JPH09297306A - 液晶表示素子とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】横方向電界により液晶の配列方向を横方向で制
御することにより表示を行う液晶表示素子において広視
角特性を有し、デューティ比を大きく駆動でき、かつ応
答速度の速い液晶表示素子とその製造方法とを提供す
る。 【解決手段】液晶表示素子は、互いに対向する一対の基
板と、該一対の基板間に挟まれた液晶の層とを有し、一
軸配向の前記液晶に前記基板の面と実質的に平行な方向
の電界を印加することにより前記液晶の分子の配列状態
を前記基板面に水平な方向で変化させて表示を行うもの
であって、前記一対の基板のそれぞれの前記液晶との界
面において、該界面に接する液晶分子が前記電界の印加
で配向方向が実質的に変化しない程度の強さの前記基板
面に平行な方向のアンカリングエネルギを有するように
した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子とそ
の製造方法とに関し、特に基板面に平行な横方向電界に
より液晶分子の配列方向を制御して表示を行う形式の液
晶表示素子と製造方法とに関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、ワードプロセッサやノート型パソ
コンと呼ばれるようなラップトップコンピュータなどを
中心にドットマトリックスタイプの液晶表示素子が盛ん
に使用されている。ドットマトリックスタイプの液晶表
示素子は表示容量が多いために各ピクセルを個別に直接
駆動するスタティック駆動法は使用できず、時分割駆動
法を使用する必要がある。

【０００３】時分割駆動法で液晶表示素子を駆動する場
合、画素が選択された時の平均印加電圧である選択電圧
と画素が選択されなかった時の平均印加電圧である非選
択電圧との差が小さいためにＴＮ（ツイストネマティッ
ク）型液晶表示素子のような透過率の電圧に対する変化
の急峻性が比較的良くない液晶表示素子を用いると、十
分なコントラストが得られず、デューティ比１／３２程
度の時分割駆動が限界であった。

【０００４】この問題を解決するために、ＳＴＮ（スー
パーツイストネマティック）型液晶表示素子や、ＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）等のアクティブスイッチング素子
を組み込んだＴＮ液晶表示素子が用いられるようになっ
た。

【０００５】ＳＴＮ型液晶表示素子はＴＮ型では９０度
であったツイスト角を１８０〜２７０度にすることによ
り前述の急峻性を向上したものであり、デューティ比１
／４８０程度の時分割駆動が可能となっている。しか
し、ＳＴＮ型液晶表示素子には視角範囲が狭いというこ
とと、応答速度が遅いという欠点も有している。

【０００６】また、アクイティブスイッチング素子を組
み込んだＴＮ型液晶表示素子はピクセル毎にスイッチン
グ素子を設けており、スタティック駆動と同様の条件で
駆動できるために、急峻性が悪いＴＮ型液晶表示素子を
用いても十分なコントラスト比を得ることができる。

【０００７】しかし、アクティブ駆動方式では、基板上
にＴＦＴのようなスイッチング素子を１００万個以上形
成する必要があり、非常にコストがかかり、製造歩留り
も非常に悪い。さらに、ＴＮ液晶表示素子が持つ視角特
性の悪さは改善されず、特に中間調表示においては表示
の反転などが生じる場合もあり、ディスプレイ装置とし
て表示品質に改善の余地がある。

【０００８】以上述べたＳＴＮ型液晶表示素子とアクテ
ィブ方式のＴＮ型液晶表示素子の視角特性の悪さは、い
ずれも液晶分子を水平方向（基板面に平行方向）に並ん
だ状態から液晶セルの厚み方向（基板面に垂直方向）の
縦方向電界によって一定方向に立ち上げる（ティルトア
ップする）ように配列状態を変えることにより表示する
モードを採用しているためである。このような、表示モ
ードの液晶表示素子では、表示画面を見る方向（角度）
によって、液晶分子の頭を見たり、液晶分子の腹を見た
りすることになり、視角方向によってリターデーション
が大きく変化してしまうために視角特性が悪くなる。

【０００９】これらの問題を解決するために、液晶分子
を縦方向電界で制御するのでなく、横方向（基板面に平
行）の電界により液晶分子の配列を制御して駆動する方
法が提案されている。

【００１０】これらの方法は、例えば、Ｒ．Ａ．Ｓｏｒ
ｅｆ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４５，５４６６（１９
７４）や、特開平７−７２４９１の中で開示されてい
る。前者の文献に開示の方法は、図２６の（Ｂ）に示す
ように一方の基板１１に設けられた電極対１３により横
方向（基板に平行な方向）の電界を印加して駆動するも
のである。この横電界を制御することにより、液晶分子
１２を図２６の（Ａ）に示すような１軸配向状態（横電
界無し）と同図（Ｂ）の９０度ツイスト配向状態（横電
界有り）との間で状態変化させて表示を行うものであ
る。この方法では液晶の配列状態は実質的にＴＮ型のモ
ードと同じである。しかし、この方法は液晶分子１２の
立ち下がり（ツイスト状態から元の１軸配向に戻る速
度）が遅く応答性が悪いという問題がある。

【００１１】一方、後者の公開公報に開示の方法は、図
２７に示すように上下基板２１上に互いにずらして配置
された電極対２３間にほぼ基板に平行な電界２４を発生
させて液晶分子２２を１軸配向状態を保ったまま液晶分
子全体を別の方向に変えて表示を行うものである。

【００１２】図２７の（Ａ）は電圧が印加されていない
１軸配向の状態を示した側断面図、同図（Ｃ）がその状
態の平面図であり、同図（Ｂ）は横電界２４が印加され
て液晶分子２２全体を別の方向に向けた状態を示した側
断面図、同図（Ｄ）がその状態の平面図である。

【００１３】しかし、この方法は、デューティ比１／４
０以上の時分割駆動には向かないことが同公開公報の明
細書中に記載されている。なお、「ディーティ比」は分
母の数値で大小を言う。従って、ディーティ比１／４０
以上とは、比の数値としては１／４０以下（分母が４０
以上）の意味である。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
技術による横方向電界による駆動方式では、液晶分子を
縦方向電界によってティルトアップすることなしに表示
を行うので、一般的なＴＮ型液晶表示素子やＳＴＮ型液
晶表示素子に比べて視角特性が非常に良いという特徴を
持っている。

【００１５】しかし、この駆動方式では横方向電界によ
り界面の液晶分子を基板と平行な面内で方位角方向（以
下、横方向と称する。）に動かさなければならない。そ
のためには、液晶分子と基板界面との横方向のアンカリ
ング強度を小さくしなければならない。

【００１６】通常の液晶表示素子ではポリイミド配向膜
をかなり強くラビングして液晶分子を配向させているた
めに横方向のアンカリングエネルギは１×１０^-4Ｊ／ｍ
² 〜１×１０^-3Ｊ／ｍ² とかなり強くなっている。この
ために、従来の技術による配向構造は横方向電界による
駆動方式には向かない。従って、非常に弱いラビングや
特別な配向膜を使用しなければならない。

【００１７】ところが、弱いアンカリング強度の配向を
基板全面に渡って均一に得ることは非常に難しい。また
たとえそのような配向が得られたとしても、界面のアン
カリング強度が弱いと、電界印加により液晶分子を初期
配向方向から別の方向に動かす際に、電界印加によって
配向が乱れたり、はなはだしい場合には電界を除いても
初期配向状態に戻らずに途中の状態に液晶分子が止まっ
てしまうことが起こる。このような場合には表示の焼き
付きとして視認されてしまう。

【００１８】従来技術では、横方向電界によって電界の
液晶分子も回転させようとし、良好な結果が得られてい
ない。本発明者は、界面の液晶分子は回転させなくても
横方向電界による液晶表示は可能ではないかと考察し
た。

【００１９】本発明の目的は、横方向電界により液晶の
配列方向を横方向で制御することにより表示を行う液晶
表示素子において広視角特性を有し、大きなデューティ
比で駆動でき、かつ応答速度の速い液晶表示素子とその
製造方法とを提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示素
子は、互いに対向する一対の基板と、該一対の基板間に
挟まれた液晶の層とを有し、一軸配向の前記液晶に前記
基板の面と実質的に平行な方向の電界を印加することに
より前記液晶の分子の配列状態を前記基板面に平行な面
内で変化させて表示を行うものであって、前記一対の基
板のそれぞれの前記液晶との界面において、該界面に接
する液晶分子が前記電界の印加で配向方向が実質的に変
化しない程度の強さの前記基板面に平行な方向のアンカ
リングエネルギを有するようにした。

【００２１】本発明による液晶表示素子の製造方法は、
基板の面に実質的に平行な電界が発生するように一対の
基板の少なくとも一方の表面に電極を形成する工程と、
液晶分子が前記基板の面に平行な所定方向に初期配向す
るように配向処理をすると同時に、前記一対の基板のそ
れぞれの界面に接する液晶分子が前記電界により配向方
向を実質的に変化しない程度の強さで前記基板面に平行
な方向のアンカリングエネルギを与えるように前記界面
に配向処理を行う工程とを有する。

【００２２】一対の基板と液晶層との界面におけるアン
カリングエネルギが界面に接する液晶分子の配向を変化
させない程度に強いため、電圧印加時には、主に液晶層
の厚さ方向中央部の液晶分子が配向を変化させる。界面
と接する液晶分子は配向を変化させないため、応答速度
の速い表示動作が可能となる。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明による液晶表示素子の駆動
方法を図１を参照して説明する。なお同図において理解
を容易にするために電極や配向膜等については図示を省
略してある。図１の（Ａ）は電圧が印加されてない状態
を示した側断面で、液晶分子３はすべて基板１，２の面
と平行な一定の方向を向いた１軸配向の状態である。同
図（Ｃ）がその状態での平面図である。同図（Ｂ）は矢
印の横電界Ｅが印加された状態を示した側断面図であ
る。横電界Ｅが印加されると、上下基板１，２の界面の
液晶分子はアンカリング強度が高いために動かず、液晶
セルの液晶層の中心部に近い液晶分子３ほど大きく電界
方向に向いた配向状態を示す。同図（Ｄ）が横電界Ｅ印
加時の状態での平面図である。

【００２４】図１の液晶セルを直交ニコル配置の偏光板
対で挟持し、一方の偏光板の偏光軸の方向を図１の
（Ｃ）の液晶分子の配向方向と平行になるように配置す
る。電圧無印加時は偏光子を通過してきた直線偏光が液
晶分子で回転しないために光は検光子を通過できず非透
過状態となる。一方、電圧印加時は、図１の（Ｂ）の液
晶分子が偏光方向から傾き、この結果入射偏光が複屈折
を受ける。直線偏光が楕円偏光となり、一部の光が検光
子を通過して透過状態となる。

【００２５】横電界の向きを、電界無印加時の液晶分子
の配向方向に対して完全に直角の方向にすると、電界印
加時に液晶分子が二つの異なる方向から回転をし始める
ので、液晶セル内に異なった配向状態を有する２種類の
ドメインが存在してしまう。これは丁度縦電界による逆
ティルトドメインに対応するものである。

【００２６】このようなことを避けるためには、図２の
平面図に示すように、電極４，５による横電界Ｅの向き
は、液晶３の初期配向方向に対して直角よりすこしずれ
た角度に設定することが好ましい。その場合も、基板対
を挟持する偏光板対は、どちらか一方の偏光板の偏光軸
が液晶分子３の初期配向方向と平行になるように組み合
わせる。

【００２７】両基板の界面の液晶分子を電界印加時でも
動かさないようにするために、従来のＴＮ型液晶表示素
子に対して行われている強いラビングの配向処理が製造
上簡単であり最適である。この場合のアンカリング強度
としては１×１０^-5Ｊ／ｍ²以上であることが望まし
く、さらには１×１０^-4Ｊ／ｍ² 以上であることが好ま
しい。

【００２８】横方向の電界を液晶セルに印加するため
に、図３に示すような電極構造が提案される。図３の
（Ａ）は下側の基板２上にのみ形成した電極４，５間で
横電界Ｅを発生する構造を示す。図３の（Ｂ）は上側の
基板１上に形成した電極６と下側の基板２上に電極６か
ら横方向に少しずらして形成した電極４との間で実質的
に基板に平行な横電界Ｅを発生する構造を示す。

【００２９】他に図４に示すような電極構造も可能であ
る。１画素に一対の電極を形成すると、電極間の距離が
長くなるような場合には、画素面積内で必要な電界強度
を得るためには駆動電圧が高くなってしまう。それを避
けるために図４の平面図のような一対の櫛歯状電極を形
成して互に噛み合わせ、電極間距離を短くして強い横電
界を発生するようにしてもよい。

【００３０】以上説明したような方法で液晶セルを実際
に作成した所、液晶セルのセル厚ｄと、使用する液晶の
複屈折率Δｎとの積Δｎｄの値によって、液晶セルの特
性、特に選択時の透過率に大きな差が生じることが判っ
た。

【００３１】図５に、後述する実施例１と実施例２にお
いて使用した２種類の液晶ＬＣ１（黒丸）とＬＣ２（白
丸）とを用いて作成した液晶セルのデューティ比１／２
４０選択時の場合の透過率（縦軸）とΔｎｄ（横軸）の
測定値の関係を示す。比較的高いデューティ比でも高透
過率が得られることが判る。すなわち、単純マトリクス
で駆動可能な液晶表示装置が得られる。なお、これら液
晶セルのデータは後で各実施例の説明の欄で詳述する。

【００３２】図５のグラフによれば、２種類のいずれの
液晶とも、Δｎｄの値によって透過率が変化することが
判る。さらに、どちらの液晶とも同じΔｎｄの値であれ
ばほぼ同じ透過率を示し、どちらもΔｎｄがを０．３〜
０．４５μｍの間において最大の透過率を示すことが判
った。透過率が高い明るい表示素子を得る場合には、Δ
ｎｄの値が約０．２〜約０．５５μｍの範囲に設定する
ことが好ましいことが判った。さらに表示の色付き（黄
色み）を防止するためには、Δｎｄを約０．４μｍ以下
に設定することが好ましいということも判った。

【００３３】次に、液晶表示素子を実際に作成したいく
つかの例をその作成工程を説明しつつ、その特性データ
について以下に開示する。

【００３４】〔実施例１−１〕 横方向の電界を印加するためのクロム製電極（電極
間隔は１０μｍ）を形成したガラス基板上と電極なしの
基板上にポリイミド配向膜（日産化学工業製ＳＥ−１５
０）をフレキソ版印刷により塗布し、１８０℃にて１時
間焼成した。焼成後の配向膜の膜厚は６００オングスト
ロームであった。 の工程にて作成した配向膜上をレーヨン製のラビ
ング布でラビングした。ラビング方向は、横電界の方向
に対して８８度の角度を有するように行った。 二枚のガラス基板を液晶分子の初期配向方向が平行
になるように対向配置し、液晶セル内には直径が１．５
μｍの球形のセル厚制御材をスプレー法により散布して
エポキシ系のシール材を介して二枚を張り合わせた。 の工程で得た液晶セルをシール材硬化のために１
５０℃にて１時間焼成した。このときホットプレス機を
使用し、セル厚制御材で規定されたセル厚ｄが得られる
ように空セルを作成した。 真空注入法を用いて上記空セルに次のような物性値
を有する液晶を注入した。屈折率異方性Δｎ＝０．２２
３５、弾性定数Ｋ₁₁＝１４．０（ｐＮ）、弾性定数Ｋ₂₂
＝７．５（ｐＮ）、弾性定数Ｋ₃₃＝２０．９（ｐＮ）、
液晶分子に平行な誘電率＝１６．５４、液晶分子に垂直
な誘電率＝６．２３。 配向の均一性を確保するために、液晶注入後に液晶
が等方相になる温度（１１０℃）で熱処理を行い、その
後冷却して液晶分子を再配向させた。 完成した液晶セルを挟み込むように直交ニコル配置
の偏光板（日東電工製Ｇ−１２２０）の内の一方をその
偏光軸がラビング方向と平行になるように配置した。

【００３５】以上の方法により作成した液晶表示素子の
透過率（縦軸）対電圧（横軸）特性を図６に示す。印加
電圧が約５Ｖ未満の領域では、透過率はほぼ０％であ
る。印加電圧が約６Ｖを越えると、透過率は急激に立上
り、印加電圧約７．５Ｖで透過率は最大値（約２７％）
を示す。印加電圧をさらに増加させると、透過率は減少
していく。

【００３６】〔実施例１−２〕実施例１−１と同じ材料
と工程で、但し、セルの厚みｄが０．５，１．０，１．
２５，１．７５，２．０，２．５，３．０，４．０，
５．０μｍと異なる液晶表示素子をそれぞれ作成した。
これらの液晶表示素子の透過率（縦軸）対電圧（横軸）
特性を図７〜図１５に示す。透過率が立上り始める電圧
は、セル厚が増大するにつれて低下する。透過率の最大
値は、セル厚が１．７５μｍまで増加する間は増加し、
その後減少し、セル厚３．０μｍ以上では複雑な挙動を
示している。なお、図６も参照すると、透過率はセル厚
約１．５μｍの時最大値を示し、セル厚１．７５μｍで
は最大値からわずかに低下していることが判る。

【００３７】また、図１６には上記例におけるセル厚ｄ
（横軸）に対するデューティ比１／２４０選択時の透過
率（縦軸）の関係を示す。図１６によれば、セル厚が約
１．０〜約２．５μｍで透過率約１０％以上の明るい表
示が得られていることが判る。しかし、セル厚１．７５
μｍ以上のセルを目視で観察した所、黄色味を帯びてい
て表示素子としてはあまり好ましいものではなかった。
従って、実施例１−１及び１−２の液晶を使用する場合
には、セル厚を１．０〜１．７５μｍの範囲にすること
がより好ましい。なお、透過率とΔｎｄとの関係に関し
ては実施例２の場合も含めてすでに述べた通りである。

【００３８】実施例１−１及び１−２による液晶表示素
子の横方向（基板面に平行な方向）のアンカリング強度
を測定した所、全てのセルが２×１０^-4Ｊ／ｍ² 〜５×
１０ ^-4Ｊ／ｍ² の範囲に入っており、十分に強い横方向
のアンカリング強度を有することが確認できた。

【００３９】〔実施例２−１〕 横方向の電界を印加するためクロム製の電極（電極
間隔は１０μｍ）形成したガラス基板上と電極なしの基
板上にポリイミド配向膜（日産化学工業製ＳＥ−１５
０）をフレキソ版印刷により塗布し、１８０℃にて１時
間焼成した。焼成後の配向膜の膜厚は６００オングスト
ロームであった。 の工程にて作成した配向膜上をレーヨン製のラビ
ング布でラビングした。ラビング方向は、横電界の方向
に対して８８度の角度を有するように行った。 二枚のガラス基板を液晶分子の初期配向方向が平行
になるように対向配置し、液晶セル内には直径が３．５
μｍの球形のセル厚制御材をスプレー法により散布して
エポキシ系のシール材を介して二枚を張り合わせた。 の工程で得た液晶セルをシール材硬化のために１
５０℃にて１時間焼成した。このときホットプレス機を
使用し、セル厚制御材で規定されたセル厚ｄが得られる
ように空セルを作成した。 真空注入法を用いて上記空セルに次のような物性値
を有する液晶を注入した。屈折率異方性Δｎ＝０．０９
６３、弾性定数Ｋ₁₁＝１０．０（ｐＮ）、弾性定数Ｋ₂₂
＝９．０（ｐＮ）、弾性定数Ｋ₃₃＝１８．０（ｐＮ）、
液晶分子に平行な誘電率＝１０．０、液晶分子に垂直な
誘電率＝３．０。 配向の均一性を確保するために、液晶注入後に液晶
が等方相になる温度（１１０℃）で熱処理を行い、液晶
分子を再配向させた。 完成した液晶セルを挟み込むように直交ニコル配置
の偏光板（日東電工製Ｇ−１２２０）の内の一方をその
偏光軸がラビング方向と平行になるように配置した。

【００４０】以上の方法により作成した液晶表示素子の
透過率（縦軸）対電圧（横軸）特性を図１７に示す。た
とえば、図６、図１０の特性と比較すると、より低く狭
い電圧範囲で同等の透過率変化が得られている。液晶セ
ルが厚くなったため、厚さ方向中央部の液晶分子が動き
易くなっていることが寄与しているのであろう。

【００４１】〔実施例２−２〕実施例２−１と同じ材料
と工程で、但し、セルの厚みｄが１．０，２．０，２．
５，３．０，４．０，５．０，６．０μｍと異なる液晶
表示素子をそれぞれ作成した。これらの液晶表示素子の
透過率（縦軸）対電圧（横軸）特性を図１８〜図２４に
示す。図７〜図１５に示される傾向と同様の傾向が見出
される。

【００４２】また、図２５には上記例におけるセル厚ｄ
（横軸）に対するデューティ比１／２４０選択時の透過
率（縦軸）の関係を示す。図２５によれば、セル厚が
２．０〜５．５μｍで透過率約１０％以上の明るい表示
が得られていることが判る。しかし、セル厚が４．０μ
ｍ以上のセルを目視で観察した所、黄色味を帯びていて
表示素子としてはあまり好ましいものではなかった。従
って、実施例２−１及び２−２の液晶を使用する場合に
は、セル厚を２．０〜４．０μｍの範囲にすることがよ
り好ましい。なお、透過率とΔｎｄとの関係に関しては
すでに述べた通りである。

【００４３】実施例２−１及び２−２による液晶表示素
子の横方向（基板面に平行な方向）のアンカリング強度
を測定した所、全てのセルが２×１０^-4Ｊ／ｍ² 〜５×
１０ ^-4Ｊ／ｍ² の範囲に入っており、十分に強い横方向
のアンカリング強度を有することが確認できた。

【００４４】さらに、視角特性に関しては実施例１−
１、１−２、２−１、２−２のいずれとも非常に広い視
角特性を有し、全ての方位角方向に対して基板法線より
５０度以内ではコントラスト比５０以上を得ることが出
来た。さらに、８階調表示における表示反転も上記視角
範囲内では全く生じなかった。

【００４５】実施例２−１で使用したのと同じ液晶材料
を用いてセル厚が５．０μｍの従来の技術による９０度
ツイストのＴＮ型液晶表示素子を作成し、その透過率対
電圧特性の測定結果を図２８のグラフに示す。

【００４６】なお、一方の基板上にのみ電極を形成する
図３（Ａ）のタイプの液晶表示素子を例にとって説明し
たが、電極間距離に較べてセル厚が薄い構造であれば、
一対の基板上にずらして電極を形成する図３（Ｂ）のタ
イプの液晶表示素子でも同様の結果が得られるであろう
ことは当業者に自明であろう。

【００４７】図２８の従来のＴＮ型液晶表示素子の透過
率対電圧特性と、上述の実施例の透過率対電圧特性とを
比較すれば、本実施例の液晶表示素子の方が優れている
ことが判る。なお、この従来のＴＮ型液晶表示素子のデ
ューティ比１／２４０選択時の透過率は２．９％であ
り、図１６や図２５と比較してみれば、上述の実施例の
方が優れていることが判る。さらに又、この従来のＴＮ
型液晶表示素子の視角特性も良くなく、特に中間調表示
では表示反転が生じてしまい上述の実施例に比べ表示品
質がよくない液晶表示素子であった。

【００４８】なお、以上の説明における材料や数値はあ
くまでも例示であって、本発明は上述した実施例に限る
ものではなく、以上の開示に基づいて当業者であれば様
々な改良や変更が可能であることは言うまでもない。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、横方向電界により液晶
の配列方向を横方向で制御する方式において両基板の界
面のアンカリング強度を強くしたことにより、広視角特
性を有するのみならず、大きなデューティ比（時分割
数）で駆動でき、かつ応答速度が速く、透過率の高い表
示品質にすぐれた液晶表示素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示素子の駆動方法を説明す
るための電界無印加時と電界無印加時の液晶セルの側断
面図と平面図である。

【図２】本発明の実施例による液晶表示素子の電界方向
と液晶分子の初期配向方向の関係を示す平面図である。

【図３】本発明の実施例による液晶表示素子の横電界を
発生するための電極構造の例を示す。

【図４】本発明の実施例による液晶表示素子の横電界を
発生するための電極構造の別の例を示す。

【図５】本発明の実施例による液晶表示素子の透過率と
Δｎｄの関係を測定したグラフである。

【図６】本発明の実施例による液晶表示素子の透過率対
電圧特性を示すグラフである。

【図７】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透過
率対電圧特性を示すグラフである。

【図８】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透過
率対電圧特性を示すグラフである。

【図９】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透過
率対電圧特性を示すグラフである。

【図１０】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図１１】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図１２】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図１３】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図１４】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図１５】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図１６】本発明の他の実施例による液晶表示素子のセ
ル厚対透過率特性を示すグラフである。

【図１７】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図１８】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図１９】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図２０】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図２１】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図２２】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図２３】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図２４】本発明の他の実施例による液晶表示素子の透
過率対電圧特性を示すグラフである。

【図２５】本発明の他の実施例による液晶表示素子のセ
ル厚対透過率特性を示すグラフである。

【図２６】従来の技術による横方向電界による液晶駆動
の方法を説明するセル断面図。

【図２７】従来の技術による横方向電界による液晶駆動
の別の方法を説明するセル断面図と平面図。

【図２８】従来の技術によるＴＮ型液晶表示素子の電圧
対透過率特性を示すグラフ。

【符号の説明】 １、２ 基板 ３ 液晶分子 ４、５、６ 電極

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向する一対の基板と、該一対の
   基板間に挟まれた液晶の層とを有し、一軸配向の前記液
   晶に前記基板の面と実質的に平行な方向の電界を印加す
   ることにより前記液晶の分子の配列状態を前記基板面に
   平行な面内で変化させて表示を行う液晶表示素子であっ
   て、前記一対の基板のそれぞれの前記液晶との界面にお
   いて、該界面に接する液晶分子が前記電界の印加で配向
   方向が実質的に変化しない程度の強さの前記基板面に平
   行な方向のアンカリングエネルギを有することを特徴と
   する液晶表示素子。
2. 【請求項２】 前記アンカリングエネルギが１×１０^-5
   Ｊ／ｍ² 以上であることを特徴とする請求項１記載の液
   晶表示素子。
3. 【請求項３】 前記基板間で挟持される前記液晶層の厚
   みをｄとし、前記液晶層の複屈折率をΔｎとしたとき
   に、前記厚みと前記複屈折率の積Δｎｄの値が約０．２
   〜約０．５５μｍの範囲になるように設定されることを
   特徴とする請求項１あるいは２記載の液晶表示素子。
4. 【請求項４】 前記基板間で挟持される前記液晶層の厚
   みをｄとし、前記液晶層の複屈折率をΔｎとしたとき
   に、前記厚みと前記複屈折率の積Δｎｄの値が約０．２
   〜約０．４μｍの範囲になるように設定されることを特
   徴とする請求項１あるいは２記載の液晶表示素子。
5. 【請求項５】 前記一対の基板の一方に形成された電極
   の間で前記基板の面に実質的に平行な電界を発生するこ
   とを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
6. 【請求項６】 前記一対の基板の両方に形成された電極
   の間で前記基板の面に実質的に平行な電界を発生するこ
   とを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
7. 【請求項７】 液晶の分子の配列状態を液晶表示素子の
   基板面に平行な面内で制御する液晶表示素子の製造方法
   であって、 前記基板の面に実質的に平行な電界が発生するように一
   対の基板の少なくとも一方の表面に電極を形成する工程
   と、 液晶分子が前記基板の面に平行な所定方向に初期配向す
   るように配向処理をすると同時に、前記一対の基板のそ
   れぞれの界面に接する液晶分子が前記電界により配向方
   向を実質的に変化しない程度の強さで前記基板面に平行
   な方向のアンカリングエネルギを与えるように前記界面
   に配向処理を行う工程とを有する液晶表示素子の製造方
   法。