JPH04281425A - 表示素子の製造方法。 - Google Patents
表示素子の製造方法。Info
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- JPH04281425A JPH04281425A JP4470491A JP4470491A JPH04281425A JP H04281425 A JPH04281425 A JP H04281425A JP 4470491 A JP4470491 A JP 4470491A JP 4470491 A JP4470491 A JP 4470491A JP H04281425 A JPH04281425 A JP H04281425A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はディスプレイあるいはプ
ロジェクターなどに応用される表示素子の動作原理及び
構造に関する。
ロジェクターなどに応用される表示素子の動作原理及び
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の強誘電性液晶を用いた表示素子は
アプライド フィジックス レターズ１９８０年
第３６巻 ８９９ページなど、多数の文献によって
紹介されている。表面安定型強誘電性液晶素子（ｓｕｒ
ｆａｃｅ−ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｆｅｒｒｏｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ 略
してＳＳＦＬＣ）と呼ばれるように２枚の基板に強誘電
性液晶を挟持してはじめてＳＳＦＬＣ特有の性質である
メモリー性が発現される（図２参照）。強誘電性液晶の
１つであるカイラルスメクチックＣ液晶は図２に示した
ように、配向方向を軸とする円錐上を任意に動き回るこ
とが出来る。この液晶を２枚の基板でごく薄く（２μｍ
程度以下）に挟み込むことにより、液晶分子は円錐上の
任意の点をとることが困難となり、図２に示した２つの
安定な位置のどちらかをとるようになる。この２つの位
置のどちらをとるかは印加する電界の極性によって決ま
り、これにより表示を行うことが出来る。１度表示状態
を選択したら、電界を除いてもその表示状態が保存され
る。すなわちメモリー性を有する。
アプライド フィジックス レターズ１９８０年
第３６巻 ８９９ページなど、多数の文献によって
紹介されている。表面安定型強誘電性液晶素子（ｓｕｒ
ｆａｃｅ−ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｆｅｒｒｏｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ 略
してＳＳＦＬＣ）と呼ばれるように２枚の基板に強誘電
性液晶を挟持してはじめてＳＳＦＬＣ特有の性質である
メモリー性が発現される（図２参照）。強誘電性液晶の
１つであるカイラルスメクチックＣ液晶は図２に示した
ように、配向方向を軸とする円錐上を任意に動き回るこ
とが出来る。この液晶を２枚の基板でごく薄く（２μｍ
程度以下）に挟み込むことにより、液晶分子は円錐上の
任意の点をとることが困難となり、図２に示した２つの
安定な位置のどちらかをとるようになる。この２つの位
置のどちらをとるかは印加する電界の極性によって決ま
り、これにより表示を行うことが出来る。１度表示状態
を選択したら、電界を除いてもその表示状態が保存され
る。すなわちメモリー性を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の方法では
、メモリー性を発現させるために２枚の基板の間隙をど
んなに工夫しても４μｍ以下、望むらくは２μｍ以下に
しなければならない。これは大容量大面積の表示素子を
作製するにおいては致命的であり、ほとんど不可能に近
い。
、メモリー性を発現させるために２枚の基板の間隙をど
んなに工夫しても４μｍ以下、望むらくは２μｍ以下に
しなければならない。これは大容量大面積の表示素子を
作製するにおいては致命的であり、ほとんど不可能に近
い。
【０００４】そこで本発明はこのような課題を解決する
ものであり、その目的とするところは、液晶中に高分子
配向させて固定することにより、ＳＳＦＬＣ特有のメモ
リー性を生かした大容量大画面表示を実現することにあ
る。
ものであり、その目的とするところは、液晶中に高分子
配向させて固定することにより、ＳＳＦＬＣ特有のメモ
リー性を生かした大容量大画面表示を実現することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、強誘電性液晶
を用いた表示素子において、液晶層中に高分子を分散か
つ配向させたことを特徴とする。また、前記表示素子に
おいて、液晶と高分子あるいは高分子前駆体が互いに相
溶して、しかも液晶状態をとる温度領域を有し、この液
晶状態で１方向に配向させ、その後高分子前駆体を高分
子化するかあるいは高分子部分を硬化させて、液晶部分
と相分離させたことも特徴とする。さらに液晶中に２色
性色素を含有していても良い。高分子に用いる高分子材
料が光硬化型、熱硬化型、熱可塑型、高分子液晶、ある
いは液晶との共溶媒を有し、相溶した状態で液晶層をと
るものでもよい。
を用いた表示素子において、液晶層中に高分子を分散か
つ配向させたことを特徴とする。また、前記表示素子に
おいて、液晶と高分子あるいは高分子前駆体が互いに相
溶して、しかも液晶状態をとる温度領域を有し、この液
晶状態で１方向に配向させ、その後高分子前駆体を高分
子化するかあるいは高分子部分を硬化させて、液晶部分
と相分離させたことも特徴とする。さらに液晶中に２色
性色素を含有していても良い。高分子に用いる高分子材
料が光硬化型、熱硬化型、熱可塑型、高分子液晶、ある
いは液晶との共溶媒を有し、相溶した状態で液晶層をと
るものでもよい。
【０００６】以上の構成により、図１に示したように高
分子部分は液晶に沿って配向する。液晶部分は高分子部
分によって挟まれている（間隙１〜２μｍ程度）ため、
強誘電性液晶特有のメモリー性を発現するのである。
分子部分は液晶に沿って配向する。液晶部分は高分子部
分によって挟まれている（間隙１〜２μｍ程度）ため、
強誘電性液晶特有のメモリー性を発現するのである。
【０００７】以下、実施例により本発明の詳細を示す。
【０００８】
【実施例】（実施例１）図１に本発明の表示素子におけ
る断面図を示した。素子の作製法について説明する。ま
ず表面の平坦な基板１及び基板８の表面に電極２及び電
極７を蒸着法により形成した。これらの基板にＳＰ−７
４０（東レ社製）の２％ジメチルアセトアミド溶液をス
ピンコート（３０００ＲＰＭ ３０秒）した。２５０
℃にて焼成し両面ともラビングによる配向処理を施し、
配向膜３及び配向膜６とした。これら２枚の基板の配向
膜表面を向かい合わせて間隙（以後この間隙をセル厚と
よぶ）１０μｍになるように固定した。この間隙にパラ
フェニルフェノールメタクリル酸エステルと液晶（ＣＳ
−１０１１、チッソ社製）を１５：８５で１００℃にて
混合したものを封入して徐冷し液晶／モノマー混合物を
配向させ、室温にて紫外線を照射したところ、液晶と高
分子が相分離し、ほとんど透明な素子を作製できた。こ
の素子を２枚の偏光板で挟んで素子評価を行った。
る断面図を示した。素子の作製法について説明する。ま
ず表面の平坦な基板１及び基板８の表面に電極２及び電
極７を蒸着法により形成した。これらの基板にＳＰ−７
４０（東レ社製）の２％ジメチルアセトアミド溶液をス
ピンコート（３０００ＲＰＭ ３０秒）した。２５０
℃にて焼成し両面ともラビングによる配向処理を施し、
配向膜３及び配向膜６とした。これら２枚の基板の配向
膜表面を向かい合わせて間隙（以後この間隙をセル厚と
よぶ）１０μｍになるように固定した。この間隙にパラ
フェニルフェノールメタクリル酸エステルと液晶（ＣＳ
−１０１１、チッソ社製）を１５：８５で１００℃にて
混合したものを封入して徐冷し液晶／モノマー混合物を
配向させ、室温にて紫外線を照射したところ、液晶と高
分子が相分離し、ほとんど透明な素子を作製できた。こ
の素子を２枚の偏光板で挟んで素子評価を行った。
【０００９】次に素子の駆動方法であるが、対向する２
枚の電極間に２０Ｖあるいは−２０Ｖなる電界を印加し
た。図３に電気光学特性を示した。偏光板２枚の透過率
１００％として透過率８０％が得られた。遮光時では透
過率１％が得られた。しかも電界を除いた後も表示を保
持することが出来、１日後も変化無かった。
枚の電極間に２０Ｖあるいは−２０Ｖなる電界を印加し
た。図３に電気光学特性を示した。偏光板２枚の透過率
１００％として透過率８０％が得られた。遮光時では透
過率１％が得られた。しかも電界を除いた後も表示を保
持することが出来、１日後も変化無かった。
【００１０】用いる高分子は液晶と混合してもなおかつ
液晶層を示す物であり、高分子中にベンゼン骨格、ナフ
タレン骨格、好ましくはビフェニル骨格が導入されてい
るものである。更に液晶状態で光重合できなければなら
ない。また、高分子中にベンゼン骨格を有しなくとも、
液晶とともに配向する高分子であれば同様に用いること
ができる。
液晶層を示す物であり、高分子中にベンゼン骨格、ナフ
タレン骨格、好ましくはビフェニル骨格が導入されてい
るものである。更に液晶状態で光重合できなければなら
ない。また、高分子中にベンゼン骨格を有しなくとも、
液晶とともに配向する高分子であれば同様に用いること
ができる。
【００１１】セル厚によっては光透過時に色が付くこと
があるが、位相差板をいれることにより解消することが
出来る。もちろんセル厚はここに示した値に限らない。 ただしあまり厚くすると駆動電圧が高くなる。
があるが、位相差板をいれることにより解消することが
出来る。もちろんセル厚はここに示した値に限らない。 ただしあまり厚くすると駆動電圧が高くなる。
【００１２】また２色性色素を混合しておけば、表示状
態のバラエティを増すことが出来る。
態のバラエティを増すことが出来る。
【００１３】（実施例２）本実施例では用いる高分子と
して熱硬化型高分子を用いた例を示した。第１図に本発
明の表示素子における断面図を示した。素子の作製法に
ついて説明する。まず表面の平坦な基板１及び基板８の
表面に電極２及び電極７を蒸着法により形成した。これ
らの基板にＳＰ−７４０（東レ社製）の２％ジメチルア
セトアミド溶液をスピンコート（３０００ＲＰＭ ３
０秒）した。２５０℃にて焼成し、両面ともラビングに
よる配向処理を施し、配向膜３及び配向膜６とした。こ
れら２枚の基板の配向膜表面を向かい合わせてセル厚１
０μｍになるように固定した。この間隙にエポキシ系樹
脂としてＹＤＦ−１７０（東都化成製）と硬化剤１２１
（油化シェル製）を用い、これと液晶（ＺＬＩ３７７６
、メルク社製）を１：９で１００℃にて混合したものを
封入して徐冷し液晶／モノマー混合物を配向させ、室温
にて１日放置したところ、液晶と高分子が相分離し、ほ
とんど透明な素子を作製できた。この素子を２枚の偏光
板で挟んで評価した。
して熱硬化型高分子を用いた例を示した。第１図に本発
明の表示素子における断面図を示した。素子の作製法に
ついて説明する。まず表面の平坦な基板１及び基板８の
表面に電極２及び電極７を蒸着法により形成した。これ
らの基板にＳＰ−７４０（東レ社製）の２％ジメチルア
セトアミド溶液をスピンコート（３０００ＲＰＭ ３
０秒）した。２５０℃にて焼成し、両面ともラビングに
よる配向処理を施し、配向膜３及び配向膜６とした。こ
れら２枚の基板の配向膜表面を向かい合わせてセル厚１
０μｍになるように固定した。この間隙にエポキシ系樹
脂としてＹＤＦ−１７０（東都化成製）と硬化剤１２１
（油化シェル製）を用い、これと液晶（ＺＬＩ３７７６
、メルク社製）を１：９で１００℃にて混合したものを
封入して徐冷し液晶／モノマー混合物を配向させ、室温
にて１日放置したところ、液晶と高分子が相分離し、ほ
とんど透明な素子を作製できた。この素子を２枚の偏光
板で挟んで評価した。
【００１４】次に素子の駆動方法であるが、対向する２
枚の電極間に２０Ｖあるいは−２０Ｖなる電界を印加し
た。透過率７０％が得られた。遮光時では透過率１％が
得られた。しかも電界を除いた後も表示を保持すること
が出来、１日後も変化無かった。
枚の電極間に２０Ｖあるいは−２０Ｖなる電界を印加し
た。透過率７０％が得られた。遮光時では透過率１％が
得られた。しかも電界を除いた後も表示を保持すること
が出来、１日後も変化無かった。
【００１５】ここで用いる高分子は液晶と混合してもな
おかつ液晶相を示し、液晶状態で熱硬化重合できるもの
で、高分子骨格中にベンゼン骨格、ナフタレン骨格、好
ましくはビフェニル骨格が導入されていれば液晶との親
和性が向上するので配向しやすくなり好都合である。ま
た、高分子中にベンゼン骨格を有しなくとも、液晶とと
もに配向する高分子であれば同様に用いることができる
。たとえば、４，４′−ｎ−プロピルビフェニル−ω，
ω′−ジイソシアネートとビフェニルのジオールを混合
し重合させることもできる。
おかつ液晶相を示し、液晶状態で熱硬化重合できるもの
で、高分子骨格中にベンゼン骨格、ナフタレン骨格、好
ましくはビフェニル骨格が導入されていれば液晶との親
和性が向上するので配向しやすくなり好都合である。ま
た、高分子中にベンゼン骨格を有しなくとも、液晶とと
もに配向する高分子であれば同様に用いることができる
。たとえば、４，４′−ｎ−プロピルビフェニル−ω，
ω′−ジイソシアネートとビフェニルのジオールを混合
し重合させることもできる。
【００１６】（実施例３）本実施例では用いる高分子と
して熱可塑型高分子を用いた例を示した。第１図に本発
明の表示素子における断面図を示した。素子の作製法に
ついて説明する。まず表面の平坦な基板１及び基板８の
表面に電極２及び電極７を蒸着法により形成した。これ
らの基板にＳＰ−７４０（東レ社製）の２％ジメチルア
セトアミド溶液をスピンコート（３０００ＲＰＭ ３
０秒）した。２５０℃にて焼成し、両面ともラビングに
よる配向処理を施し、配向膜３及び配向膜６とした。こ
れら２枚の基板の配向膜表面を向かい合わせてセル厚１
０μｍになるように固定した。この間隙に熱可塑樹脂ポ
リαメチルスチレンを用い、これと液晶（ＤＯＦ０００
４ 大日本インキ社製）を１００℃にて混合したもの
を封入して徐冷し液晶／樹脂混合物を配向させ室温とし
たところ、透明な素子を作製できた。この素子を２枚の
偏光板で挟んで評価した。
して熱可塑型高分子を用いた例を示した。第１図に本発
明の表示素子における断面図を示した。素子の作製法に
ついて説明する。まず表面の平坦な基板１及び基板８の
表面に電極２及び電極７を蒸着法により形成した。これ
らの基板にＳＰ−７４０（東レ社製）の２％ジメチルア
セトアミド溶液をスピンコート（３０００ＲＰＭ ３
０秒）した。２５０℃にて焼成し、両面ともラビングに
よる配向処理を施し、配向膜３及び配向膜６とした。こ
れら２枚の基板の配向膜表面を向かい合わせてセル厚１
０μｍになるように固定した。この間隙に熱可塑樹脂ポ
リαメチルスチレンを用い、これと液晶（ＤＯＦ０００
４ 大日本インキ社製）を１００℃にて混合したもの
を封入して徐冷し液晶／樹脂混合物を配向させ室温とし
たところ、透明な素子を作製できた。この素子を２枚の
偏光板で挟んで評価した。
【００１７】次に素子の駆動方法であるが、対向する２
枚の電極間に２０Ｖあるいは−２０Ｖなる電界を印加し
た。透過率５０％が得られた。遮光時では透過率１％が
得られた。しかも電界を除いた後も表示を保持すること
が出来、１日後も変化無かった。
枚の電極間に２０Ｖあるいは−２０Ｖなる電界を印加し
た。透過率５０％が得られた。遮光時では透過率１％が
得られた。しかも電界を除いた後も表示を保持すること
が出来、１日後も変化無かった。
【００１８】高分子としては、ベンゼン骨格、ナフタレ
ン骨格、ビフェニル骨格を側鎖あるいは主鎖に導入する
など、液晶分子となじみやすい骨格を導入すれば良い。 ここで用いる高分子は使用温度より高温で液晶と相溶し
、更に相溶した液晶状態で配向し、冷却して高分子と液
晶を相分離できる熱可塑性高分子であればよい。
ン骨格、ビフェニル骨格を側鎖あるいは主鎖に導入する
など、液晶分子となじみやすい骨格を導入すれば良い。 ここで用いる高分子は使用温度より高温で液晶と相溶し
、更に相溶した液晶状態で配向し、冷却して高分子と液
晶を相分離できる熱可塑性高分子であればよい。
【００１９】セル厚によっては光透過時に色が付くこと
があるが、位相差板をいれることにより解消することが
出来る。もちろんセル厚はここに示した値に限らない。 ただしあまり厚くすると駆動電圧が高くなる。
があるが、位相差板をいれることにより解消することが
出来る。もちろんセル厚はここに示した値に限らない。 ただしあまり厚くすると駆動電圧が高くなる。
【００２０】また２色性色素を混合しておけば、表示状
態のバラエティを増すことが出来る。
態のバラエティを増すことが出来る。
【００２１】（実施例４）本実施例では用いる高分子と
して高分子液晶を用いた例を示した。第１図に本発明の
表示素子における断面図を示した。素子の作製法につい
て説明する。まず表面の平坦な基板１及び基板８の表面
に電極２及び電極７を蒸着法により形成した。これらの
基板にＳＰ−７４０（東レ社製）の２％ジメチルアセト
アミド溶液をスピンコート（３０００ＲＰＭ ３０秒
）した。２５０℃にて焼成し、両面ともラビングによる
配向処理を施し、配向膜３及び配向膜６とした。これら
２枚の基板の配向膜表面を向かい合わせてセル厚１０μ
ｍになるように固定した。
して高分子液晶を用いた例を示した。第１図に本発明の
表示素子における断面図を示した。素子の作製法につい
て説明する。まず表面の平坦な基板１及び基板８の表面
に電極２及び電極７を蒸着法により形成した。これらの
基板にＳＰ−７４０（東レ社製）の２％ジメチルアセト
アミド溶液をスピンコート（３０００ＲＰＭ ３０秒
）した。２５０℃にて焼成し、両面ともラビングによる
配向処理を施し、配向膜３及び配向膜６とした。これら
２枚の基板の配向膜表面を向かい合わせてセル厚１０μ
ｍになるように固定した。
【００２２】この間隙にシアノビフェノール基を有する
側鎖型高分子液晶（Ａ）
側鎖型高分子液晶（Ａ）
【００２３】
【化１】
【００２４】を用い、これと液晶（ＣＳ−１０１１、チ
ッソ社製）を１２０℃にて１：９で混合したものを封入
して徐冷し、液晶／高分子液晶混合物を配向させ４０℃
としたとしたところ、液晶と高分子液晶が相分離してい
るにも関わらず透明な素子を作製できた。
ッソ社製）を１２０℃にて１：９で混合したものを封入
して徐冷し、液晶／高分子液晶混合物を配向させ４０℃
としたとしたところ、液晶と高分子液晶が相分離してい
るにも関わらず透明な素子を作製できた。
【００２５】次に素子の駆動方法であるが、対向する２
枚の電極間に２０Ｖあるいは−２０Ｖなる電界を印加し
た。透過率６０％が得られた。遮光時では透過率１％が
得られた。しかも電界を除いた後も表示を保持すること
が出来、１日後も変化無かった。
枚の電極間に２０Ｖあるいは−２０Ｖなる電界を印加し
た。透過率６０％が得られた。遮光時では透過率１％が
得られた。しかも電界を除いた後も表示を保持すること
が出来、１日後も変化無かった。
【００２６】ここで用いる高分子液晶は使用温度より高
温で液晶と相溶し、更に相溶した液晶状態で配向し、冷
却して高分子と液晶を使用温度にて相分離できるもので
あれば側鎖型主鎖型を問わず同様に用いることができる
。たとえば、
温で液晶と相溶し、更に相溶した液晶状態で配向し、冷
却して高分子と液晶を使用温度にて相分離できるもので
あれば側鎖型主鎖型を問わず同様に用いることができる
。たとえば、
【００２７】
【化２】
【００２８】
【化３】
【００２９】
【化４】
【００３０】
【化５】
【００３１】
【化６】
【００３２】
【化７】
【００３３】
【化８】
【００３４】
【化９】
【００３５】などの高分子液晶を用いることができる。
もちろんここに示した高分子はほんの１例であり、用い
る液晶などにより構造の最適化を図る必要がある。また
本実施例において、液晶と高分子液晶との相溶性が悪い
場合には液晶と高分子液晶の共溶媒を用いることもでき
る。その場合、共溶媒を混合した時点で液晶相を有し、
配向させた後に溶媒を留去し、液晶と高分子液晶を相分
離させる。
る液晶などにより構造の最適化を図る必要がある。また
本実施例において、液晶と高分子液晶との相溶性が悪い
場合には液晶と高分子液晶の共溶媒を用いることもでき
る。その場合、共溶媒を混合した時点で液晶相を有し、
配向させた後に溶媒を留去し、液晶と高分子液晶を相分
離させる。
【００３６】（実施例５）本実施例では実施例１、実施
例２、実施例３、及び実施例４において反射モードとし
た場合についての例を示す。図１において基板８上に形
成した電極７を透明導電材料から金属材料にするだけで
反射モードとすることができる。具体的にはアルミニウ
ムを用いた。読みだし光側に偏光板１枚を配置した。反
射モードとすることでセル厚を半分にできるため駆動電
圧を半分にできる利点がある。具体的には、セル厚５μ
ｍで駆動電圧１０Ｖとすることができた。
例２、実施例３、及び実施例４において反射モードとし
た場合についての例を示す。図１において基板８上に形
成した電極７を透明導電材料から金属材料にするだけで
反射モードとすることができる。具体的にはアルミニウ
ムを用いた。読みだし光側に偏光板１枚を配置した。反
射モードとすることでセル厚を半分にできるため駆動電
圧を半分にできる利点がある。具体的には、セル厚５μ
ｍで駆動電圧１０Ｖとすることができた。
【００３７】以上実施例１から実施例５に於いてはセル
厚によっては光透過時に色が付くことがあるが、位相差
板をいれることにより解消することが出来る。もちろん
セル厚はここに示した値に限らない。ただしあまり厚く
すると駆動電圧が高くなる。また２色性色素を混合して
おけば、表示状態のバラエティを増すことが出来る。
厚によっては光透過時に色が付くことがあるが、位相差
板をいれることにより解消することが出来る。もちろん
セル厚はここに示した値に限らない。ただしあまり厚く
すると駆動電圧が高くなる。また２色性色素を混合して
おけば、表示状態のバラエティを増すことが出来る。
【００３８】ただし光硬化型のモノマーを用いた場合に
は色素が光を吸収するため高分子化できないので、熱硬
化型、熱可塑型、高分子液晶型および溶媒を用いる方法
について実施することができる。また、実施例では２枚
の基板を用いたが、１枚の基板上に液晶／高分子層を形
成することもできる。用いる配向膜はポリイミドに限ら
ず、ポリビニルアルコール、ポリエステル、アクリルな
ど、液晶を配向させる物であれば何でも良い。また配向
処理は片面の基板のみでも効果はある。液晶はここに示
した物に限らず、強誘電性を示す物であれば用いること
ができる。液晶の含有量は高分子モノマーに対して５０
〜９５％が最適である。液晶含有量がこれより少ないと
電界に対して応答しなくなり、またこれより多いと効果
がなくなる。駆動方法は従来の強誘電性液晶用の駆動方
法をそのまま用いることができる。本発明は以上の実施
例のみならず、ディスプレイ、調光素子、ライトバルブ
、調光ミラーなどに応用が可能である。
は色素が光を吸収するため高分子化できないので、熱硬
化型、熱可塑型、高分子液晶型および溶媒を用いる方法
について実施することができる。また、実施例では２枚
の基板を用いたが、１枚の基板上に液晶／高分子層を形
成することもできる。用いる配向膜はポリイミドに限ら
ず、ポリビニルアルコール、ポリエステル、アクリルな
ど、液晶を配向させる物であれば何でも良い。また配向
処理は片面の基板のみでも効果はある。液晶はここに示
した物に限らず、強誘電性を示す物であれば用いること
ができる。液晶の含有量は高分子モノマーに対して５０
〜９５％が最適である。液晶含有量がこれより少ないと
電界に対して応答しなくなり、またこれより多いと効果
がなくなる。駆動方法は従来の強誘電性液晶用の駆動方
法をそのまま用いることができる。本発明は以上の実施
例のみならず、ディスプレイ、調光素子、ライトバルブ
、調光ミラーなどに応用が可能である。
【００３９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、液晶
中に高分子を配向させて固定することにより、ＳＳＦＬ
Ｃ特有のメモリー性を生かした大容量大画面表示を実現
することができるようになった。本発明を用いれば、容
易に大容量大画面の表示素子を作製することが出来る。 ＣＡＤ、ＥＷＳ端末、野外表示装置など用途は多彩であ
る。
中に高分子を配向させて固定することにより、ＳＳＦＬ
Ｃ特有のメモリー性を生かした大容量大画面表示を実現
することができるようになった。本発明を用いれば、容
易に大容量大画面の表示素子を作製することが出来る。 ＣＡＤ、ＥＷＳ端末、野外表示装置など用途は多彩であ
る。
【図１】本発明の表示素子の断面を示す概念図である。
（ａ） 上基板から下基板への電界印加時の動作状態
を示す素子概念図である。 （ｂ） 下基板から上基板への電界印加時の動作状態
を示す素子概念図である。
を示す素子概念図である。 （ｂ） 下基板から上基板への電界印加時の動作状態
を示す素子概念図である。
【図２】従来の表示素子の断面を示す概念図である。
（ａ） 上基板から下基板への電界印加時の動作状態
を示す素子概念図である。 （ｂ） 下基板から上基板への電界印加時の動作状態
を示す素子概念図である。
を示す素子概念図である。 （ｂ） 下基板から上基板への電界印加時の動作状態
を示す素子概念図である。
【図３】本発明の実施例１における電気光学特性を示す
図である。
図である。
１ 基板
２ 電極
３ 配向膜
４ 高分子
５ 液晶
６ 配向膜
７ 電極
８ 基板
Claims (8)
- 【請求項１】 強誘電性液晶を用いた表示素子におい
て、液晶層中に高分子を分散かつ配向させたことを特徴
とする表示素子。 - 【請求項２】 前記表示素子において、液晶と高分子
あるいは高分子前駆体が互いに相溶して、しかも液晶状
態をとる温度領域を有し、この液晶状態で１方向に配向
させ、その後高分子前駆体を高分子化するかあるいは高
分子部分を硬化させて、液晶部分と相分離させたことを
特徴とする請求項１記載の表示素子。 - 【請求項３】 前記表示素子において、液晶中に２色
性色素を混合したことを特徴とする請求項１記載の表示
素子。 - 【請求項４】 前記液晶／高分子層に用いる高分子材
料が光硬化型であることを特徴とする請求項１記載の表
示素子。 - 【請求項５】 前記液晶／高分子層に用いる高分子材
料が熱硬化型であることを特徴とする請求項１記載の表
示素子。 - 【請求項６】 前記液晶／高分子層に用いる高分子材
料が熱可塑型であることを特徴とする請求項１記載の表
示素子。 - 【請求項７】 前記液晶／高分子層に用いる高分子材
料が高分子液晶であることを特徴とする請求項１記載の
表示素子。 - 【請求項８】 前記液晶／高分子層に用いる高分子材
料が液晶との共溶媒を有し、相溶した状態で液晶層をと
ることを特徴とする請求項１記載の表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4470491A JPH04281425A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 表示素子の製造方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4470491A JPH04281425A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 表示素子の製造方法。 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04281425A true JPH04281425A (ja) | 1992-10-07 |
Family
ID=12698808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4470491A Pending JPH04281425A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 表示素子の製造方法。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04281425A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4343028A1 (de) * | 1992-12-17 | 1994-06-23 | Sharp Kk | Ferroelektrisches LCD und Verfahren zu dessen Herstellung |
| WO1999031545A1 (fr) * | 1997-12-17 | 1999-06-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Panneau d'affichage a cristaux liquides de type dispersion de polymere et son procede de fabrication |
| US6768527B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-07-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display with ferroelectric liquid crystal formed in a polymer network and fabricating method thereof |
| US7227603B1 (en) | 1993-07-22 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US20100220279A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-09-02 | Kornfield Julia A | Ferroelectric liquid crystal (flc) polymers |
| US8212968B2 (en) | 1993-07-22 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
-
1991
- 1991-03-11 JP JP4470491A patent/JPH04281425A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4343028A1 (de) * | 1992-12-17 | 1994-06-23 | Sharp Kk | Ferroelektrisches LCD und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US5638194A (en) * | 1992-12-17 | 1997-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Polymer dispersed ferroelectric liquid crystal display device and a method for producing the same |
| US8212968B2 (en) | 1993-07-22 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US7227603B1 (en) | 1993-07-22 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US7561246B2 (en) | 1993-07-22 | 2009-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US8243233B2 (en) | 1993-07-22 | 2012-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US8396690B2 (en) | 1993-07-22 | 2013-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US6429914B1 (en) | 1997-12-17 | 2002-08-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polymer dispersion type liquid crystal display panel and its manufacturing method |
| US6630969B2 (en) | 1997-12-17 | 2003-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polymer dispersion type liquid crystal display panel and manufacturing method thereof |
| WO1999031545A1 (fr) * | 1997-12-17 | 1999-06-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Panneau d'affichage a cristaux liquides de type dispersion de polymere et son procede de fabrication |
| US6768527B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-07-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display with ferroelectric liquid crystal formed in a polymer network and fabricating method thereof |
| US20100220279A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-09-02 | Kornfield Julia A | Ferroelectric liquid crystal (flc) polymers |
| US8956705B2 (en) * | 2009-01-30 | 2015-02-17 | California Institute Of Technology | Ferroelectric liquid crystal (FLC) polymers |
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