JPH06332012A - 液晶電気光学装置作製方法 - Google Patents
液晶電気光学装置作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スイッチング素子を使用した液晶表示装置に
おいて液晶材料の配向欠陥を減少させてコントラストの
向上を図る。 【構成】 一の基板間に液晶材料を有し、前記一対の基
板のうちスイッチング素子を有する基板は熱可塑性基板
であり、該基板を加熱してスイッチング素子がある面を
加圧プレスして、スイッチング素子を基板上の凹部に存
在させる。これによりスイッチング素子による凹凸をな
くして液晶材料の配向欠陥の発生を防ぎコントラストの
向上を促す。
おいて液晶材料の配向欠陥を減少させてコントラストの
向上を図る。 【構成】 一の基板間に液晶材料を有し、前記一対の基
板のうちスイッチング素子を有する基板は熱可塑性基板
であり、該基板を加熱してスイッチング素子がある面を
加圧プレスして、スイッチング素子を基板上の凹部に存
在させる。これによりスイッチング素子による凹凸をな
くして液晶材料の配向欠陥の発生を防ぎコントラストの
向上を促す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ等の
スイッチング素子を有するアクティブ型の液晶電気光学
装置とその作製方法に関する。
スイッチング素子を有するアクティブ型の液晶電気光学
装置とその作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、表示装置として液晶電気光学装置
が注目されている。特にスイッチング素子を画素毎に有
するアクティブマトリクス型の装置が、コントラスト比
や速度の面で優れたものとしてしられている。
が注目されている。特にスイッチング素子を画素毎に有
するアクティブマトリクス型の装置が、コントラスト比
や速度の面で優れたものとしてしられている。
【０００３】
【従来技術の問題点】アクティブ型の装置は優れたもの
であるが、ＴＦＴ等のアクティブ素子の凹凸によって配
向欠陥が発生することがあった。特に液晶材料として強
誘電性液晶を用いた場合アクティブ素子の存在により配
向欠陥が発生しやすく問題となっていた。その結果表示
装置としてのコントラスト比を低下させていた。
であるが、ＴＦＴ等のアクティブ素子の凹凸によって配
向欠陥が発生することがあった。特に液晶材料として強
誘電性液晶を用いた場合アクティブ素子の存在により配
向欠陥が発生しやすく問題となっていた。その結果表示
装置としてのコントラスト比を低下させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、スイッチン
グ素子を使用した液晶電気光学装置において液晶材料の
配向欠陥を減少させてコントラストの向上を図ることを
目的とする。
グ素子を使用した液晶電気光学装置において液晶材料の
配向欠陥を減少させてコントラストの向上を図ることを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱可塑性基板
上にスイッチング素子を形成した後、前記基板をガラス
転移点以上に加熱して前記基板のスイッチング素子が形
成されている面を加圧プレスすることを特徴とするもの
である。
上にスイッチング素子を形成した後、前記基板をガラス
転移点以上に加熱して前記基板のスイッチング素子が形
成されている面を加圧プレスすることを特徴とするもの
である。
【０００６】
【作用】上記構成により、基板上のＴＦＴ素子などによ
る凹凸を実質的になくすことができ、ジグザグ欠陥等の
配向欠陥の発生を防止できる。特に液晶の配向状態をツ
イスト配向（液晶分子が基板間で捻れた配向）ではな
く、コントラスト比の高いユニフォーム配向（液晶分子
が基板間で一方向に配向していること）としたときに、
配向欠陥なく良好に配向させることができ、コントラス
ト比を高くすることができる。
る凹凸を実質的になくすことができ、ジグザグ欠陥等の
配向欠陥の発生を防止できる。特に液晶の配向状態をツ
イスト配向（液晶分子が基板間で捻れた配向）ではな
く、コントラスト比の高いユニフォーム配向（液晶分子
が基板間で一方向に配向していること）としたときに、
配向欠陥なく良好に配向させることができ、コントラス
ト比を高くすることができる。
【０００７】また、基板の凹部にＴＦＴを形成する方法
として、平坦な基板上にＴＦＴ素子を作製後加圧プレス
して基板内に埋め込むので、高精度かつ複雑な技術が必
要となる、基板に凹部を各素子毎に設けその中にＴＦＴ
を作製する方法に比較して極めて容易に実施でき、生産
性が大幅に向上する。以下に実施例を示す。
として、平坦な基板上にＴＦＴ素子を作製後加圧プレス
して基板内に埋め込むので、高精度かつ複雑な技術が必
要となる、基板に凹部を各素子毎に設けその中にＴＦＴ
を作製する方法に比較して極めて容易に実施でき、生産
性が大幅に向上する。以下に実施例を示す。
【０００８】
【実施例】図１に本実施例により作製した液晶表示装置
の構成を示す。セルの片方の基板１１２は透光性の熱可
塑性基板を使用した。本実施例ではポリエチレンテレフ
タレートを使用した。該基板上には画素電極１１４及び
アモルファスシリコンＴＦＴ１１５を用いたアクティブ
マトリクスを作製した。ＴＦＴ１１５は基板の凹部に存
在している。他方の基板１１１は青板ガラスを使用し、
該基板には全面ＩＴＯ膜１１３を形成した。ＩＴＯ１１
３上には配向膜１１６を塗布した。配向膜表面には一軸
配向処理を施した。２枚の基板間には液晶材料１１７が
挟持されている。
の構成を示す。セルの片方の基板１１２は透光性の熱可
塑性基板を使用した。本実施例ではポリエチレンテレフ
タレートを使用した。該基板上には画素電極１１４及び
アモルファスシリコンＴＦＴ１１５を用いたアクティブ
マトリクスを作製した。ＴＦＴ１１５は基板の凹部に存
在している。他方の基板１１１は青板ガラスを使用し、
該基板には全面ＩＴＯ膜１１３を形成した。ＩＴＯ１１
３上には配向膜１１６を塗布した。配向膜表面には一軸
配向処理を施した。２枚の基板間には液晶材料１１７が
挟持されている。
【０００９】作製するにあたっては、基板１１２上には
初めにＴＦＴ素子を作製し、その後基板をガラス転移点
以上本実施例では１５０℃にし、ＴＦＴが形成されてい
る面を加圧プレスしてＴＦＴ素子を埋め込む。そのまま
の状態で室温まで冷却することで基板中にＴＦＴ素子を
埋設した。このことで、基板上に形成された素子による
凹凸は実質的になくなった。
初めにＴＦＴ素子を作製し、その後基板をガラス転移点
以上本実施例では１５０℃にし、ＴＦＴが形成されてい
る面を加圧プレスしてＴＦＴ素子を埋め込む。そのまま
の状態で室温まで冷却することで基板中にＴＦＴ素子を
埋設した。このことで、基板上に形成された素子による
凹凸は実質的になくなった。
【００１０】しかる後、表示画素としてＩＴＯを形成し
た。表示画素の大きさは２０μｍ×６０μｍとし、マト
リクスの規模は１９２０×４８０とした。
た。表示画素の大きさは２０μｍ×６０μｍとし、マト
リクスの規模は１９２０×４８０とした。
【００１１】次に、配向膜材料１１６はポリイミド系の
樹脂、例えばＬＱ−５２００（日立化成製）、ＬＰ−６
４（東レ製）、ＲＮ−３０５（日産化学製）等であり、
ここではＬＰ−６４を使用した。配向膜はｎ−メチル−
２−ピロリドン等の溶媒により希釈しスピンコート法に
より塗布した。ここでは液晶の配向をユニフォーム配向
とするためにスイッチング素子が形成されていない方の
基板のみに塗布した。塗布した基板は２５０〜３００
℃、ここでは２８０℃で２. ５時間加熱し溶媒を乾燥さ
せ、塗膜をイミド化し硬化させた。硬化後の膜厚は３０
０Åであった。
樹脂、例えばＬＱ−５２００（日立化成製）、ＬＰ−６
４（東レ製）、ＲＮ−３０５（日産化学製）等であり、
ここではＬＰ−６４を使用した。配向膜はｎ−メチル−
２−ピロリドン等の溶媒により希釈しスピンコート法に
より塗布した。ここでは液晶の配向をユニフォーム配向
とするためにスイッチング素子が形成されていない方の
基板のみに塗布した。塗布した基板は２５０〜３００
℃、ここでは２８０℃で２. ５時間加熱し溶媒を乾燥さ
せ、塗膜をイミド化し硬化させた。硬化後の膜厚は３０
０Åであった。
【００１２】次に配向膜をラビングする。ラビングはレ
ーヨン、綿等の布が巻いてあるローラーで４５０〜９０
０ｒｐｍ、ここでは４５０ｒｐｍの回転数で一方向に擦
った。
ーヨン、綿等の布が巻いてあるローラーで４５０〜９０
０ｒｐｍ、ここでは４５０ｒｐｍの回転数で一方向に擦
った。
【００１３】次に該セルの間隔を一定にするためスペー
サー１１８として、配向膜が塗布されている側の基板に
は直径１. ５μｍの真絲球（触媒化成製）を散布した。
また、他方の基板上には、該２枚の基板を固定するため
に、シール剤として基板の周辺に２液性のエポキシ系接
着剤をスクリーン印刷により印刷塗布し、その後２枚の
基板を接着固定した。
サー１１８として、配向膜が塗布されている側の基板に
は直径１. ５μｍの真絲球（触媒化成製）を散布した。
また、他方の基板上には、該２枚の基板を固定するため
に、シール剤として基板の周辺に２液性のエポキシ系接
着剤をスクリーン印刷により印刷塗布し、その後２枚の
基板を接着固定した。
【００１４】上記基板には液晶材料１１７を注入する。
液晶材料としてＩｓｏ−ＳｍＡ転移温度が７１. ７℃の
強誘電性液晶を使用した。注入は、液晶セル及び液晶材
料を７０℃とし真空下で行った。注入後、液晶セルは２
〜２０℃／ｈｒ、ここでは３℃／ｈｒの割合で徐冷し
た。
液晶材料としてＩｓｏ−ＳｍＡ転移温度が７１. ７℃の
強誘電性液晶を使用した。注入は、液晶セル及び液晶材
料を７０℃とし真空下で行った。注入後、液晶セルは２
〜２０℃／ｈｒ、ここでは３℃／ｈｒの割合で徐冷し
た。
【００１５】この液晶セルの配向状態を、偏光顕微鏡で
直交ニコル下で観察したところある回転角で消光位、即
ち片方の偏光板に入射した光が、他方の偏光板を透過せ
ず、あたかも光が遮断された状態が得られた。これは本
実施例ではＴＦＴ素子を有する側の基板上に配向膜を有
していない構成であるため、液晶材料がツイスト状態で
なくユニフォーム配向となっていることを示している。
直交ニコル下で観察したところある回転角で消光位、即
ち片方の偏光板に入射した光が、他方の偏光板を透過せ
ず、あたかも光が遮断された状態が得られた。これは本
実施例ではＴＦＴ素子を有する側の基板上に配向膜を有
していない構成であるため、液晶材料がツイスト状態で
なくユニフォーム配向となっていることを示している。
【００１６】加えて、配向膜の無いＴＦＴ素子を設けた
側の基板においては、ＴＦＴ素子の凹凸がなく基板表面
が平滑であるため、ジグザグ欠陥等配向の不良な箇所は
見られず、ユニフォーム配向を極めて良好になさしめる
ことができた。
側の基板においては、ＴＦＴ素子の凹凸がなく基板表面
が平滑であるため、ジグザグ欠陥等配向の不良な箇所は
見られず、ユニフォーム配向を極めて良好になさしめる
ことができた。
【００１７】上記液晶セルの光学特性を測定するとコン
トラスト比１００を得た。
トラスト比１００を得た。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、アクティブ型の液晶電気
光学装置において、ジグザグ欠陥等の配向欠陥の発生を
防止できた。
光学装置において、ジグザグ欠陥等の配向欠陥の発生を
防止できた。
【００１９】またスイッチング素子の存在による配向欠
陥の発生を防いで良好なユニフォーム配向をさせること
ができ、一層のコントラストの向上を図ることができ
た。
陥の発生を防いで良好なユニフォーム配向をさせること
ができ、一層のコントラストの向上を図ることができ
た。
【００２０】また、基板に凹部を各素子毎に設けその中
にＴＦＴを作製する方法に比較して極めて容易に実施で
き、生産性を大幅に向上させることができた。
にＴＦＴを作製する方法に比較して極めて容易に実施で
き、生産性を大幅に向上させることができた。
【００２１】総じて本発明により、配向欠陥の発生を防
いで液晶電気光学装置のコントラストを大幅に向上させ
ることができた。
いで液晶電気光学装置のコントラストを大幅に向上させ
ることができた。
【００２２】本発明は強誘電性液晶を使用した液晶電気
光学装置において特に有効であるが、他の種類の液晶に
対しても有効である。
光学装置において特に有効であるが、他の種類の液晶に
対しても有効である。
【図１】 実施例１による液晶セルの概略図を示す。
１１１ 基板 １１２ 基板 １１３ 電極 １１４ 電極 １１５ ＴＦＴ １１６ 配向膜 １１７ 液晶材料 １１８ スペーサー
Claims (1)
- 【請求項１】熱可塑性基板上にスイッチング素子を形成
した後、前記基板をガラス転移点以上に加熱して前記基
板のスイッチング素子が形成されている面を加圧プレス
することを特徴とする液晶電気光学装置作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14288393A JP3173750B2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 電気光学装置の作製方法 |
| US08/246,161 US5555240A (en) | 1993-05-21 | 1994-05-19 | Process for fabricating a liquid crystal display with switching elements formed in a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14288393A JP3173750B2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 電気光学装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23694399A Division JP3212976B2 (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 液晶電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06332012A true JPH06332012A (ja) | 1994-12-02 |
| JP3173750B2 JP3173750B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=15325816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14288393A Expired - Fee Related JP3173750B2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 電気光学装置の作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5555240A (ja) |
| JP (1) | JP3173750B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2708170B1 (fr) * | 1993-07-19 | 1995-09-08 | Innovation Dev Cie Gle | Circuits électroniques à très haute conductibilité et de grande finesse, leurs procédés de fabrication, et dispositifs les comprenant. |
| US5817550A (en) * | 1996-03-05 | 1998-10-06 | Regents Of The University Of California | Method for formation of thin film transistors on plastic substrates |
| US6052165A (en) * | 1997-12-22 | 2000-04-18 | Philips Electronics North America Corporation | Reflective liquid crystal display (LCD) device having an internal reflection reducer |
| US6835576B2 (en) * | 2000-05-02 | 2004-12-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic thin film, a magnetic component that uses this magnetic thin film, manufacturing methods for the same, and a power conversion device |
| US7759629B2 (en) * | 2007-03-20 | 2010-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58186720A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-10-31 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| US4674840A (en) * | 1983-12-22 | 1987-06-23 | Polaroid Corporation, Patent Dept. | Liquid crystal display with polarizer and biaxial birefringent support |
| JPS6318327A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Daicel Chem Ind Ltd | プラスチツクス液晶表示素子 |
| JP2624355B2 (ja) * | 1990-05-14 | 1997-06-25 | 松下電子工業株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3249508B2 (ja) * | 1990-09-25 | 2002-01-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US5317432A (en) * | 1991-09-04 | 1994-05-31 | Sony Corporation | Liquid crystal display device with a capacitor and a thin film transistor in a trench for each pixel |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP14288393A patent/JP3173750B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-05-19 US US08/246,161 patent/US5555240A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3173750B2 (ja) | 2001-06-04 |
| US5555240A (en) | 1996-09-10 |
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Legal Events
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