JPS61165730A - 液晶電気光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １）　産業上の利用分野 本発明は、強１！］！１′寛性スメクチック液晶を用い
た液晶電気光学装置に係る。

２）従来技術 液晶電気光学装置は、第１図に示すごとく、少なくとも
基体（１）、透明電他（２１、配向処理層（４）、封入
液晶（６１１スペーサー（７）で構成されており、特に
配向処理層β）は、封入液晶（４１の初期配向を制御す
るうえで必要不可欠な構成要素である。

従来、ネマチック液晶を用いた液晶電気光学装置におい
ては、上下基体表面に配向処理層ン設け、液晶の初期配
向を制御するために、上下基体にそれぞれラビング処理
を行う、もしくは、上下基体に８１０の斜め蒸着等の配
向処理を行５のが一般的である。

ところが強誘電性スメクチック液晶においてはネマチッ
ク液晶とは分子の凝集状態が異なるため現在性われてい
るネマチック液晶の配向制御の方法では、良好なモノド
メインが得られに（いという問題点がある。

さらに、強誘電性スメクチック液晶が示す記憶効果及び
急峻なしきい値特性は、配向の良否のみでな（、液晶が
接する基体表面の形状もしくは基体表面と液晶との相互
作用に太き（影響ン受ける。

我々は、以前特開報５９−２１４８２４号で述べた様に
、１基体表面にポリイミド７塗布し、さらにラビング処
理を行い、他の１万は、透明電極？有する基体乞無処理
のまま使用し、強誘電性液晶？封入した液晶電気光学装
＃χ製造した。配向は非常に良好であったが、上記の記
憶効果、及びしきい値の急峻性は、光分なものではなか
った。

このように、強誘電性液晶を用いた液晶電気光学装置に
おいては、配向性、記憶効果、及び急峻なしきい１直特
性を同時にみたす配向処理は、今まで難しいものとされ
ていた。

３）発明が解決しようとする問題点 本発明は、上記条件を同時に満たす液晶電気光学装置を
容易に提供する事ができろ。

〔概要〕

本発明は、強誘電性スメクチック液晶７用いた液晶電気
光学装置の配向処理方法において、上下基体のうち一方
の基体表面に直鎖状高分子を被着し、さらにラビング処
理を行い、他の一方の基体表面には、上記基体表面に被
着した直鎖状高分子と同穐、もしくは、異種の直鎖状高
分子、ポリイミド、及び、ＳｉＯ２を被着する事を％徴
としている。

温度の降下に伴って、等方性流動相、ＳｍＡ相、８ｍ０
１）相と相転移すような液晶は、８ｍＣＧ相ではじめて
強誘電性を示す。ＳｍＡ相において均一なモノドメイン
が得られれば、Ｅ１ｍＣ１相においても配向は均一とな
る。

一方、強誘電性１３ｍｆ９相釦おけ心電気光学効果は、
液晶分子が基体表面に対して平行かつ一方向に配向する
事で出現する。

スメクチック液晶は、ネマチック液晶と比較し工、分子
の長軸方向に垂直な方向の分子間相互作用が大きいため
、基体の表面の状態が液晶のモノドメイン性に与える影
響は大きいと考えられる。

したがって、液晶分子が接する基体表面はできるだけ平
滑な方が配向は均一となる。

液晶が接する基体表面の状態は、強訴′亀性液晶が有す
る記憶効果、及び、しきい値の急峻性にも大きく影響す
る。最近では、南も（第１０回液晶討論会予稿集）のよ
うに、液晶が接する上下２基体表面の状態が異なる場合
の、液晶に与える表面効果に関する研究もさかんである
。

我々の数多くの実験によれば、液晶が接する２基体表面
にそれぞれ同穐もしくは異攬の配向処理層ｌ設けた液晶
電気光学装置において、２基体表面にラビング処理を行
った場合は、欠陥が発生しやすいが、しかし、１基体表
面にのみラビング処理を行った場合は、欠陥のまった（
ない広い範囲にわたるモノドメインが再現性良（得られ
、同時に強誘電性液晶が有する記憶効果、しきい値の急
峻性も満足する液晶電気光学装置が製造できた。

又、液晶が接する２基体表面のうち１基体にのみ配向処
Ｎ層として直鎖状高分子層乞設け、ラビング処理を行い
、他の１万の基体表面は、Ｓｉｎ、等の無機物？スパッ
タ、もしくは蒸着せしめ、その２基体を上下基体とした
液晶電気光学装置においても同様に、広い面積でのモノ
ドメインが得られ、さらに記憶効果、しきい値の急峻性
も満足するものであった。

このように、上下２基体にラビング処理７行った場合は
、配向処理層に直鎖状高分子を用いたにもかかわらず、
欠陥が生じやすく、記憶効果、しきい値の急峻性が得ら
れにくいのに対し、１基体にのみ直鎖状高分子χ配向処
理層として設け、さらにラビング処理７行った場合は、
欠陥のまったくない均一な広範囲にわたるモノドメイン
と、さらに、記憶効果、急峻なしきい値特性ゲ有する液
晶電気光学装置′ｆｔ提供できる。

以下本発明に際し、具体例Ｙ上げて記述するが配向処理
層として用いる直鎖状高分子、及び液晶材料は、具体例
に限定されるものではなく、他の材料？用いても、実施
例と同様な効果が得られる。

〔実施例〕１．　　第２図に示すごと（、透明電極（２
）及び、Ｓｉｎ、なる絶縁層（５１を設けた基体（１１
表面に６／９ナイロンを塗布し配向処理層（４）とし、
ラビング処理を行った基体（１）と透明電極（２）及び
８１０゜なる絶縁層（３）乞設けた基体（１）乞スペー
サー（７）を介して接着せしめ、強誘電性液晶材料とし
て美ＢＡＭＢｆ：！（６）ヲ封入した液晶電気光学装置
ン製造したところ、広範囲にわたって欠陥のまった（な
いスメクチック相のモノドメインが得られた。同時に、
記憶効果、及び急峻なしきい値特性も認められた。

〔実施例〕λ　第３図に示すごとく、透明電極（２）及
び５１０２なる絶縁層（３１乞設けた基体（１１表面に
６／９　ナイロンン塗布し配向処理層（４）を設けた基
体（１）表面にラビング処理７行った基体（１１と、透
明電極（２）及びＳ１０．なる絶縁層（３１乞設けた基
体（１）表面に６／９　ナイロンを塗布した基体（１）
とを、スペーサー（７）ヲ介して接着せしめ、強誘電性
液晶材料としてＤＯＢＡＭＥＯ（６１Ｙ封入した液晶電
気光学装置を製造したところ、広範囲にわたって欠陥の
まりだ（ないスメチツク相が得られた。同時に記憶効果
、及び急峻なしきい値特性が認められた。

〔効果〕

本方法で製造した液晶表示装置は、上下基体のうち１基
体にのみラビング処理乞行うので、現在の技術馨そのま
ま利用でき、かつ欠陥のないスメクチック相のモノドメ
インＹ提供する事ができる。

同時に１基体のみのラビング処理は、工業的にも非常に
有効で、コス）Ｙ大幅に縮少させる事ができる。

従来の強誘電性液晶χ用いた液晶表示装置においては、
そのスメクチック相の配向技術がいまだ確立されていな
い、しかし、本方法によれば、スメクチック液晶の欠陥
のまった（存在しない広い範囲にわたる七ノドメインを
得る事が可能である。

同時に記憶効果及び急峻なしきい値特性馨有する液晶電
気光学装置？提供する事ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の液晶表示装置の１例の断面図第２図及
び第３内は、上下基体のうち下基体にのみラビング処理
を行った表示装置の断面図である。 （１）は基体、（２）は透明電極、（３１は絶縁層、（
４）はラビング配向処理層、（５）は、被ラビング配向
処理層と同種又は異種の高分子膜、及び無機膜、（６）
は封入液晶、（７）はスペーサーである。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）強誘電性スメクチック相を有する液晶を電極を設け
   た２枚の基体中に封入した液晶電気光学装置において、
   上下基体のうち一方の基体表面には直鎖状高分子被着し
   、さらにラビング処理を行い、もう一方の基体表面には
   、上記基体表面に被着した直鎖状高分子と同種、もしく
   は異種の直鎖状高分子、ポリイミド、及びＳｉＯ＿２を
   被着せしめた事を特徴とする液晶電気光学装置。 ２）被ラビング処理基体上の配向処理層がポリアミド、
   ポリエチレン、ポリエステルである事を特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の液晶電気光学装置。