JPH0288692A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents

強誘電性液晶組成物

Info

Publication number
JPH0288692A
JPH0288692A JP23934988A JP23934988A JPH0288692A JP H0288692 A JPH0288692 A JP H0288692A JP 23934988 A JP23934988 A JP 23934988A JP 23934988 A JP23934988 A JP 23934988A JP H0288692 A JPH0288692 A JP H0288692A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
phase
crystal composition
smectic
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP23934988A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2764172B2 (ja
Inventor
Sadao Takehara
貞夫 竹原
Masashi Osawa
大沢 政志
Tadao Shoji
東海林 忠生
Hiroshi Ogawa
洋 小川
Noburu Fujisawa
宣 藤沢
Takeshi Kuriyama
毅 栗山
Kayoko Nakamura
佳代子 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kawamura Institute of Chemical Research
DIC Corp
Original Assignee
Kawamura Institute of Chemical Research
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawamura Institute of Chemical Research, Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd filed Critical Kawamura Institute of Chemical Research
Priority to JP63239349A priority Critical patent/JP2764172B2/ja
Publication of JPH0288692A publication Critical patent/JPH0288692A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2764172B2 publication Critical patent/JP2764172B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであシ、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
〔従来技術〕
現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜10
00倍の高速応答が可能で、かつ多安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチツク
C(以下、S08と省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
sc”相を示す液晶化合物(以下、sc”化合物という
。)はこれまでにも検討されてきておシ、既に数多くの
化合物が合成されている。しかしながら、これらのSC
*化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 0)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を有すること(ハ)
特にキラルネマチック(以下、N9と省略する。)相に
おいて長い螺旋ピッチを示すことに)適当なチルト角を
持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ) 自発分極がある程度以上大きな値であること さらK (ト)(ロ)及び(ハ)の結果として良好な配向を示す
とと (ト)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
そのため、現在では、SC*相を示す液晶組成物(以下
、sc”液晶組成物という。)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
良好な配向性を得るためには1例えば、特開昭61−1
53623号公報等に示されているように、SC*相の
高温域にN1相を有する液晶において、N*相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にSC*相とN*相の中間の温度域にスメクチッ
クA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配向
けより良好となり。
螺旋ピッチを大きくするには、左螺旋を生じさせる光学
活性物質と、右螺旋を生じさせる光学活性化合物を組み
合せて用いればよいことも知られている。(ネマチック
(以下、Nと省略する。)液晶に光学活性物質を添加し
て生じる螺旋ピッチを任意の長さに調整することは既に
公知の技術である。)しかし、これらの技術によっては
良好な配向性は得られるものの、高速応答性が得られる
わけではなかった。
高速応答性を示すには、例えば、第12回液晶討論会に
おける特別講演(同討論会予稿集P、98)(lO) で示されているように、低粘性のスメクチックC(以下
、SCと省略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下
、SC母体液晶という。)に、自発分極(以下、P8と
省略する。)の大きいSC*化合物を添加する方式が優
れている。この方式によれば。
螺旋を生じさせる光学活性化合物の割合が少なくなるた
め、螺旋ピッチは比較的長くなるが、配向性が良好とな
るほど螺旋ピッチを長くしようとすると光学活性化合物
の添加量を少量にする必要があり、そのため自発分極が
小さくなりすぎ、高速応答性が得られなくなってしまう
問題点があった。
また、SC母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ”86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
(R、R’はアキラルなアルキル基を表わす。)の如く
、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すものに限
られるか、又はそれに加えて分子軸に対して垂直方向に
強いダイポール(分極)を示すような液晶化合物を添加
した組成物であり。
SC相の温度範囲を広く保つと粘性が大きくなり、粘性
を小さくするとSC相の温度範囲が狭くなるという問題
点があった。
従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。
本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上記課題を解決するためにスメクチックC相を
示す液晶組成物(以下1本発明で使用するSC母体液晶
という。)に。
+1)  ネマチック相を示す液晶材料に添加した場合
に右巻きの螺旋を生じる光学活性化合物の少なくとも1
種及び (2)  ネマチック相を示す液晶材料に添加した場合
に左巻きの螺旋を生じる光学活性化合物の少なくとも1
株から成る組成物をキラルドー・ぐントとして添加して
成る液晶組成物であって1等方性液体状態からの冷却時
において、キラルネマチック相、次いでスメクチックA
相を経てキラルスメクチックC相に相転移し、室温を含
む広い温度範囲でキラルスメクチックC相を示す液晶組
成物を提供する。
本発明で使用するSC母体液晶は、そのSC相の高温側
において、降温時に、 (イ) ■(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の
相系列を有するもの (ロ) I相→SA相→SC相の相系列を有するもの e→ ■相→N相→SC相の相系列を有するもの又は に) I相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが。
(イ)〜に)の選択は、同時に用いるキラルドーA?ン
トによって異なる。号も繁用性のあるのは(イ)であり
、キラルドーパントのネマチック性(SC母体液晶に添
加した場合に、N*相の温度範囲を広げ、SA相の温度
範囲を狭くしやすい傾向)が強い場合には(ロ)を、キ
ラルドーノ4ントのスメクチックA性(SC母体液晶に
添加した場合に、SA相の温度範囲を広げ、N8相の温
度範囲を狭くしやすい傾向)が強い場合には(ハ)を、
また、SC性が弱く、N*相やSA相の温度範囲を広げ
やすい場合などにはに)を用いるのが、最も適している
。重要であるのはSCI液晶組成物とした場合KI→N
*→S C−+ SC”の相系列を示すことである。
本発明で使用するSC母体液晶は、従来用いられてきた
ようIsc相を示す化合物から成る組成物を用いること
もできるが、より高速応答性を得るためKは、以下に示
すような組成物がより好ましい。
即ち、(■)主として2環構造であシ、室温に近い温度
でSC相を示す化合物又はその同族体(アルキル鎖のみ
が異なる化合物)から成る組成物(以下、中温域母体液
晶という。)に。
(■)2環構造であり1分子中に極性基が少なく、低粘
性の化合物(以下、減粘液晶という。)を加えて粘度を
低くし、 (2)減粘液晶を加えることKよって低下したSC相の
上限温度を高くするために、TC点(SC相又はSC”
相の上限温度を表わす。)が高く、3環以上の環構造を
有する化合物又はその同族体から成る組成物(以下、高
温液晶という。)を加えて成る組成物である。
(T)  中温域母体液晶 ここでいう中温域母体液晶とは、それを構成する液晶化
合物が、光学的に不活性であり、2環又は33J構造で
あって、3環構造の場合には、少なくと4,133はシ
クロヘキシル環であって、SC相を示す化合物又は、そ
のアルキル鎖の炭素原子数。
形状のみが異った同族体から成り、その同族体中の少な
くとも1種の化合物は10℃以上における任意の1℃以
上の温度巾の範囲でモノトロピックでもよいSC相を示
す化合物である。ただし、33JH1l造の場合には、
SC相の上限温度が90℃未満である液晶であり、10
℃〜80℃における任意の10℃以上の温度巾でモノト
ロピックでもよいSC相を示すものである。
中温域母体として用いられる化合物の代表的なものを以
下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R1
,R2は各々独立的に炭素原子数1〜18のアルキル基
を表わす。
(1−a) (1−b) (]−e) (1−d) (I−e) (1−r) 減粘液晶として用いられる化合物の代表的なものを以下
に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R1,
R2は各々独立的に炭素原子数1〜12のアルキル基を
表わす。
(II −a ) (11)減粘液晶 ここでいう減粘液晶とは、低粘度の液晶化合物又は組成
物であって、構成する低粘度化合物は2環構造であって
必ずしもSC相を示さなくてもよいが、中温域母体液晶
に添加することにより、応答性の向上に寄与するもので
あり1両側鎖の少なくとも一方は、アルキル基であり、
特に望ましくは両側鎖がアルキル基である化合物であっ
て1分子内に含まれるエステル結合は1個以下であるこ
とを特徴とするものである。
(II−b) (II−c) (IT−d) (n−e) (2)高温液晶 ここでいう高温液晶とけ、主として3環構造からなるか
、あるいはそれ以上の環からなり、SC相を示す光学活
性でない化合物、その同族体、又は、これらから成る組
成物であって、SC相を示す化合物はそのSC相の上限
温度が90℃以上であり、かつ、少なくとも5度以上の
温度幅の温度域においてSC相を示すものであり、その
同族体においては上限温度が90℃未満であってもよく
温度中が5度未満であってもよく、あるいはSC相がモ
ノトロピックであってもよいものであり、組成物として
、SC相の上限温度が90℃以上で、少なくとも5度以
上の温度幅の温度域においてSC相を示すものである。
高温液晶として用いられる化合物の代表的なものを以下
に掲げる。ただし以下に示す一般式において、R11R
2は各々独立的に炭素原子数1〜18のアルキル基を表
わす。
(III−a) (Ill−b) (lit−c) (m−d) (m−e) (In−f) (Ill−g) (III−1t) (1’ll−i) (In−j) (III−k) (m−t) (1o2) 以上の化合物のうち、中温域母体液晶としては、式(I
−a)及び式(I−b)で表わされる化合物が好ましく
、式(I−a−1)、式(1−a−5)及び式(1−b
−1)で表わされる化合物が特に好ましい。
減粘液晶としては、式(It−a)及び式(If−b)
で表わされる化合物が好ましく1式(II−a−1) 
、式(If−a−6)及び式(If−b−1)で表わさ
れる化合物が特に好ましい。また、高温液晶としては1
式(In−a) 、式(1−b)及び式(If−e)で
表わされる化合物が好ましく、式(DI−a−1) 、
式(III−a−2)。
式−([1−a−13) 、式(1−b−1) 、式(
III−c−1)及び式(IIl−c−3)で表わされ
る化合物が特に好ましい。
これらの化合物を用いたSC母体液晶のうち。
(1)  式(I−a−1)又は式(1−b−1)で表
わされる化合物から成る中温域母体液晶、 (II)  式(I[−a−6)又は式(II−b−1
)で表わされる化合物から成る減粘液晶及び (至)式(1−a−1) 、式(I[I−a−2) 、
式(II[−e−1)又は式(I[[−c−3)で表わ
される化合物から成る高温液晶の組み合わせから成る組
成物が特に好ましい。
中温域母体液晶の配合割合は、SC母体液晶の1−90
重量%が好ましく、5〜75重量%が特に好ましい。減
粘液晶の配合割合は、 SC母体液晶の1〜50重量%
が好ましく、5〜40重量%が特に好ましい。高温液晶
の配合割合は、SC母体液晶の1〜70重景%が好まし
く、5〜60重量%が特に好ましい。
SC母体液晶として、前記の特に好ましい組み合わせか
ら成る組成物の場合には、中温域母体液晶を50〜70
重量%、減粘液晶を15〜25重量%及び高温液晶を1
5〜25重量%配合することが特に好ましい。
t1^A′X 本発明で使用するキラルドーパントとしては、(1) 
SC”相を示す化合物、(2) SO”相似性の液晶相
のみを示す化合物又は(3)液晶性を全く示さない化合
物を用いることができるが、(3)の場合には、SC母
体液晶に添加して得られるsc”液晶組成物の液晶性が
低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有す
る化合物を用いることが好ましい。
キラルドーパントがSC*液晶組成物にもたらす諸物性
のうち重要なものは、その銹起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構成する各化合物の光学活性部位によシ最も大
きな影響管受ける。
これまでキラルドーパント、SC”化合物又はネマチッ
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。
(IV−11)  弐Cf12指C1凰、九ctt−t
、:2a5(IV−37) −O−CfI−CH−OR5 (IV−69) t −COOCfI2−Cfl−R5 */\。
(IV−92)  −0−CH2−CI(−cH−R5
上記各一般式において、mは1〜4の整数を表わし、n
は1〜10の整数を表わし、R5は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R5は炭素原子数1〜10のアルキル
基を嵌わし、R6は炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
光学活性基として、式(IV−1)〜(IV−22)で
表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物は
SC母体液晶に添加してsc”液晶組成物とした際に誘
起される自発分極が非常に小さく、単独でSC*相を示
す場合でもそのはとんどが10 nC/11”以下にす
ぎない。
一万、光学活性基として、式(ll/−31)〜(IV
−95)で表わ嘔れる光学活性基を含有する光学活性化
合物は、SC母体液晶に添加してsc”液晶組成物とし
た際に誘起する自発分極が大きく、単独でSC*相を示
す場合などでは300 nC々−以上の大きな値を示す
ものも存在する。
このような光学活性基を末端に有するような光学活性化
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。
上記各基本骨格のベンゼン環にフッ素原子、塩累原子、
臭素原子、メチル基、メトキシ基、シアノ基又はニトロ
基が置換した各基本骨格も使用できる。
以上のような基本骨格の片側に前記キラル基が結合し、
他側にはアルキル基、アルコキシル基、アルカノイルオ
キシ基、アルコキシカルがニル基、アルコキシカルビニ
ルオキシ基等が結合した光学活性化合物、もしくは基本
骨格の両側に前記キラル基が結合した光学活性化合物が
、キラルドーノjントの構成成分として有効に用いるこ
とができる。
特に両側に前記キラル基が結合した光学活性化合物にお
いては、各キラル基が同一ではなく、その自発分極の向
きが同一か、あるいは片側が他方に対してはるかに強い
自発分極を誘起するものが望ましく、さらにはその螺旋
のねじり方向が相反する化合物が望ましい。
前記キラル基と基本骨格からなるキラルドー・9ントの
構成成分として好ましい光学活性化合物の代表的なもの
を以下に掲げる。
(M−a)基本骨格の片側の側鎖のみに光学活性基を有
する化合物 上記一般式中、R1は炭素原子数1〜20のアルキル基
、アルコキシル基、アルカノイルオキシ基、アルコキシ
アルキル基、アルコキシカル?ニルオキシ基又はアルコ
キシアルキルを表わし、R4は炭素原子数2〜10のア
ルキル基を表わし、R5は炭素原子数1〜10のアルキ
ル基を表わし、2は−coo−1−〇Cト、−cII2
o−1−oca2−又は単結合を我わす。
(Vl−b)基本骨格の両側に光学活性基を有する化合
物 上記一般式中、R4及びR1は各々独立的に炭素原子数
2〜10のアルキル基を表わし、R5及び85′は各々
独立的に炭素原子数1〜1oのアルキル基を表わし、t
はO〜5の整数を表わし、Yは単結合、−o−1−oc
o−1−coo−又は−〇〇〇〇−を表わし、2は−c
oo−,−oco−1−Cf(20−1−0CH2−又
u 単結合を表わし、z′は(φΣ2合 す0 上記のキラルドーパントは、SC母体液晶中に1〜60
.i[41%の割合で添加してsc”液晶組成物として
用いるのが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重
量%の割合で添加することが好ましい。
キラルドーパントの添加割合が60重量%よシ多いと、
自発分極は増加するが、キラルドーパント自体が母体液
晶にくらべるとはるかに粘性が大きいため、S08液晶
組成物の粘度が大きくなシ、結果的に高速応答性に悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない。また、キラル
ドーパントの添加量の増加はその螺旋ピッチを短くする
ために配向性にも悪影響を与える傾向にあるので好まし
くない。一方、キラルドーパントの添加割合が1重量%
よシ少ないと、自発分極があまシに小さくなシやはシ高
速応答性は望めない。
SC*液晶組成物の自発分極の値は、3〜30nC10
n2の範囲にあるようにキラルドー・セントの添加割付
全調整することが好ましく、SC*相を示すキラルドー
パントの場合、単独で100 nC/の2程度の自発分
極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起
するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加
割付は20〜40惠量%)範囲が好ましく、300nC
/i以上の強い自発分極を示すキラルドーノ9ントの場
合、キラルドーノ4ントの添加割合は、2〜25重量%
の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起する自発分
極が強い程、その最も望ましい添加割付は減少するが、
例示した光学活性化合物からなるキラルドーパントでは
その添加割合が1重量%を下回ることはない。
本発明のsc”液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてN*相、次いでSA相を経てSC*相へと
相転移するが、その際N*相からSA相への相転移温度
(以下N” −SA点という。)から、該N” −SA
点の1度高温側までにおけるN*相に出現する螺旋のピ
ッチが3μm以上であるSC*液晶組成物がよシ好まし
く、該螺旋のピッチが10μm以上でアシ、N” −S
A点に近づくにつれて該螺旋のピッチが発散的に大きく
なるSC*液晶組成物が特に好ましい。
キラルドーパントとして、単一の光学活性化合物、又は
SC母体液晶に添加してsc”液晶組成物とした際にN
1相に出現する螺旋の捩れ方向が同一の光学活性化合物
から成る組成物を用いた場合、キラルドーパントの濃度
が実用的な範囲では、上記螺旋のピッチが更に短かくな
る傾向にあるので、上記の好ましい範囲にある螺旋のピ
ッチt−有するSC*液晶組成物は得がたい。そこで、
上記の好ましい範囲に螺旋のピッチを調製するために、
SC母体液晶に添加してsc”液晶組成物とした際にN
*相に出現する螺旋の向きが互いに相反する光学活性化
合物を少なくとも1種キラルドーパントに添加すること
が望ましい。
複数の光学活性化合物を含むSC*液晶組成物のN*相
に出現する螺旋のピッチP(μm)は各光学活性物質の
濃度をC4,各単位濃度あたシの螺旋のピッチをPi 
(μrn)とすると (ここでは螺旋のピッチは右巻きを正、左巻きを負とす
る。)、これを用いてSC*液晶組成物のSA −N”
点T。における戸をP−とする時、るようにC$ 1選
べばよい。ここでPiはN相を有する該SC母体液晶に
各光学活性化合物を単位濃度添加することによシ測定が
可能である。実際にはToは各C(によって変化するが
、各光学活性化合物を該SC母体液晶中に、濃度ΣCi
だけ添加したときの8A −N”点の変化などから、か
なシ正確に類推できることが多く、推定値T01とそれ
を用いて選ばれた組成物のT。とが大きく異なる場合に
はTolに換えてToを用いて再度測定すればよい。
本発明のSC*液晶組成物のN8相を示す温度範囲は、
3度以上30度未満の範囲が好ましい。N1相を示す温
度範囲が、3未満である場合、降温時にすみやかにSA
相に相転移するため、N8相で液晶分子を充分に配向し
にくくなる傾向にあるので好ましくない。ま九 N*相
を示す温度範囲が30度以上である場合、SC*液晶組
成物の透明点が高温になシ、セルに液晶材料を充填する
工程等における作業性に悪影響を及ばず傾向にあるので
好ましくない。
キラルドー/母ントは、キラルドー7千ント自体の液晶
性の有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に
(1)  N”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は (2)  N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のSC
*液晶組成物のN*相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示でないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法は
、N1相に限らず、SA相及びSC1相についても同様
に応用することができる。
例えば、キラルドーパントがSC*液晶組成物のSA相
のみを拡大し、N*相及びSC*相を縮小するような場
合には、SC母体液晶として、SC相の上限温度が高<
、N相の温度範囲が広く、かつ。
SC相→N相→I相の相系列を有するもの、又はSA相
の温度範囲が狭(SC相→SA相→N相→工相の相系列
を有するものを用いれはよい。
このようなキラルドーパントの傾向は、SC母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるSC8液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することによシ、容
易に知ることができる。この結果から、SC*液晶組成
物における各相、特にN1相を示す温度範囲は容易に調
整することができる。
本発明で使用するキラルドーA?ントとしては、一定量
のSC母体液晶に添加することによって、ある程度以上
の自発分極(以下、P8と省略する。)を誘起すること
が必要である。
前述の如<、8C”液晶組成物としては、そのP。
の値が、特に室温付近で3〜30 nc/cm”の範囲
になるようにキラルドーパントの添加量を調整すればよ
い。しかしながら、キラルドーパントが誘起するP、の
値が小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対し
て多くなシ、これに伴なってSC”液晶組成物の粘性が
犬きくなシ、その結果、高速応答性が得られなくなる傾
向にあるので好ましくナイ。従って1本発明で使用する
キラルドーパントとしては、SC母体液晶に10!t%
添加した場合に1.0nC/α2以上のP、全誘起でき
るものが好ましく、5重量%添加した場合に0.5 n
c/crn”以上のP、を誘起できるものが特に好まし
い。
〔実施例〕
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲はこれらの実施例によって限定
されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量%
を表わす。
実施例1 (SC母体液晶の調製(1))中温域母体液
晶として前記式(1−a−1)の化合物、減粘液晶とし
て前記式(I[−a−6)の化合物、及び高温液晶とし
て前記式(DI−a−1)の化合物を以下の割合で用い
てSC母体液晶を調製した。
(I−a−1) (If−a−6) (III−a−1) このSC母体液晶は、融点−3℃であシ、43℃まテs
c相、65℃まテ8A相、76.5℃までN相を各々示
し、76.5℃以上で■相となる低粘性の組成物であっ
た。
実施例2 (SC母体液晶の調製(2))中温域母体液
晶として前記式(1−a−1)の化合物、減粘液晶とし
て前記式(IF−a−6)の化合物、及び高温液晶とし
て前記式([I−a−2)の化合物を以下の割合で用い
てSC母体液晶を調製した。
(1−a−1) (III−a−2) (1−a−6) この8C母体液晶は、53℃までSC相、83.5℃ま
でSA af各々示し、83.5℃以上で■相となる低
粘性の組成物であった。
実施例3 (8C母体液晶の調製(3))中温域母体液
晶として前記式(I−a−1)の化合物、減粘液晶とし
て前記式(II−a−6)の化合物、及び高温液晶とし
て前記式(II[−c−1)の化合物を以下の割合で用
いてSC母体液晶を調製した。
(1−a−1) (If−a−6) このSC母体液晶は、56.5℃までSC相、80.5
℃までSA ′Mi’i各々示し、80.5℃以上で1
相となる低粘性の組成物であった。
実施例4 (SC母体液晶の調製(4))中温域母体液
晶として前記式(1−a−1)の化合物、減粘液晶とし
て前記式(II−b−1)の化合物、及び高温液晶とし
て式(I[[−a−1)の化合物全以下の割合で用いて
SC母体液晶を調製した。
(1−a−1) (Ill−c−1) (1−b−1) (II−a−1) このSC母体液晶は、47.5℃までSC相、56.0
℃までSA相、65.0℃までN相を各々示し、65.
0℃以上で!相となる低粘性の組成物であった。
実施例5 (SC母体液晶の調製(5))中温域母体液
晶として前記式(1−b−1)の化合物。
減粘液晶として前記式(If−a−1) 、及び高温液
晶として前記式(DI−m−1)の化合物を以下の割合
で用いてSC母体液晶を調製した。
(1−b−1) こOSC母体液晶は、75.0”Cまテsc相、98.
5℃までN8t−各々示し、98.5℃以上で!相とな
る低粘性の組成物であった。
実施例6(キラルドーパントの111製(1))SC母
体液晶に添加してSC*液晶組成物とした際に、N1相
に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、式 (この化合物をSC母体液晶に10%添加した際にN*
相に出現させる螺旋のピッチは60”Cにおいて4.7
μmである。) の化合物73%と、左巻きの螺旋を出現させる化合物と
して、式 N*相に出現させる螺旋のピッチは60℃において11
.9μmである。) の化合物27%とを混合して、N*相に出現させる螺旋
のピッチが調整されたキラルドーパントを調製した。
このキラルドーパントを、実施例1で得たSC母体液晶
に10%添加して得たSC”液晶組成物の25℃におけ
る自発分極の値は、5.5 nC/l−であった。
実施例7(キラルドーパントのM製(2))SC母体液
晶に添加してSC*液晶組成物とした際に、?相に右巻
きの螺旋を出現させる化合物として、式 (この化介物ヲSC母体液晶に10%添加した際に(こ
の化合物ヲSC母体液晶に10%添加した際にN*相に
出現させる螺旋のピッチは60℃において1.3μmで
ある。) の化合物50%と、左巻きの螺旋を出現させる化合物と
して、式 (この化合物ヲSC母体液晶に10%添加した際にN*
相に出現させる螺旋のピッチは60℃において1.3J
krnである。) の化合物50%とを混合して、?相に出現させる螺旋の
ピッチが調整されたキラルドーパントを調製した。
このキラルドーパントヲ、実施例1で得たSC母体液晶
に10%添加して得たSC*液晶組成物の25℃におけ
る自発分極の値は10 nc 7cm”であった。
実施例s (sc”液晶組成物の調製(1))実施例1
で得たSC母体液晶80.0重量%、実施例6で得たキ
ラルドーノぐント20.0重量%からなるSC“液晶組
成物を調製した。
このsc”液晶組成物の融点は一26℃で50.5℃ま
でsc”相、66℃までSA相、71℃までN*相を各
々示し、71℃以上で■相となった。
この組成物の66.1℃における螺旋ピッチは30μm
であシ、配向処理を施したセルに充填して等方性液体相
から徐冷すると極めて良好な配向性を示した。
また、このセルに電界強度i 0 V、−p/μmの5
0fhの矩形波を印加して、その電気光学応答を測定し
たところ、25℃で38μ秒という高速応答が確認でき
た。
このときの自発分極は、14.8 tic/m” 、チ
ルト角は22.0°であった。
実施例9 (SC”液晶組成物の調製(2))実施例3
で得たSC母体液晶84重量%と実施例6で得たキシル
ドーパント16.0重量%からなるSC*液晶組成物全
調製した。
この組成物は62.5℃以下でSC*相を示し、実施例
8と同様に良好な配向性を示した。
実施例8と同様にして、その高速応答性を測定したとこ
ろ、25℃で50μ秒の高速応答が確認できた。
このときの自発分極は、10.6 nc 7cm2.チ
ルト角は19.4°であった。
実施例10 (SC”液晶組成物の調製(3))実施例
4で得たSC母体液晶84重量%と実施例6で得たキシ
ルドーパント16重量%からなるsc”液晶組成物を調
製した。
この組成物は54.5℃以下でSC”相を示し、実施例
8と同様に良好な配向性を示した。
実施例8と同様にして高速応答性を測定したところ、2
5℃で50μ秒の高速応答が確認できた。
このときの自発分極は、9.4nC/cm2、チルト角
は19°であった。
〔発明の効果〕
本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れておシ、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
従って、本発明の強誘電性液晶組成物は、強誘電性スメ
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、スメクチックC相を示す液晶組成物に、 (1)ネマチック相を示す液晶材料に添加した場合に右
    巻きの螺旋を生じる光学活性化合物の少なくとも1種及
    び (2)ネマチック相を示す液晶材料に添加した場合に左
    巻きの螺旋を生じる光学活性化合物の少なくとも1種 から成る組成物をキラルドーパントとして添加して成る
    液晶組成物であって、 等方性液体状態からの冷却時において、キラルネマチッ
    ク相、次いでスメクチックA相を経てキラルスメクチッ
    クC相に相転移し、室温を含む広い温度範囲でキラルス
    メクチックC相を示す液晶組成物。 2、降温時にキラルネマチック相からスメクチックA相
    に相転移する温度から、該相転移温度の1度高温側まで
    における温度域において、 該キラルネマチック相に出現する螺旋のピッチが3μm
    以上である請求項1記載の液晶組成物。 3、キラルネマチック相を示す温度範囲が3度以上30
    度未満の範囲にある請求項1記載の液晶組成物。 4、キラルネマチック相を示す温度範囲が3度以上30
    度未満の範囲にある請求項2記載の液晶組成物。 5、スメクチックC相を示す液晶組成物に10重量%添
    加した場合に1.0nC/cm^2以上の自発分極を誘
    起するキラルドーパントを用いる請求項1記載の液晶組
    成物。 6、スメクチックC相を示す液晶組成物に10重量%添
    加した場合に1.0nC/cm^2以上の自発分極を誘
    起するキラルドーパントを用いる請求項2記載の液晶組
    成物。 7、スメクチックC相を示す液晶組成物に10重量%添
    加した場合に1.0nC/cm^2以上の自発分極を誘
    起するキラルドーパントを用いる請求項3記載の液晶組
    成物。 8、スメクチックC相を示す液晶組成物に10重量%添
    加した場合に1.0nC/cm^2以上の自発分極を誘
    起するキラルドーパントを用いる請求項4記載の液晶組
    成物。 9、スメクチックC相を示す液晶組成物がスメクチック
    C相の高温域において、スメクチックA相及びネマチッ
    ク相を示す請求項1記載の液晶組成物。 10、スメクチックC相を示す液晶組成物がスメクチッ
    クC相の高温域において、スメクチックA相及びネマチ
    ック相を示す請求項2記載の液晶組成物。 11、スメクチックC相を示す液晶組成物がスメクチッ
    クC相の高温域において、スメクチックA相及びネマチ
    ック相を示す請求項3記載の液晶組成物。 12、スメクチックC相を示す液晶組成物がスメクチッ
    クC相の高温域において、スメクチックA相及びネマチ
    ック相を示す請求項4記載の液晶組成物。 13、スメクチックC相を示す液晶組成物に10重量%
    添加した場合に1.0nC/cm^2以上の自発分極を
    誘起するキラルドーパントを用いる請求項9記載の液晶
    組成物。 14、スメクチックC相を示す液晶組成物に10重量%
    添加した場合に1.0nC/cm^2以上の自発分極を
    誘起するキラルドーパントを用いる請求項10記載の液
    晶組成物。15、スメクチックC相を示す液晶組成物に
    10重量%添加した場合に1.0nC/cm^2以上の
    自発分極を誘起するキラルドーパントを用いる請求項1
    1記載の液晶組成物。16、スメクチックC相を示す液
    晶組成物に10重量%添加した場合に1.0nC/cm
    ^2以上の自発分極を誘起するキラルドーパントを用い
    る請求項12記載の液晶組成物。17、スメクチックC
    相を示す液晶組成物が、中温域母体液晶、減粘液晶及び
    高温液晶から成る請求項1記載の液晶組成物。 18、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項2記載の
    液晶組成物。 19、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項3記載の
    液晶組成物。 20、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項4記載の
    液晶組成物。 21、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項5記載の
    液晶組成物。 22、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項6記載の
    液晶組成物。 23、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項7記載の
    液晶組成物。 24、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項8記載の
    液晶組成物。 25、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項9記載の
    液晶組成物。 26、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項10記載
    の液晶組成物。 27、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項11記載
    の液晶組成物。 28、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項12記載
    の液晶組成物。 29、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項13記載
    の液晶組成物。 30、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項14記載
    の液晶組成物。 31、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項15記載
    の液晶組成物。 32、スメクチックC相を示す液晶組成物が、中温域母
    体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成る請求項16記載
    の液晶組成物。
JP63239349A 1988-09-24 1988-09-24 強誘電性液晶組成物 Expired - Fee Related JP2764172B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63239349A JP2764172B2 (ja) 1988-09-24 1988-09-24 強誘電性液晶組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63239349A JP2764172B2 (ja) 1988-09-24 1988-09-24 強誘電性液晶組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0288692A true JPH0288692A (ja) 1990-03-28
JP2764172B2 JP2764172B2 (ja) 1998-06-11

Family

ID=17043424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63239349A Expired - Fee Related JP2764172B2 (ja) 1988-09-24 1988-09-24 強誘電性液晶組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2764172B2 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61195187A (ja) * 1985-02-25 1986-08-29 Chisso Corp 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物
JPS61249022A (ja) * 1985-06-13 1986-11-06 Canon Inc 液晶の配向制御法
JPS61255323A (ja) * 1985-05-08 1986-11-13 Chisso Corp 液晶表示素子およびその製造法
JPS61291679A (ja) * 1985-06-18 1986-12-22 Chisso Corp 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物
JPH02695A (ja) * 1987-12-12 1990-01-05 Sony Corp 強誘電性液晶組成物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61195187A (ja) * 1985-02-25 1986-08-29 Chisso Corp 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物
JPS61255323A (ja) * 1985-05-08 1986-11-13 Chisso Corp 液晶表示素子およびその製造法
JPS61249022A (ja) * 1985-06-13 1986-11-06 Canon Inc 液晶の配向制御法
JPS61291679A (ja) * 1985-06-18 1986-12-22 Chisso Corp 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物
JPH02695A (ja) * 1987-12-12 1990-01-05 Sony Corp 強誘電性液晶組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP2764172B2 (ja) 1998-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0288692A (ja) 強誘電性液晶組成物
EP0325228A2 (en) A smectic liquid crystal mixture
JPH02185590A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02269795A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02276887A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02286784A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02286785A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02219892A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH036292A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02245090A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02232292A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH03152187A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02208392A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02247282A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02191695A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02245091A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02263893A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02255792A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02255793A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02272092A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02311593A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02219891A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH03182590A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02252796A (ja) 強誘電性液晶組成物
JPH02263891A (ja) 強誘電性液晶組成物

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees