一
般的である。本公知例は後者で、ギャップ大きくしてメ
モリー効果をだしている。
めるか、ギャップを大きくして影響を小さくするのが一
般的である。本公知例は後者で、ギャップ大きくしてメ
モリー効果をだしている。
そのため、出力及び電圧とも高くなる。ＤＭＯＡＰは膜
厚が単分子層程に薄いため、出力及び電圧が高くなると
、膜の破壊が生じる。また、加水分解しやすいため、膜
の安定性が悪い。一方、ＤＮＯＡＰとポリイミド系、ポ
リアミド系などの高分子材料のよるに成膜性の優れた材
料と混合して、垂直配向能を弱めることが考えられるが
、この場合ＤＭＯＡＰがゲル化するなど、相溶性が悪い
。
厚が単分子層程に薄いため、出力及び電圧が高くなると
、膜の破壊が生じる。また、加水分解しやすいため、膜
の安定性が悪い。一方、ＤＮＯＡＰとポリイミド系、ポ
リアミド系などの高分子材料のよるに成膜性の優れた材
料と混合して、垂直配向能を弱めることが考えられるが
、この場合ＤＭＯＡＰがゲル化するなど、相溶性が悪い
。
以上のようにＤＭＯＡＰは熱書き込みの液晶表示素子の
製品化には採用できる配向膜ではない。
製品化には採用できる配向膜ではない。
本発明の目的は、液晶に対し垂直配向能を有する配向膜
材料に高分子材料を添加して、垂直配向能を任意にコン
トロールすることによって、液晶封入間隙が小さい場合
でもメモリー効果を安定に保ち、低電圧、低エネルギー
で駆動でき、又、高速応答性を有し、かつ高度のコント
ラストを発現しうる液晶表示素子を提供することである
。
材料に高分子材料を添加して、垂直配向能を任意にコン
トロールすることによって、液晶封入間隙が小さい場合
でもメモリー効果を安定に保ち、低電圧、低エネルギー
で駆動でき、又、高速応答性を有し、かつ高度のコント
ラストを発現しうる液晶表示素子を提供することである
。
本発明は、導電性熱媒体を有する基板と相対向する透明
電極を有する基板との間に液晶を封入した、熱と電界と
によシ画像を表示する熱書き込み型液晶表示素子におい
て、導電性熱媒体と透明電極の表示部全面に、パーフロ
ロアルキル基を有す成したことを特徴とする熱書き込み
型液晶表示素子である。
電極を有する基板との間に液晶を封入した、熱と電界と
によシ画像を表示する熱書き込み型液晶表示素子におい
て、導電性熱媒体と透明電極の表示部全面に、パーフロ
ロアルキル基を有す成したことを特徴とする熱書き込み
型液晶表示素子である。
本発明を単に詳しく説明する。
液晶素子の要求仕様の中で、投写屋にする為には、初期
状態が解明でかつコントラストが高いこと及びメモリー
性が大であることが要求される。
状態が解明でかつコントラストが高いこと及びメモリー
性が大であることが要求される。
このような要求を満足する為には、液晶分子を基板に対
して垂直に並べうる優れた垂直配向膜を見出だすことが
不可欠である。そこで本発明者等は（９） このような垂直配向膜について種々研究を行った結果、
液晶分子を垂直配向するのに、表面エネルギーの小さい
パー７０ロアルキル基が寄与するととを見出だした。
して垂直に並べうる優れた垂直配向膜を見出だすことが
不可欠である。そこで本発明者等は（９） このような垂直配向膜について種々研究を行った結果、
液晶分子を垂直配向するのに、表面エネルギーの小さい
パー７０ロアルキル基が寄与するととを見出だした。
本発明で用いうるパーフロロアルキルアルコキンシラン
化合物は、次の一般式で示される。
化合物は、次の一般式で示される。
−
Ｃ，Ｆｌ ｍや、 （ＣＨ鵞） 、 −８ｉ−（ＯＲ’
）。
）。
式中、Ｒはメチル、エチル、プロピル及びブチル基など
のアルキル基を、ＯＲ１はメトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシなどのアルコキシ基などを表わし、 ｎは１〜１０の整数 ｍは１．２又は３の整数 Ｐは０．１は２の整数 ｑは１．２又は３の整数 を表わす。
のアルキル基を、ＯＲ１はメトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシなどのアルコキシ基などを表わし、 ｎは１〜１０の整数 ｍは１．２又は３の整数 Ｐは０．１は２の整数 ｑは１．２又は３の整数 を表わす。
このパーフロロアルキルアルコキシ化合物はそのま＼で
用いてもよいが、基板との密着性を向上させる為に、シ
ラノールオリゴマ（例えば東京応（１０） 化製Ｓｌフィルム）と反応させたものを用いるのが好ま
しい。この際の配合比は、シラノールオリゴマ中のケイ
素とパーフロロアルキルコキシシラン中のケイ素の原子
比として１００対１〜１対１０の範囲で用いられる。本
発明の配向膜を得る為に、本発明の有機シラン化合物に
混合する有機高分子材料との相溶性の観点から、上記ケ
イ素の原子比の好ましい範囲は２０対１から５対１の範
囲内が好ｔしい。シラノールオリゴマと、パー７０ロア
ルキルアルコキシシランとの反応温度は、２０〜７０Ｃ
で十分でおる。この反応によシ得られたパーフロロアル
キル基を有する有機シラン化合物（以下変性パーフロロ
アルキルシランという）のみでは垂直配向性が強過ぎる
ので、本発明においては、これをポリイミド系又はポリ
アミド系有機高分子材料の溶液と混合して使用する。こ
の場合の混合比は、変性パー７０ロアルキルシランのら
れる。この配合比のうち、液晶の配向性の点で（１１） 望ましい範囲は、２５対１０Ｇから５０対１００の範囲
内である。
用いてもよいが、基板との密着性を向上させる為に、シ
ラノールオリゴマ（例えば東京応（１０） 化製Ｓｌフィルム）と反応させたものを用いるのが好ま
しい。この際の配合比は、シラノールオリゴマ中のケイ
素とパーフロロアルキルコキシシラン中のケイ素の原子
比として１００対１〜１対１０の範囲で用いられる。本
発明の配向膜を得る為に、本発明の有機シラン化合物に
混合する有機高分子材料との相溶性の観点から、上記ケ
イ素の原子比の好ましい範囲は２０対１から５対１の範
囲内が好ｔしい。シラノールオリゴマと、パー７０ロア
ルキルアルコキシシランとの反応温度は、２０〜７０Ｃ
で十分でおる。この反応によシ得られたパーフロロアル
キル基を有する有機シラン化合物（以下変性パーフロロ
アルキルシランという）のみでは垂直配向性が強過ぎる
ので、本発明においては、これをポリイミド系又はポリ
アミド系有機高分子材料の溶液と混合して使用する。こ
の場合の混合比は、変性パー７０ロアルキルシランのら
れる。この配合比のうち、液晶の配向性の点で（１１） 望ましい範囲は、２５対１０Ｇから５０対１００の範囲
内である。
変性パー７０ロアルキルシランを有機高分子材料溶液に
混合する場合には、有機高分子材料の溶液を攪拌しなが
ら変性バー７０ロアルキルシランを滴下し、滴下終了後
も３０分〜１時間攪拌する′Ｓ。
混合する場合には、有機高分子材料の溶液を攪拌しなが
ら変性バー７０ロアルキルシランを滴下し、滴下終了後
も３０分〜１時間攪拌する′Ｓ。
のが好ましい。混合時の温度は室温下で十分で１次に、
得られた溶液を、浸漬法、スピンナー法、印刷法等によ
シ基板上に塗布し、塗布後１００〜３５０Ｃで加熱処理
して配向膜を形成する。配向膜の厚さはｏ、ｏｏｉ〜１
μｍでよいが、配向性の点から特に０．０４〜０．３μ
ｍの範囲が好ましい。
得られた溶液を、浸漬法、スピンナー法、印刷法等によ
シ基板上に塗布し、塗布後１００〜３５０Ｃで加熱処理
して配向膜を形成する。配向膜の厚さはｏ、ｏｏｉ〜１
μｍでよいが、配向性の点から特に０．０４〜０．３μ
ｍの範囲が好ましい。
このようにして配向膜を形成した基板２枚を５〜５０μ
ｍの間隙で対向させ、第１図に示すような素子を組み立
てたところ、初期状態で全ての液晶が均一に垂直に配向
した。
ｍの間隙で対向させ、第１図に示すような素子を組み立
てたところ、初期状態で全ての液晶が均一に垂直に配向
した。
以下、本発明を実施例によシ説明する。
実施例１
（１２）
式Ｃｓ Ｆｓ ｔ （ＣＨｓ ） Ｉ Ｓ ｉ （ＯＣ
Ｈｓ ｈ ＣＨｓ で示されるパーフロロアルキルアル
コキシシラン１．５ｇ１時間ゆつ〈シ攪拌し、反応させ
た。反応の゛完了はガスクロマトグラフでパーフロロア
ルキルアルコキシシランの残存量が初期濃度の１％以下
であることで確認した。合成した変性バー７０ロアルキ
ルシランシラノールオリゴマー中のｓｔとパーフロロア
ルコルコキシシラン中のＳｉとの８１のルー２−ビレリ
ドン）溶媒で２Ｗｔ＊にした溶液１０ｇを５個とる。
Ｈｓ ｈ ＣＨｓ で示されるパーフロロアルキルアル
コキシシラン１．５ｇ１時間ゆつ〈シ攪拌し、反応させ
た。反応の゛完了はガスクロマトグラフでパーフロロア
ルキルアルコキシシランの残存量が初期濃度の１％以下
であることで確認した。合成した変性バー７０ロアルキ
ルシランシラノールオリゴマー中のｓｔとパーフロロア
ルコルコキシシラン中のＳｉとの８１のルー２−ビレリ
ドン）溶媒で２Ｗｔ＊にした溶液１０ｇを５個とる。
この２ｗｔ％ＰＩＱ溶液を攪拌し壜から、変性バー７０
ロアルキルシラン０．０５ 、０．２０ 、０．４３゜
０．６５及び１．０９ｇを、それぞれのＰＩＱ溶液に靜
かに滴下し、滴下後１時間攪拌した。これらの溶液はＰ
ＩＱの固形分濃度を１００とした場合、（１３） 変性パーフロロアルキルシランの固形分濃度がそれぞれ
、２．．５．１Ｇ、２０，３０．５０である。
ロアルキルシラン０．０５ 、０．２０ 、０．４３゜
０．６５及び１．０９ｇを、それぞれのＰＩＱ溶液に靜
かに滴下し、滴下後１時間攪拌した。これらの溶液はＰ
ＩＱの固形分濃度を１００とした場合、（１３） 変性パーフロロアルキルシランの固形分濃度がそれぞれ
、２．．５．１Ｇ、２０，３０．５０である。
そして、これらの溶液は相溶性が良く、透明な液体であ
った。この溶液を基板に滴下して、回転数３５００’ｒ
、、ｐｌｍ 、回転時間４０秒のスピンナー条件下で、
基板上に塗膜を作シ、これを２００Ｃ，１時間の加熱条
件下で、塗膜を硬化させ配向膜を作製した。この配向膜
の膜厚はティラー・ポプリン社製のタリステップで測定
したところ、０．０８０±（１００５μｍであった。
った。この溶液を基板に滴下して、回転数３５００’ｒ
、、ｐｌｍ 、回転時間４０秒のスピンナー条件下で、
基板上に塗膜を作シ、これを２００Ｃ，１時間の加熱条
件下で、塗膜を硬化させ配向膜を作製した。この配向膜
の膜厚はティラー・ポプリン社製のタリステップで測定
したところ、０．０８０±（１００５μｍであった。
配向膜を形成した基板２枚を相対向させ、第４図のよう
に片面にスペーサ４として、１２μｍ厚さのマイラーフ
ィルムをつけたくさび形素子を作製した。なお、第４図
における符号１〜５は、第１図の符号と同じ意味を有す
る。この２枚の基板の間に室温でスメクチックＡ相を示
すメルク社製の８−１の液晶を封入した。８−１の液晶
の相転移温度を第５図に示す。乙の素子に出カフ２μＪ
／ｃｍ ” のＹＡＧＬ／−ザ（波長１．０６μｍ）光
をあてて、熱書き込みしたところ、第６図に示す通シ、
（１４） 垂直配向能を種々かえることによって、最小液晶間隙３
μｍまで、安定なメモリー効果を示すことができた。
に片面にスペーサ４として、１２μｍ厚さのマイラーフ
ィルムをつけたくさび形素子を作製した。なお、第４図
における符号１〜５は、第１図の符号と同じ意味を有す
る。この２枚の基板の間に室温でスメクチックＡ相を示
すメルク社製の８−１の液晶を封入した。８−１の液晶
の相転移温度を第５図に示す。乙の素子に出カフ２μＪ
／ｃｍ ” のＹＡＧＬ／−ザ（波長１．０６μｍ）光
をあてて、熱書き込みしたところ、第６図に示す通シ、
（１４） 垂直配向能を種々かえることによって、最小液晶間隙３
μｍまで、安定なメモリー効果を示すことができた。
つぎにＰＩＱとの濃度比１０対１００の溶液を用いて、
上記の条件で配向膜を形成し、液晶層の間隙を６μｍに
、した第１図のような素子を作製し、同じレーザを用い
、３ｖの電圧を印加して、素子の応答を測定した結果、
１ｍｓでおった。またコントラストは２０対１であった
。
上記の条件で配向膜を形成し、液晶層の間隙を６μｍに
、した第１図のような素子を作製し、同じレーザを用い
、３ｖの電圧を印加して、素子の応答を測定した結果、
１ｍｓでおった。またコントラストは２０対１であった
。
実施例２
パー７０ロアルキルアルコキシシラントシテ、ＣＦｍ
（’ＣＨｘ ）ｉ Ｓ ｉ （ＯＣＨａ ） （ＣＨｓ
）”を用いて１、実施例１と同様にして、特性評価し
たところ、第６図と同じ結果であった。また実施例１と
同じく、間隙６μｍの素子を作製し、応答時間を測定し
た結果、１ｎ１ｓで、コントラストは２０対１であった
。
（’ＣＨｘ ）ｉ Ｓ ｉ （ＯＣＨａ ） （ＣＨｓ
）”を用いて１、実施例１と同様にして、特性評価し
たところ、第６図と同じ結果であった。また実施例１と
同じく、間隙６μｍの素子を作製し、応答時間を測定し
た結果、１ｎ１ｓで、コントラストは２０対１であった
。
実施例３
実施例１で作製した配向膜材料の半年後の特性評価をし
た結果、実施例１と同じであった。
た結果、実施例１と同じであった。
（１５）
実施例４
導電性熱媒として、クロム（Ｃｒ）膜を０．１５μｍの
厚につけた第２図に示す反射型表示素子について本発明
の配向膜材料を用いて評価した結果、実施例１と同じ特
性を得ることができた。
厚につけた第２図に示す反射型表示素子について本発明
の配向膜材料を用いて評価した結果、実施例１と同じ特
性を得ることができた。
比較例１
垂直配向膜材料として、ＤＭＯＡＰの２ ｗｔ％エチル
アルコール溶液を用いて、スピンナーで塗膜を形成し、
１００Ｃ１３０分の加熱争件下で硬化し、配向膜をつく
シ、第４図に示すようなくさび形素子を製作した。この
場合はスペーサの厚さは５０μｍにした。実施例１と同
じ条件で評価したところ、メモリー効果が表われたのは
３５μｍで、それよシも小さいギャップではメモリー効
果は表われなかった。
アルコール溶液を用いて、スピンナーで塗膜を形成し、
１００Ｃ１３０分の加熱争件下で硬化し、配向膜をつく
シ、第４図に示すようなくさび形素子を製作した。この
場合はスペーサの厚さは５０μｍにした。実施例１と同
じ条件で評価したところ、メモリー効果が表われたのは
３５μｍで、それよシも小さいギャップではメモリー効
果は表われなかった。
なお、との配向膜材料は１昼液で白濁しまい、使用にあ
たっては、その都度調合しなければならなかった。また
、ポリイミド系及びポリアミド系樹脂との混合を試みた
が、いずれ電相溶性が悪く、ＤＭＯＡＰ溶液がゲル化し
てしまった。
たっては、その都度調合しなければならなかった。また
、ポリイミド系及びポリアミド系樹脂との混合を試みた
が、いずれ電相溶性が悪く、ＤＭＯＡＰ溶液がゲル化し
てしまった。
（１６）
比較例２
相対向する基板の１枚は実施例１と同じ垂直配向膜を、
もう一方の基板には、２ｗｔ％のＰＩＱ溶液を用いて、
実施例１と同じ条件で塗膜を形成し、この膜面を布でラ
ビングして、基板に対して平行に８−１液晶が配向する
配向膜にした。第７図に示すように、１方の基板１には
垂直配向膜３を、他方の基板１には平行配向膜１５を形
成したハイブリッド素子を作製した。実施例１と同様に
特性評価したところ、メモリー効果は実施例１と同様で
あったが、初期配向状態が悪く、コントラストは５対１
であった。
もう一方の基板には、２ｗｔ％のＰＩＱ溶液を用いて、
実施例１と同じ条件で塗膜を形成し、この膜面を布でラ
ビングして、基板に対して平行に８−１液晶が配向する
配向膜にした。第７図に示すように、１方の基板１には
垂直配向膜３を、他方の基板１には平行配向膜１５を形
成したハイブリッド素子を作製した。実施例１と同様に
特性評価したところ、メモリー効果は実施例１と同様で
あったが、初期配向状態が悪く、コントラストは５対１
であった。
比較例３
実施例１で作製した変性パー７０ロアルキルアルコキシ
シラ／のみで、配向膜を形成し、比較例１と同様のくさ
び形素子を作製した。実施例１と同様に特性評価したと
ころ、メモリー効果の表われたのは４０μｍで、それよ
りも小さいギャップではメモリー効果が表われなかった
。
シラ／のみで、配向膜を形成し、比較例１と同様のくさ
び形素子を作製した。実施例１と同様に特性評価したと
ころ、メモリー効果の表われたのは４０μｍで、それよ
りも小さいギャップではメモリー効果が表われなかった
。
（１７）
本発明によれば、小さな間隙まで液晶をメモリーするこ
とができる。これによって、低電圧、低出力による熱書
き表示ができ、応答も従来のＴＮ（ツイスト・ネマチッ
ク）型の表示表子よりも速く、初期状態も良いので、コ
ストラストも偏光板を用いるＴＮと同等の効果があシ、
優れた表示素子を提供することが可能である。
とができる。これによって、低電圧、低出力による熱書
き表示ができ、応答も従来のＴＮ（ツイスト・ネマチッ
ク）型の表示表子よりも速く、初期状態も良いので、コ
ストラストも偏光板を用いるＴＮと同等の効果があシ、
優れた表示素子を提供することが可能である。
第１図は透過型熱書き込み表示素子の断面図、第２図は
反射減熱書き込み表示素子の断面図、第３図は表示原理
の説明図を示し、第４図は試験の為のくさび形素子の断
面図を第５図は液晶相転移温度を第６図は本発明による
素子の特性図を第７図はハイブリット素子の断面図を示
す。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３は垂直配向
膜、４・・・スペーサ、５・・・スメクチック液晶、６
・・・電圧電源、７・・・半透明鏡、８・・・収束レン
ズ、９・・・レーザ光、１０・・・白色ランプ、１１・
・・拡大鏡、１２・・・スクリーン、１３・・・導電性
熱媒体、１４・・・レーザペン、１５・・・平行配向膜
。 代理人 弁理士 高橋明夫 循３０ ′ｒｋ６ 室５ｔｎ Ｔ、Ｎ 丁Ｎ１ ５見 度 第５ｍ 垢６（￥１１ 第１頁の続き ０発 明 者 森 佑 二 日立市幸町３丁目所内
反射減熱書き込み表示素子の断面図、第３図は表示原理
の説明図を示し、第４図は試験の為のくさび形素子の断
面図を第５図は液晶相転移温度を第６図は本発明による
素子の特性図を第７図はハイブリット素子の断面図を示
す。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３は垂直配向
膜、４・・・スペーサ、５・・・スメクチック液晶、６
・・・電圧電源、７・・・半透明鏡、８・・・収束レン
ズ、９・・・レーザ光、１０・・・白色ランプ、１１・
・・拡大鏡、１２・・・スクリーン、１３・・・導電性
熱媒体、１４・・・レーザペン、１５・・・平行配向膜
。 代理人 弁理士 高橋明夫 循３０ ′ｒｋ６ 室５ｔｎ Ｔ、Ｎ 丁Ｎ１ ５見 度 第５ｍ 垢６（￥１１ 第１頁の続き ０発 明 者 森 佑 二 日立市幸町３丁目所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性熱媒体を有する基板と相対向する透明電極を
有する基板との間に液晶を入れた、熱と電界により画像
を表示する熱書き込み型液晶表示素子において、導電性
熱媒体と透明電極の表示部面にパーフロロアルキル基を
有する有機シラ／化合ニスを塗布し配向制御膜を形成し
たことを特徴とする液晶表示素子。 ２、液晶がスメクチック液晶である特許請求の範囲第１
項記載の液晶表示素子。 ３、配向制御膜は液晶を基板に対して垂直（ホメオトロ
ピック）配向させる膜でおる特許請求の範囲第１項記載
の液晶表示素子。 ４、配向制御膜はメモリー性を有する膜である特許請求
の範囲第１項記載の液晶表示素子。 ５、有機高分子材料がポリイミド系、ポリアミド系又は
ポリイミド・アミド系有機高分子材料である特許請求の
範囲第１項記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19231183A JPS6084530A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19231183A JPS6084530A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084530A true JPS6084530A (ja) | 1985-05-13 |
| JPH0118404B2 JPH0118404B2 (ja) | 1989-04-05 |
Family
ID=16289160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19231183A Granted JPS6084530A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084530A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6162018A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-03-29 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS6259499A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-16 | Kenwood Corp | 音響用振動板 |
| FR2666342A1 (fr) * | 1990-09-03 | 1992-03-06 | Asulab Sa | Cellule a cristal liquide comprenant une plaque a alignement homeotrope. |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8364229B2 (en) | 2003-07-25 | 2013-01-29 | Dexcom, Inc. | Analyte sensors having a signal-to-noise ratio substantially unaffected by non-constant noise |
| US7613491B2 (en) | 2002-05-22 | 2009-11-03 | Dexcom, Inc. | Silicone based membranes for use in implantable glucose sensors |
| US7226978B2 (en) | 2002-05-22 | 2007-06-05 | Dexcom, Inc. | Techniques to improve polyurethane membranes for implantable glucose sensors |
| JP4708342B2 (ja) | 2003-07-25 | 2011-06-22 | デックスコム・インコーポレーテッド | 埋設可能な装置に用いる酸素増大膜システム |
| US8744546B2 (en) | 2005-05-05 | 2014-06-03 | Dexcom, Inc. | Cellulosic-based resistance domain for an analyte sensor |
| US8583204B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-11-12 | Dexcom, Inc. | Polymer membranes for continuous analyte sensors |
| WO2010033724A2 (en) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Dexcom, Inc. | Particle-containing membrane and particulate electrode for analyte sensors |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51108529A (en) * | 1974-12-24 | 1976-09-25 | Thomson Csf | Kogakutekimemori oyobi hyojihohonarabinisochi |
| JPS57169729A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-19 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP19231183A patent/JPS6084530A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51108529A (en) * | 1974-12-24 | 1976-09-25 | Thomson Csf | Kogakutekimemori oyobi hyojihohonarabinisochi |
| JPS57169729A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-19 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6162018A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-03-29 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS6259499A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-16 | Kenwood Corp | 音響用振動板 |
| FR2666342A1 (fr) * | 1990-09-03 | 1992-03-06 | Asulab Sa | Cellule a cristal liquide comprenant une plaque a alignement homeotrope. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0118404B2 (ja) | 1989-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5268783A (en) | Liquid crystal device including a polymer having a surface energy of at most 25 dyn/cm, display apparatus using same and display method using same | |
| US8174653B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| US6497928B1 (en) | Liquid crystal device, mesomorphic functional material and liquid crystal apparatus | |
| CN103443696B (zh) | 液晶显示元件及其制造方法 | |
| KR102119066B1 (ko) | 액정 디스플레이장치 및 그 구동방법 | |
| JPH05119302A (ja) | 高分子分散型液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JPH10222104A (ja) | ホログラフィを用いた反射型表示器 | |
| JP2009075624A (ja) | 広帯域反射型表示器 | |
| CN102004357A (zh) | 液晶显示元件的制造方法、聚合物组合物以及液晶显示元件 | |
| JPS6084530A (ja) | 液晶表示素子 | |
| CN100447638C (zh) | 液晶显示装置及其生产方法 | |
| JPS63137211A (ja) | 調光材及びその製造方法 | |
| JPH1031205A (ja) | 反射型液晶表示素子 | |
| JPH05502740A (ja) | 板上に感熱整列被膜を有する液晶セル | |
| JPH1152341A (ja) | 液晶デバイス | |
| JP3708983B2 (ja) | 含液晶／高分子マイクロカプセル及び液晶電気光学素子 | |
| JPH08254688A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3225932B2 (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPS632094B2 (ja) | ||
| US20040099841A1 (en) | Liquid crystal composition, liquid crystal display element, method for manufacturing same, and method for controlling same | |
| JP2004240259A (ja) | 液晶調光デバイス及び液晶表示装置 | |
| JP2001021924A (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
| JP3728174B2 (ja) | 液晶素子および液晶装置 | |
| JP2734456B2 (ja) | 光変調素子用材料 | |
| JP2001354965A (ja) | 液晶素子、液晶性機能材料および液晶装置 |