JPS6017719A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS6017719A JPS6017719A JP12666683A JP12666683A JPS6017719A JP S6017719 A JPS6017719 A JP S6017719A JP 12666683 A JP12666683 A JP 12666683A JP 12666683 A JP12666683 A JP 12666683A JP S6017719 A JPS6017719 A JP S6017719A
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- liquid crystal
- transparent
- display device
- crystal display
- substrate
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
・産業上の利用分野
本発明は強誘電性液晶を用いた液晶表示装置の配回方法
に関するものである。強誘電性液晶は従来の液晶では見
らｎなかったマイクロ秒の高速応答性とメモリー性を有
しているので、大面積表示や液晶テレビなどの高密度表
示装置用の液晶材料として注目さｎ研究さｎている。
に関するものである。強誘電性液晶は従来の液晶では見
らｎなかったマイクロ秒の高速応答性とメモリー性を有
しているので、大面積表示や液晶テレビなどの高密度表
示装置用の液晶材料として注目さｎ研究さｎている。
０従米技術
強誘電性液晶を用いた表示装置の一般的構造について説
明する。液晶の強誘電性は、２−メチルブチルＰ−Ｐ−
％−デシキロキシベンジリデン了ミノシンナメート（略
称ＤＯＢＡＭＢＯ）のカイラルスメクチックＣ相（以下
ｓｇｃ、、と略す）において最初に確認さした。ｆ３％
ｃ の分子配列と層構造を第１図、さらにそｉｔ−拡大
し電気双極子モーメントの方間を示したものを第２図に
示す。
明する。液晶の強誘電性は、２−メチルブチルＰ−Ｐ−
％−デシキロキシベンジリデン了ミノシンナメート（略
称ＤＯＢＡＭＢＯ）のカイラルスメクチックＣ相（以下
ｓｇｃ、、と略す）において最初に確認さした。ｆ３％
ｃ の分子配列と層構造を第１図、さらにそｉｔ−拡大
し電気双極子モーメントの方間を示したものを第２図に
示す。
１は液晶の分子であフ、２は分子の持つ電気双極子モー
メントの方間を示している。図かられかるよりにＳ営Ｃ
＊は２軸方回に分子の層を積み重ねた構造となっておシ
、各々の層内では電気双極子モーメントが同一方間に揃
っている。しかし液晶分子１の長軸方間（ｚ軸方口）で
はラセン構造となっているため、双極子モーメントは平
均としてゼロになってしまい巨視的には自発分極が表わ
ｎず強誘電体とはならない。このためラセン構造を発生
させずに双極モーメントによる自発分極だけを発現させ
る方法として、セル間隔が１μ常程度の薄いセルにラセ
ン軸（２軸）が平行になるようにＢ 、ｒＬＯ＊ １．
封入する方式が提案さしている。この方式を応用した液
晶表示装置の勤拝を第３図によシ説明する。第３図＠）
は厚いセルにＥｌｆｉＯｉ封入した時、ψ）は１μ常程
度の薄いセルにＳ惧Ｃ＊を封入した時の液晶分子１の配
列と双極子そ一メント２のガロ’にセルの面に垂直な方
間からＬｔ図でおる。Ｃ（■〕は紙面と垂直方向の双極
子モーメント、（■）は（［有］）と逆方向の双極子モ
ーメン）ｋ示す。＠）ではラセン構造が発生しているの
に対し、（ｂ）ではラセンが解けている。この（ｂ）の
セルに対し紙面に垂直方向に電圧を印刀口すると分子１
が一ガロに並び第３図（Ｃ）のようになシ、（Ｃ）と逆
方向の電圧を印加すると（イ）となる。この（６）と（
イ）の状態を電圧の方間で制御することによシ、従、米
の液晶では見らｎなかった高速応答の表示が可能となる
。又、（Ｃ）及び（ｄ′）の状態は共に安定な状態でち
るので、どちらも電圧を切つｆｔＪｐｊその状態が保た
ｎる。つまりメモリー性を有している。
メントの方間を示している。図かられかるよりにＳ営Ｃ
＊は２軸方回に分子の層を積み重ねた構造となっておシ
、各々の層内では電気双極子モーメントが同一方間に揃
っている。しかし液晶分子１の長軸方間（ｚ軸方口）で
はラセン構造となっているため、双極子モーメントは平
均としてゼロになってしまい巨視的には自発分極が表わ
ｎず強誘電体とはならない。このためラセン構造を発生
させずに双極モーメントによる自発分極だけを発現させ
る方法として、セル間隔が１μ常程度の薄いセルにラセ
ン軸（２軸）が平行になるようにＢ 、ｒＬＯ＊ １．
封入する方式が提案さしている。この方式を応用した液
晶表示装置の勤拝を第３図によシ説明する。第３図＠）
は厚いセルにＥｌｆｉＯｉ封入した時、ψ）は１μ常程
度の薄いセルにＳ惧Ｃ＊を封入した時の液晶分子１の配
列と双極子そ一メント２のガロ’にセルの面に垂直な方
間からＬｔ図でおる。Ｃ（■〕は紙面と垂直方向の双極
子モーメント、（■）は（［有］）と逆方向の双極子モ
ーメン）ｋ示す。＠）ではラセン構造が発生しているの
に対し、（ｂ）ではラセンが解けている。この（ｂ）の
セルに対し紙面に垂直方向に電圧を印刀口すると分子１
が一ガロに並び第３図（Ｃ）のようになシ、（Ｃ）と逆
方向の電圧を印加すると（イ）となる。この（６）と（
イ）の状態を電圧の方間で制御することによシ、従、米
の液晶では見らｎなかった高速応答の表示が可能となる
。又、（Ｃ）及び（ｄ′）の状態は共に安定な状態でち
るので、どちらも電圧を切つｆｔＪｐｊその状態が保た
ｎる。つまりメモリー性を有している。
このように優しｆｃ特性を持つ強誘電性液晶による表示
装置を作る際の最大の問題点は、配回の制御方法すなわ
ちいかにしてモノドメインを作るかという点であった。
装置を作る際の最大の問題点は、配回の制御方法すなわ
ちいかにしてモノドメインを作るかという点であった。
従来用いらしてきた配回制御法は以下の通シである。
（１） セル表面の界面効果を利用する方法（Ｉｆ）
せん断応力を加える方法 （呻 磁場を加える方法 （ＩＶ） セル側面の界面効果を利用する方法ところが
上記の方法にはそｎぞｎ以下に述べるような欠点がらり
、充分な特性が得らｔなかった。すなわち（１）の方法
ではセル表面が一ガロに配回を強制するので、強誘電性
液晶の持つ特性の一つであるメモリー性が失わｎてしま
う。（ＩＩ）の方法は実験的には有効でちるが、実際に
製造する際には手間がかかり過ぎて現実的ではない。（
ＩＩＩ）の方法は厚いセルに対しては有効であるが薄い
セルに対しては不適当でおる。（１１’）の方法は具体
的には高分子フィルムを主軸ガロにカットし、そ：ｒＬ
’ｉスペーサとして使いフィルムの切口部分の配回力で
液晶分子の配回を制御しようとするもので必るが、雑＜
カットしたフィルムを非常に狭い間隔で並べることは手
間がかかシ実用的ではない。
せん断応力を加える方法 （呻 磁場を加える方法 （ＩＶ） セル側面の界面効果を利用する方法ところが
上記の方法にはそｎぞｎ以下に述べるような欠点がらり
、充分な特性が得らｔなかった。すなわち（１）の方法
ではセル表面が一ガロに配回を強制するので、強誘電性
液晶の持つ特性の一つであるメモリー性が失わｎてしま
う。（ＩＩ）の方法は実験的には有効でちるが、実際に
製造する際には手間がかかり過ぎて現実的ではない。（
ＩＩＩ）の方法は厚いセルに対しては有効であるが薄い
セルに対しては不適当でおる。（１１’）の方法は具体
的には高分子フィルムを主軸ガロにカットし、そ：ｒＬ
’ｉスペーサとして使いフィルムの切口部分の配回力で
液晶分子の配回を制御しようとするもので必るが、雑＜
カットしたフィルムを非常に狭い間隔で並べることは手
間がかかシ実用的ではない。
０発明の目的
本発明は、上記の欠点を除去するためになさｎたもので
ラシ、セル基板として表面が液晶分子を一部ガロに配回
させる性質を有する基板を用い、その表面に、液晶分子
を配回させる性質を有しない透明電極を形成して表示セ
ルを構成することによって、透明電極の周囲に露出して
いる基板表面の配回作用によって、セル中に封入さｎた
液晶分子の配回を制御することを目的としている。
ラシ、セル基板として表面が液晶分子を一部ガロに配回
させる性質を有する基板を用い、その表面に、液晶分子
を配回させる性質を有しない透明電極を形成して表示セ
ルを構成することによって、透明電極の周囲に露出して
いる基板表面の配回作用によって、セル中に封入さｎた
液晶分子の配回を制御することを目的としている。
本発明によって、基本的には前記した配回制御法の（り
であるセル表面の界面効果を利用するが、電極表面では
配回作用を及ぼさないから強誘電液晶の表示特性でおる
メモリー性には影響を及ぼすことかない。また、電極の
周囲の基板の持つ配向作用を用いる点で前記した（６）
）のセル側面の界面効果を利用する場合と近似の効果が
得らｎるが、（■）の方法と比較すると、遥かに製造が
容易で実用的に高い価値を有している。
であるセル表面の界面効果を利用するが、電極表面では
配回作用を及ぼさないから強誘電液晶の表示特性でおる
メモリー性には影響を及ぼすことかない。また、電極の
周囲の基板の持つ配向作用を用いる点で前記した（６）
）のセル側面の界面効果を利用する場合と近似の効果が
得らｎるが、（■）の方法と比較すると、遥かに製造が
容易で実用的に高い価値を有している。
０発明の構成
７Ｆ、発明による強誘電液晶表示装置の配向の原理と方
法について説明する。
法について説明する。
プラスチックのフィルムにに一般に一軸延伸法で作ら２
″したものと二軸延伸法で作らｎたものがある。−軸延
伸で作らｎｆｃフィルムは二軸延伸フィルムに比べてフ
ィルムの分子が一方向にかカシ良く揃っているので、液
晶分子に対する強い配向制御力を持つ。但し、この−軸
延伸フィルム上に工ＴＯ４７の透明導電膜を設けると配
向制御力は消失してしまう。そこで適当な形状にバター
ニングした一軸延伸フイルムを基板とするセルに強誘電
性液晶を注入すると、液晶分子の配列状態紙透明導［膜
が除去さｎた部分ではフィルムの配向力によって一部ガ
ロに並ぶが、導電膜の存在する部分では決った方向には
並ばない。この様子を第４図に示す。第４図において３
は一軸延伸プラスチックフィルムの基板、４は透明電極
でちる０次に第４図のセルを強誘電性液晶が通常の液体
相に転移する温度まで加熱し分子の配列を完全にランダ
ムな状態にする。その彼、加熱さしたセルを充分時間を
かけて徐々に冷却する。すると透明電極が除去さした部
分におる液晶分子は加熱前と同様にプラスチックフィル
ムの配向力によって一方向に並ぶのはもちろんのこと、
導電膜の近くにある配向力を受けない液晶分子も、フィ
ルムによる配向力で並んでいる液晶分子の影響ヲ受けて
その界面から徐々に同一方向に並び始め、最終的にはセ
ル全体にモノドメインが形成さｎる。〔第５図〕上記の
ように、本発明は、基本的に液晶分子の配向を制御でき
る基板の表面に液晶分子の配向を制御する界面効果を有
しない電極膜をパターン形成することによってｇｂ立っ
ている。したがって、基板材料としては一軸延伸法で成
膜さＲ７’Ｃブシスチツクフイルムに限定さｎるもので
はな（、たとえは、表面にポリイミド等の高分子層を被
覆してその表面をラビングすることにより液晶を配向さ
せる作用を付与したガラス基板や、−軸延伸によって分
子配向を揃えたポリビニルアルコールの薄層を表面にラ
ミネートしたポリビニルアセテート板等も同様に用いる
ことができる。また、表面に形成さｎる界面配向効果を
有しない透明電極膜としては、真空蒸着法や、低温マグ
ネトロンスパッタ法等で成膜さする工Ｔｏ、＠等が一般
に用いらｎる。
″したものと二軸延伸法で作らｎたものがある。−軸延
伸で作らｎｆｃフィルムは二軸延伸フィルムに比べてフ
ィルムの分子が一方向にかカシ良く揃っているので、液
晶分子に対する強い配向制御力を持つ。但し、この−軸
延伸フィルム上に工ＴＯ４７の透明導電膜を設けると配
向制御力は消失してしまう。そこで適当な形状にバター
ニングした一軸延伸フイルムを基板とするセルに強誘電
性液晶を注入すると、液晶分子の配列状態紙透明導［膜
が除去さｎた部分ではフィルムの配向力によって一部ガ
ロに並ぶが、導電膜の存在する部分では決った方向には
並ばない。この様子を第４図に示す。第４図において３
は一軸延伸プラスチックフィルムの基板、４は透明電極
でちる０次に第４図のセルを強誘電性液晶が通常の液体
相に転移する温度まで加熱し分子の配列を完全にランダ
ムな状態にする。その彼、加熱さしたセルを充分時間を
かけて徐々に冷却する。すると透明電極が除去さした部
分におる液晶分子は加熱前と同様にプラスチックフィル
ムの配向力によって一方向に並ぶのはもちろんのこと、
導電膜の近くにある配向力を受けない液晶分子も、フィ
ルムによる配向力で並んでいる液晶分子の影響ヲ受けて
その界面から徐々に同一方向に並び始め、最終的にはセ
ル全体にモノドメインが形成さｎる。〔第５図〕上記の
ように、本発明は、基本的に液晶分子の配向を制御でき
る基板の表面に液晶分子の配向を制御する界面効果を有
しない電極膜をパターン形成することによってｇｂ立っ
ている。したがって、基板材料としては一軸延伸法で成
膜さＲ７’Ｃブシスチツクフイルムに限定さｎるもので
はな（、たとえは、表面にポリイミド等の高分子層を被
覆してその表面をラビングすることにより液晶を配向さ
せる作用を付与したガラス基板や、−軸延伸によって分
子配向を揃えたポリビニルアルコールの薄層を表面にラ
ミネートしたポリビニルアセテート板等も同様に用いる
ことができる。また、表面に形成さｎる界面配向効果を
有しない透明電極膜としては、真空蒸着法や、低温マグ
ネトロンスパッタ法等で成膜さする工Ｔｏ、＠等が一般
に用いらｎる。
次に実施例について説明する。
〔実施例１〕
第６図は本発明による液晶表示装置の正面図と断面図で
ある。−軸延伸さｎｆｃ厚さ１００μ常のポリエステル
フィルム基板３の上にマグ木トロンスパッタリングによ
シエＴｏの薄膜を形成し、こｒｔ、’ｅ帯状にバターニ
ングして透明電極４とする。
ある。−軸延伸さｎｆｃ厚さ１００μ常のポリエステル
フィルム基板３の上にマグ木トロンスパッタリングによ
シエＴｏの薄膜を形成し、こｒｔ、’ｅ帯状にバターニ
ングして透明電極４とする。
この基板３ｔスペーサ５を介して透明電極４が互いに交
差する方向に２枚組み合わせてセルを作る。上下基板３
の間隔は約１．５μ惧でちる。このセルに強誘電性液晶
であるＤＯＢＡＭＢＯｉ封入し１２０℃まで加熱してＤ
ＯＢＡＭＢＧを完全表液体層咳する。次にこのセルを毎
時１℃という非常にゆつ（シした速度で８０℃まで冷却
することにょシＤＯＢＡＭＢＯの良好な配向状態が得ら
ｎたＱ （実施例２ン 第６図において工ＴｏをスパッタリングＬｒｃポリエス
テルの代シに、市販さ肚ている工ＴＯ蒸着膜付ポリエチ
レンテレフタレートフィルム（例えば商品名セレクタ（
ダイセル）、ハイビーム（東し）等）を基板３として利
用したセルにおいても、実施例１と同様に良好な配向状
態を得た。
差する方向に２枚組み合わせてセルを作る。上下基板３
の間隔は約１．５μ惧でちる。このセルに強誘電性液晶
であるＤＯＢＡＭＢＯｉ封入し１２０℃まで加熱してＤ
ＯＢＡＭＢＧを完全表液体層咳する。次にこのセルを毎
時１℃という非常にゆつ（シした速度で８０℃まで冷却
することにょシＤＯＢＡＭＢＯの良好な配向状態が得ら
ｎたＱ （実施例２ン 第６図において工ＴｏをスパッタリングＬｒｃポリエス
テルの代シに、市販さ肚ている工ＴＯ蒸着膜付ポリエチ
レンテレフタレートフィルム（例えば商品名セレクタ（
ダイセル）、ハイビーム（東し）等）を基板３として利
用したセルにおいても、実施例１と同様に良好な配向状
態を得た。
（実施例３〕
強誘電性液晶としてＤＯＢＡＭＢＣに代ってＭＢＲＡ
（Ｓ−，４−０−２メチルブチルレンルシリデン−４′
−アルキルアニリン）ヲ用い、セルを７０℃よｊ５５（
ｌｆｉで徐冷することによシ同様に良好な配向状態を得
た。
（Ｓ−，４−０−２メチルブチルレンルシリデン−４′
−アルキルアニリン）ヲ用い、セルを７０℃よｊ５５（
ｌｆｉで徐冷することによシ同様に良好な配向状態を得
た。
（冥施例４〕
基板として、ガラス板表面にポリイミドをコーティング
し、木綿布を用いて強く一方向にラビングする配向処理
を施したガラス基板を用い、その表面に、マグネトロン
スパッタにぶって工Ｔｏ膜を形放し、以下、実施例１と
同様に液晶セルを製作した。その結果、配向方向が揃っ
たモノドメイセルが得ら′ｎた。
し、木綿布を用いて強く一方向にラビングする配向処理
を施したガラス基板を用い、その表面に、マグネトロン
スパッタにぶって工Ｔｏ膜を形放し、以下、実施例１と
同様に液晶セルを製作した。その結果、配向方向が揃っ
たモノドメイセルが得ら′ｎた。
（実施例５）
ポリビニルアセテートフィルムの表面に一軸配向したポ
リビニルアルコール層ヲ２ミネートし、そｎに二色性色
素を吸着させたものが、偏光板として普通に使わｎてい
る。その種の偏光板は、素面が液晶を配向させる性質を
有するから、偏光板全ガラス板に貼付したものを基板と
して用いた。
リビニルアルコール層ヲ２ミネートし、そｎに二色性色
素を吸着させたものが、偏光板として普通に使わｎてい
る。その種の偏光板は、素面が液晶を配向させる性質を
有するから、偏光板全ガラス板に貼付したものを基板と
して用いた。
以下、実施例１と同様に、表面に工Ｔｏ膜をパターン形
、成して液晶セルを製作した。その結果、液晶の配向が
良く揃ったモノドメインセルが得らｎ−０ ・発明の効果 以上の実施例で得らＲｒｃモノドメインセｙｌｄ、、以
上の実施例で得らｎたモノドメインセルは、いづしも、
液晶表示装置として駆動しｆｃ場合に、１ミリ秒以下の
高速応答と、１分間以上保持さするメモリー性を示し、
強誘電性液晶セルを特徴づける優２′した表示特性を有
していた。
、成して液晶セルを製作した。その結果、液晶の配向が
良く揃ったモノドメインセルが得らｎ−０ ・発明の効果 以上の実施例で得らＲｒｃモノドメインセｙｌｄ、、以
上の実施例で得らｎたモノドメインセルは、いづしも、
液晶表示装置として駆動しｆｃ場合に、１ミリ秒以下の
高速応答と、１分間以上保持さするメモリー性を示し、
強誘電性液晶セルを特徴づける優２′した表示特性を有
していた。
上記に説明した通り、本発明によｎば、表面が液晶分子
を配向する性質を有する基板表面に、表面が液晶全配向
する性質を有しない電極、＠全パターン形成することに
よって、液晶セル全均一なモノドメインセルに形成する
のに必要な配向作用は電極パターン周囲に露出する基板
表面によって得ることができ、また、表示部Ｗ、を駆動
する場合は電極狭面の配向作用はないから、印加電圧の
働きのみによって表示部の液晶の向きを制御することが
できる。
を配向する性質を有する基板表面に、表面が液晶全配向
する性質を有しない電極、＠全パターン形成することに
よって、液晶セル全均一なモノドメインセルに形成する
のに必要な配向作用は電極パターン周囲に露出する基板
表面によって得ることができ、また、表示部Ｗ、を駆動
する場合は電極狭面の配向作用はないから、印加電圧の
働きのみによって表示部の液晶の向きを制御することが
できる。
α）簡単な製造工程で、容易に応答が速く、メモリー効
果のある液晶表示装置を製造できる。
果のある液晶表示装置を製造できる。
（乃特に、−軸配向の高分子フィルムを基板に用いる場
合は、従来のように基板表面に配向処理を施す必要がな
いから、安価に製造できる。
合は、従来のように基板表面に配向処理を施す必要がな
いから、安価に製造できる。
等の伊二ｎた利点を有している。本発明は、特に液晶？
用いる単純マトリクスｔｕｇの大屋グラフィックディス
プレーを工業的に実現するために重要でちる。
用いる単純マトリクスｔｕｇの大屋グラフィックディス
プレーを工業的に実現するために重要でちる。
Ｐ、１図は強誘電性液晶分子のＳ、ＺＣ＊層の構造と分
子配列を示した図、第２図は第１図を拡大し、宛然双極
子モーメントの方向を示した図、第３図１は強誘電性液
晶分子のセル内での配列をセルの面に壬直な方向から見
た図で、＠）は基板間隔が厚いセル、（ｂ）は間隔が薄
いセル、（Ｃ）は（６）に紙面と垂直方向に電圧を印加
しｆｃ場合、（ｄ）は（Ｃ）と逆方向に電圧を印加した
場合の図、第４図はプラスチックフィルムによる液晶の
配向状態を示す図、第５図は本発明による液晶表示装置
の液晶配向状態全示す図、第６図は本発明による液晶表
示装置の例でらる。 １゜０強肪電性液晶 ２、、′ｒＭ、気双極子モーメントの方向（■、■印は
紙面に垂直で互いに逆方向金示す） ３０．」軸延伸プラスチックフィルム基板４゜。透明電
極 ５０．、スペーサ 以上 第１図 １゜ 第２図 否 第３図（α） 第 Ｘ内七× ＼゛ 笛３図（Ｃ） 第 ぐ ＼＼＼ ン。 ＼＼＼＼ ／、 ＼／／ ＼／／ ３図（ｄ） ／／／ ／／／
子配列を示した図、第２図は第１図を拡大し、宛然双極
子モーメントの方向を示した図、第３図１は強誘電性液
晶分子のセル内での配列をセルの面に壬直な方向から見
た図で、＠）は基板間隔が厚いセル、（ｂ）は間隔が薄
いセル、（Ｃ）は（６）に紙面と垂直方向に電圧を印加
しｆｃ場合、（ｄ）は（Ｃ）と逆方向に電圧を印加した
場合の図、第４図はプラスチックフィルムによる液晶の
配向状態を示す図、第５図は本発明による液晶表示装置
の液晶配向状態全示す図、第６図は本発明による液晶表
示装置の例でらる。 １゜０強肪電性液晶 ２、、′ｒＭ、気双極子モーメントの方向（■、■印は
紙面に垂直で互いに逆方向金示す） ３０．」軸延伸プラスチックフィルム基板４゜。透明電
極 ５０．、スペーサ 以上 第１図 １゜ 第２図 否 第３図（α） 第 Ｘ内七× ＼゛ 笛３図（Ｃ） 第 ぐ ＼＼＼ ン。 ＼＼＼＼ ／、 ＼／／ ＼／／ ３図（ｄ） ／／／ ／／／
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）表面が液晶分子を一定方向に配向させる性質を有
する一対の透明基板上に、表面が液晶分子を配向させる
性質を有しない透明電極屑を部分的に被覆形成し、七〇
ら透明電極屑で部分的に被覆さ２″した前記一対の透明
基板の間にスメクチックＱ相で強誘電性を示す性質を有
する液晶組成物を封入し′ｆｃ：ｅ、晶表示装置。 （２、特許請求の範囲第（１）項に記載した表面が液晶
分子’ｅ−ｆｆｌ方向に配向させる性質を有する一対の
透明基板は、−軸方向にラグング処理さｎた高分子層で
被覆さｎた透明基板である液晶表示装置（３）特許請求
の範囲第（１）項に記載した表面が液晶分子ヲー尼方向
に配向させる性質を有する一対の透明基板は、−軸方向
に延伸さｔた高分子層で被覆さｆした透明基板である液
晶表示装置。 （４）特許請求の範囲第（１）項に記載した表面が液晶
分子全一定方同に配回させる性質を有する透明基板は、
−軸延伸さｎた高分子フィルム基板である液晶表示装置
。 （５）特許請求の範囲第（３）および（４）項に記載し
た一軸延伸さｔｆｃ高分子層またはフィルム基板は、−
軸延伸によって成型さしたポリエチレンテレフタレート
である液晶表示装置。 （６）特許請求の範囲第（２）および（３）項に記載し
た透明基板は、ガラス基板またはポリエチレンテレフタ
レート基板である液晶表示装置。 （７）特許請求の範囲第α）項に記載した表面が液晶分
子を配回させる性質を有しない透明電極層は、前記した
透明基板表面に真空蒸着法または低温スパッタ法で形成
さｎた酸化インジウムを主成分とする透明な金属酸化物
の層である液晶表示装［。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12666683A JPS6017719A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12666683A JPS6017719A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017719A true JPS6017719A (ja) | 1985-01-29 |
Family
ID=14940861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12666683A Pending JPS6017719A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017719A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204230A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | スメクチツク液晶の注入・封止方法 |
| JPH035719A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネルの製造方法 |
-
1983
- 1983-07-12 JP JP12666683A patent/JPS6017719A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204230A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | スメクチツク液晶の注入・封止方法 |
| JPH035719A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネルの製造方法 |
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