JPS61255323A - 液晶表示素子およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は強誘電性液晶材料を用いた液晶表示素子および
その製造法に関する。さらに詳しくは、カイラルスメク
チックＣ相（以下８ｃ相と略記することがある）の新規
な配向方法を用いた液晶表示素子の製造法に関する。

（従来の技術） 液晶組成物を用いた表示装置は、種々の分野で応用され
ているが、従来の液晶表示装置は主にネマチック相（以
下Ｎ相と略記することがある）を利用したＴＮ表示方式
のものである。このＴＮ表示方式を利用した表示装置は
薄型化、軽量化が可能であり、しかも消費電力が極めて
小さいこと、受光素子であるため、日光の下などの明る
い所でも表示が見やすく、長時間使用しても目が疲れな
いこと々どの特徴を持っている。このような特徴を生か
してＴＮ表示方式は腕時計や電卓及び各種測定装置に利
用され、最近ではパソコンの端末表示等にも利用される
ようになりつつある。しかし、このように応用分野が拡
大されて来ると、液晶表示装置の欠点である応答速度が
遅い、視野角が狭い等の欠点がその応用分野の拡大に大
きな障害となってきている。この障害を乗り越えるべく
研究が盛んに行なわれてはいるが、さらなる拡大を計る
ためには、ＴＮ表示方式に代わる表示方式の開発が不可
欠である。そのような試みのひとつとして、クラークと
ラガーウオールは強誘電性を示すカイラルスメクチック
Ｃ液晶相の光スイツチ現象を応用した表示素子を挙げて
いる（アブライドフイジツクスレターズ（Ａｐｐｌ、　
Ｐｂｙｓ、　Ｌｅｆｔ、　）第３６巻８９９頁、（１９
８０）参照）。この方式の特徴は、ＴＮ表示方式に比較
して応答速度が速いこと、視角依存性が小さいこと、メ
モリー効果があることなどである。

しかし、この表示方式を実用化するためには種々の方面
で、まだ多くの課題を解決する必要がある。そのひとつ
の大きな課題として、強誘電性液晶分子の配向の均一性
の問題が挙げられる。

液晶分子の配向が均一でないいわゆるマルチドメイン状
態をなすと、表示にむらができ、その結果コントラスト
比が下ったシ表示面が着色したシして、表示品質が著し
く低下してしまう。

このため表示素子として品位の優れたものにするために
は、液晶分子を均一に配向させることが必須要件である
。

現在、８ｃ　相を有する液晶材料の配向制御方法として
幾つかの方法が研究されており、電極間距離の小さい液
晶セルでのＳｃ相の配向法としてはシアリング法、温度
勾配法および表面処理法の３通りの方法が試みられてい
る。シアリング法はクラークとラガーウオールがＳｃ相
をもつ液晶を用いた液晶セルを初めて作成した時に使用
した方法で、スメクチックＡ相（以下Ｓム相と略記する
ことがある）でせん断応力をかけることにより配向させ
るものである（前記の文献参照）。温度勾配法はスメク
チック相が一次元結晶とみなせることに着目したエピタ
キシャル結晶成長法に類似した方法である。

表面処理法は広くネマチック液晶材料の配向に実用され
ており、セルの基板表面にコーティング、ラビング、真
空蒸着などにより薄い配向膜を形成して液晶分子を配向
させるものである。

工業的な液晶表示素子製造の観点からは、表面処理法に
よって液晶分子を配向するのが最も望ましいが、スメク
チック液晶材料は一般に粘性、　　が大きく、基板表面
の処理だけではネマチック液晶材料のように容易にはモ
ノドメインを得られない。本発明者等は実用的な強誘電
性液晶組成物を発明しているが（例えば特願昭５８−１
８６３１２．５９−２１９１５２）、それらの中にはＳ
ｃ＊相の配向が容易に実現できる物は少く、多くの場合
は電界内で徐冷するか、時間をかけて除熱徐冷を繰返し
て配向させねばならない。前述した、外力を加えたり、
降温速度を極めて緩やかにしたりする配向制御法によっ
て得られた液晶表示素子は、使用時に温度変化でスメク
チック相上限温度を一度越えると、その後、再びＳｃ＊
相温度領域に戻ってもマルチドメイン状態を呈してその
ままでは使用できないという欠点をもつ。

（発明が解決しようとする問題点） 以上に述べたことから明らかなように、本発明の目的は
強誘電性８０相においてモノドメイン状態を呈する液晶
表示素子を提供することであり、別の目的は繁雑でない
８Ｃ相の配向手段をもった、該液晶表示素子の製造法を
提供することである。本発明のその他の目的は以下の記
本発明者らは、前記の課題を解決すべく、強誘電性液晶
材料の面から鋭意研究を重ねた結果、液晶組成物の相転
移の型が降温方向に等方性液相、コレステリック相（以
下それぞれ１相、Ｃｈ相と略記することがある）、Ｓム
相、Ｓｃ相の順にそれぞれの相を示す物で、かつ、その
Ｃｈ相のらせんピッチの長い組成物はど良好な配向性を
示すことを見出し、この知見に基いて本発明を完成する
に至った。

本発明の第一は、 （１）　　等方性液相から降温方向にコレステリック相
、スメクチツクＡ相および強誘電性カイラルスメクチッ
クＣ相の順にそれぞれの相を欠くことなくすべて有し、
かつコレステリック相およびカイラルスメクチックＣ相
におけるらせんピッチが２μｍ以上である強誘電性液晶
材料を用いる液晶表示素子、 であり、本発明の第二は、 （２）等方性液相から降温方向にコレステリック相、ス
メクチツクＡ相および強誘電性カイラルスメクチックＣ
相の順にそれぞれの相を欠くことなくすべて有し、かつ
コレステリック相およびカイラルスメクチックＣ相にお
けるらせんピッチが２μｍ以上である強誘電性液晶材料
を用いてカイラルスメクチックＣ相の配向を行なうこと
を特徴とする液晶表示素子の製造方法、 である。

本発明において液晶材料の成分として用い得る、Ｓｃ相
または潜在的ＳＣ相およびＣｈ＠または潜在的なｃｈ相
におけるらせんのねじれ方向が明らかにされた液晶性化
合物は多数あり、その一部を表ＮＣ例示する。表１の構
造式における（Ｓ）および（Ｒ）は光学活性体の絶対配
置がそれぞれＳ型（３ｉｎｉｓｔｅｒ型）およびＲ型（
Ｒｅｃｔｕｓを）であることを示し、自発分極（Ｐｓと
略記する）の向きはラガーウオール等の定義（モレキュ
ラークリスタルアンドリキッドクリスタル（Ｍｏ１．　
Ｃｒｙｓｔ。

Ｌｉｑ、　Ｃｒｙｓｔ、　）第１１４巻１５１頁（１９
８４年）参照）に従った。

液晶組成物の降温方向での相転移の型をＩ相、ｃｈ相、
ＳＡ相、ＳＣ相の順にすべての相が出現するようにする
ためには、成分化合物がすべてとの相転移型の物であれ
ば好都合であるが、成分化合物に相転移型の異なる物を
含んでいる場合でも、別の成分の割合を調整して用いる
ことによって、所望する相転移型の組成物を得ることが
できる。

すなわち、配合成分としてＳＡ相を有さないものを用い
た場合にはＳＡ相を示す温度範囲が広い別の化合物の含
量を増せばよいし、ｃｂ相を有さないものを用いた場合
には、ｃｈ相やＮ相を示す温度範囲が広い化合物の含量
を増すことＫよシ容易に目的の相転移型を有する組成物
を調製できる。

しかしてこのよう罠調合された液晶組成物のＣｈ相のピ
ッチを好ましい範囲（２μｍ以上）にするにはｃｈ相に
おけるらせんのねじれ方向を考慮すればよい。すなわち
、ｃｈ相のらせんピッチを長くすることは、ｃｈ相での
らせんのねじれ方向が互いに逆の向きのものを混合して
らせんのねじれを相殺することによって達成できること
が知られている（ジャパニーズジャーナルオプアプライ
ドフイジツクス（Ｊａｐａｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ
、）第１４巻、１３０７頁（１９７５年）参照）。それ
以外にも単一化合物ではｃｈ相を有さないが、潜在的に
ｃｈ相では混合相手と逆ねじれの関係にあるカイラルな
液晶性化合物を混合することによってピッチを長くした
り、また非カイラルな液晶性化合物例えば通常のネマチ
ック液晶を混合することによってピッチを長くすること
もできる。

組成物のＳＣ相のらせんピッチを長くするにはｃｈ相の
らせんピッチを延長するのと同様に、ＳＣ相のらせんの
ねじれ方向が逆の成分を混合するかまたは８ｃ　＠は示
さないが潜在的に８Ｃ相でねじれ方が逆向きとなる成分
を混合するなどの手段金用い得る（特願昭５８−１８６
３１２、特願昭６０−３６００３、特願昭６０−４８５
４６参照）。

以上に述べたように、本発明に用いて、ｓ：相を比較的
容易に配向させることのできる強誘電性液晶組成物の調
製手段自体は新規なものではない。しかし、本発明にお
いて特定される強誘電性液晶材料が配向性において非常
に優れた物であるということはまったく新しい知見であ
る。

次にＳｃ＊相の配向について本発明者らが見出した新し
い知見を述べる。実用的な強誘電性液晶材料の液晶相は
８ｃ相に属する。しかしこの液晶材料をＳＣ相の状態で
表示素子に注入するのは、その粘度が高いため実用的で
ない。実用的にはＩ相の液体状態で表示素子に注入した
後、冷却して８ｃ相へ転移させるのが望ましい。

一般に強誘電性液晶材料のＩ相からＳＣ相に至る相転移
の型には次の４種の形態が在る。すなわち、（１）Ｉ相
−＋Ｓ（相、（２）工相→Ｃｈ相→８Ｃ相、（３）工相
→Ｓム相→８ｃ相および（４）Ｉ相→ｃｈ相→Ｓム相→
ＳＣ相の４種である。ここで、（１）または（２）の相
転移型においては、スメクチック相における層面の法線
方向とディレクターと呼ばれる液晶分子の長軸の方向と
が一致していない８ｃ相が、１相またはｃｈ相から直接
出現するので、モノドメインを得るためには相転移過程
で電場または磁場などの外力を加えて強制的に配向させ
ねばならず、また、かかる外力による配向制御を行なっ
たからといって必ずしもモノドメインを得られるとは限
らない。

一方、ＳＡ相は層面の法線方向と分子のディレクターと
が同方向であるので、８Ａ相では外力を加えなくとも比
較的良好なモノドメイン状態を得ることができる。一度
Ｓム相において形成された層の状態はＳＣ相へ転移した
後も保持されるので、（１）または（２）の相転移型よ
りも、Ｓ（相の高温側にＳＡ相が在る（３）または（４
）の相転移型の方がＳｃ＊相の配向性において優れてい
ると言える。

そこで、８ｃ相の配向を良好にするためにＳＡ相の配向
をいかにして良好に行なうかが重要となってくる。発明
者らは、１相から直性ＳＡ相を配向させるよシも、■相
とＳＡ相との中間の秩序を持ったｃｈ相を経てＳＡ相を
配向させる方が良好な配向を得る可能性が大きいと考え
た。

しかし実際には、（４）の相転移型の方が（３）の相転
移型よシもＳム相の配向において、必ずしも優れている
とは限らない。この理由は（４）の相転移型におけるｃ
ｈ相のらせんピッチに関係し、ｃｈ相からＳム相への転
移の際にｃｈ相のねじれがほどけなければならないとい
う転移機構によると考えられる。そこで、表示素子内で
のｃｈ相のねじれがわずかである組成物、すなわちＣｈ
相のらせんピッチの長い組成物を数多く調製し、配向を
試みたところ例外なくＳＣ相の配向性が著しく改善され
た表示素子が得られた。なかでも配向性のよい組成物は
、ｃｈ相を示す温度範囲にあるにもかかわらず、表示素
子内ではらせんが完全にほどけてすべての分子が基板の
ラビング方向にディレクターを揃えたＮ相の状態を呈し
ている。

この状態からＳム相へ転移する際には、らせんをほどき
分子の方向を揃え直す必要はなく、分子が平行移動する
だけで相転移が完了する。従って、この間の相転移を徐
冷することなく行なってもＳ、相の配向性は良好でちゃ
、そこから得られるＳＣ相の配向性も優れていることが
判った。

次に、ＳＣ相の配向性を例をあげて説明する。

表１の化合物３の相転移温度は ０■へ、ｏ＊胛八へ５工、 であり、化合物４は ６６℃　　　１０８℃　　１４９℃ Ｃ芒＝→８ｃ＊ソ＝→８Ａ　ｆ＝→Ｉ で相転移する（ここでＣは結晶相を意味する）。

化合物３および化合物４とからなる２成分系の相図を図
１に示す。化合物３が６４．０モルチであるこの２成分
系組成物の相転移型は降温方向に工相→ｃｈ相→Ｓム相
→Ｓｃ相であり、前述の（４）の型に属する（図１の■
の組成点参照）。この組成物を基板表面にポリビニルア
ルコールを塗布しラビングにより平行配向処理を施した
基板間距離１０μ牌の表示素子に１相状態で注入し、降
温のみによる配向の様子を直交ニコルの状態にして偏光
顕微鏡により観察したところ、ｃｈ相温度領域の１４５
℃では、図２人に示すように欠陥のまったくないネマチ
ック状態を呈する。

降温速度１０’Ｃ／分で、１３５℃のＳム相としたとき
および１２５℃のＳＣ相としたときの配向状態をそれぞ
れ図３人と図４人に示す。急激な冷却にもかかわらず、
きわめて良好なモノドメインが観察され、かつ、液晶分
子の層面の法線方向がラビング方向（それぞれ図２Ｂお
よび図４Ｂにｒベクトルにて示す方向）に一致している
。図４人ではスクリューディスロケーションが見られる
が、これは電界を印加することにより消滅できるので、
完全なモノドメインと認められる。

化合物３が３０．１モルチである同じ二成分系組成物（
図１の■の組成点）の相転移型は降温方向にＩ相→Ｓム
相→ＳＣ相であり、ｃｈ相を欠いている。この組成物を
同じ基板間距離１０μｍの表示素子に注入し１相から降
温速度１℃／分で慎重に配向を試みたが、９５℃におけ
る８Ｃ相は図５人に示すようなマルチドメイン状態を呈
し、極めて悪い配向性を示した。

また、化合物３が５４．４モルチである組成物（図１の
■の組成点）の相転移型は降温方向にＩ相→ｃｈ相→Ｓ
、相→Ｓｃ相であり、ｃｈ相のらせんピッチは１μｍ以
下である。　この組成物を基板間距離（以下セルギャッ
プと呼ぶ）１０μｍの表示素子に注入して降温速度１℃
／分でＩ相から慎重に配向を試みた。ｃｈ相温度域では
ネマチック状態は出現せず、らせんがほどけていないこ
とが示され、１３０℃のＳム相では図６人に示すように
、層面の法線方向に図６Ｂに示すラビング方向から２５
〜３０°のずれが観察され、このずれの角度は配向の度
毎に異なり再現性が認められない。

化合物３が７５．０モルチである同じ２成分系組成物（
図１の■の組成点）の相転移型は降温方向にＩ相→ｃｈ
相→Ｓｃ相であり、Ｓム相を欠いている。この組成物を
セルギャップ１０μｍの液晶表示素子内で慎重にｃｈ相
に導いても、らせんがほどけずにネマチック状態にはな
らない。さらに降温速度１℃／分で慎重に配向を行なっ
ても１２５℃のＳＣ相における配向状態は図７人のよう
にきわめて悪い配向しか得られない。

化合物４に代えてこれと鏡像異性の関係にあるＲ型の化
合物を３６．０モルチ用いた組成物は、相転移温度が図
１の■の組成物に等しいが、ｃｈ相のらせんのねじれ方
向が同じ成分からなるのでｃｈ相のらせんピッチが小さ
い。この組成物を同じセルギャップ１０μｍの液晶セル
内で１４５℃のｃｈ相としたところ、らせんピッチが短
いため、図８人に示すようにネマチック状態にはならな
い。降温速度１０℃／分で１３５℃のＳム相および１２
５℃のＳｃ相としたところの配向状態は、それぞれ図９
Ａおよび図１ＯＡに示されるようにマルチドメイン状態
を呈し、きわめて悪い。この２成分混合系の例で示され
るように、Ｓム相とｃｈ相のどちらかが欠けても、また
、ｃｈ相のらせんピッチが短くても、良好なモノドメイ
ンは示されず、Ｓｃ相の配向は悪いことが判る。

さらに注目すべきこととして、ｃｈ相のらせんピンチと
Ｓｃ相のらせんピッチとは互いに独立の関係にあること
が見出された。これは次の幾つかの例で示される事実で
ある。例えば、表１の化合物３と化合物６とをコンタク
ト法にょシセルギャップ７１μｍのセル内で混合させる
と、コンタクト域では図１１に示すようにＮ相状態すな
わちｃｈのらせんピッチが無限大とみなせる状態が得ら
れるが、これを降温して得られるＳｃ相のらせんは＆６
μ溪である（図１２参照）。別の例として化合物３と化
合物５とをコンタクトさせるとコンタクト域で図１３の
ようにＮ相状態を呈するのに、これを降温して出現する
８ｃ相のピッチが無限大になる領域は観察されない（図
１４参照）。後の例は混合させた化合物のｃｈ相のねじ
れ方は逆の関係にあるものの８ｃ相でのねじれ方は同じ
向きであることを示している。

このような数多の観察結果から、本発明者らはｃｈ相と
ＳＣ相のらせんのねじれ方向およびピッチは無関係であ
るという事実を見出した。この可能性を示している。

以上に述べた配向方法は、ネマチック液晶材料の配向同
様に迅速に行なえるので、該配向法を応用して強誘電性
液晶材料を用いる応答の速い液晶表示素子を容易に製造
することができる。

（作用および効果） 前述したＳｃ相の配向過程からも明らかなように、Ｓｃ
相の層面の法線方向は必然的に基板のラビング方向に一
致する。これは次の二点において非常に好ましいことで
ある。一つは、ラビング方向を決めると、液晶表示素子
内で電界の反転に伴う分子の反転する方向が決まること
になるので、ラビング方向を知るだけでセルに取付ける
べき偏光板の偏光方向を容易に合せることができること
である。もう一つは、メモリー効果発現のために必要な
双安定性を実現できることである。つまυ、層面の法線
方向とラビング方向とが一致することは、　８ｃ相での
らせん軸とラビング方向とが一致していることになるか
ら、セルにかける電界方向をスイッチして得られる２つ
のディレクタ一方向がそれぞれラビング方向となす角は
互いに等しくなる。これはこの２つのディレクタ一方向
での、ラビングによる分子に対する規制力が等しいこと
を意味しており、その結果、双安定性が容易に実現され
るのである。もし、層面の法線方向とラビング方向とが
一致しなければ、２つのディレクタ一方向とラビング方
向とのなす角が互いに異なるため、ラビングによる規制
力に差が生じ、そ相におけるらせんピッチが長く、かつ
、８ｃ相温度範囲が広いという特性を備えてはいるが、
Ｓｃ＊相の配向を容易に行なえなかった数多の液晶組成
物の改良の方向が本発明により与えられ、Ｓｃ＊相の配
向性を改善した液晶組成物を用いてモノドメインの強誘
電性液晶相をもつ応答の速い表示素子が得られる。本発
明によシ提供される液晶表示素子は、使用中の異常な温
度上昇、たとえば夏期の自動車内での１００℃以上への
昇温などによって一時的に使用不能となってもその後周
囲の温度低下にともなってＳｃ相湿温度領域戻れば再び
使用できるようになる。これは、電界などの外力または
微小の冷却速度などある。外力などを用いて８ｃ相を配
向させたものはそのスメクチック相上限温度を一度越え
ると、その後８ｃ相領域に降温したとしてもマルチドメ
インが出現して実用にならない。

さらに本発明の製造法によれば、ＳＣ相の配向が短時間
に実現できるので、現在ネマチック液晶材料を用いて液
晶表示素子を製造しているのと同じように、何ら特別に
繁雑な工程を追加することなく、強誘電性液晶材料を用
いた表示素子を製造できるので、工業的な製造法として
きわめて有用である。

（実施例） 以下に実施例および比較例によシ、本発明の詳細な説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。以下の実施例で使用したセルは、配向処理剤とし
て基板にポリビニルアルコールをコーティングした表面
にラビングによって平行配向処理を施し、酸化すず、酸
化インジウム（ＩＴＯ）の透明電極を備えた物である。

液晶組成物はＩ相の状態でセルに注入し、降温操作のみ
によって配向を行々つた。配向の状態は偏光顕微鏡を直
交ニコルの状態としハロゲンランプを光源として観察し
、また、有色フィルターを一切用いずに写真撮影した。

自発分極の大きさはソーヤ−・タワー（Ｓａｗｙｅｒ−
Ｔｏｖｒｅ　ｒ　）法により測定し、ｃｈ相のらせんピ
ッチの測定はカッ−（Ｃａｎｏ）ウェッジ法により、ま
た８Ｃ相のらせんピッチはらせん軸が基板に平行なセル
にてフルピッチに対応する縞模様の間隔を偏光顕微鏡に
より直接測定することにより求めた。

実施例１ ８２．１モルチおよび １７．９モルチからなる強誘電性液晶組成物（Ｅｌを調
製した。成分化合物および組成物（りの相転移温度を表
２に示す。

表　　２ 表２中、・印および一印はその上欄の相の存在および欠
如をそれぞれ意味し、（・　）はその中の相がモノトロ
ピック相であることを意味する。

組成物（Ｉ）のｃｈ相のらせんピッチは４０　ｐｍ以上
あシ、セルギャップ１０μｍのセル中でｃｈ相はＮ相状
態を示した。このＮ相状態から降温速度１０℃／分で冷
却し、５５℃のＳム相および３５℃のＳｃ＊相における
配向状態の写真をそれぞれ図１５人および図１６Ａに示
した。セルギャップ１０μ風という厚いセルで、しかも
急激な降温にもかかわらず、極めて良好なモノドメイン
を形成し、かつ層面の法線方向が２ピング方向に一致し
ていることが観察された。またＳｃ相におけるらせんピ
ッチは８．３μ扉であり、自発分極の大きさは２．５ル
Ｃ／ｄであった。

組成物（１）をセルギャップ２μｍのセルに注入シ、１
０℃／分の速度で３５℃に降温させて得られた８ｃ相の
配向状態を図１７Ａに示す。このＳｃ＊相は無電界下の
配向状態にあるため、図１７人の写真には自発分極の向
きが異なる二つの領域が明と暗で示されており、これは
液晶分子が二つの安定な状態をそれぞれの領域で呈して
いることを示すものである。この液晶セルに電界を印加
し、その極性を変えることにより、液晶セルの全域で明
または暗の状態とができた。

この液晶セルにピークツーピーク２０Ｖの矩形波交流電
圧を印加して３５℃でその応答時間を測定したところ１
　ｍ５ｅｃ、であった。また、モノドメイン状態が得ら
れたので、該液晶セルのコントラスト比は２５以上の高
い値であった。

化合物ｌはＣｈ相を欠き、化合物２はＳム相を欠いてい
るが、これらを成分とする組成物（Ｉ）では、それぞれ
の欠如せる相が補償されて、降温方向にＩ相、ｃｈ相、
Ｓム相、ＳＣ相の順の相転移型が得られている。成分化
合物のＳｃ相およびｃｈ相のらせんのねじれ方は互いに
逆方向であるので、組成物のらせんピッチの延長ができ
ている。Ｓｃ相のらせんピッチは化合物２の方が短いの
で、前記の混合比にして組成物のピッチを充分に延長で
きている。成分化合物の自発分極の向きが逆であるため
、組成物の自発分極の大きさは相殺されて減少するが、
自発分極が小さい方の化合物２の含量を小さくしている
ので、組成物の自発分極の大きさを実用にできる水準に
維持できている。このように自発分極の大きさが小さい
がらせんピッチの短い化合物はらせんピッチを延長する
目的で、ねじれ方向が逆の自発分極の大きい化合物に混
合できる。

実施例２ 次の６つの化合物 （化合物　１）　２０重量部 （化合物１５）　　１５重量部 （イー１６）　　ｔｓ重量部 （イｌ′＃！７７）　１０重量部 （化合物１７）　　２０重量部 からなる強誘電性液晶組成物（Ｉｔ）の相転移温度は。

黛逗。：品。１品忘。、論、 でｌ）、ｃｈ相のらせんピッチは４０μｍ以上、Ｓｃ相
のらせんピッチは８．１２ｍ１自発分極の大きさは１８
ルＣ／ｉｔ、傾き角は２５°であった。この液晶組成物
をセルギャップ１０μｍのセルに封入し、７０℃に冷却
したところ、図１８Ａに示すよりなＮ相状態が観察され
た。さらに降温速度１０℃／分で２５℃としたＳｃ相の
配向状態を図１９ＡＫ示す。大きなセルギャップおよび
急激な冷却にもかかわらず、きわめて良好な配向状態で
あシ、層面の法線方向もラビング方向に一致した。

次に組成物（…）をセルギャップ２μ扉のセルに封入し
、同様に降温して得られた２５℃におけるＳＣ相の配向
状態を図２ＯＡに示す。この液晶セルを直交二フルの状
態に配置した２枚の偏光板の間にはさみ、２５℃でピー
クツーピーク４０Ｖの矩形波交流を印加したところ、コ
ントラスト比２５以上で明瞭な光スイッチングが観察さ
れ、応答時間は０．６　ｍ５ｅｃ、であった。

組成物（ＩＩ）の成分の中、化合物１８はネマチック液
晶化合物で組成物のＳｃ相温度範囲を拡げるために加え
られた物である。他の５成分のＳｃ相を有する化合物の
中、化合物７だけが他のＳｃ相液晶とは自発分極の向き
およびＳｃ相のらせんのねじれ方向が違う物で、化合物
１７は自発分極の大きい成分である。残りのＳｃ相を有
する３成分は成分数を増して組成物の融点を低下させる
ために加えられている。化合物７は組成物の自発分極の
大きさをわずかな量であるが、減少するように作用する
。しかし、化合物７はＳ♂相のらせんピッチが短かく、
少量の添加で組成物の８ｃ相のらせんピッチを延長する
作用をしている。ｃｈ相におけるらせんのねじれ方向は
化合物７と化合物１７とが右まわシであり、他の３つの
左まわりの成分と混合することにより、組成物のＣｈ相
のらせんピッチは充分に延長されている。

比較例 実施例２における化合物１７に代えて、化合物１７と鏡
像異性の関係にある次式の化合物、（化合１勿１９　） を用いたほかは実施例２と同様にして６成分からなる強
誘電性液晶組成物（Ｉｌｌ）を調製した。組成物（ｍｌ
の相転移温度は当然であるが組成物（ＩＩ）の相転移温
度に等しかった。組成物＠）のＣｈ相のらせんピッチは
１μ扉以下であった。組成物（２）を実施例２で用いた
のと同様のセルギャップ１０μｍのセルに封入してｃｈ
相に導いたところＮ相状態にはならなかった。これはｃ
ｈ相のらせんのねじれ方が左まわりに片寄ったためであ
る。この液晶セルを１℃／分の速度でゆつくシと降温さ
せて２５℃で得られた８ｃ相の配向状態を図２１Ａに示
す。また組成物＠）を実施例２で用いたのと同様のセル
ギャップ２μｍのセルに封入して降温速度ｘ℃／分で慎
重にＳｃ相（２５℃）に導いたところの配向状態を図２
２Ａに示す。双方の液晶セルとも極めて慎重に配向を試
みたにもかかわらず、配向状態は悪く、層面の法線方向
とラビング方向との一致もみられなかった。この結果か
らｃｈ相のらせんピッチが長い組成物はどＳｃ＊の配向
状態が良いことが判った。

【図面の簡単な説明】

図１は化合物３と化合物４との２成分系組成物の相図で
ある。図２Ａ〜ＩＯＡ、図１１〜１４および図１５Ａ〜
２２Ａはそれぞれ液晶分子の配列状態を示す偏光顕微鏡
写真である。各図の写真における倍率は１００倍である
。図２Ｂ〜１０Ｂおよび図１５Ｂ〜２２Ｂは対応する番
号の写真において、偏光顕微鏡の偏光子（Ｐ）および検
光子囚の方向および表示セルのラビング方向（ｒ）を示
す図である。 以上 図　１ 化合物３０　　２５　　５０　　７５　　　１００化会
物４１００　７５　　５０　　２５　　０モ　ｌし　χ 国２Ａ 回３Ａ 図４Ａ 図５Ａ 図６Ａ ロアＡ 図８Ａ 口９Ａ 口１０Ａ 図１１ 目１２ 図１４ 図１５Ａ 凹１６八 口１７Ａ 図、１８Ａ 図１９Ａ 日２０Ａ 日２１Ａ 図２２Ａ 手　　続　　補　　正　　書　（方式）％式％ ２　発明の名称 液晶表示素子およびその製造法 ＆　補正をする者 事件との関係　　特許出願人 大阪府大阪市北区中之島三丁目６番３２号（〒５３０）
（２０７）チッソ株式会社 代我者野木貞雄 先代理人 東京都新宿区新宿２丁目８番１号（〒１６０）（電話　
３゜４−１２８５）　　　　ド巳　補正命令の日付 ｄ　補正の対象 ４、図面の簡単な説明 Ｉ　補正の内容 明細書の図面の簡単な説明を別紙のとおり訂正する。 ａ　添付書類の９鍮 別紙　図面の簡単な説Ｆ！ＡＣ全文）　　１通別紙 図面の簡単な説明（全文） 図１は発明の詳細な説明に記載される化合物３と化合ｖ
ＩＪ４とからなる２成分系組成物の相図である。図２＾
〜図１０−に−および図１５−に−図２２−ｈの図番号
ＫＡを付した各図ならびに図１１〜図１４の各図は、そ
れぞれ発明の詳細な説明において説明される通シの液晶
分子の配列状態を示す偏光顕微鏡写真であシ、それらの
倍率は１００倍である。 図２番〜図１０４−および図１５合〜図２２＋の図番号
にＢを付した各図は、それぞれ対応する図番号にＡを付
した各図の偏光顕微鏡写真における、偏光子の方向（Ｐ
）、検光子の方向（Ａ）および表示セルのラビング方向
（ｒ）を示す図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）等方性液相から降温方向にコレステリツク相、ス
   メクチツクＡ相および強誘電性カイラルスメクチツクＣ
   相の順にそれぞれの相を欠くことなくすべて有し、かつ
   コレステリツク相およびカイラルスメクチツクＣ相にお
   けるらせんピッチが２μｍ以上である強誘電性液晶材料
   を用いる液晶表示素子。
2. （２）等方性液相から降温方向にコレステリツク相、ス
   メクチツクＡ相および強誘電性カイラルスメクチツクＣ
   相の順にそれぞれの相を欠くことなくすべて有し、かつ
   コレステリツク相およびカイラルスメクチツクＣ相にお
   けるらせんピッチが２μｍ以上である強誘電性液晶材料
   を用いてカイラルスメクチツクＣ相の配向を行なうこと
   を特徴とする液晶表示素子の製造方法。