JPH07119912B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH07119912B2 JPH07119912B2 JP17441786A JP17441786A JPH07119912B2 JP H07119912 B2 JPH07119912 B2 JP H07119912B2 JP 17441786 A JP17441786 A JP 17441786A JP 17441786 A JP17441786 A JP 17441786A JP H07119912 B2 JPH07119912 B2 JP H07119912B2
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は液晶表示装置の製造方法に関し、詳しくは強誘
電性液晶を用いた液晶表示装置の製造方法に関するもの
である。
電性液晶を用いた液晶表示装置の製造方法に関するもの
である。
［従来の技術］ 従来、強誘電性液晶を利用した液晶表示装置は応答速度
が速く、メモリ表示が可能なことから、表示容量の大き
い大型表示素子への応用が大いに期待されている。
が速く、メモリ表示が可能なことから、表示容量の大き
い大型表示素子への応用が大いに期待されている。
しかしながら、強誘電性液晶のディスプレイを実現する
為には、液晶材料、分子配向法、超薄型パネルの製造、
高時分割駆動方式等の課題が多く残されている。
為には、液晶材料、分子配向法、超薄型パネルの製造、
高時分割駆動方式等の課題が多く残されている。
それ等の中で、分子配向法においては、基板上に従来の
TN型LCD（ツイステッド・ネマチック型液晶表示素子）
に用いられれているポリイミド、ポリビニルアルコール
等の高分子膜を形成し、一方向にラビング処理する方法
が行われているが、強誘電性液晶を注入した場合、均一
な分子配向が得られない欠点があった。
TN型LCD（ツイステッド・ネマチック型液晶表示素子）
に用いられれているポリイミド、ポリビニルアルコール
等の高分子膜を形成し、一方向にラビング処理する方法
が行われているが、強誘電性液晶を注入した場合、均一
な分子配向が得られない欠点があった。
他方、上下基板の配向処理を変える等の方法が行われて
いるが、いずれもメモリ性の無い領域が発生したり、コ
ントラストが不十分な欠点があった。
いるが、いずれもメモリ性の無い領域が発生したり、コ
ントラストが不十分な欠点があった。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明者らの実験によれば、従来の配向制御膜によって
配向させて得られた非らせん構造の強誘電性液晶でのチ
ルト角θ（第３図に示す角度）がらせん構造をもつ強誘
電性液晶でのチルト角（第２図に示す三角錐の頂角の1/
2の角度Θ）と較べて小さくなっていることが判明し
た。特に、従来の配向制御膜によって配向させて得た非
らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角θは、一般に10
゜程度で、その時の透過率はせいぜい３〜５％程度であ
った。
配向させて得られた非らせん構造の強誘電性液晶でのチ
ルト角θ（第３図に示す角度）がらせん構造をもつ強誘
電性液晶でのチルト角（第２図に示す三角錐の頂角の1/
2の角度Θ）と較べて小さくなっていることが判明し
た。特に、従来の配向制御膜によって配向させて得た非
らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角θは、一般に10
゜程度で、その時の透過率はせいぜい３〜５％程度であ
った。
この様に、双安定性を実現する非らせん構造の強誘電性
液晶でのチルト角がらせん構造をもつ強誘電性液晶での
チルト角と同一の角度をもつはずであるが、実際には非
らせん構造でのチルト角θの方がらせん構造でのチルト
角Θより小さくなっている。しかも、この非らせん構造
でのチルト角θがらせん構造でのチルト角Θより小さく
なる原因が非らせん構造での液晶分子のねじれ配列に帰
因していることが判明した。つまり、非らせん構造をも
つ強誘電性液晶は、液晶分子が基板の法線に対して上基
板に隣接する液晶分子の軸より下基板に隣接する液晶分
子の軸（ねじれ配列の方向）へ連続的にねじれ角δでね
じれて配列しており、このことが非らせん構造でのチル
ト角θがらせん構造でのチルト角Θより小さくなる原因
とされている。
液晶でのチルト角がらせん構造をもつ強誘電性液晶での
チルト角と同一の角度をもつはずであるが、実際には非
らせん構造でのチルト角θの方がらせん構造でのチルト
角Θより小さくなっている。しかも、この非らせん構造
でのチルト角θがらせん構造でのチルト角Θより小さく
なる原因が非らせん構造での液晶分子のねじれ配列に帰
因していることが判明した。つまり、非らせん構造をも
つ強誘電性液晶は、液晶分子が基板の法線に対して上基
板に隣接する液晶分子の軸より下基板に隣接する液晶分
子の軸（ねじれ配列の方向）へ連続的にねじれ角δでね
じれて配列しており、このことが非らせん構造でのチル
ト角θがらせん構造でのチルト角Θより小さくなる原因
とされている。
第４図は従来の強誘電性液晶を配向させる処理方法で、
基板１に対し、ラビング方向２を図示する方向に行い、
約１μのセル厚のセルを作成し、カイラルスメクチック
液晶を注入すると、配向方向は３の方向でチルト角θを
示す。液晶本来のカイラルピッチが超薄膜セルの為に、
第３図に示す非らせん構造の両サイズにおいて分子配向
位置が決定されるが、そのチルト角θは理想状態である
チルト角Θをとることは難しく、それよりも小さい値と
なる。
基板１に対し、ラビング方向２を図示する方向に行い、
約１μのセル厚のセルを作成し、カイラルスメクチック
液晶を注入すると、配向方向は３の方向でチルト角θを
示す。液晶本来のカイラルピッチが超薄膜セルの為に、
第３図に示す非らせん構造の両サイズにおいて分子配向
位置が決定されるが、そのチルト角θは理想状態である
チルト角Θをとることは難しく、それよりも小さい値と
なる。
本発明の目的は上記の様な従来例の欠点を除去し、均一
なモノドメインの液晶配向が得られ、均一で高コントラ
ストなメモリ性を有する液晶表示装置の製造方法を提供
することにある。
なモノドメインの液晶配向が得られ、均一で高コントラ
ストなメモリ性を有する液晶表示装置の製造方法を提供
することにある。
又、他の目的はOA機器に利用しうる大面積でかつ高精細
なディスプレイを提供することにある。
なディスプレイを提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 即ち、本発明は表面に透明電極を形成した２枚の基板間
に強誘電性液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法
において、少なくとも一方の基板上に配向膜を形成して
一方向に水平配向処理し、次いで該配向膜上に垂直配向
膜を形成した後、前記方向と異なる方向にラビング処理
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
に強誘電性液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法
において、少なくとも一方の基板上に配向膜を形成して
一方向に水平配向処理し、次いで該配向膜上に垂直配向
膜を形成した後、前記方向と異なる方向にラビング処理
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
以下、本発明を詳細に説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の液晶表示装置の製造方
法の一例を示す工程図である。本発明の液晶表示装置の
製造方法は、先ず、第１図（ａ）において、基板１の上
に電極パターン５を形成した後、第１図（ｂ）に示す様
にその上に高分子フィルム材料を塗布し、加熱、硬化せ
しめて配向膜６を形成する。次に、第１図（ｃ）におい
て、配向膜６の上を綿布等で外周面を被覆したラビング
ローラー７を回転しながら移動せしめ、一方向にラビン
グを行い、水平配向処理を施す。さらに第１図（ｄ）に
おいて、前記配向膜の上に垂直配向膜８を形成した後、
第１図（ｅ），（ｆ）に示す如く、前記水平配向処理を
行った第１回目のラビング方向４と異なる第２回目のラ
ビング方向９にラビング処理を施す。この様にして得ら
れた基板を少なくとも一方の基板として使用して、２枚
の基板を対向せしめ、その間にスペーサーを介在せしめ
てシール材で貼り合わせてセルを作成し、該セルに強誘
電性液晶を注入することにより液晶表示装置を得ること
ができる。
法の一例を示す工程図である。本発明の液晶表示装置の
製造方法は、先ず、第１図（ａ）において、基板１の上
に電極パターン５を形成した後、第１図（ｂ）に示す様
にその上に高分子フィルム材料を塗布し、加熱、硬化せ
しめて配向膜６を形成する。次に、第１図（ｃ）におい
て、配向膜６の上を綿布等で外周面を被覆したラビング
ローラー７を回転しながら移動せしめ、一方向にラビン
グを行い、水平配向処理を施す。さらに第１図（ｄ）に
おいて、前記配向膜の上に垂直配向膜８を形成した後、
第１図（ｅ），（ｆ）に示す如く、前記水平配向処理を
行った第１回目のラビング方向４と異なる第２回目のラ
ビング方向９にラビング処理を施す。この様にして得ら
れた基板を少なくとも一方の基板として使用して、２枚
の基板を対向せしめ、その間にスペーサーを介在せしめ
てシール材で貼り合わせてセルを作成し、該セルに強誘
電性液晶を注入することにより液晶表示装置を得ること
ができる。
本発明において、水平配向処理で用いられる高分子フィ
ルム材料としては、例えばポリイミドやポリビニルアル
コールがある。一方垂直配向膜としてはフッ化炭素鎖を
有する界面活性剤（ダイキンFS150）や、フッ化炭素鎖
を有するケイ素酸エステル（ダイキンFS116）、４級ア
ンモニウム塩界面活性剤（DMOAF）、レシチン、ヘキサ
デシルアミン等の被膜が用いられる。
ルム材料としては、例えばポリイミドやポリビニルアル
コールがある。一方垂直配向膜としてはフッ化炭素鎖を
有する界面活性剤（ダイキンFS150）や、フッ化炭素鎖
を有するケイ素酸エステル（ダイキンFS116）、４級ア
ンモニウム塩界面活性剤（DMOAF）、レシチン、ヘキサ
デシルアミン等の被膜が用いられる。
また、第１回目のラビング方向と第２回目のラビング方
向の相違する角度は、約22.5゜以下、好ましくは18゜〜
22.5゜が望ましい。
向の相違する角度は、約22.5゜以下、好ましくは18゜〜
22.5゜が望ましい。
［作用］ 本発明は液晶表示装置の少なくとも一方の基板上に一方
向に水平配向処理をした配向膜を設け、さらにその上に
垂直配向膜を形成して配向膜と異なる方向にラビング処
理を施しているので、強誘電性液晶の非らせん構造によ
って発現する少なくとも２つの安定状態が表われる際
に、液晶分子の基板間におけるねじれ配列が調整され、
双安定状態下でのチルト角を増大させ、均一なモノドメ
インの液晶配向が得られるものと推定される。
向に水平配向処理をした配向膜を設け、さらにその上に
垂直配向膜を形成して配向膜と異なる方向にラビング処
理を施しているので、強誘電性液晶の非らせん構造によ
って発現する少なくとも２つの安定状態が表われる際
に、液晶分子の基板間におけるねじれ配列が調整され、
双安定状態下でのチルト角を増大させ、均一なモノドメ
インの液晶配向が得られるものと推定される。
［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１および比較例１ 電極パターンニングしたガラス基板上に、ポリイミド
（東レ（株）製、SP−510 ２％NMP溶液）をスピンナー
にて2000rpm、20secで塗布し、300℃で１時間の加熱を
行った。キュアー後、ポリイミド膜を一方向にラビング
（1000rpm、３往復）した。
（東レ（株）製、SP−510 ２％NMP溶液）をスピンナー
にて2000rpm、20secで塗布し、300℃で１時間の加熱を
行った。キュアー後、ポリイミド膜を一方向にラビング
（1000rpm、３往復）した。
次に、垂直配向剤（ダイキン（株）製、FS−11610％フ
ロン溶液）を同じくスピンナーにて（2000rpm、20sec）
を塗布し、200℃で１時間加熱を行った。キュアー後、
１回目に行ったラビング方向に対し、基板を22.5゜回転
させてラビング（500rpm、１往復）を行った。
ロン溶液）を同じくスピンナーにて（2000rpm、20sec）
を塗布し、200℃で１時間加熱を行った。キュアー後、
１回目に行ったラビング方向に対し、基板を22.5゜回転
させてラビング（500rpm、１往復）を行った。
この様にして得られた基板と同様に処理されたもう一方
の基板を用いて、シールスペーサーにより約1.5μのギ
ャップ厚でセルを構成し、空隙に強誘電性液晶（チッソ
（株）製、CS−1014）を注入し、封口剤（チッソ（株）
製、リクソンポンド1002）で封口し、液晶表示装置を作
成した。
の基板を用いて、シールスペーサーにより約1.5μのギ
ャップ厚でセルを構成し、空隙に強誘電性液晶（チッソ
（株）製、CS−1014）を注入し、封口剤（チッソ（株）
製、リクソンポンド1002）で封口し、液晶表示装置を作
成した。
本発明により作成した液晶セルの１つの分子配向方向と
それにクロスする様に偏光軸を合せて上下に偏光板を具
備し、上下電極にパルス電圧（18V、100μsec又は−18
V、100μsec）を印加してスイッチング特性を測定し
た。
それにクロスする様に偏光軸を合せて上下に偏光板を具
備し、上下電極にパルス電圧（18V、100μsec又は−18
V、100μsec）を印加してスイッチング特性を測定し
た。
また、比較例として前記の水平配向処理のみを施した液
晶セルを用いて同様の試験を行った。その結果を表１に
示す。
晶セルを用いて同様の試験を行った。その結果を表１に
示す。
表１に示す様に本発明は良好な結果が得られたことが認
められる。
められる。
また、本発明の液晶表示装置の作成方法において、いず
れか一方の基板に前記配向処理を実施した基板を使用し
ても同様の結果がえられた。
れか一方の基板に前記配向処理を実施した基板を使用し
ても同様の結果がえられた。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の方法により製造された液
晶表示装置は、強誘電性液晶において均一なモノドメイ
ンの液晶配向が容易に得られると共に表示素子として表
示認識性が向上する優れた効果がある。
晶表示装置は、強誘電性液晶において均一なモノドメイ
ンの液晶配向が容易に得られると共に表示素子として表
示認識性が向上する優れた効果がある。
第１図は本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を示す
工程図、第２図はらせん構造の強誘電性液晶を用いた液
晶素子を模式的に表わす斜視図、第３図は非らせん構造
の強誘電性液晶を用いた液晶素子を模式的に表わす斜視
図および第４図は従来の液晶表示装置のラビング処理を
示す説明図である。 １……ガラス基板 ２……ラビング方向 ３……液晶分子配列方向 ４……第１回目のラビング方向 ５……電極パターン ６……配向膜 ７……ラビングローラー ８……垂直配向膜 ９……第２回目のラビング方向
工程図、第２図はらせん構造の強誘電性液晶を用いた液
晶素子を模式的に表わす斜視図、第３図は非らせん構造
の強誘電性液晶を用いた液晶素子を模式的に表わす斜視
図および第４図は従来の液晶表示装置のラビング処理を
示す説明図である。 １……ガラス基板 ２……ラビング方向 ３……液晶分子配列方向 ４……第１回目のラビング方向 ５……電極パターン ６……配向膜 ７……ラビングローラー ８……垂直配向膜 ９……第２回目のラビング方向
Claims (1)
- 【請求項１】表面に透明電極を形成した２枚の基板間に
強誘電性液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法に
おいて、少なくとも一方の基板上に配向膜を形成して一
方向に水平配向処理し、次いで該配向膜上に垂直配向膜
を形成した後、前記方向と異なる方向にラビング処理す
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17441786A JPH07119912B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17441786A JPH07119912B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6330828A JPS6330828A (ja) | 1988-02-09 |
| JPH07119912B2 true JPH07119912B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=15978185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17441786A Expired - Fee Related JPH07119912B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07119912B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH032726A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶素子 |
| US5172255A (en) * | 1989-10-06 | 1992-12-15 | Nokia Unterhaltungselektronik (Deutschland) Gmbh | Process for increasing pretilt angles in nematic liquid crystal cells |
| JPH07218917A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Canon Inc | 液晶表示素子及びその製造方法 |
| KR100695304B1 (ko) * | 2000-11-14 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 강유전성 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP17441786A patent/JPH07119912B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6330828A (ja) | 1988-02-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |