JPH02240635A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は強誘電性液晶組成物を用いた液晶素子に関する
。

［従来の技術］ 近年、液晶デイスプレィは、薄型、軽量、低消費電力等
の特徴を生かして表示素子として幅広く用いられるよう
になった。しかし、これらの表示素子のほとんどはネマ
チック液晶を用いたＴＮ型表示素子であり、高マルチプ
レツクス化を必要とする応用分野ではまだまだ応答が遅
く、改良の必要がある。このような状況の中で注目され
ているのが光学活性部位を有するカイラルスメクチック
液晶である。

このカイラルスメクチック液晶のカイラルスメクチック
Ｃ相　（以下ＳｍＣ”相と記す）は、強誘電性を示し、
その自発分極（以下Ｐｓと記す）と電界との大きな結合
力のため、ＴＮ型液晶表示素子では達成し得ない高速応
答性を示すことが可能である。さらにＳｍＣ”相は、十
分に薄いセル内においては、適当な配向制御をする事に
よりメモリー性を示すことが知られており、　（クラー
クら。

アプライド　フィジックス　レター、　　３６．　８９
９．１９８０）高速シャッターや、高マルチプレツクス
表示素子としての開発が進んでいる。

強誘電性液晶の応答速度を支配する因子として、Ｐｓ、
液晶の粘性、セル内での液晶の配向等が考えられる。−
船釣な液晶組成物はＳｍＣ’相の上位温度でスメクチッ
クＡ相を（以下ＳｍＡ相と記す）を示す、この様な相系
列の強誘電性液晶組成物はＳｍＣ’相において、温度の
降下に伴ってＰＳは次第に大きくなり、−ａ的には１０
〜３０ｎｃ　／　ｃ　ｔｒｉとなる。しかしながら、液
晶の応答速度は徐々に遅くなり室温で１００〜３００μ
ｓとなる。これは温度の降下に伴い液晶の粘性が大きく
なるためであると考えられる。また、他の液晶化合物に
おいては大西ら（ナショナル　テクニカルレポート、Ｖ
ＯＬ３３．Ｎｏｌ、　　Ｆｅｂ、　　１９８７）が示し
たように２２０　ｎ　Ｃ／　Ｃｒｄという大きなＰｓを
もつ液晶化合物も知られている。この化合物の応答速度
は２０μＳと非常に速い。即ち液晶の高速応答化は、Ｐ
ｓを大きくすることで容易に達成できるが、Ｐｓの大き
な液晶化合物はＣ１，Ｃｏｏ、ＯＣＨ３，ＣＮ等の置換
基が不斉炭素の部位の近くに位置している場合が多く、
分子骨格から察すると、そのバルク状態での粘性はかな
り大きいと予想される。

［発明が解決しようとする課題　　　　］しかしながら
、液晶の高速応答化のためにＰｓを大きくすればするほ
ど液晶と基板表面との相互が作用が大きくなり、液晶の
セル内での配向が乱れやすくなる。　第２図−第４図に
強誘電性液晶セルのスイッチング過程を模式的に示した
。同図において、１１は基体、１２は配向膜、１３はＣ
ダイレクタ−１４は自発分極、１５は液晶と接する基体
表面のダイポールの向き及び大きさを示す。

第４図は、基体表面のダイポールの向き及び大き゛さが
等しい場合である。　（ｂ）、　　（Ｃ）の様に、電界
が印加されている時は、電界の向きに自発分子ｉ１４が
配向するが、無電界時には（ａ）に示したように自発分
極１４と基体表面のダイポール１５との相互作用が大き
く、どちらか一方の基体表面付近でツイスト状態となり
やすい。

第３図は、基体表面のダイポールの向きが異なる場合で
ある。　（ｅ）、　　（ｆ）は、第４図と同様に電界が
印加されていれば、その向きに応じた双安定状態を示し
ている。しかし、無電界時には（ｄ）に示したように自
暴体表面のダイポール１５の影響で自発分極１４が配向
してしまい、双安定状態のうち一安定状態が非常に安定
となり片側メモリー状態となる。

第２図は基体表面のダイポールの向きが等しいく大きさ
が異なる場合である。電界印加時には（ｈ）、　　（ｉ
）に示す様に電界の向きに応じた双安定状態を示すが、
無電界時には基体表面のダイポール１５の影響で自発分
極１４が配向しくｇ）の様にツイストの残った片側メモ
リー状態となる。

これらの配向は、いずれも双安定状態のメモリーを利用
する強誘電性液晶のマルチプレックス駆動に適さない。

この様に、応答速度を速くする目的でＰｓを大きくすれ
ばするほど、前述したようにツイスト状態、もしくは片
側メモリー状態をとりやすくなる。

一方、液晶素子に駆動波形を印加したときにもＰｓの大
きさは液晶素子の光学特性に影響する。

我々の詳細な実験によれば液晶素子のしきい値特性はＰ
ｓの大きさによって変化する事が判明した。

即ち、第５図に示すような電圧パルスを印加したときに
、第６図に示すように、強誘電性液晶の第一の安定状態
から第二の安定状態へ変化させる時の液晶のしきい値と
、第二の安定状態から第一の安定状態へ変化させる時の
液晶のしきい値とが異なり、マルチプレックス駆動波形
を印加したときには、液晶素子のコントラストが低下す
る。このヒステリシス現象についてのＰｓの影響を述べ
るならば、Ｐｓが大きければ大きいほどヒステリシスが
大きくなるという事が判明した。

本発明は前記課題を解決するためのものであり、その目
的とするところはマルチプレックス駆動時において安定
なメモリー性を有し、コントラストが良好な液晶素子を
提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 詳細な研究の結果、我々は強誘電性液晶の自発分極の大
きさに最適値があることを見いだした。

即ち　本発明の液晶素子は （１）電極を有する２組の基板間に！ｊｌ誘電性液晶を
挟持してなる液晶セルにおいて、少なくとも一方の電極
上にＳｉＯ等の無機物を斜方蒸着して一軸配向処理を行
い、強誘電性液晶を注入し、そののちさらに交番電界を
印加して配向状態を変化させる事を特徴とする。

（２）上記液晶素子において、前記強誘電性液晶の、各
々の成分要素のうち少なくとも１種以上がスメクチック
Ｃ相を示す液晶化合物である事を特徴とする。

（３）前記強誘電性液晶の自発分極の大きさの絶対値が
、強誘電性液晶相を示すすべての温度範囲にわたってＯ
，Ｉｎｃ／ｃｍ　〜４０ｎｃ／ｃｍ’の範囲にある事を
特徴とする。

（４）前記強誘電性液晶の自発分極の大きさの絶対値が
、強誘電性液晶相を示すすべての温度範囲にわたって０
．１．ｎｃ／ｃイ〜２０　ｎ　ｃ　／　ｃ　ｒｒｉの範
囲にある事を特徴とする。

（５）前記強誘電性液晶が、カイラルスメクチックＣ相
を示す事を特徴とする。

本発明で用いられる液晶素子は、必要に応じて偏光板を
使用することができる。

本発明で用いられる電極としては、インジウムチンオキ
ナイド等の透明電極、もしくは　アルミニウム、金等の
金属蓋Ｓ膜を用いることができる。

本発明で用いられる基体としては、ガラス、透明プラス
チック基板、または少なくとも一方が不透明なガラス、
プラスチック、金属等を用いることができる。

本発明で用いられる電極上には必要に応じてＳｉＯ２等
の絶縁層を設けることができる。

本発明で用いられる液晶としては、ピリミジン系、ピラ
ジン系、ビフェニル系、エステル系、ピリジン系、ジエ
ステル系、アゾ系、シフ系、トラン系等の強誘電性スメ
クチック液晶を用いる事が出来る。またその他の液晶材
料を用いてもよい。

本発明で用いられる強誘電性スメクチック液晶の強誘電
性液晶相としては、ＳｍＣ”相が望ましいが、ほかのカ
イラルスメクチック相も用いることができる。

本発明で用いられる強誘電性液晶のＰｓの値は０．１〜
４０　ｎ　ｃ　／　ｃ　ｒｄが望ましいが、より望まし
くは０．１〜２０ｎｃ／ｃｒｒｒである。

本発明で印加する交番電界の波高値は、１５Ｖ〜４０Ｖ
が望ましいが必要に応じて高くする、または低くするこ
とができる。

本発明で印加する交番電界の周波数は、強誘電性液晶が
充分に応答する周波数であり１ヘルツ〜１００ヘルツが
望ましいが必要に応じて高くする、または低くすること
ができる。

以上述べたように本発明は、液晶材料、配向方法に限定
されるものではなく、色々の製造プロセス等にも応用で
きる。以下に実施例を挙げ本発明をさらに具体的に説明
する。

［実施例］ ［実施例１］ 本実施例で用いた液晶組成物を以下に示した。

１）Ｃ８ＨＩ？罷０ＣａＨ＋ａ　　　　　　　　　２５
χ２）ＣｓＨ＋ｅ−ＯＣａＨ＋ｉ　　　　　　　　　２
５χ３）ＣｓＨ＋４ＣＯｏ＠＠Ｃ５Ｈ＋＋　　　　　　
１５′＆４）ＣａＰＬｔ＠＠Ｃｏｏ◎Ｃ５Ｈｕ　　　　
　　１５χ本実施例の液晶組成物のＰｓの値は１４　ｎ
　ｃ　／　ｃイであった。

透明電極としてＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）を
スパッタした基板表面に、ＳｉＣを斜方蒸着し、得られ
た基板を第１図のごとくスペーサーを介して約２μｍの
セル厚となるように組立て、前記液晶組成物を注入した
。その後１５ヘル゛人２５ｖの交番電界を印加し液晶の
配向を整えた。

この液晶素子を１　／　６４　ｄ　ｕ　ｔ　ｙマルチプ
レックス駆動したところ、メモリー性が良好であり、コ
ントラスト１５であった。

［実施例２］ 本実施例で用いた液晶組成物を以下に示した。

１）Ｃ９Ｈ＋９＠：＠０ＣＡＨ＋３２５１２）　Ｃ９Ｈ
＋９＠：＠０ＣｖＨ＋ｓ　　　　　　　　　　２５Ｘ３
）ＣｓＨ１７＠Ｃｏｏ＠＠Ｃ５Ｈ口　　　　　　　　　
１５χ４）ＣａＨ１ｖ＠＠Ｃｏｏ◎Ｃ５Ｈｕ　　　　　
　　１５χ本実施例の液晶組成物のＰｓの値は１３　ｎ
　ｃ　／　ｃイであった。

実施例１と同様に作成した基板を、スペーサーを介して
約２μｍのセル厚となるように組立てた。

その後上記液晶組成物を注入した。その後１５ヘル・人
　２５ｖの交番電界を印加し液晶の配向を整えた。この
液晶素子を１　／　６４　ｄ　ｕ　ｔ　Ｙマルチプレッ
クス駆動したところ、メモリー性が良好であり、コント
ラスト１８であった。

［実施例３］ 本実施例で用いた液晶組成物を以下に示した。

２）ＣｓＨ＋９＠◎０Ｃ７Ｈ＋ｓ　　　　　　　　　　
　　２５χ３）ＣｓＨ＋４ＣＯＯ＠＠Ｃ５Ｈ＋＋　　　
　　　　　ＩＪ本本実側例液晶組成物のＰｓの値は１５
ｎｃ／Ｃイであった。

実施例１と同様に作成した基板を、スペーサーを介して
約２μｍのセル厚となるように組立てた。

その後上記液晶組成物を注入した。その後１５ヘル・人
　２５ｖの交番電界を印加し液晶の配向を整えた。この
液晶素子を１　／　６４　ｄ　ｕ　ｔ　Ｙマルチプレッ
クス駆動したところ、メモリー性が良好であり、コント
ラスト１５であった。

以上実施例を述べたが、本発明は上記の実施例のみなら
ず、広く他の液晶材料、配向材料、配向方法などでも同
様の効果が得られる。さらには、本液晶素子は、液晶テ
レビ、液晶デイスプレィ、液晶シャッター等に応用が可
能である。

［発明の効果］ 以上述べたように、本発明によればマルチプレックス駆
動時において安定なメモリー性を有し、コントラストが
良好な液晶素子を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の液晶素子を模式的に表した図である
。 第２図＜ａ）〜（ｃ）は、強誘電性液晶の配向状態を模
式的に示した図である。 第３図（ａ）＝　（ｃ）は、強誘電性液晶の配向状態を
模式的に示した図である。 第４図（ａ）〜（ｃ）は、強誘電性液晶液晶の配向状態
を模式的に示した図である。 第５図は、しきい値測定時の印加電圧パルスを示した図
である。 第６図は、しきい値測定時の電圧パルスを印加したとき
の液晶の光学応答を示した図である。 に基体 ２：電極 ３：配向膜 ４ニスペーサ− ５；液晶 １１：基板 １２：配向膜 １３：　Ｃダイレクタ− １４：自発分極 １５：液晶と接する基体表面のダイポールの向き及び大
きさ 以上 −一 トキー づＨ ％２図 １日 Ｈ千− 十 第７−１″已

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極を有する２組の基板間に強誘電性液晶を挟持
   してなる液晶セルにおいて、少なくとも一方の電極上に
   ＳｉＯ等の無機物を斜方蒸着して一軸配向処理を行い、
   強誘電性液晶を注入し、そののちさらに交番電界を印加
   して配向状態を変化させる事を特徴とする液晶素子。
2. （２）上記液晶素子において、前記強誘電性液晶の、各
   々の成分要素のうち少なくとも１種以上がスメクチック
   Ｃ相を示す液晶化合物である事を特徴とする請求項１記
   載の液晶素子。
3. （３）前記強誘電性液晶の自発分極の大きさの絶対値が
   、強誘電性液晶相を示すすべての温度範囲にわたって０
   ．１ｎｃ／ｃｍ＾２〜４０ｎｃ／ｃｍ＾２の範囲にある
   事を特徴とする請求項１又は、請求項２記載の液晶素子
   。
4. （４）前記強誘電性液晶の自発分極の大きさの絶対値が
   、強誘電性液晶相を示すすべての温度範囲にわたって０
   ．１ｎｃ／ｃｍ＾２〜２０ｎｃ／ｃｍ＾２の範囲にある
   事を特徴とする請求項１又は、請求項２記載の液晶素子
   。
5. （５）前記強誘電性液晶が、カイラルスメクチックＣ相
   を示す事を特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３
   のいずれかに記載の液晶素子。