JPH01178587A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
- Publication number
- JPH01178587A JPH01178587A JP63000880A JP88088A JPH01178587A JP H01178587 A JPH01178587 A JP H01178587A JP 63000880 A JP63000880 A JP 63000880A JP 88088 A JP88088 A JP 88088A JP H01178587 A JPH01178587 A JP H01178587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal composition
- ferroelectric
- spontaneous polarization
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 22
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強誘電性液晶組成物に関する。
近年、液晶デイスプレィは、薄型、軽量、低消費電力等
の特徴を生かして、表示素子として巾広く用いられるよ
うになった。しかし、これらの表示素子の殆んどは、ネ
マチック液晶を用いたＴＮ型表示素子であり、高マルチ
プレツクス化を必要とする応用分野ではまだまだ応答が
遅く、改良の必要がある。このような状況のなかで注目
さしているのが光学活性部位を有するカイラルスメクチ
ツク液晶である。
の特徴を生かして、表示素子として巾広く用いられるよ
うになった。しかし、これらの表示素子の殆んどは、ネ
マチック液晶を用いたＴＮ型表示素子であり、高マルチ
プレツクス化を必要とする応用分野ではまだまだ応答が
遅く、改良の必要がある。このような状況のなかで注目
さしているのが光学活性部位を有するカイラルスメクチ
ツク液晶である。
このカイラルスメクチック液晶の示すカイラルスメクチ
ック０相（以下８ｍＯ＊相と記す）は、強誘電性を示し
、そのｉ発分極（以下Ｐ８と記す）と電界との大きな結
合力のため、Ｔｌｉ型表不表示素子達成し得ない高速応
答性を示す事が可能である。さらに、！３ｍＯ”相は、
充分に薄いセル内において適当な配向制御を施す事によ
りメモリー性を示す事が知られており、（クラークら、
アプライド フイジイックス レター、３６，８９９゜
（１９８０））高速液晶シャッターや、高マルチプレツ
クス表示素子の開発が進んでいる。
ック０相（以下８ｍＯ＊相と記す）は、強誘電性を示し
、そのｉ発分極（以下Ｐ８と記す）と電界との大きな結
合力のため、Ｔｌｉ型表不表示素子達成し得ない高速応
答性を示す事が可能である。さらに、！３ｍＯ”相は、
充分に薄いセル内において適当な配向制御を施す事によ
りメモリー性を示す事が知られており、（クラークら、
アプライド フイジイックス レター、３６，８９９゜
（１９８０））高速液晶シャッターや、高マルチプレツ
クス表示素子の開発が進んでいる。
強誘電性液晶の応答速度を支配する因子としてＰｇの大
きさ、液晶の粘性、セル内での液晶の配向等が考えられ
る。
きさ、液晶の粘性、セル内での液晶の配向等が考えられ
る。
一般的な液晶組成物は、強誘電性８ｍＯ相の上位温度で
スメクチック入相（以下ＳｍＡと記す）を示す。上記の
ような相系列の強誘電性スメクチック液晶は、８ｍＯ＊
相において、温度の降下に伴ってＰ８は次第に大きくな
る。結果的に１０〜３０ｎｃ／ｄとなる。液晶の応答速
度は、温度の降下に伴り【除々に遅くなり結果的に室温
で１００〜３ｏｏμ８の応答速度となる。これは温度の
降下に伴って粘性が大きくなるためである。
スメクチック入相（以下ＳｍＡと記す）を示す。上記の
ような相系列の強誘電性スメクチック液晶は、８ｍＯ＊
相において、温度の降下に伴ってＰ８は次第に大きくな
る。結果的に１０〜３０ｎｃ／ｄとなる。液晶の応答速
度は、温度の降下に伴り【除々に遅くなり結果的に室温
で１００〜３ｏｏμ８の応答速度となる。これは温度の
降下に伴って粘性が大きくなるためである。
又、他の液晶化合物においては、大西ら（Ｈａｔｉｏｎ
ａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ、Ｖ
ｏｔ５５．Ｎｏ１ 、’？ｅｂ、１９８７）が示したよ
うに２２０％ＣＩ−という大きなＰｇをもつ液晶化合物
も知られている。この化合物の応答速度は約２０μ８と
非常に速い。したがって、液晶の高速化は、Ｐ８を大き
くする事で容易に達成できる。しかしながら一般にＰ８
の大きな液晶化合物は、ＯＬ、Ｃｏｏ、ＯＯＨ，、ＯＮ
等の置換基が不斉炭素部位の近くに位置しており分子骨
格から察すると、そのバルク状態での粘性はかなり大き
いと予想される。高速応答液晶は低粘性の方が好ましい
。
ａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ、Ｖ
ｏｔ５５．Ｎｏ１ 、’？ｅｂ、１９８７）が示したよ
うに２２０％ＣＩ−という大きなＰｇをもつ液晶化合物
も知られている。この化合物の応答速度は約２０μ８と
非常に速い。したがって、液晶の高速化は、Ｐ８を大き
くする事で容易に達成できる。しかしながら一般にＰ８
の大きな液晶化合物は、ＯＬ、Ｃｏｏ、ＯＯＨ，、ＯＮ
等の置換基が不斉炭素部位の近くに位置しており分子骨
格から察すると、そのバルク状態での粘性はかなり大き
いと予想される。高速応答液晶は低粘性の方が好ましい
。
一方、斜方蒸着セル内での強誘電性液晶の研究も盛んで
ある。廣嶋、清水ら、（第１２回液晶討論会、＃Ｉ演予
稿集、ＰＰ３２ ）によれば、斜方蒸着セル内では、液
晶分子がかなり大きな角度でプレチルト配向しており、
そのため、層がセルの厚み方向く対して平行とならず、
Ｐ８の大きさは見かけ上小さな値となる。したがって、
プレチルトの小さい一般のラビングセルに比較し【応答
速度は遅くなる。
ある。廣嶋、清水ら、（第１２回液晶討論会、＃Ｉ演予
稿集、ＰＰ３２ ）によれば、斜方蒸着セル内では、液
晶分子がかなり大きな角度でプレチルト配向しており、
そのため、層がセルの厚み方向く対して平行とならず、
Ｐ８の大きさは見かけ上小さな値となる。したがって、
プレチルトの小さい一般のラビングセルに比較し【応答
速度は遅くなる。
このように１強誘電性液晶の応答速度はＰｇの大きさに
大きく影響を受ける。
大きく影響を受ける。
しかしながら、ｐｇを大きくすればするほど液晶と基体
表面との相互作用が大きくなり、液晶のセル内での配向
が乱れやすくなる。
表面との相互作用が大きくなり、液晶のセル内での配向
が乱れやすくなる。
第１図〜第３図に強誘電性スメクチック液晶セルのスイ
ッチング過程を模式的に示した。同図において、１１は
基体、１２は配向処理層、１５はＣダイレクタ−１１４
は自発分極、１５は液晶と接する基体表面のダイポール
の向き及び大きさを示す。第１図は、基体表面のダイポ
ールの向き及び大きさが等しい場合である。（ｂ）＃（
Ｃ）のように電界が印加されている時は、電界の向きに
自発分極１４は配向し、液晶分子は双安定状態のうち電
界の向きに応じた一安定状態をとるが、無電界時には、
（α）のごとく自発分極１４と基体表面のダイポール１
５との相互作用が大きく、どちらか一方の基体表面付近
でツイスト状態となりやすい。第２図は基体表面のダイ
ポールの向きが−なる場合である。 （＃）、（１）
は、第１図と同様電界の向きに応じた双安定状態を示゛
している。しかし、無電界時には両基体表面のダイポー
ル１５の影響で、自発分極１４が配回してしまい、双安
定状態のうち一安定状態が非常に安定となり、（ｄ）で
示されるごとく片側メモリー状態となる。第３図は、基
体表面のダイポールの向きが等しく、大きさが異なる場
合である。電界印加時には、（ん）、（４）に示すごと
く電界の向きに応じた双安定状態を示すが、無電界時に
は第２図と同様、両基体表面のダイポール１５の影゛−
響で自発分極が配向し、（！Ｉ）に示すごとくランスト
の残った片側メモリー状態となる。これらの配向は、い
ずれも、双安定状態のメモリーを利用する強誘電性液晶
のマルチプレックス駆動に適さない。又、応答速度を速
くする目的でＰ８を大きくすればするほど、前述したよ
うなツイスト状態、もしくは片側メモリー状態をとりや
すくなる。
ッチング過程を模式的に示した。同図において、１１は
基体、１２は配向処理層、１５はＣダイレクタ−１１４
は自発分極、１５は液晶と接する基体表面のダイポール
の向き及び大きさを示す。第１図は、基体表面のダイポ
ールの向き及び大きさが等しい場合である。（ｂ）＃（
Ｃ）のように電界が印加されている時は、電界の向きに
自発分極１４は配向し、液晶分子は双安定状態のうち電
界の向きに応じた一安定状態をとるが、無電界時には、
（α）のごとく自発分極１４と基体表面のダイポール１
５との相互作用が大きく、どちらか一方の基体表面付近
でツイスト状態となりやすい。第２図は基体表面のダイ
ポールの向きが−なる場合である。 （＃）、（１）
は、第１図と同様電界の向きに応じた双安定状態を示゛
している。しかし、無電界時には両基体表面のダイポー
ル１５の影響で、自発分極１４が配回してしまい、双安
定状態のうち一安定状態が非常に安定となり、（ｄ）で
示されるごとく片側メモリー状態となる。第３図は、基
体表面のダイポールの向きが等しく、大きさが異なる場
合である。電界印加時には、（ん）、（４）に示すごと
く電界の向きに応じた双安定状態を示すが、無電界時に
は第２図と同様、両基体表面のダイポール１５の影゛−
響で自発分極が配向し、（！Ｉ）に示すごとくランスト
の残った片側メモリー状態となる。これらの配向は、い
ずれも、双安定状態のメモリーを利用する強誘電性液晶
のマルチプレックス駆動に適さない。又、応答速度を速
くする目的でＰ８を大きくすればするほど、前述したよ
うなツイスト状態、もしくは片側メモリー状態をとりや
すくなる。
本発明は、前記問題点を解決するためのものでその目的
とするところは、マルチプレックス駆動時において、安
定なメモリー性を有する液晶組成物及び、マルチプレッ
クス駆動時のコントラストが良好な液晶素子を提供する
事である。
とするところは、マルチプレックス駆動時において、安
定なメモリー性を有する液晶組成物及び、マルチプレッ
クス駆動時のコントラストが良好な液晶素子を提供する
事である。
本発明は、前記問題・点を解決するためのものであり、
カイラルスメクチック相を有する液晶組成物において、
各々の成分要素のうち、少なくとも一種以上がネマチッ
ク液晶である事を特徴としている。我々の詳細な研究の
結果、Ｐ８の値が絶対値−Ｑｏ、１〜１５ｎｃ／ｌｓＡ
の範囲であれば、液晶セルの条件によらず良好なメモリ
ー性とマルチプレックス特性を示す液晶素子を提供でき
る事が判明し、本発明に至った。さらに述べるならば、
望ましくはＰ８の値がａ、１〜１０％Ｃ／−であれば、
より良好な液晶素子を提供する事ができる。
カイラルスメクチック相を有する液晶組成物において、
各々の成分要素のうち、少なくとも一種以上がネマチッ
ク液晶である事を特徴としている。我々の詳細な研究の
結果、Ｐ８の値が絶対値−Ｑｏ、１〜１５ｎｃ／ｌｓＡ
の範囲であれば、液晶セルの条件によらず良好なメモリ
ー性とマルチプレックス特性を示す液晶素子を提供でき
る事が判明し、本発明に至った。さらに述べるならば、
望ましくはＰ８の値がａ、１〜１０％Ｃ／−であれば、
より良好な液晶素子を提供する事ができる。
以下に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、本
発明の効果は本実施例で用いた材料、液晶セルに限定さ
れるものではなく、他の材料、液晶セルを用い【も同様
の効果が得られる。
発明の効果は本実施例で用いた材料、液晶セルに限定さ
れるものではなく、他の材料、液晶セルを用い【も同様
の効果が得られる。
実施例−１゜
本実施例においては、以下に示す液晶組成物を用いた。
以降記号Ａ−７で表す。
上記液晶組成物を、表面にポリイミドを塗布しラビング
処理を施した透明電極を有する２枚の基板間に加熱封入
し、スペーサーを用いて２μｍのセル厚となるように液
晶素子を組み立てた。次に互いに直交す鳴ように配置し
た偏光板の間に上記液晶素子を置き、電気光学特性を測
定したところ室温において５０μＢのパルス幅で応答し
た。さらに、 ／４ｏｏａｕｔｙ マルチプレックス
駆動時においては、コントラスト１：１０という良好な
特性を示した。なお本液晶の自発分極の大きさは三角波
法により、室温において？、 １ ｎ ｃ ／−であっ
た。
処理を施した透明電極を有する２枚の基板間に加熱封入
し、スペーサーを用いて２μｍのセル厚となるように液
晶素子を組み立てた。次に互いに直交す鳴ように配置し
た偏光板の間に上記液晶素子を置き、電気光学特性を測
定したところ室温において５０μＢのパルス幅で応答し
た。さらに、 ／４ｏｏａｕｔｙ マルチプレックス
駆動時においては、コントラスト１：１０という良好な
特性を示した。なお本液晶の自発分極の大きさは三角波
法により、室温において？、 １ ｎ ｃ ／−であっ
た。
、実施例−２
本実施例においては、実施例１の化合物Ａ−Ｋを同重量
部、及び１の代わりに以下に示すＧを用いた。
部、及び１の代わりに以下に示すＧを用いた。
Ｇ ｃ、 Ｉ！、１Ｏ−ｅ−ｃｏｏ−＠−ｏａ、
Ｈｌに１０重量部上記液晶組成物を、表面にポリイミド
を塗布しラビング処理を施した透明電極を有する２枚の
基板間に加熱封入し、スペーサーを用いて２μ屏のセル
厚となるよ５に液晶素子を組み立てた。次に互、い、・
Ｋ直交するように配置した偏光板の間に上記液晶素子を
置き、電気光学特性を測定したところ室温において、５
８μｓのパルス幅で応答した。
Ｈｌに１０重量部上記液晶組成物を、表面にポリイミド
を塗布しラビング処理を施した透明電極を有する２枚の
基板間に加熱封入し、スペーサーを用いて２μ屏のセル
厚となるよ５に液晶素子を組み立てた。次に互、い、・
Ｋ直交するように配置した偏光板の間に上記液晶素子を
置き、電気光学特性を測定したところ室温において、５
８μｓのパルス幅で応答した。
さらに、１ ／ ４００ ｄ ｕ ｔ ７マルチプレッ
ス駆動時においては、コントラス）１：１５という良好
な特性を示した。なお本液晶の自発分極の大きさは、実
施例１と同様に三角波法によりａ１ｒｂｃ／ｄであｐた
。
ス駆動時においては、コントラス）１：１５という良好
な特性を示した。なお本液晶の自発分極の大きさは、実
施例１と同様に三角波法によりａ１ｒｂｃ／ｄであｐた
。
実施例−３
本実施例においては、実施例１の化合物ム〜Ｅを同重量
部、及び以下に示すＨを用いた。
部、及び以下に示すＨを用いた。
上記液晶組成物を、表面にポリイミドを塗布しラビング
処理を施した透明電極を有する２枚の基板、間に加熱封
入し、スペーサーを用い≦２μ風のセル厚となるように
液晶素子を組み立てた。次に互いに直交するように配置
した偏光板の間に上記液晶素子を置き、電気光学特性を
測定、したところ室温におい【、６２μＢのパルス幅で
応答した。
処理を施した透明電極を有する２枚の基板、間に加熱封
入し、スペーサーを用い≦２μ風のセル厚となるように
液晶素子を組み立てた。次に互いに直交するように配置
した偏光板の間に上記液晶素子を置き、電気光学特性を
測定、したところ室温におい【、６２μＢのパルス幅で
応答した。
さらに、１／４００ｄｕｔｙマルチプレクス駆動時にお
いては、コントラス）１：１０という良好な特性を示し
た。なお本液晶の自発分極の大きさは、実施例１と同様
に三角波法により＆ ４３３ Ｃ／−であった。
いては、コントラス）１：１０という良好な特性を示し
た。なお本液晶の自発分極の大きさは、実施例１と同様
に三角波法により＆ ４３３ Ｃ／−であった。
実施例−４一
実施例＄〜５で用いたミクスチャーを、それぞれ、表面
にＳｉ、Ｏを斜方蒸着した透明電極を有する２枚の基板
間に加熱封入し、スペーサーを用いて２μ扉のセル厚と
なるように液晶素子を組み立てた。次に、互いに直交す
るように配置した偏光板の間に上記液晶素子を置き、電
気光学特性を測定したところ、室温において、８０〜１
００μＢのパルス幅で応答した。さらに、１ ／ ４０
０６ ｕｔｙマルチプレクス駆動時においては、実施例
１〜３と同様コントラスト１：１０−２０という良好な
特性を示した。
にＳｉ、Ｏを斜方蒸着した透明電極を有する２枚の基板
間に加熱封入し、スペーサーを用いて２μ扉のセル厚と
なるように液晶素子を組み立てた。次に、互いに直交す
るように配置した偏光板の間に上記液晶素子を置き、電
気光学特性を測定したところ、室温において、８０〜１
００μＢのパルス幅で応答した。さらに、１ ／ ４０
０６ ｕｔｙマルチプレクス駆動時においては、実施例
１〜３と同様コントラスト１：１０−２０という良好な
特性を示した。
参考例１゜
本参考例においては、実施例１の液晶″化合物のＡ〜Ｄ
の重量部は変えず、化合物ｌを２０重量部から、３０重
量部と変えた液晶組成物を用いた。
の重量部は変えず、化合物ｌを２０重量部から、３０重
量部と変えた液晶組成物を用いた。
上記液晶組成物を、表面にポリイミドを塗布しラビング
処理を施した透明電極を有する２枚の基板間に加熱封入
し１．スペーサーを用いて２μ罵のセル厚となるように
液晶素子を組み立てた。次に互いに直交するように配置
した偏光板の間に上記液晶素子を置き、電−光学特性を
測定したところ室温において、４５μｓのパルスで応答
した。さらに、１／４００ｄｕｔｙマルチプレックス駆
動時においては、コントラストが１：”２１１度しか得
′られなかりた。なお、本参考例の自発分極の大きさは
、実施例１と同様に１三角波法により１７．２ｓ ｃ
／ ｃｄであった。
処理を施した透明電極を有する２枚の基板間に加熱封入
し１．スペーサーを用いて２μ罵のセル厚となるように
液晶素子を組み立てた。次に互いに直交するように配置
した偏光板の間に上記液晶素子を置き、電−光学特性を
測定したところ室温において、４５μｓのパルスで応答
した。さらに、１／４００ｄｕｔｙマルチプレックス駆
動時においては、コントラストが１：”２１１度しか得
′られなかりた。なお、本参考例の自発分極の大きさは
、実施例１と同様に１三角波法により１７．２ｓ ｃ
／ ｃｄであった。
参考例２
参考例１で用いた液晶組成物を、表面にｆ９１０を斜方
蒸着した透明電極を有する２枚の基板間に加熱封入し、
スペーサーを用いて２μ罵のセル厚となるよ５に液晶素
子を組み立てた。次に−、互いに直交するように配置し
た偏光板の間に上記液晶素子を置き、電気光学特性を測
定したところ、室温において、７０μＳのパルス幅で応
答した。し□かしながら、１／４００ｄｕｔ、ｙマルチ
プレックス駆動時のフントラストは１：３と非常に、悪
かった。
蒸着した透明電極を有する２枚の基板間に加熱封入し、
スペーサーを用いて２μ罵のセル厚となるよ５に液晶素
子を組み立てた。次に−、互いに直交するように配置し
た偏光板の間に上記液晶素子を置き、電気光学特性を測
定したところ、室温において、７０μＳのパルス幅で応
答した。し□かしながら、１／４００ｄｕｔ、ｙマルチ
プレックス駆動時のフントラストは１：３と非常に、悪
かった。
以上述べたように、本発明によれば、自発分極の小さい
、かつ応答の速い液晶組成物が得られる。本発明による
液晶組成物を用いた液晶素子は、液晶シャッター、液晶
テレビ、キャラクタデイスプレー等に応用が可能である
。
、かつ応答の速い液晶組成物が得られる。本発明による
液晶組成物を用いた液晶素子は、液晶シャッター、液晶
テレビ、キャラクタデイスプレー等に応用が可能である
。
第１図、第２図および第３図は、強誘電性スメクチック
液晶セル内のスイッチング過程を模式的に示した図であ
る。 １１・・・・・・基 体 １２・・・・・・配向処理層 １３・・・・・・Ｃダイレクタ− １４・・・・・・自発分極 １５・・・・・・液晶と接する基体表面のダイポールの
向き“及び大きさを示す矢印 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 ｌ３′トｌタ 中 十 （３） （ｋ） （り潔３
１Ｚ
液晶セル内のスイッチング過程を模式的に示した図であ
る。 １１・・・・・・基 体 １２・・・・・・配向処理層 １３・・・・・・Ｃダイレクタ− １４・・・・・・自発分極 １５・・・・・・液晶と接する基体表面のダイポールの
向き“及び大きさを示す矢印 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 ｌ３′トｌタ 中 十 （３） （ｋ） （り潔３
１Ｚ
Claims (5)
- （１）カイラルスメクチック相を有する液晶組成物にお
いて、各々の成分要素のうち少なくとも一種以上がネマ
チック液晶である事を特徴とする液晶組成物。 - （２）前記強誘電性液晶組成物の自発分極の大きさの絶
対値が強誘電性液晶相を示すすべての温度範囲にわたっ
て０．１ｎｃ／ｃｍ＾２〜１５ｎｃ／ｃｍ＾２の範囲に
ある事を特徴とする特許請求の範囲第１項の液晶組成物
。 - （３）前記強誘電性液晶組成物が、カイラルスメクチッ
クＣ相を示す事を特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載の液晶組成物。 - （４）特許請求の範囲第１項、第２項、第３項記述の液
晶組成物を、電極上に形成された有機薄膜上にラビング
処理を施した液晶セル内で用いる事を特徴とする液晶素
子。 - （５）特許請求の範囲第１項、第２項、第３項記述の液
晶組成物を、電極上に無機化合物の斜方蒸着膜が形成さ
れた液晶セル内で用いる事を特徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63000880A JPH01178587A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63000880A JPH01178587A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01178587A true JPH01178587A (ja) | 1989-07-14 |
Family
ID=11485987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63000880A Pending JPH01178587A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01178587A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415290A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-20 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 |
-
1988
- 1988-01-06 JP JP63000880A patent/JPH01178587A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415290A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-20 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101073781B1 (ko) | 액정 표시 소자 | |
| EP0539992B1 (en) | Liquid crystal device | |
| EP0157519B1 (en) | Liquid crystal composition | |
| JPH09146126A (ja) | 液晶装置及び情報伝達装置 | |
| US5646754A (en) | Ferroelectric liquid crystal display device including a ferroelectric liquid crystal material capable of exhibiting the smectic A phase and the chiral smectic C phase | |
| Oh-e et al. | X-ray studies on layer structure and bistability in ferroelectric liquid crystals | |
| EP0645662A1 (en) | A liquid crystal display device | |
| US5550664A (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH01178587A (ja) | 液晶組成物 | |
| US5436037A (en) | Liquid crystal orientation controlling membranes and liquid crystal elements using the same | |
| JPH0792568B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS6380230A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JP3383015B2 (ja) | 液晶光学素子 | |
| JPH01193390A (ja) | 液晶組成物 | |
| JPS61186932A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH02157726A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH11125843A (ja) | 液晶素子及び液晶表示装置 | |
| JPS62143030A (ja) | 強誘電性液晶表示装置 | |
| JP3184446B2 (ja) | 反強誘電性液晶組成物 | |
| JPH0195185A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPH028292A (ja) | 強誘電性液晶表示素子 | |
| JPH02157725A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH02240635A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0240625A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPH02222487A (ja) | 強誘電性液晶組成物 |