JPH01254792A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH01254792A JPH01254792A JP8153788A JP8153788A JPH01254792A JP H01254792 A JPH01254792 A JP H01254792A JP 8153788 A JP8153788 A JP 8153788A JP 8153788 A JP8153788 A JP 8153788A JP H01254792 A JPH01254792 A JP H01254792A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高速、高コントラストな強誘電性液晶組成物
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
液晶表示装置は薄型化・軽量化・低電圧駆動可能等の長
所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現在
使用されているネマチック液晶は応答速度が数ミリ−数
十ミリ秒と遅い為に高速応答が不可能であり、利用分野
は限られている。−力強誘電性液晶はマイクロ秒単位の
応答速度及びメモリ効果の為に、高速表示素子、メモリ
形デイスプレィ、液晶シャッター等の分野に適用が可能
である。現在配向方法としてはラビング法、斜方蒸着法
、磁界印加法、電界印加法、シェアリング法等が考案さ
れており、量産性、実用性の面に於いてはラビング法が
最も優れているが、ラビング配同法では一軸性が強すぎ
るために単安定になったり、あるいはツイスト安定にな
り、良好なユニフォーム形の双安定な特性を得る事は困
難であるまた強誘電性液晶においてIso相からSmC
”相までの相系列は ■ I so−+SmA −” SmC”
(IAC系)■ I 5o−= N”
→SmC” (INC系)■ I
5o−I−N” −SmA−” SmC” (
INAC系)■ I so−* SmC”
(r(:系)などが考えられる。
所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現在
使用されているネマチック液晶は応答速度が数ミリ−数
十ミリ秒と遅い為に高速応答が不可能であり、利用分野
は限られている。−力強誘電性液晶はマイクロ秒単位の
応答速度及びメモリ効果の為に、高速表示素子、メモリ
形デイスプレィ、液晶シャッター等の分野に適用が可能
である。現在配向方法としてはラビング法、斜方蒸着法
、磁界印加法、電界印加法、シェアリング法等が考案さ
れており、量産性、実用性の面に於いてはラビング法が
最も優れているが、ラビング配同法では一軸性が強すぎ
るために単安定になったり、あるいはツイスト安定にな
り、良好なユニフォーム形の双安定な特性を得る事は困
難であるまた強誘電性液晶においてIso相からSmC
”相までの相系列は ■ I so−+SmA −” SmC”
(IAC系)■ I 5o−= N”
→SmC” (INC系)■ I
5o−I−N” −SmA−” SmC” (
INAC系)■ I so−* SmC”
(r(:系)などが考えられる。
強誘電性液晶の配向はSmC”相よりも高温側の相系列
に大きく依存する。従来はSmC”相で均一な配向を行
う為にはN”相が必要であり、N1相のピッチが長い程
、薄いセルに於ては強誘電性液晶のらせんがほどけ、S
mA相になった場合に相がきちんと整列し、SmC”相
においても良好な配向が得られると考えられていた。
に大きく依存する。従来はSmC”相で均一な配向を行
う為にはN”相が必要であり、N1相のピッチが長い程
、薄いセルに於ては強誘電性液晶のらせんがほどけ、S
mA相になった場合に相がきちんと整列し、SmC”相
においても良好な配向が得られると考えられていた。
発明が解決しようとする課題
上記の様なN“相を示す強誘電性液晶はSmA相では層
がきちんと整列するが、SmA相からSmC”相に転移
した場合に分子が層法線から傾くために層をゆがめてし
まい多(のディスクリネーションが生じたり、単安定や
ツイスト安定になってしまう。またSmA相のない強誘
電性液晶(INC系)(IC系)を用いると層方向か規
制されないために配向がみだれ、IAC系液晶を用いて
もINC系やIC系程ではないが、層方向が揃いにくく
なる。
がきちんと整列するが、SmA相からSmC”相に転移
した場合に分子が層法線から傾くために層をゆがめてし
まい多(のディスクリネーションが生じたり、単安定や
ツイスト安定になってしまう。またSmA相のない強誘
電性液晶(INC系)(IC系)を用いると層方向か規
制されないために配向がみだれ、IAC系液晶を用いて
もINC系やIC系程ではないが、層方向が揃いにくく
なる。
課題を解決するための手段
自発分極が20nC/cJ以上、100nC/cnl以
下であり、相転移系列において等六相とカイラルネマテ
ィック相とスメクティックA相の3重点を有する強誘電
性液晶組成物を用いる。
下であり、相転移系列において等六相とカイラルネマテ
ィック相とスメクティックA相の3重点を有する強誘電
性液晶組成物を用いる。
作用
この強誘電性液晶を用いると高速、高コントラストで、
ユニフォーム形の双安定な特性を得る事が出来る。
ユニフォーム形の双安定な特性を得る事が出来る。
実施例
以下、本発明の一実施例の強誘電性液晶組成物について
、図面を参照しながら説明する。
、図面を参照しながら説明する。
第1図に示すように透明ガラス基板1.2上に透明電極
としてITO膜3,4を形成し、その上に配向膜として
ポリイミド樹脂をスピンナーにより塗布し5,6両方の
基板の配向膜上にラビング処理を施し、この基板の配向
膜同士を貼り合せる。
としてITO膜3,4を形成し、その上に配向膜として
ポリイミド樹脂をスピンナーにより塗布し5,6両方の
基板の配向膜上にラビング処理を施し、この基板の配向
膜同士を貼り合せる。
セルの厚さはシール樹脂7に混入したスペーサーにより
、2umとしている。このセルに強誘電性液晶8を封入
した。この強誘電性液晶の相系列を第2図の様に変化さ
せ、A、B、C状態それぞれでのコントラストを〈表1
〉に示す。
、2umとしている。このセルに強誘電性液晶8を封入
した。この強誘電性液晶の相系列を第2図の様に変化さ
せ、A、B、C状態それぞれでのコントラストを〈表1
〉に示す。
〈表1〉
この結果より明らかなようにA状G(IAC系)ではI
so相からSmA相に転移する際に分子長軸の配向と層
の形成が同時に起るために層方向か揃いに(くなる。ま
たC状G (INAC系)ではSmA相での配向は良好
であるが、SmA相での規制力が強すぎるためにSmA
相からSmC”相に転移する際に層がゆがんでしまう。
so相からSmA相に転移する際に分子長軸の配向と層
の形成が同時に起るために層方向か揃いに(くなる。ま
たC状G (INAC系)ではSmA相での配向は良好
であるが、SmA相での規制力が強すぎるためにSmA
相からSmC”相に転移する際に層がゆがんでしまう。
これに対してB状態ではA状態よりはSmA相での配向
が良く、またC状態はど規制力が強くないので、SmA
相からSmC”相への転移においても層が曲る事なく、
良好な配向を示し、高コントラストで双安定な特性か得
られた。
が良く、またC状態はど規制力が強くないので、SmA
相からSmC”相への転移においても層が曲る事なく、
良好な配向を示し、高コントラストで双安定な特性か得
られた。
また自発分極が20nC/cfflより小さいとツイス
ト安定になるためにコントラストが悪くなり、100
n C/cI11より太き(なると単安定となった〈表
2〉 なお上記の発明において基板は少なくとも一方が透明で
あれば良く、また配向膜としてポリイミドを例にとり説
明したが、それ以外の材料でも良く、また配向膜により
表面処理を施さなくても可能である。
ト安定になるためにコントラストが悪くなり、100
n C/cI11より太き(なると単安定となった〈表
2〉 なお上記の発明において基板は少なくとも一方が透明で
あれば良く、また配向膜としてポリイミドを例にとり説
明したが、それ以外の材料でも良く、また配向膜により
表面処理を施さなくても可能である。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によれば自発分
極が20nC/cn1以上100 n C/ cA以下
であり、相転移系列において等六相とカイラルネマティ
ック相とカイラルスメクティック相の3重点を有する強
誘電性液晶を用いる事により、高速、高コントラストな
ユニフォーム形の双安定な特性を得る事が出来た。
極が20nC/cn1以上100 n C/ cA以下
であり、相転移系列において等六相とカイラルネマティ
ック相とカイラルスメクティック相の3重点を有する強
誘電性液晶を用いる事により、高速、高コントラストな
ユニフォーム形の双安定な特性を得る事が出来た。
第1図は本発明の一実施例による強誘電性液晶パネルの
構成図、第2図は強誘電性液晶の相系列を示すグラフで
ある。 ■・・・・・・上ガラス基板、2・・・・・・下ガラス
基板、3゜4・・・・・・ITO電極、5.6・・・・
・・配向月莫、7・・・・・・シール樹脂、8・・・・
・・強誘電性液晶。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名品 度
(°C) 斜 斜 く 濃(踏−爾斤 賓 1 」門はミ 婢子蕩0匂191 存卑 対XX 別品 ぷ哄哄 騨 財A
構成図、第2図は強誘電性液晶の相系列を示すグラフで
ある。 ■・・・・・・上ガラス基板、2・・・・・・下ガラス
基板、3゜4・・・・・・ITO電極、5.6・・・・
・・配向月莫、7・・・・・・シール樹脂、8・・・・
・・強誘電性液晶。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名品 度
(°C) 斜 斜 く 濃(踏−爾斤 賓 1 」門はミ 婢子蕩0匂191 存卑 対XX 別品 ぷ哄哄 騨 財A
Claims (2)
- (1)相転移系列において等方相とカイラルネマティッ
ク相とスメクティックA相の3重点を有することを特徴
とする強誘電性液晶組成物。 - (2)強誘電性液晶組成物の自発分極が20nC/cm
^2以上100nC/cm^2以下であることを特徴と
する請求項(1)記載の強誘電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8153788A JPH0816222B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8153788A JPH0816222B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01254792A true JPH01254792A (ja) | 1989-10-11 |
JPH0816222B2 JPH0816222B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=13749051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8153788A Expired - Fee Related JPH0816222B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0816222B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02271326A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 液晶光学素子及びその駆動方法 |
JP2004144866A (ja) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Nec Corp | 液晶セルおよび液晶デバイス |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP8153788A patent/JPH0816222B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02271326A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 液晶光学素子及びその駆動方法 |
JP2004144866A (ja) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Nec Corp | 液晶セルおよび液晶デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0816222B2 (ja) | 1996-02-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |