JPH0754381B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置の製造方法

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JPH0754381B2
JPH0754381B2 JP59165072A JP16507284A JPH0754381B2 JP H0754381 B2 JPH0754381 B2 JP H0754381B2 JP 59165072 A JP59165072 A JP 59165072A JP 16507284 A JP16507284 A JP 16507284A JP H0754381 B2 JPH0754381 B2 JP H0754381B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、液晶性高分子を配向膜とした、液晶表示装置
およびその製法に係わる。
〔従来技術〕
液晶表示装置は、第1図に示すように、少なくとも基体
1,透明電極2,配向膜3,封入液晶4,スペーサー5で構成さ
れており、特に、配向膜3は、封入液晶4の初期配向を
制御する上で、必要不可欠な構成要素である。
配向膜の製法として、SiO2等の無機質を、基体表面に蒸
着する方法が提案されているが、その作業は、極めて煩
雑なものであり、工業的に不利である。又、現在は、基
体表面に、ポリイミドの薄膜を被覆し、合わせてラビン
グする方法が、最も一般的に行われている。
ラビング法とは、封入液晶が接する基体表面を,ガー
ゼ,皮革等の摩擦体によって、液晶分子の長軸方向を、
配列せんとする方向に沿ってこする方法である。この工
程は、各社、経験と感に頼るところが多く、再現性が得
られない。又、ほこりの混入の機会が多く、製品の歩留
りの低下につながる等、問題点が多々ある。
〔目的〕
本発明は、上記問題点を解決するためのものである。
〔概要〕
本発明の液晶表示装置の製造方法は、電極を有する一対
の基板間に液晶が挟持され、該基板の対向する表面には
配向膜が被着されてなる液晶表示装置の製造方法におい
て、前記配向膜を形成するにあたって、該電極が形成さ
れた該一方の基板表面に液晶性高分子の溶液を塗布する
工程と、前記液晶性高分子が液晶相を示す温度で該液晶
性高分子が塗布された該一方の基板に磁場を印加する工
程と、磁場が印加された液晶性高分子を除冷する工程と
を少なくとも有することを特徴とするものである。
又、本発明の液晶表示装置の製造方法は、該一方の基板
に塗布した該液晶性高分子の分子方向が基板に対して平
行もしくは斜めに配列するように、該一方の基板表面と
該磁場印加方向とのなす角度を設定することを特徴とす
るものである。
液晶性高分子には、液晶性を示す温度において、外場、
例えば磁場を印加した場合に、低分子液晶に認められる
様に、分子の長軸が印加磁場の方向に向き、除冷して得
られた膜が固体状であっても、液晶相の分子配向が保持
される性質をもつものがある。
以下に、液晶性高分子を配向膜とする液晶表示装置の製
造方法を説明する。
液晶性高分子の希薄溶液を、第2図で示される透明電極
2を有する基体1上に、均一に塗布する。その後、相当
する液晶性高分子の液晶相領域温度に周囲の温度を調整
し、上記処理を行った、透明電極2を有する基体1を、
マグネツト6及び7の間に設置し、透明電極2を有する
基体1の表面と、磁場の方向とのなす角度がθとなるよ
うに、一定時間磁場を印加し、その後、除冷を行う。
上記方法で得られた配向処理済み基板を第1図のごと
く、スペーサー5を介して対向させ、密封し、液晶を加
圧もしくは減圧封入し、液晶表示装置を製造する。一
方、上記方法で得られた配向処理済み基板に、更に、ラ
ビング処理を行い、同様に液晶表示装置を製造する。
以下本発明につき実施例をあげ、具体的に記述するが、
本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、液
晶相を示しうる他の高分子を配向膜とした場合、及び、
基体に液晶性高分子を塗布する方法、又は、液晶性高分
子の磁場配向を行う場合においても、本実施例記述条件
以外の条件でも、本発明と同様な効果を提供するもので
ある。
〔実施例〕1 をもつ液晶性高分子の、0.7wt%テトラハイドロフラン
溶液を調製し、4000rpMの回転下にある、透明電極2を
有する基体1に、この溶液を滴下し、均一に塗布を行っ
た。周囲の温度を130℃に調整し、第2図のごとく、外
部より透明電極2を有する基体1の表面とθ=0゜とな
る方向から、マグネツト6及び7を用いて、10キロガウ
スの磁場を印加し、5時間後、除冷を行った。
上記処理を行って得られた配向処理済み基板2枚を、磁
場を印加した方向が互いに平行となる様に、第1図のご
とく、スペーサー5を介して接着密封し、液晶を加圧も
しくは減圧封入し、液晶表示装置を製造したところ、液
晶分子の均一、一様な配向が得られた。これは、第3図
に示すように、液晶性高分子が、透明電極2を有する基
体1の表面に、磁場を印加した方向と平行に配向してい
るためである。
〔実施例〕2 をもつ液晶性高分子を、実施例1と同様に塗布した後、
第2図のごとく、θ=30゜なる方向から、マグネツト6
及び7を用いて10キロガウスの磁場を印加し、5時間
後、除冷を行った。
上記処理を行って得られた、第4図に示すような表面構
造を有する2枚の配向処理済み基板の表面の、液晶性高
分子の長軸方向が、互いに一致する様に第1図のごと
く、スペーサー5を介して接着密封し、液晶を加圧もし
くは減圧封入し、液晶表示装置を製造したところ、封入
液晶の一様なチルト配向が得られた。
〔実施例〕3 実施例1の処理を行って得られた2枚の配向処理済み基
板に、更に、印加磁場の方向に沿って、ガーゼを用いて
ラビング処理を行い、実施例1と同様な方法で液晶表示
装置を製造したところ、実施例1の液晶表示装置より更
安定で、良好な再現性のある配向が得られた。
〔実施例〕4 実施例2の処理を行って得られた2枚の配向処理済み基
板に、更に、印加磁場の方向に沿って、ガーゼを用いて
ラビング処理を行い、実施例2と同様な方法で液晶表示
装置を製造したところ、実施例2の液晶表示装置より更
に安定性の高いチルト配向が得られ、再現性も良好であ
った。
〔実施例5〕 封入液晶に強誘電性液晶を用い、実施例3,又は実施例4
と同様な方法で液晶表示装置を製造したところ、広い範
囲にわたり、一様なスメクチツク配向か得られた。
〔効果〕
本発明は、以上のような構成にすることによって以下の
ような効果が得られる。
すなわち、液晶性高分子を基板全面に塗布した後、磁場
を印加することによって液晶性高分子の分子方向を均一
に配列させている。従って、配向が均一に形成されてい
るので、表示ムラのない液晶表示装置が得られる。
又、液晶性高分子を塗布した基板表面と磁場を印加する
磁界方向とのなす角度により基板に対する液晶性高分子
の配列角度を変えることができる。従って、配向膜に隣
接する液晶分子のチルト角は基板表面と印加磁場の方向
とのなす角度により制御することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の液晶表示装置の一例の断面図,第2図
は、配向膜形成時における模式図、第3図,及び第4図
は、液晶性高分子の分子配向の模式図である。 1は基体、2は透明電極、3は配向膜、4は封入液晶、
5はスペーサー、6及び7はマグネツトである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電極を有する一対の基板間に液晶が挟持さ
    れ、該基板の対向する表面には配向膜が被着されてなる
    液晶表示装置の製造方法において、前記配向膜を形成す
    るにあたって、該電極が形成された該一方の基板表面に
    液晶性高分子の溶液を塗布する工程と、前記液晶性高分
    子が液晶相を示す温度で該液晶性高分子が塗布された該
    一方の基板に磁場を印加する工程と、磁場が印加された
    液晶性高分子を除冷する工程とを少なくとも有すること
    を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  2. 【請求項2】該一方の基板に塗布した該液晶性高分子の
    分子方向が基板に対して平行もしくは斜めに配列するよ
    うに、該一方の基板表面と該磁場印加方向とのなす角度
    を設定することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の液晶表示装置の製造方法。
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