JPH02217820A - 強誘電性高分子液晶素子 - Google Patents
強誘電性高分子液晶素子Info
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- JPH02217820A JPH02217820A JP3834189A JP3834189A JPH02217820A JP H02217820 A JPH02217820 A JP H02217820A JP 3834189 A JP3834189 A JP 3834189A JP 3834189 A JP3834189 A JP 3834189A JP H02217820 A JPH02217820 A JP H02217820A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は強誘電性高分子液晶を用いた液晶素子に関し、
特に駆動に伴なう配向劣化によるコントラストの低下等
を防止した強誘電性高分子液晶素子に関する。
特に駆動に伴なう配向劣化によるコントラストの低下等
を防止した強誘電性高分子液晶素子に関する。
[従来の技術]
従来、メモリーやデイスプレィ等に使用されている液晶
素子は、高速応答性等の要求に応じるために、低分子液
晶が多く用いられている。しかしながら、近年、大画面
デイスプレィの要望や液晶素子の実装の簡素化などの点
から、高分子液晶性化合物と低分子液晶性化合物との混
合系、あるいは高分子液晶系などいわゆる高分子液晶組
成物を用いた液晶素子の検討か行なわれてきた。
素子は、高速応答性等の要求に応じるために、低分子液
晶が多く用いられている。しかしながら、近年、大画面
デイスプレィの要望や液晶素子の実装の簡素化などの点
から、高分子液晶性化合物と低分子液晶性化合物との混
合系、あるいは高分子液晶系などいわゆる高分子液晶組
成物を用いた液晶素子の検討か行なわれてきた。
この様な高分子液晶組成物を用いることは、以下の点で
有効であると考えられる。
有効であると考えられる。
■ 高分子液晶組成物は、溶液塗布等により成膜化する
ことか可tr=であり、また液晶素子の大面積化が実現
できる上に、ti1M脱化、膜厚制御か容易なため、従
来、低分子液晶で行なわれているセル基板間のギャップ
制御などの難点が解消される。
ことか可tr=であり、また液晶素子の大面積化が実現
できる上に、ti1M脱化、膜厚制御か容易なため、従
来、低分子液晶で行なわれているセル基板間のギャップ
制御などの難点が解消される。
■ 高分子液晶組成物の中には、延伸等によって配向さ
せることが可能なものもあり、低分子液晶で用いられて
いる配向膜が不要になる可能性かある。
せることが可能なものもあり、低分子液晶で用いられて
いる配向膜が不要になる可能性かある。
■ メモリーやデイスプレィなどに液晶素子を用いる際
には、コントラストの向上のために4光吸収性色素を含
有させることが行なわれる。高分子液晶組成物の場合は
、ポリマーの色素に対する相溶性などを活用できるため
、染料や顔料などの色素類を均一に分散させることがで
きる。
には、コントラストの向上のために4光吸収性色素を含
有させることが行なわれる。高分子液晶組成物の場合は
、ポリマーの色素に対する相溶性などを活用できるため
、染料や顔料などの色素類を均一に分散させることがで
きる。
このような有効性が見出される一方、応答速度が遅いた
め動画や書き換えを高速で行なう用途には適していない
欠点かあった。
め動画や書き換えを高速で行なう用途には適していない
欠点かあった。
以上の欠点を解決する方法の1つとして、強誘電性高分
子液晶[エヌ ニー ブラーテ等「ポリマー ブレタン
J (N、 A、 Plate et al、 ’Po
lygierBuffeting) 、 12.299
頁、 (1984年)]の使用か報告されている。こ
の強誘電性高分子液晶は、従来の高分子液晶に比較して
大巾に応答速度を向上できるため、その実用化が期待さ
れている。
子液晶[エヌ ニー ブラーテ等「ポリマー ブレタン
J (N、 A、 Plate et al、 ’Po
lygierBuffeting) 、 12.299
頁、 (1984年)]の使用か報告されている。こ
の強誘電性高分子液晶は、従来の高分子液晶に比較して
大巾に応答速度を向上できるため、その実用化が期待さ
れている。
[発明が解決しようとするW1題]
しかしながら、上記の強誘電性高分子液晶を使用する従
来例においては、繰り返し駆動することに伴ない1強誘
電性高分子液晶の電歪効果によって、その配向性が劣化
し、コントラストや応答性か低下する欠点があった。特
に、基板にプラスチックフィルムを用いた、軽量でフレ
キシブルな表示素子等に応用しようとする場合に5その
解決が望まれていた。
来例においては、繰り返し駆動することに伴ない1強誘
電性高分子液晶の電歪効果によって、その配向性が劣化
し、コントラストや応答性か低下する欠点があった。特
に、基板にプラスチックフィルムを用いた、軽量でフレ
キシブルな表示素子等に応用しようとする場合に5その
解決が望まれていた。
本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、基板に引張り強度が高いプラスチッ
クフィルムを使用し、そのフィルム基板間に強誘電性高
分子液晶を挟持することにより、繰り返し駆動に伴なう
強誘電性高分子液晶の配向性の劣化を防止し、コントラ
ストの低下が極めて少ない強誘電性高分子液晶素子を提
供することを目的とするものである。
されたものであり、基板に引張り強度が高いプラスチッ
クフィルムを使用し、そのフィルム基板間に強誘電性高
分子液晶を挟持することにより、繰り返し駆動に伴なう
強誘電性高分子液晶の配向性の劣化を防止し、コントラ
ストの低下が極めて少ない強誘電性高分子液晶素子を提
供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
即ち1本発明は、電極を有する一対の基板間に強誘電性
高分子液晶を挟持してなる強誘電性高分子液晶素子にお
いて、前記基板が引張り強度200kg/cm”以上の
プラスチックフィルムからなることを特徴とする強誘電
性高分子液晶素子である。
高分子液晶を挟持してなる強誘電性高分子液晶素子にお
いて、前記基板が引張り強度200kg/cm”以上の
プラスチックフィルムからなることを特徴とする強誘電
性高分子液晶素子である。
以下1本発明の詳細な説明する。
第1図(a)は本発明の強誘電性高分子液晶素子の一例
を示す概略図、第1図(b)は本発明の強誘電性高分子
液晶素子の一対の基板上に設けたストライプ状電極の方
向と偏光板の偏光方向との関係を示す構成図である。同
図においては、偏光ガラス、またはポリビニルアルコー
ルにヨウ素多量体を吸着後−軸延伸したものや、ポリビ
ニルアルコールあるいはポリエチレンテレフタレートに
二色性染料を染着後−軸延伸したもの等のプラスチ・ン
ク偏光フィルム等からなる偏光板4,4aの間に、基板
1.la間に強誘電性高分子液晶層2を挟持してなる積
層体を設けた構造からなる液晶素子を示す。第1図(a
)においては、ストライプ状電極3,3aは基板1.l
aの外側に設けられている。
を示す概略図、第1図(b)は本発明の強誘電性高分子
液晶素子の一対の基板上に設けたストライプ状電極の方
向と偏光板の偏光方向との関係を示す構成図である。同
図においては、偏光ガラス、またはポリビニルアルコー
ルにヨウ素多量体を吸着後−軸延伸したものや、ポリビ
ニルアルコールあるいはポリエチレンテレフタレートに
二色性染料を染着後−軸延伸したもの等のプラスチ・ン
ク偏光フィルム等からなる偏光板4,4aの間に、基板
1.la間に強誘電性高分子液晶層2を挟持してなる積
層体を設けた構造からなる液晶素子を示す。第1図(a
)においては、ストライプ状電極3,3aは基板1.l
aの外側に設けられている。
第2図は本発明の強誘電性高分子液晶素子の他の例を示
す概略図であり、ストライプ状電極3゜38を接着層や
絶縁層を介して基板1.laの内側に設けた積層構造の
液晶素子を示す。あるいは、yg子構成によっては、接
着層や絶縁層を介在させない積層構造のものでも良い。
す概略図であり、ストライプ状電極3゜38を接着層や
絶縁層を介して基板1.laの内側に設けた積層構造の
液晶素子を示す。あるいは、yg子構成によっては、接
着層や絶縁層を介在させない積層構造のものでも良い。
本発明において使用される基板1.laは、その基板材
料の引張り強度が通常の室温で200kg/am”以上
、好ましくは300 kg/cm”以上であるようなプ
ラスチックフィルムが、大面積でフレキシブルな液晶素
子を提供する点で望ましい、引張り強度が200 kg
/cm”未満の場合には、強誘電性高分子液晶素子が駆
動される際の電歪効果により発生する応力を繰り返し受
けることにより、基板表面にも徐々に変化が発生し、そ
の結果強誘電性高分子液晶相の配向に影響し、配向劣化
となって現われてくる。
料の引張り強度が通常の室温で200kg/am”以上
、好ましくは300 kg/cm”以上であるようなプ
ラスチックフィルムが、大面積でフレキシブルな液晶素
子を提供する点で望ましい、引張り強度が200 kg
/cm”未満の場合には、強誘電性高分子液晶素子が駆
動される際の電歪効果により発生する応力を繰り返し受
けることにより、基板表面にも徐々に変化が発生し、そ
の結果強誘電性高分子液晶相の配向に影響し、配向劣化
となって現われてくる。
本発明において使用される基板としては、引張り強度が
200 kg/Cs”以上で、大面積でフレキシブルな
素子を提供する点でポリマーフィルムを使用するのが好
ましく、その具体例としては、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステルフ
ィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリメタクリル酸メチルフィ
ルム。
200 kg/Cs”以上で、大面積でフレキシブルな
素子を提供する点でポリマーフィルムを使用するのが好
ましく、その具体例としては、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステルフ
ィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリメタクリル酸メチルフィ
ルム。
メタクリル酸メチル−スチレン共重合体フィルム、ポリ
スチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリビニ
ルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリ
塩化ビニリデンフィルム。
スチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリビニ
ルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリ
塩化ビニリデンフィルム。
ポリフッ化ビニリデンフィルム、ボリアリレートフィル
ム等の透明フィルムが挙げられるか、これらに限定され
るものてはない。
ム等の透明フィルムが挙げられるか、これらに限定され
るものてはない。
これらのフィルムを前記の基板として使用するには、−
軸延伸、二輌延伸等の処理を行なった配向フィルムある
いは無配向フィルムの何れも使用可能である。延伸処理
を行なったフィルムは、引張り強度を2〜4倍程度(例
えば、ポリエチレンテレフタレートの場合)に向上させ
ることができるので好ましい処理の一つである。
軸延伸、二輌延伸等の処理を行なった配向フィルムある
いは無配向フィルムの何れも使用可能である。延伸処理
を行なったフィルムは、引張り強度を2〜4倍程度(例
えば、ポリエチレンテレフタレートの場合)に向上させ
ることができるので好ましい処理の一つである。
本発明において用いられる強誘電性高分子液晶としては
、カイラルスメクチ・ンクC相(Sac”) 。
、カイラルスメクチ・ンクC相(Sac”) 。
H相(Salt’) 、 I相(Sml’) 、 J相
(S膳J’) 、 K相(S−に1)、G相(S膳G″
)又はF相(S++F”)を有する側鎖型高分子液晶性
化合物および主鎖型高分子液晶性化合物等を用いること
ができ、具体的には下記に示すようなものが挙げられる
が、これらに限定されるものではない、(但し1式中*
は不斉炭素中心を示す、) −(−(:+1.−CH)i− m≧5゜ n=4〜18 一+−c11.−C亀−−− 首 p=i〜2゜ k = 1〜2 、 n = 4〜1g。
(S膳J’) 、 K相(S−に1)、G相(S膳G″
)又はF相(S++F”)を有する側鎖型高分子液晶性
化合物および主鎖型高分子液晶性化合物等を用いること
ができ、具体的には下記に示すようなものが挙げられる
が、これらに限定されるものではない、(但し1式中*
は不斉炭素中心を示す、) −(−(:+1.−CH)i− m≧5゜ n=4〜18 一+−c11.−C亀−−− 首 p=i〜2゜ k = 1〜2 、 n = 4〜1g。
m≧5
+引1□−C1l)7−
! =
1〜2.に=1〜2゜
j=0またはl。
n=4〜】8゜
m≧5
j=0または1
j=0またはl
j:Oまたは1
m≧5
m≧5
m≧5
y =0.1 〜1.0 、m= 4〜12. n
≧3これらの強誘電性高分子液晶は1種または2種以上
を混合あるいは共重合して用いたり、低分子液晶性化合
物とブレンドして用いる等の方法で素子化に適した組成
のものが使用される。
≧3これらの強誘電性高分子液晶は1種または2種以上
を混合あるいは共重合して用いたり、低分子液晶性化合
物とブレンドして用いる等の方法で素子化に適した組成
のものが使用される。
また、ブレンドによって強誘電性を発現することが可能
な光学活性高分子液晶も用いることができる。その具体
例を下記に示す、ブレンドするものとしては、一般の低
分子強誘電性液晶が用いられる。ただし、低分子強誘電
性液晶とのブレンドを行う場合、相溶性を考慮しなけれ
ばならない。
な光学活性高分子液晶も用いることができる。その具体
例を下記に示す、ブレンドするものとしては、一般の低
分子強誘電性液晶が用いられる。ただし、低分子強誘電
性液晶とのブレンドを行う場合、相溶性を考慮しなけれ
ばならない。
ブレンドする低分子液晶の割合としては、1〜90%、
好ましくは5〜505%の範囲が望ましい。
好ましくは5〜505%の範囲が望ましい。
(m2=2〜15゜
x+y=1)
(x+y=1. −、=2〜15)
(x+y=1)
(x+y−1)
(x + y = 1 、11.= z〜ts)(x+
y= l 、 m2=2〜15)(■、=1〜5) (■、=1〜3゜ R=1〜20) (■5=0〜5) (s5=O〜5) (鳳、=0〜5) (■5−0〜5) 本発明においては、フィルム状に成形された強誘電性高
分子液晶を延伸した後に、これを基板間にはさんで圧着
したり1強誘電性高分子液晶と基板とを積層した後に基
板とともに共延伸する等の方法により、第1図あるいは
第2図に示す構成の素子を得ることができる。これにら
の手法は配向性を付与する点で有効である。
y= l 、 m2=2〜15)(■、=1〜5) (■、=1〜3゜ R=1〜20) (■5=0〜5) (s5=O〜5) (鳳、=0〜5) (■5−0〜5) 本発明においては、フィルム状に成形された強誘電性高
分子液晶を延伸した後に、これを基板間にはさんで圧着
したり1強誘電性高分子液晶と基板とを積層した後に基
板とともに共延伸する等の方法により、第1図あるいは
第2図に示す構成の素子を得ることができる。これにら
の手法は配向性を付与する点で有効である。
その他、従来用いられている公知の手法も使用できる0
例えば、加熱溶融あるいは溶媒に溶解して基板上に塗工
後、それぞれ冷却あるいは溶媒蒸発する等の手法が挙げ
られる。
例えば、加熱溶融あるいは溶媒に溶解して基板上に塗工
後、それぞれ冷却あるいは溶媒蒸発する等の手法が挙げ
られる。
また、このようにして基板上に形成した強誘電性高分子
液晶層を塗工時にせん断力をかけて配向させたり、或い
は予め基板上に配向膜等の配向処理を行なっておき等吉
相から液晶相へ徐冷する等の公知の配向手法の使用も可
能である。
液晶層を塗工時にせん断力をかけて配向させたり、或い
は予め基板上に配向膜等の配向処理を行なっておき等吉
相から液晶相へ徐冷する等の公知の配向手法の使用も可
能である。
[作用]
本発明の強誘電性高分子液晶素子は、電極を有する一対
の基板間に強誘電性高分子液晶を挟持してなる強誘電性
高分子液晶素子において、前記基板材料の引張り強度か
200 kg/c+s”以上のプラスチックフィルム基
板を使用することにより、強誘電性高分子液晶素子が駆
動される際の電歪効果により発生する応力を繰り返し受
けることにより。
の基板間に強誘電性高分子液晶を挟持してなる強誘電性
高分子液晶素子において、前記基板材料の引張り強度か
200 kg/c+s”以上のプラスチックフィルム基
板を使用することにより、強誘電性高分子液晶素子が駆
動される際の電歪効果により発生する応力を繰り返し受
けることにより。
基板表面に発生する変化を防止し、その結果強誘電性高
分子液晶相の配向性の劣化を防止して、コントラストの
低下を極めて少なくすることができる。
分子液晶相の配向性の劣化を防止して、コントラストの
低下を極めて少なくすることができる。
[実施例]
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例1
下記の構造式(I)で示される側鎖型強誘電性高分子液
晶 −((: 11゜−C)I)7 (n=20) (I) 30”C74℃ 83℃ glass S@c’
Ssへ l5O1をジクロロエタンに溶
解させて、これを40終鳳厚のポリエチレンテレフタレ
ート(PET ’) (引張り強度 700kg/c
m” )基板上にスピンコード法でコーティングを行い
、ジクロロエタンを加熱除去し、 PET基板上に3g
m厚の液晶フィルム層を作成した。この液晶フィルム層
の上に40pm厚のPETフィルムを積層して、約85
℃のヒートロールを通過させて得た積層体を1強誘電性
高分子液晶がSac”相を示す温度で一軸延伸を行ない
、−軸配向させた。
晶 −((: 11゜−C)I)7 (n=20) (I) 30”C74℃ 83℃ glass S@c’
Ssへ l5O1をジクロロエタンに溶
解させて、これを40終鳳厚のポリエチレンテレフタレ
ート(PET ’) (引張り強度 700kg/c
m” )基板上にスピンコード法でコーティングを行い
、ジクロロエタンを加熱除去し、 PET基板上に3g
m厚の液晶フィルム層を作成した。この液晶フィルム層
の上に40pm厚のPETフィルムを積層して、約85
℃のヒートロールを通過させて得た積層体を1強誘電性
高分子液晶がSac”相を示す温度で一軸延伸を行ない
、−軸配向させた。
次に、ITO透明透明付極付ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを、第1図(b)に示すように上下で直交さ
せて基板に接着させた0次に、直交する2枚の偏光板間
に挟み、±25V 、 20Hzの電圧を印加して、初
期と24時間駆動後の透過光量のコントラストを比較し
たところ、いずれもl:5で変化は無かった。
トフィルムを、第1図(b)に示すように上下で直交さ
せて基板に接着させた0次に、直交する2枚の偏光板間
に挟み、±25V 、 20Hzの電圧を印加して、初
期と24時間駆動後の透過光量のコントラストを比較し
たところ、いずれもl:5で変化は無かった。
前記の素子の偏光板を外して、配向状態を偏光顕微鏡で
観察したところ、配向の乱れは観察されなかった。
観察したところ、配向の乱れは観察されなかった。
実施例2
実施例1の強誘電性高分子液晶素子において、基板をポ
リ塩化ビニリデン(引張り強度 250kg/c■2)
に代えた以外は同様にして作成した積層体に、実施例1
と同様の周波数の電圧を印加し、初期と24時間後の透
過光量のコントラストを比較したところ、それぞれ1:
4,1:3.8で低下率は5%であった。
リ塩化ビニリデン(引張り強度 250kg/c■2)
に代えた以外は同様にして作成した積層体に、実施例1
と同様の周波数の電圧を印加し、初期と24時間後の透
過光量のコントラストを比較したところ、それぞれ1:
4,1:3.8で低下率は5%であった。
配向状態を偏光顕微鏡てU察したところ、−軸配向の乱
れはごくわずかであった。
れはごくわずかであった。
比較例1
実施例1の強誘電性高分子液晶素子において、基板を低
密度ポリエチレン(引張り強度 130kg/cm2)
に代えた以外は同様にして作成した積層体に、実施例1
と同様の周波数の電圧を印加し、初期と″24時間後の
透過光量のコントラストを比較したところ、それぞれl
: 2.6 、1 : 1.8で31%低下した。
密度ポリエチレン(引張り強度 130kg/cm2)
に代えた以外は同様にして作成した積層体に、実施例1
と同様の周波数の電圧を印加し、初期と″24時間後の
透過光量のコントラストを比較したところ、それぞれl
: 2.6 、1 : 1.8で31%低下した。
配向状態を偏光類amで観察したところ、顕著な配向の
乱れが認められた。
乱れが認められた。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の強誘電性高分子液晶素子
は、引張強度か200kg/am”以上のプラスチック
フィルムからなる基板間に強誘電性高分子液晶を挟持し
てなるので、繰り返し駆動に伴なう強誘電性高分子液晶
の配向性の劣化を防止し、コントラストの低下か極めて
少なく、また軽量で大面積の表示素子等への応用が可能
な優れた効果がある。
は、引張強度か200kg/am”以上のプラスチック
フィルムからなる基板間に強誘電性高分子液晶を挟持し
てなるので、繰り返し駆動に伴なう強誘電性高分子液晶
の配向性の劣化を防止し、コントラストの低下か極めて
少なく、また軽量で大面積の表示素子等への応用が可能
な優れた効果がある。
第1図(a)は本発明の強誘電性高分子液晶素子の一例
を示す概略図、第1図(b)は本発明の強誘電性高分子
液晶素子の一対の基板上に設けたストライブ状電極の方
向と偏光板の偏光方向との関係を示す構成図および第2
図は本発明の強誘電性高分子液晶素子の他の例を示す概
略図である。 1.1a−−一基板 2・・・強誘電性高分子液晶層 3.3a・・・ストライブ状電極 4.48・・・偏光板 ・・・偏光板の偏光方向を示す矢印
を示す概略図、第1図(b)は本発明の強誘電性高分子
液晶素子の一対の基板上に設けたストライブ状電極の方
向と偏光板の偏光方向との関係を示す構成図および第2
図は本発明の強誘電性高分子液晶素子の他の例を示す概
略図である。 1.1a−−一基板 2・・・強誘電性高分子液晶層 3.3a・・・ストライブ状電極 4.48・・・偏光板 ・・・偏光板の偏光方向を示す矢印
Claims (1)
- 電極を有する一対の基板間に強誘電性高分子液晶を挟持
してなる強誘電性高分子液晶素子において、前記基板が
引張り強度200kg/cm^2以上のプラスチックフ
ィルムからなることを特徴とする強誘電性高分子液晶素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1038341A JP2639583B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 強誘電性高分子液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1038341A JP2639583B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 強誘電性高分子液晶素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02217820A true JPH02217820A (ja) | 1990-08-30 |
JP2639583B2 JP2639583B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=12522586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1038341A Expired - Fee Related JP2639583B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 強誘電性高分子液晶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2639583B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH039325A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-17 | Ricoh Co Ltd | 液晶性高分子の配向方法 |
JPH039321A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-17 | Ricoh Co Ltd | 液晶性高分子の配向方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63318526A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 液晶光学素子 |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP1038341A patent/JP2639583B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63318526A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 液晶光学素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH039325A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-17 | Ricoh Co Ltd | 液晶性高分子の配向方法 |
JPH039321A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-17 | Ricoh Co Ltd | 液晶性高分子の配向方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2639583B2 (ja) | 1997-08-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |