JPS6330828A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS6330828A JPS6330828A JP17441786A JP17441786A JPS6330828A JP S6330828 A JPS6330828 A JP S6330828A JP 17441786 A JP17441786 A JP 17441786A JP 17441786 A JP17441786 A JP 17441786A JP S6330828 A JPS6330828 A JP S6330828A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示装置の製造方法に関し、詳しくは強誘
電性液晶を用いた液晶表示装置の製造方法に関するもの
である。
電性液晶を用いた液晶表示装置の製造方法に関するもの
である。
［従来の技術］
従来、強誘電性液晶を利用した液晶表示装置は応答速度
か速く、メモリ表示か可使なことから、表示容量の大き
い大型表示素子への応用が大いに期待されている。
か速く、メモリ表示か可使なことから、表示容量の大き
い大型表示素子への応用が大いに期待されている。
しかしなから、強、Ｊ電性液晶のディスプレイを実現す
る為には、液晶材料、分子配向法、超薄型パネルの製造
、高時分割駆動方式等の課題か多く残されている。
る為には、液晶材料、分子配向法、超薄型パネルの製造
、高時分割駆動方式等の課題か多く残されている。
それ等の中て、分子配向法においては、基板北に従来の
ＴＮ型ＬＣＤ （ツィステッド・ネマチック型液晶表示
素子）に用いられれているポリイミド、ポリビニルアル
コール等の高分子膜を形成し、−方向にラビング処理す
る方法か行われているか、強誘電性液晶を注入した場合
、均一な分子配向か得られない欠点かあった。
ＴＮ型ＬＣＤ （ツィステッド・ネマチック型液晶表示
素子）に用いられれているポリイミド、ポリビニルアル
コール等の高分子膜を形成し、−方向にラビング処理す
る方法か行われているか、強誘電性液晶を注入した場合
、均一な分子配向か得られない欠点かあった。
他方、上下基板の配向処理を変える等の方法か行われて
いるか、いずれもメモリ性の無い領域か発生したり、コ
ントラストか不十分な欠点かあった。
いるか、いずれもメモリ性の無い領域か発生したり、コ
ントラストか不十分な欠点かあった。
〔発明か解決しようとする問題点］
本発明者らの実験によれば、従来の配向制御膜によって
配向させて得られた非らせん構造の強誘電性液晶でのチ
ルト角θ（第３図に示す角度）からせん構造をもつ強誘
電性液晶てのチルト角（第２図に示す三角錐の頂角の１
７２の角度■）と較べて小さくなっていることか判明し
た。特に、従来の配向制御膜によって配向させて得た非
らせん構造の強誘電性液晶てのチルト角θは、一般に１
０゜程度て、その時の透過率はせいぜい３〜５％程度て
あった。
配向させて得られた非らせん構造の強誘電性液晶でのチ
ルト角θ（第３図に示す角度）からせん構造をもつ強誘
電性液晶てのチルト角（第２図に示す三角錐の頂角の１
７２の角度■）と較べて小さくなっていることか判明し
た。特に、従来の配向制御膜によって配向させて得た非
らせん構造の強誘電性液晶てのチルト角θは、一般に１
０゜程度て、その時の透過率はせいぜい３〜５％程度て
あった。
この様に、双安定性を実現する非らせん構造の強誘電性
液晶てのチルト角からせん構造をもつ強誘電性液晶ての
チルト角と同一の角度をもつはずであるが、実際には非
らせん構造てのチルト角θの方からせん構造てのチルト
角■より小さくなっている。しかも、この非らせん構造
でのチルト角θからせん構造でのチルト角■より小さく
なる原因か非らせん構造での液晶分子のねじれ配列に帰
因していることか判明した。つまり、非らせん構造をも
つ強誘電性液晶では、液晶分子が基板の法線に対してＬ
基板に隣接する液晶分子の軸より下基板に隣接する液晶
分子の軸（ねじれ配列の方向）へ連続的にねしれ角δて
ねしれて配列しており、このことか非らせん構造でのチ
ルト角０からせん構造でのチルト角■より小さくなる原
因とされている。
液晶てのチルト角からせん構造をもつ強誘電性液晶ての
チルト角と同一の角度をもつはずであるが、実際には非
らせん構造てのチルト角θの方からせん構造てのチルト
角■より小さくなっている。しかも、この非らせん構造
でのチルト角θからせん構造でのチルト角■より小さく
なる原因か非らせん構造での液晶分子のねじれ配列に帰
因していることか判明した。つまり、非らせん構造をも
つ強誘電性液晶では、液晶分子が基板の法線に対してＬ
基板に隣接する液晶分子の軸より下基板に隣接する液晶
分子の軸（ねじれ配列の方向）へ連続的にねしれ角δて
ねしれて配列しており、このことか非らせん構造でのチ
ルト角０からせん構造でのチルト角■より小さくなる原
因とされている。
第４図は従来の強誘電性液晶を配向させる処理方法て、
基板１に対し、ラビング方向２を図示する方向に行い、
約１ｐのセル厚のセルを作成し、カイラルスメクチック
液晶を注入すると、配向方向は３の方向でチルト角θを
示す。液晶本来のカイラルピッチか超薄膜セルの為に、
第３図に示す非らせん構造の両サイドにおいて分子配向
位置か決定されるか、そのチルト角θは理想状態である
チルト角■をとることは難しく、それよりも小さい値と
なる。
基板１に対し、ラビング方向２を図示する方向に行い、
約１ｐのセル厚のセルを作成し、カイラルスメクチック
液晶を注入すると、配向方向は３の方向でチルト角θを
示す。液晶本来のカイラルピッチか超薄膜セルの為に、
第３図に示す非らせん構造の両サイドにおいて分子配向
位置か決定されるか、そのチルト角θは理想状態である
チルト角■をとることは難しく、それよりも小さい値と
なる。
本発明の目的は上記の様な従来例の欠点を除去し、均一
なモノドメインの液晶配向か得られ、均一て高コントラ
ストなメモリ性を有する液晶表示装置の製造方法を提供
することにある。
なモノドメインの液晶配向か得られ、均一て高コントラ
ストなメモリ性を有する液晶表示装置の製造方法を提供
することにある。
又、他の目的は０＾機器に利用しうる大面積てかつ高精
細なディスプレイを提供することにある。
細なディスプレイを提供することにある。
［問題点を解決するための手段コ
即ち、本発明は表面に透明電極を形成した２枚の基板間
に強誘電性液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法
において、少なくとも一方の基板上に配向膜を形成して
一方向に水平配向処理し、次いで該配向膜上に垂直配向
膜を形成した後、前記方向と異なる方向にラビング処理
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
に強誘電性液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法
において、少なくとも一方の基板上に配向膜を形成して
一方向に水平配向処理し、次いで該配向膜上に垂直配向
膜を形成した後、前記方向と異なる方向にラビング処理
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の液晶表示装置の製造方
法の一例を示す工程図である。本発明の液晶表示装置の
製造方法は、先ず、第１図（ａ）において、基板ｌの上
に電極パターン５を形成した後、第１図（ｂ）に示す様
にその上に高分子フィルム材料を塗布し、加熱、硬化せ
しめて配向［６を形成する。次に、第１図（Ｃ）におい
て、配向膜６の上を綿布等て外周面を被覆したラビング
ローラー７を回転しなから移動せしめ、一方向にラビン
グを行い、水平配向処理を施す、さらに第１図（ｄ）に
おいて、前記配向膜の上に垂直配向膜８を形成した後、
第１図（ｅ） 、 （ｆ）に示す如く、前記水平配向処
理を行った第１回目のラビング方向４と異なる第２回目
のラビング方向９にラビング処理を施す。この様にして
得られた基板を少なくとも一方の基板として使用して、
２枚の基板を対向せしめ、その間にスペーサーを介在せ
しめてシール材て貼り合わせてセルを作成し、該セルに
強誘電性液晶を注入することにより液晶表示装置を得る
ことができる。
法の一例を示す工程図である。本発明の液晶表示装置の
製造方法は、先ず、第１図（ａ）において、基板ｌの上
に電極パターン５を形成した後、第１図（ｂ）に示す様
にその上に高分子フィルム材料を塗布し、加熱、硬化せ
しめて配向［６を形成する。次に、第１図（Ｃ）におい
て、配向膜６の上を綿布等て外周面を被覆したラビング
ローラー７を回転しなから移動せしめ、一方向にラビン
グを行い、水平配向処理を施す、さらに第１図（ｄ）に
おいて、前記配向膜の上に垂直配向膜８を形成した後、
第１図（ｅ） 、 （ｆ）に示す如く、前記水平配向処
理を行った第１回目のラビング方向４と異なる第２回目
のラビング方向９にラビング処理を施す。この様にして
得られた基板を少なくとも一方の基板として使用して、
２枚の基板を対向せしめ、その間にスペーサーを介在せ
しめてシール材て貼り合わせてセルを作成し、該セルに
強誘電性液晶を注入することにより液晶表示装置を得る
ことができる。
本発明において、水平配向処理で用いられる高分子フィ
ルム材料としては、例えばポリイミドやポリビニルアル
コールかある。一方垂直配向膜としてはフン化炭索鎖を
有する界面活性剤（ダイキンＦＳ１５０ ） 、やフッ
化炭素鎚を有するケイ素酸エステル（ダイキンＦＳ１１
６ ） 、４級アンモニウム塩界面活性剤（ＤＭＯＡＦ
）、レシチン、ヘキサデシルアミン等の被膜か用いられ
る。
ルム材料としては、例えばポリイミドやポリビニルアル
コールかある。一方垂直配向膜としてはフン化炭索鎖を
有する界面活性剤（ダイキンＦＳ１５０ ） 、やフッ
化炭素鎚を有するケイ素酸エステル（ダイキンＦＳ１１
６ ） 、４級アンモニウム塩界面活性剤（ＤＭＯＡＦ
）、レシチン、ヘキサデシルアミン等の被膜か用いられ
る。
また、第１回目のラビング方向と第２回目のラビング方
向の相違する角度は、約２２．５°以下、好ましくは１
８″〜２２．５’が望ましい。
向の相違する角度は、約２２．５°以下、好ましくは１
８″〜２２．５’が望ましい。
［作用］
本発明は液晶表示装置の少なくとも一方の基板上に一方
向に水平配向処理をした配向膜を設け、さらにその上に
垂直配向膜を形成して配向膜と異なる方向にラビング処
理を施しているので１強誘電性液晶の非らせん構造によ
って発現する少なくとも２つの安定状態が表われる際に
、液晶分子の基板間におけるねじれ配列が調整され、双
安定状態下てのチルト角を増大させ、均一なモノドメイ
ンの液晶配向が得られるものと推定される。
向に水平配向処理をした配向膜を設け、さらにその上に
垂直配向膜を形成して配向膜と異なる方向にラビング処
理を施しているので１強誘電性液晶の非らせん構造によ
って発現する少なくとも２つの安定状態が表われる際に
、液晶分子の基板間におけるねじれ配列が調整され、双
安定状態下てのチルト角を増大させ、均一なモノドメイ
ンの液晶配向が得られるものと推定される。
［実施例コ
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１および比較例１
電極パターンニングしたガラス基板上に、ポリイミド（
東し■製、５Ｐ−５１０２％ＮＭＰ溶液）をスピンナー
にて２０００ｒｐｍ 、 ２０ｓｅｃ″′Ｃ塗布し、
３０００Ｃて１時間の加熱を行った。キュアー後、ポリ
イミド膜を一方向にラビング（１１０００ｒｐ 、 ３
往復）した。
東し■製、５Ｐ−５１０２％ＮＭＰ溶液）をスピンナー
にて２０００ｒｐｍ 、 ２０ｓｅｃ″′Ｃ塗布し、
３０００Ｃて１時間の加熱を行った。キュアー後、ポリ
イミド膜を一方向にラビング（１１０００ｒｐ 、 ３
往復）した。
次に、垂直配向剤（ダイキン株製、ＦＳ−１１６１０％
フロン溶液）を回しくスピンナーにて（２０００ｒｐｍ
、２０ｓｅｃ ）を塗布し、２００℃で１時間加熱を
行った。キュアー後、１回目に行ったラビング方向に対
し、基板を２２．５＠回転させてラビング（５００ｒｐ
ｍ、 １往復）を行った。
フロン溶液）を回しくスピンナーにて（２０００ｒｐｍ
、２０ｓｅｃ ）を塗布し、２００℃で１時間加熱を
行った。キュアー後、１回目に行ったラビング方向に対
し、基板を２２．５＠回転させてラビング（５００ｒｐ
ｍ、 １往復）を行った。
この様にして得られた基板と同様に処理されたもう一方
の基板を用いて、シールスペーサーにより約１．５ Ｊ
Ｌのギャップ厚でセルを構成し、空隙に強誘電性液晶（
チッソ■製、Ｃ３−１０１４）を注入し、封口剤（チッ
ソ沖製、リクソンボント＋００２）で封口し、液晶表示
装置を作成した。
の基板を用いて、シールスペーサーにより約１．５ Ｊ
Ｌのギャップ厚でセルを構成し、空隙に強誘電性液晶（
チッソ■製、Ｃ３−１０１４）を注入し、封口剤（チッ
ソ沖製、リクソンボント＋００２）で封口し、液晶表示
装置を作成した。
本発明により作成した液晶セルの１つの分子配向方向と
それにクロスする様に偏光軸を合せて上下に偏光板を具
備し、上下電極にパルス電圧（１８Ｖ 、１００ｇ５ｅ
ｃ又は−１８Ｖ、１００ｇ５ｅｃ ）を印加してスイッ
チング特性を測定した。
それにクロスする様に偏光軸を合せて上下に偏光板を具
備し、上下電極にパルス電圧（１８Ｖ 、１００ｇ５ｅ
ｃ又は−１８Ｖ、１００ｇ５ｅｃ ）を印加してスイッ
チング特性を測定した。
また、比較例として前記の水平配向処理のみを施した液
晶セルを用いて同様の試験を行った。その結果を表１に
示す。
晶セルを用いて同様の試験を行った。その結果を表１に
示す。
表１に示す様に本発明は良好な結果か得られたことか認
められる。
められる。
表 １
また１本発明の液晶表示装置の作成方法において、いず
れか一方の基板に前記配向処理を実施した基板を使用し
ても同様の結果かえられた。
れか一方の基板に前記配向処理を実施した基板を使用し
ても同様の結果かえられた。
［３？！明の効果］
以上説明したように、本発明の方法により製造された液
晶表示装置は、強誘電性液晶において均一なモノドメイ
ンの液晶配向か容易に得られると共に表示素子として表
示認識性が向上する優れた効果かある。
晶表示装置は、強誘電性液晶において均一なモノドメイ
ンの液晶配向か容易に得られると共に表示素子として表
示認識性が向上する優れた効果かある。
第１図は本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を示す
工程図、第２図はらせん構造の強誘電性液晶を用いた液
晶素子を模式的に表わす斜視図、第３図は非らせん構造
の強誘電性液晶を用いた液晶素子を模式的に表わす斜視
図および第４図は従来の液晶表示装置のラビング処理を
示す説明図である。 ■・−・ガラス基板 ２・・・ラビング方向 ３・・・液晶分子配列方向 ４・・・第１回目のラビング方向 ５・・・電極パターン ６・・・配向膜 ７・・・ラビングローラー ８・・・垂直配向膜 ９・・・第２回目のラビンク方向 第１図 第２図 第３図
工程図、第２図はらせん構造の強誘電性液晶を用いた液
晶素子を模式的に表わす斜視図、第３図は非らせん構造
の強誘電性液晶を用いた液晶素子を模式的に表わす斜視
図および第４図は従来の液晶表示装置のラビング処理を
示す説明図である。 ■・−・ガラス基板 ２・・・ラビング方向 ３・・・液晶分子配列方向 ４・・・第１回目のラビング方向 ５・・・電極パターン ６・・・配向膜 ７・・・ラビングローラー ８・・・垂直配向膜 ９・・・第２回目のラビンク方向 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 表面に透明電極を形成した２枚の基板間に強誘電性液晶
を挟持してなる液晶表示装置の製造方法において、少な
くとも一方の基板上に配向膜を形成して一方向に水平配
向処理し、次いで該配向膜上に垂直配向膜を形成した後
、前記方向と異なる方向にラビング処理することを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17441786A JPH07119912B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17441786A JPH07119912B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6330828A true JPS6330828A (ja) | 1988-02-09 |
| JPH07119912B2 JPH07119912B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=15978185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17441786A Expired - Fee Related JPH07119912B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07119912B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH032726A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶素子 |
| US5172255A (en) * | 1989-10-06 | 1992-12-15 | Nokia Unterhaltungselektronik (Deutschland) Gmbh | Process for increasing pretilt angles in nematic liquid crystal cells |
| US5668615A (en) * | 1994-01-31 | 1997-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | LCD device with alignment films having a pretilt changing characteristic |
| KR100695304B1 (ko) * | 2000-11-14 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 강유전성 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP17441786A patent/JPH07119912B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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