JPH02228628A - 強誘電性高分子液晶素子 - Google Patents
強誘電性高分子液晶素子Info
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- JPH02228628A JPH02228628A JP4664489A JP4664489A JPH02228628A JP H02228628 A JPH02228628 A JP H02228628A JP 4664489 A JP4664489 A JP 4664489A JP 4664489 A JP4664489 A JP 4664489A JP H02228628 A JPH02228628 A JP H02228628A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は強誘電性高分子液−晶を用いた液晶素子に関し
、特に駆動に伴なう配向劣化による表示性能の低下等を
防止した強誘電性高分子液晶素子に関する。
、特に駆動に伴なう配向劣化による表示性能の低下等を
防止した強誘電性高分子液晶素子に関する。
[従来の技術]
従来、メモリーやデイスプレィ等に使用されている液晶
素子は、高速応答性等の要求に応じるために、低分子液
晶が多く用いられている。しかしながら、近年、大画面
デイスプレィの要望や液晶素子の実装の波素化などの点
から、高分子液晶性化合物と低分子液晶性化合物との混
合系、あるいは高分子液晶系などいわゆる高分子液晶層
を物を用いた液晶素子の検討が行なわれてきた。
素子は、高速応答性等の要求に応じるために、低分子液
晶が多く用いられている。しかしながら、近年、大画面
デイスプレィの要望や液晶素子の実装の波素化などの点
から、高分子液晶性化合物と低分子液晶性化合物との混
合系、あるいは高分子液晶系などいわゆる高分子液晶層
を物を用いた液晶素子の検討が行なわれてきた。
この様な高分子液晶組成物を用いることは、以下の点で
有効であると考えられる。
有効であると考えられる。
■ 高分子液晶組成物は、溶液塗布等により成膜化する
ことが可能であり、また液晶素子の大面積化が実現でき
る上に、薄膜化、膜厚制御が容易なため、従来、低分子
液晶で行なわれているセル基板間のギャップ制御などの
難点が解消される。
ことが可能であり、また液晶素子の大面積化が実現でき
る上に、薄膜化、膜厚制御が容易なため、従来、低分子
液晶で行なわれているセル基板間のギャップ制御などの
難点が解消される。
■ 高分子液晶組成物の中には、延伸等によって配向さ
せることが可能なものもあり、低分子液晶て用いられて
いる配向膜が不要になる可能性がある。
せることが可能なものもあり、低分子液晶て用いられて
いる配向膜が不要になる可能性がある。
■ メモリーやデイスプレィなどに液晶素子を用いる際
には、コントラスト・の向上のために、光吸収性色素を
含有させることが行なわれる。高分子液晶組成物の場合
は、ポリマーの色素に対する相溶性などを活用できるた
め、染料や顔料などの色素類を均一に分散させることが
できる。
には、コントラスト・の向上のために、光吸収性色素を
含有させることが行なわれる。高分子液晶組成物の場合
は、ポリマーの色素に対する相溶性などを活用できるた
め、染料や顔料などの色素類を均一に分散させることが
できる。
このような有効性が見出される一方、応答速度が遅いた
め動画や書き換えを高速で行なう用途には適していない
欠点があった。
め動画や書き換えを高速で行なう用途には適していない
欠点があった。
以上の欠点を解決する方法の1つとして、強誘電性高分
子液晶[エヌ ニー ブラーテ等「ポリマー ブレタン
J (N、 A、 Plate et al、 ’Po
lymerBulletin」) 、 12.299頁
、 (1984年)]の使用が報告されている。この
強誘電性高分子液晶は、従来の高分子液晶に比較して大
巾に応答速度を向上できるため、その実用化が期待され
ている。
子液晶[エヌ ニー ブラーテ等「ポリマー ブレタン
J (N、 A、 Plate et al、 ’Po
lymerBulletin」) 、 12.299頁
、 (1984年)]の使用が報告されている。この
強誘電性高分子液晶は、従来の高分子液晶に比較して大
巾に応答速度を向上できるため、その実用化が期待され
ている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、この強誘電性高分子液晶を薄膜化して、
基板にプラスチックフィルムを用いて大面積の表示素子
等に応用しようとすると、基板の複屈折性、即ち分子の
配向異方性のために、繰り返し駆動することに伴ない、
強誘電性高分子液晶層の配向性が劣化し、コントラスト
が低下し、透過光量も小さくなるという欠点があった。
基板にプラスチックフィルムを用いて大面積の表示素子
等に応用しようとすると、基板の複屈折性、即ち分子の
配向異方性のために、繰り返し駆動することに伴ない、
強誘電性高分子液晶層の配向性が劣化し、コントラスト
が低下し、透過光量も小さくなるという欠点があった。
本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、基板に複屈折性の小さいフィルムを
使用し、そのフィルム基板間に強誘電性高分子液晶を挟
持することにより、繰り返し駆動による配向性の劣化を
防止し、コントラストの低下が極めて少ない、透過光量
の大きい強誘電性高分子液晶素子を提供することを目的
とするものである。
されたものであり、基板に複屈折性の小さいフィルムを
使用し、そのフィルム基板間に強誘電性高分子液晶を挟
持することにより、繰り返し駆動による配向性の劣化を
防止し、コントラストの低下が極めて少ない、透過光量
の大きい強誘電性高分子液晶素子を提供することを目的
とするものである。
[課題を解決するための手段]
即ち、本発明は、電極を有する一対の基板間に強誘電性
高分子液晶を挟持してなる強誘電性高分子液晶素子にお
いて、素子化した後の積層体における基板の複屈折Δn
と厚さdの積Δn−dが0.5終鳳以下であるフィルム
基板を使用することを特徴とする強誘電性高分子液晶素
子である。
高分子液晶を挟持してなる強誘電性高分子液晶素子にお
いて、素子化した後の積層体における基板の複屈折Δn
と厚さdの積Δn−dが0.5終鳳以下であるフィルム
基板を使用することを特徴とする強誘電性高分子液晶素
子である。
以下1本発明の詳細な説明する。
第1図(a)は本発明の強誘電性高分子液晶素子の一例
を示す概略図、第1図(b)は本発明の強誘電性高分子
液晶素子の一対の基板上に設けたストライブ状電極の方
向と偏光板の偏光方向との関係を示す構成図である。同
図においては、偏光ガラス、またはポリビニルアルコー
ルにヨウ素多量体を吸着後−軸延伸したものや、ポリビ
ニルアルコールあるいはポリエチレンテレフタレートに
二色性染料を染着後−軸延伸したもの等のプラスチック
偏光フィルム等からなる偏光板4,4aの間に、基板1
.la間に強誘電性高分子液晶M2を挟持してなる積層
体を設けた構造からなる液晶素子を示す、第1図(a)
においては、ストライブ状電極3,3aは基板1.la
の外側に設けられている。
を示す概略図、第1図(b)は本発明の強誘電性高分子
液晶素子の一対の基板上に設けたストライブ状電極の方
向と偏光板の偏光方向との関係を示す構成図である。同
図においては、偏光ガラス、またはポリビニルアルコー
ルにヨウ素多量体を吸着後−軸延伸したものや、ポリビ
ニルアルコールあるいはポリエチレンテレフタレートに
二色性染料を染着後−軸延伸したもの等のプラスチック
偏光フィルム等からなる偏光板4,4aの間に、基板1
.la間に強誘電性高分子液晶M2を挟持してなる積層
体を設けた構造からなる液晶素子を示す、第1図(a)
においては、ストライブ状電極3,3aは基板1.la
の外側に設けられている。
第2図は本発明の強誘電性高分子液晶素子の他の例を示
す概略図であり、ストライブ状電極3゜3aを接着層や
絶縁層を介して基板1.laの内側に設けた積層構造の
液晶素子を示す、あるいは、素子構成によっては、接着
層や絶縁層を介在させない積層構造のものでも良い。
す概略図であり、ストライブ状電極3゜3aを接着層や
絶縁層を介して基板1.laの内側に設けた積層構造の
液晶素子を示す、あるいは、素子構成によっては、接着
層や絶縁層を介在させない積層構造のものでも良い。
本発明において使用される基板は、積層構造に素子化し
た後の1例えば第1図(a)におけるような積層体の基
板1.laの複屈折Δnと厚さdの積Δn−dが0.5
g@以下、好ましくは0.3JLm以下であるような
ポリマーフィルムが、大面積でフレキシブルな液晶素子
を提供する点で望ましい、Δn−dが0.5終■を越え
る場合には、強誘電性高分子液晶素子の駆動時間が長く
なるにつれてコントラストが低下し始める。これは、基
板材料の配向した分子軸方向と強誘電性高分子液晶の分
子の方向(長軸方向)との相互作用によるためと推定さ
れ、基板分子の異方性が大きい場合には、上記の相互作
用が配向性に影響を及ぼすようになり、駆動に伴なう強
誘電性高分子液晶分子の反転が繰り返される内に、その
配向性が乱されてくるためと考えられる。
た後の1例えば第1図(a)におけるような積層体の基
板1.laの複屈折Δnと厚さdの積Δn−dが0.5
g@以下、好ましくは0.3JLm以下であるような
ポリマーフィルムが、大面積でフレキシブルな液晶素子
を提供する点で望ましい、Δn−dが0.5終■を越え
る場合には、強誘電性高分子液晶素子の駆動時間が長く
なるにつれてコントラストが低下し始める。これは、基
板材料の配向した分子軸方向と強誘電性高分子液晶の分
子の方向(長軸方向)との相互作用によるためと推定さ
れ、基板分子の異方性が大きい場合には、上記の相互作
用が配向性に影響を及ぼすようになり、駆動に伴なう強
誘電性高分子液晶分子の反転が繰り返される内に、その
配向性が乱されてくるためと考えられる。
本発明において1通常使用される基板の厚みdとしては
lO〜300%■、特に20〜200μ−程度が好まし
く、従、って複屈折ΔnはO,OS以下が好ましい。
lO〜300%■、特に20〜200μ−程度が好まし
く、従、って複屈折ΔnはO,OS以下が好ましい。
本発明において使用される基板としては、ポリマーフィ
ルムを使用するのが好ましく、その具体例としては、ポ
リエチレンテレフタレート、ボリブチレンテレフタレー
ト等のポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリメ
タクリル酸メチルフィルム、メタクリル酸メチル−スチ
レン共重合体フィルム、ポリスチレン、スチレン−アク
リロニトリル共重合体フィルム、ポリプロピレンフィル
ム、低密度ポリエチレンフィルム、高密度ポリエチレン
フィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビ
ニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリフッ
化ビニルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィル
ム、ポリクロロトリフルオロエチレンフィルム、フッ化
エチレン−プロピレン共重合体フィルム、ボリアリレー
トフィルム、ポリスルホンフィルム、セルロースフィル
ム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム等が挙げられ
る。
ルムを使用するのが好ましく、その具体例としては、ポ
リエチレンテレフタレート、ボリブチレンテレフタレー
ト等のポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリメ
タクリル酸メチルフィルム、メタクリル酸メチル−スチ
レン共重合体フィルム、ポリスチレン、スチレン−アク
リロニトリル共重合体フィルム、ポリプロピレンフィル
ム、低密度ポリエチレンフィルム、高密度ポリエチレン
フィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビ
ニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリフッ
化ビニルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィル
ム、ポリクロロトリフルオロエチレンフィルム、フッ化
エチレン−プロピレン共重合体フィルム、ボリアリレー
トフィルム、ポリスルホンフィルム、セルロースフィル
ム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム等が挙げられ
る。
これらのフィルムにおいて、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリアミド、ポリイミド等の分子中に芳香族環
の割合の多いフィルムは、ポリメタクリル酸メチル、メ
タクリル酸メチル−スチレン共重合体、ポリプロピレン
、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル等のフィルムに比べて
、低延伸倍率でも複屈折が大きくなり易いため、これら
を基板として使用する場合にはΔn−dか前記の範囲を
越えないように選択する必要がある。
ネート、ポリアミド、ポリイミド等の分子中に芳香族環
の割合の多いフィルムは、ポリメタクリル酸メチル、メ
タクリル酸メチル−スチレン共重合体、ポリプロピレン
、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル等のフィルムに比べて
、低延伸倍率でも複屈折が大きくなり易いため、これら
を基板として使用する場合にはΔn−dか前記の範囲を
越えないように選択する必要がある。
また、基板に複屈折がない場合には、基板と偏光板の偏
光面とについて考慮しなくてよいが、複屈折性の基板を
使用している場合には、偏光板の偏光面を透過光量が高
い位置に合わせて積層配置する必要がある。
光面とについて考慮しなくてよいが、複屈折性の基板を
使用している場合には、偏光板の偏光面を透過光量が高
い位置に合わせて積層配置する必要がある。
本発明において用いられる強誘電性高分子液晶としては
、カイラルスメクチ・ンクC相(SIC″)。
、カイラルスメクチ・ンクC相(SIC″)。
H相(SmH”) 、 I相(Sml”) 、 J相(
SmJ”) 、 K相(Smに”)、G相(SmG”)
又はF相(SsF”)を有する側鎖型高分子液晶性化合
物3よび主鎖型高分子液晶性化合物等を用いることがて
き、具体的には下記に示すようなものが挙げられるか、
これらに限定されるものではない、(但し、式中*は不
斉炭素中心を示す、) 一+−cH2−CHh− 一+−CI+ 、 −C++)=− 冒 m≧5゜ n=4〜18 x=i〜2.に=1〜2゜ j=0またはl。
SmJ”) 、 K相(Smに”)、G相(SmG”)
又はF相(SsF”)を有する側鎖型高分子液晶性化合
物3よび主鎖型高分子液晶性化合物等を用いることがて
き、具体的には下記に示すようなものが挙げられるか、
これらに限定されるものではない、(但し、式中*は不
斉炭素中心を示す、) 一+−cH2−CHh− 一+−CI+ 、 −C++)=− 冒 m≧5゜ n=4〜18 x=i〜2.に=1〜2゜ j=0またはl。
n=4〜18゜
m≧5
+cIf 、 −CHh−
蜜
で
= 1〜2゜
−f−CI!−CHh−
k = 1〜2 、 n = 4〜18゜m≧5
fl= 1〜2.に= 1〜2.n=4〜18゜j=0
または1.m≧5 云−CH,−C11)−− f==1〜2.に=1〜2.n=4〜18゜j=0また
は1.m≧5 ρ=1〜2.に=1〜2゜ j=Oまたは1゜ n=4〜18゜ m≧5 y=0.1 〜1.0 、m=4〜12.n≧3(勧
=2〜15゜ x+y±1) これらの強誘電性高分子液晶は1種または2種以上を混
合あるいは共重合して用いたり、低分子液晶性化合物と
ブレンドして用いる等の方法で素子化に適した組成のも
のが使用される。
または1.m≧5 云−CH,−C11)−− f==1〜2.に=1〜2.n=4〜18゜j=0また
は1.m≧5 ρ=1〜2.に=1〜2゜ j=Oまたは1゜ n=4〜18゜ m≧5 y=0.1 〜1.0 、m=4〜12.n≧3(勧
=2〜15゜ x+y±1) これらの強誘電性高分子液晶は1種または2種以上を混
合あるいは共重合して用いたり、低分子液晶性化合物と
ブレンドして用いる等の方法で素子化に適した組成のも
のが使用される。
また、ブレンドによって強誘電性を発現することが可能
な光学活性高分子液晶も用いることができる。その具体
例を下記に示す、ブレンドするものとしては、一般の低
分子強誘電性液晶が用いられる。ただし、低分子強誘電
性液晶とのブレンドを行う場合、相溶性を考慮しなけれ
ばならない。
な光学活性高分子液晶も用いることができる。その具体
例を下記に示す、ブレンドするものとしては、一般の低
分子強誘電性液晶が用いられる。ただし、低分子強誘電
性液晶とのブレンドを行う場合、相溶性を考慮しなけれ
ばならない。
ブレンドする低分子液晶の割合としては、1〜90%、
好ましくは5〜50%の範囲が望ましい。
好ましくは5〜50%の範囲が望ましい。
(x+y=l、m=4〜12)
CH。
R3= −CHtCH(CH2→−
R4=4CH2→−
(x+ y= 1 、11.= 2〜15)(x+y=
1) (x+y= 1. 膳、=2〜l5)(■3=1〜5
) (x+y=1) (鵬、=1〜3,1)=1〜20) (層、=0〜5) (餓S冨0〜5) (烏、=0〜5) (1鴨=O−5) 本発明においては、フィルム状に成形された強誘電性高
分子液晶を延伸した後に、これを基板間にはさんで圧着
したり、強誘電性高分子液晶と基板とを積層した後に基
板とともに共延伸する等の方法により、第1図あるいは
第2図に示す構成の素子を得ることができる。これにら
の手法は配向性を付与する点で有効である。
1) (x+y= 1. 膳、=2〜l5)(■3=1〜5
) (x+y=1) (鵬、=1〜3,1)=1〜20) (層、=0〜5) (餓S冨0〜5) (烏、=0〜5) (1鴨=O−5) 本発明においては、フィルム状に成形された強誘電性高
分子液晶を延伸した後に、これを基板間にはさんで圧着
したり、強誘電性高分子液晶と基板とを積層した後に基
板とともに共延伸する等の方法により、第1図あるいは
第2図に示す構成の素子を得ることができる。これにら
の手法は配向性を付与する点で有効である。
その他、従来用いられている公知の手法も使用できる0
例えば、加熱溶融あるいは溶媒に溶解して基板上に塗工
後、それぞれ冷却あるいは溶媒蒸発する等の手法が挙げ
られる。
例えば、加熱溶融あるいは溶媒に溶解して基板上に塗工
後、それぞれ冷却あるいは溶媒蒸発する等の手法が挙げ
られる。
また、このようにして基板上に形成した強誘電性高分子
液晶層を塗工時にせん断力をかけて配向させたり、或い
は予め基板上に配向膜等の配向処理を行なっておき等吉
相から液晶相へ徐冷する等の公知の配向手法の使用も可
能である。
液晶層を塗工時にせん断力をかけて配向させたり、或い
は予め基板上に配向膜等の配向処理を行なっておき等吉
相から液晶相へ徐冷する等の公知の配向手法の使用も可
能である。
[作用]
従来、電極を有する一対の基板間に強誘電性高分子液晶
を挟持してなる強誘電性高分子液晶素子において1強誘
電性高分子液晶素子の駆動時間が長くなるにつれてコン
トラストが低下し始めるのは、その詳細は不明であるが
、本発明者等の研究によれば、基板材料の配向した分子
軸方向と強誘電性高分子液晶の分子の方向(長軸方向)
との相互作用によるためと推定される。特に、基板分子
の異方性が大きい場合には、上記の相互作用が配向性べ
影響を及ぼすようになり、駆動に伴なう強誘電性高分子
液晶分子の反転が繰り返される内に、その配向性が乱さ
れてくるためと考えられる。
を挟持してなる強誘電性高分子液晶素子において1強誘
電性高分子液晶素子の駆動時間が長くなるにつれてコン
トラストが低下し始めるのは、その詳細は不明であるが
、本発明者等の研究によれば、基板材料の配向した分子
軸方向と強誘電性高分子液晶の分子の方向(長軸方向)
との相互作用によるためと推定される。特に、基板分子
の異方性が大きい場合には、上記の相互作用が配向性べ
影響を及ぼすようになり、駆動に伴なう強誘電性高分子
液晶分子の反転が繰り返される内に、その配向性が乱さ
れてくるためと考えられる。
本発明の強誘電性高分子液晶素子は、電極を有する一対
の基板間に強誘電性高分子液晶を挟持してなる強誘電性
高分子液晶素子において、前記基板の複屈折Δnと厚さ
dの積Δn−dが0.5ル■以下であるフィルム基板を
使用することにより、上記の様な繰り返し駆動による強
誘電性高分子液晶相の配向性の劣化を防止して、コント
ラストの低下を極めて少なくすることができるものと推
定される。
の基板間に強誘電性高分子液晶を挟持してなる強誘電性
高分子液晶素子において、前記基板の複屈折Δnと厚さ
dの積Δn−dが0.5ル■以下であるフィルム基板を
使用することにより、上記の様な繰り返し駆動による強
誘電性高分子液晶相の配向性の劣化を防止して、コント
ラストの低下を極めて少なくすることができるものと推
定される。
[実施例]
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例1
下記の構造式(I)で示される側鎖型強誘電性高分子液
晶 −(−C112−CHh− (n=20) (I) をジクロロエタンに溶解させて、これを100μ謹厚の
ポリエチレンテレフタレート(PET)M板上にスピン
コード法でコーティングを行い、ジクロロエタンを加熱
除去し、PET基板上に3ル1厚の液晶フィルム層を作
成した。この液晶フィルム層の上に100終朧厚のPE
Tフィルムを積層して、約85°Cのヒートロールを通
過させて得た積層体を、強誘電性高分子液晶がSac”
相を示す温度で一軸延伸を行ない、−軸配向させた。
晶 −(−C112−CHh− (n=20) (I) をジクロロエタンに溶解させて、これを100μ謹厚の
ポリエチレンテレフタレート(PET)M板上にスピン
コード法でコーティングを行い、ジクロロエタンを加熱
除去し、PET基板上に3ル1厚の液晶フィルム層を作
成した。この液晶フィルム層の上に100終朧厚のPE
Tフィルムを積層して、約85°Cのヒートロールを通
過させて得た積層体を、強誘電性高分子液晶がSac”
相を示す温度で一軸延伸を行ない、−軸配向させた。
上記積層体のPET基板について、配向処理後のΔn−
d値を見積るために、前記と同様の条件て基板に使用し
た100隔■厚のPETフィルムを同じ厚みに一軸延伸
したところO,t U腸であった。
d値を見積るために、前記と同様の条件て基板に使用し
た100隔■厚のPETフィルムを同じ厚みに一軸延伸
したところO,t U腸であった。
次に、ITO透明透明付極付ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを第1図(b)に示すように上下で直交させ
て基板に接着させた。次いで、直交する2枚の偏光板間
に挟み、±25V 、 20Hzの電圧を印加して、初
期と24時間駆動後の透過光量のコントラストを比較し
たところ、いずれもl:5で変化は無かった。
トフィルムを第1図(b)に示すように上下で直交させ
て基板に接着させた。次いで、直交する2枚の偏光板間
に挟み、±25V 、 20Hzの電圧を印加して、初
期と24時間駆動後の透過光量のコントラストを比較し
たところ、いずれもl:5で変化は無かった。
前記の素子の偏光板を外して、配向状態を偏光顕微鏡で
観察したところ、配向の乱れは観察されなかった。
観察したところ、配向の乱れは観察されなかった。
実施例2
基板をメタクリル酸メチル−スチレン共重合体(MMA
/St、 St含量:lOmoR$)に代えた以外は、
実施例1と同様にして積層体(−軸延伸後の上記のMM
A/St共重合体単体で実施例1と同様に評価したΔn
−dは0.04!■であった。)を作成し、実施例1と
同様に透過光量のコントラストを比較したところ、初期
と24時間駆動後共に1=5で変化は無く、また配向の
乱れも観察されなかった。
/St、 St含量:lOmoR$)に代えた以外は、
実施例1と同様にして積層体(−軸延伸後の上記のMM
A/St共重合体単体で実施例1と同様に評価したΔn
−dは0.04!■であった。)を作成し、実施例1と
同様に透過光量のコントラストを比較したところ、初期
と24時間駆動後共に1=5で変化は無く、また配向の
乱れも観察されなかった。
実施例3
実施例1で使用した高分子液晶(I)を等吉相温度(約
100℃)で、PET基板上(−軸延伸後の単体で実施
例1と同様に評価したΔn−dが0.35μm)に押し
出しコーティングで3鉢鳳厚の液晶フィルム層を作成し
た。
100℃)で、PET基板上(−軸延伸後の単体で実施
例1と同様に評価したΔn−dが0.35μm)に押し
出しコーティングで3鉢鳳厚の液晶フィルム層を作成し
た。
この液晶フィルム層の上に 100鉢■厚のPETフィ
ルムを積層後、実施例1と同様にして一軸延伸処理して
積層体を作成し、実施例1と同様に透過光量のコントラ
ストを比較したところ、初期と24時間後でそれぞれl
:5,1:4.8であった。配向状態を偏光顕微鏡で観
察したところ、−軸配向の乱れはほとんど観察されなか
った。
ルムを積層後、実施例1と同様にして一軸延伸処理して
積層体を作成し、実施例1と同様に透過光量のコントラ
ストを比較したところ、初期と24時間後でそれぞれl
:5,1:4.8であった。配向状態を偏光顕微鏡で観
察したところ、−軸配向の乱れはほとんど観察されなか
った。
実施例4
実施例1で使用した高分子液晶(I)を等吉相温度(約
100℃)で、厚さ30終鳳のポリカーボネート基板(
Δn−d : 0.40μ層)上に押し出しコーティン
グて3終鳳厚の液晶フィルム層を作成した。
100℃)で、厚さ30終鳳のポリカーボネート基板(
Δn−d : 0.40μ層)上に押し出しコーティン
グて3終鳳厚の液晶フィルム層を作成した。
この液晶フィルム層の上に上記と同様のポリカーボネー
トをa居抜、2枚のガラス板間に挟持して90℃から徐
冷し、80℃で積層体の長手方向に上下のガラス板をわ
ずかに反対方向にゆつくりとずらせ、液晶フィルム層に
剪断力を印加して一軸配向させた。
トをa居抜、2枚のガラス板間に挟持して90℃から徐
冷し、80℃で積層体の長手方向に上下のガラス板をわ
ずかに反対方向にゆつくりとずらせ、液晶フィルム層に
剪断力を印加して一軸配向させた。
配向処理後、2枚のガラス板をはずし、実施例1と同様
に電極付きPET基板を接着した後、透過光量のコント
ラストを比較したところ、初期と24時間後でそれぞれ
1:5,1:4.8であった。配向状態を偏光顕微鏡で
観察したところ、−軸配向の乱れはほとんど観察されな
かった。
に電極付きPET基板を接着した後、透過光量のコント
ラストを比較したところ、初期と24時間後でそれぞれ
1:5,1:4.8であった。配向状態を偏光顕微鏡で
観察したところ、−軸配向の乱れはほとんど観察されな
かった。
比較例1
実施例4において、ポリカーボネート基板をΔn−dが
0.6μ■のものに代えた以外は同様にして作成した積
層体について、同様に透過光量のコントラストを比較す
たところ、初期と24時間後でそれぞれ1:5,1:3
.4であった。配向状態を偏光m微鏡で観察したところ
、著しい配向の乱れがII察された。
0.6μ■のものに代えた以外は同様にして作成した積
層体について、同様に透過光量のコントラストを比較す
たところ、初期と24時間後でそれぞれ1:5,1:3
.4であった。配向状態を偏光m微鏡で観察したところ
、著しい配向の乱れがII察された。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の強誘電性高分子液晶素子
は、複屈折性の小さいΔn−dが0.5ル■以下のフィ
ルムからなる基板間に強銹電性高分子液晶を挟持してな
るので、繰り返し駆動による配向性の劣化を防止し、コ
ントラストの低下が極めて少ない、透過光量の大きい、
また軽量で大面積の表示素子等への応用が可能な優れた
効果がある。
は、複屈折性の小さいΔn−dが0.5ル■以下のフィ
ルムからなる基板間に強銹電性高分子液晶を挟持してな
るので、繰り返し駆動による配向性の劣化を防止し、コ
ントラストの低下が極めて少ない、透過光量の大きい、
また軽量で大面積の表示素子等への応用が可能な優れた
効果がある。
m1図(a)は本発明の強誘電性高分子液晶素子の一例
を示す概略図、第1図(b)は本発明の強誘電性高分子
液晶素子の一対の基板上に設けたストライプ状電極の方
向と偏光板の偏光方向との関係を示す構成図および第2
図は本発明の強誘電性高分子液晶素子の他の例を示す概
略図である。 1.1a・・・基板 2・・・強誘電性高分子液晶層 3.3a・・・ストライプ状電極 4゜ 4a・・・偏光板 5゜ 5′ ・・・偏光板の偏光方向を示す矢印
を示す概略図、第1図(b)は本発明の強誘電性高分子
液晶素子の一対の基板上に設けたストライプ状電極の方
向と偏光板の偏光方向との関係を示す構成図および第2
図は本発明の強誘電性高分子液晶素子の他の例を示す概
略図である。 1.1a・・・基板 2・・・強誘電性高分子液晶層 3.3a・・・ストライプ状電極 4゜ 4a・・・偏光板 5゜ 5′ ・・・偏光板の偏光方向を示す矢印
Claims (1)
- 電極を有する一対の基板間に強誘電性高分子液晶を挟持
してなる強誘電性高分子液晶素子において、素子化した
後の積層体における基板の複屈折Δnと厚さdの積Δn
・dが0.5μm以下であるフィルム基板を使用するこ
とを特徴とする強誘電性高分子液晶素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4664489A JPH02228628A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 強誘電性高分子液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4664489A JPH02228628A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 強誘電性高分子液晶素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02228628A true JPH02228628A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=12753018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4664489A Pending JPH02228628A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 強誘電性高分子液晶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02228628A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04234732A (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
US6639645B2 (en) * | 2000-02-23 | 2003-10-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Warp resistant liquid crystal display device |
-
1989
- 1989-03-01 JP JP4664489A patent/JPH02228628A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04234732A (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
US6639645B2 (en) * | 2000-02-23 | 2003-10-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Warp resistant liquid crystal display device |
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