JPH03152187A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH03152187A JPH03152187A JP1291447A JP29144789A JPH03152187A JP H03152187 A JPH03152187 A JP H03152187A JP 1291447 A JP1291447 A JP 1291447A JP 29144789 A JP29144789 A JP 29144789A JP H03152187 A JPH03152187 A JP H03152187A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性・にすぐれた液晶表示素子への利用可
能性を有する液晶材料を提供するものである。
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性・にすぐれた液晶表示素子への利用可
能性を有する液晶材料を提供するものである。
〔従来技術]
現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜1o
oo倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜1o
oo倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、SCIと省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、SCIと省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
SC1相を示す液晶化合物(以下、SC2化合物という
、)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかしながら、これらのSC
11化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチ
ング素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を有すること (ハ)特にキラルネマチック(以下、N9と省略する。
、)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかしながら、これらのSC
11化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチ
ング素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を有すること (ハ)特にキラルネマチック(以下、N9と省略する。
)相において長い螺旋ピッチを示すこと(ニ)適当なチ
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (ト)(ロ)及び(ハ)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (ト)(ロ)及び(ハ)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
そのため、現在では、sc”相を示す液晶組成物(以下
、S00液晶組成物という、)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
、S00液晶組成物という、)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭61−1
53623号公報等に示されているように、S00相の
高温域にN1相を有する液晶において、N0相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にS00相とN0相の中間の温度域にスメクチッ
クA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配向
はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左螺
旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる光
学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られて
いる。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に光
学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さに
調整することは既に公知の技術である。)しかし、これ
らの技術によっては良好な配向性は得られるものの、高
速応答性が得られるわけではなかった。
53623号公報等に示されているように、S00相の
高温域にN1相を有する液晶において、N0相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にS00相とN0相の中間の温度域にスメクチッ
クA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配向
はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左螺
旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる光
学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られて
いる。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に光
学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さに
調整することは既に公知の技術である。)しかし、これ
らの技術によっては良好な配向性は得られるものの、高
速応答性が得られるわけではなかった。
高速応答性を示すには、例えば、第12回液晶討論会に
おける特別講演(同討論会予稿集p、9B)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、P3と省略する。
おける特別講演(同討論会予稿集p、9B)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、P3と省略する。
)の大きいSC“化合物を添加する方式が優れている。
この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物の
割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなるが
、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようとす
ると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり、
そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得ら
れなくなってしまう問題点があった。
割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなるが
、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようとす
ると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり、
そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得ら
れなくなってしまう問題点があった。
また、SC母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
(、R,R’はアキラルなアルキル基を表わす、)(R
,R’は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
,R’は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。
に実現するのは困難なことであった。
本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶m酸物
を提供することにある。
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶m酸物
を提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するために、光学的に不活性
でスメクチックC相を示す母体液晶(以下、SC母体液
晶という、)に、光学活性化合物から成るキラルドーパ
ントを加えて成るキラルスメクチックC相を示す液晶組
成物であって、母体液晶が、 (1) 下記一般式(A−1)、(A−2)、(A−
3)、(A−4)及び(A−5)で表わされる化合物か
ら成るA群から選ばれる化合物、(2)下記一般式(B
−1)、(B−2)、(B−3)及び(B−4)で表わ
される化合物から成るB群から選ばれる化合物及び (3)下記一般式(C)で表わされる化合物を含有する
ことを特徴とする室温を含む広い温度範囲でキラルスメ
クチックC相を示す強誘電性液晶組酸物を提供する。
でスメクチックC相を示す母体液晶(以下、SC母体液
晶という、)に、光学活性化合物から成るキラルドーパ
ントを加えて成るキラルスメクチックC相を示す液晶組
成物であって、母体液晶が、 (1) 下記一般式(A−1)、(A−2)、(A−
3)、(A−4)及び(A−5)で表わされる化合物か
ら成るA群から選ばれる化合物、(2)下記一般式(B
−1)、(B−2)、(B−3)及び(B−4)で表わ
される化合物から成るB群から選ばれる化合物及び (3)下記一般式(C)で表わされる化合物を含有する
ことを特徴とする室温を含む広い温度範囲でキラルスメ
クチックC相を示す強誘電性液晶組酸物を提供する。
一般式(A−1)
一般式(A−2)
一般式(A−3)
R−(ぎ(いRゝ
一般式(A−4)
一般式(A−5)
R−(防coo会Bb
(上記一般式(A−1) 〜(A−5)中、R”及びR
ゝは各々独立的に炭素原子数1〜20の直鎖状又は分岐
状のアルキル基又はアルコキシル基を表わすが、R”及
びRゝのうち、少な(とも一方の基はアルコキシル基を
表わすが、好ましくは、R1及びRbのうち、一方の基
は炭素原子数4〜12の直鎖状アルキル基を表わし、他
方の基は炭素原子数4〜12の直鎖状又は分岐状のアル
コキシル基を表わす、) 一般式(B−1) R’(E)C00合R’ 一般式(B−2) R僕Dc00−()−[1’ 一般式(B−3) Rc会c++、0−(E)−Rd 一般式(B−4) Rc((防※)−Rd (上記一般式(B−1) 〜(B−4)中、R’及びR
1は各々独立的に炭素原子数1〜1日の直鎖状又は分岐
状のアルキル基を表わすが、RC及びR4のうち、少な
くとも一方の基は直鎖状アルキル基を表わすが、好まし
くはR’及びR4は各々独立的に炭素原子数4〜12の
直鎖状アルキル基を表わし、■は沓、−(Cト、 (式中、R1及びR1は各々独立的に炭素原子数1〜2
0の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基
を表わすが、R・及びR’のうち、少なくとも一方の基
はアルキル基を表わし、又はべE−を表わす。′) 一般式(C) R”→σ)−◇◇←CH!0ベニXRf少なくとも1個
の環は←(■− を表わすが、好 とができる。
ゝは各々独立的に炭素原子数1〜20の直鎖状又は分岐
状のアルキル基又はアルコキシル基を表わすが、R”及
びRゝのうち、少な(とも一方の基はアルコキシル基を
表わすが、好ましくは、R1及びRbのうち、一方の基
は炭素原子数4〜12の直鎖状アルキル基を表わし、他
方の基は炭素原子数4〜12の直鎖状又は分岐状のアル
コキシル基を表わす、) 一般式(B−1) R’(E)C00合R’ 一般式(B−2) R僕Dc00−()−[1’ 一般式(B−3) Rc会c++、0−(E)−Rd 一般式(B−4) Rc((防※)−Rd (上記一般式(B−1) 〜(B−4)中、R’及びR
1は各々独立的に炭素原子数1〜1日の直鎖状又は分岐
状のアルキル基を表わすが、RC及びR4のうち、少な
くとも一方の基は直鎖状アルキル基を表わすが、好まし
くはR’及びR4は各々独立的に炭素原子数4〜12の
直鎖状アルキル基を表わし、■は沓、−(Cト、 (式中、R1及びR1は各々独立的に炭素原子数1〜2
0の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基
を表わすが、R・及びR’のうち、少なくとも一方の基
はアルキル基を表わし、又はべE−を表わす。′) 一般式(C) R”→σ)−◇◇←CH!0ベニXRf少なくとも1個
の環は←(■− を表わすが、好 とができる。
A群に族する化合物は、室温あるいは室温付近d温度範
囲で、SC相を示す化合物あるいはその同族体(アルキ
ル鎖の炭素数及び、またはその形状のみが異った化合物
)であって、粘性は中程度であるが、低温域までSC相
の温度範囲を拡大するのに寄与するところが大きい化合
物である。本発明は、特に前記一般式(A−1)、(A
、2)、(A−3)、(A−4)又は(A−5)で表わ
される化合物の少なくとも1種を含有することを特徴と
する。
囲で、SC相を示す化合物あるいはその同族体(アルキ
ル鎖の炭素数及び、またはその形状のみが異った化合物
)であって、粘性は中程度であるが、低温域までSC相
の温度範囲を拡大するのに寄与するところが大きい化合
物である。本発明は、特に前記一般式(A−1)、(A
、2)、(A−3)、(A−4)又は(A−5)で表わ
される化合物の少なくとも1種を含有することを特徴と
する。
一般式(A−1)、(A、2)、(A−3)、(A−4
)及び(A−5)で表わされる化合物としては、更に詳
しくは、以下の化合物を挙げるこRg<Hト@トOR’ ・・・ (A−31) R90(防(温ORゝ ・・・ (A−32) A群に属する化合物と類似した性質を有する化合物とし
て、次の(1)〜(3)の化合物も必要とあれば液晶組
成物の成分として含有していて差しつかえない。
)及び(A−5)で表わされる化合物としては、更に詳
しくは、以下の化合物を挙げるこRg<Hト@トOR’ ・・・ (A−31) R90(防(温ORゝ ・・・ (A−32) A群に属する化合物と類似した性質を有する化合物とし
て、次の(1)〜(3)の化合物も必要とあれば液晶組
成物の成分として含有していて差しつかえない。
(1)一般式(A−1)〜(A−3)において、R11
及びRbのうち、少くとも一方の基が、アルコキシカル
ボニル、アルカノイルオキシ又はアルコキシカルボニル
オキシ基であり、他方の基がアルキル、アルコキシ、ア
ルコキシカルボニル、アルカノイルオキシ又はアルコキ
シカルボニル基であるところの化合物。
及びRbのうち、少くとも一方の基が、アルコキシカル
ボニル、アルカノイルオキシ又はアルコキシカルボニル
オキシ基であり、他方の基がアルキル、アルコキシ、ア
ルコキシカルボニル、アルカノイルオキシ又はアルコキ
シカルボニル基であるところの化合物。
(2)一般式(A−1)〜(A−3)又は上記(1)−
i式(^−11)〜(A−53)で表わされる化合物の
うち、一般式(A−11)、(^−12)、(A−21
)、(八−22)、(A−31)、(A−32)、(A
−41)、(A−42)、(A−52)及び(^−53
)で表わされる化合物が好ましく、一般式%式%) わされる化合物が特に好ましい。
i式(^−11)〜(A−53)で表わされる化合物の
うち、一般式(A−11)、(^−12)、(A−21
)、(八−22)、(A−31)、(A−32)、(A
−41)、(A−42)、(A−52)及び(^−53
)で表わされる化合物が好ましく、一般式%式%) わされる化合物が特に好ましい。
(3)次の一般式(A−4)〜(A−7)で表わされる
化合物。
化合物。
一般式(A−4)
(式中、Rt及びRjは、各々独立的にアルキル、アル
コキシル、アルキルチオ、アルコキシカルボニル、アル
キルチオカルボニル、アルカノイルオキシ、又はアルコ
キシカルボニルオキシ基を表わすが、少なくとも一方の
基はアルキル基ではなく、を表わす。
コキシル、アルキルチオ、アルコキシカルボニル、アル
キルチオカルボニル、アルカノイルオキシ、又はアルコ
キシカルボニルオキシ基を表わすが、少なくとも一方の
基はアルキル基ではなく、を表わす。
一般式(A−6)
は2位又は3位にFが置換していてよい、)一般式(A
−5) R’ Qcoo分Rj ・・・(A−5)(式中、R
h及びRjは、一般式(A−4)の場合と同様の意味を
有し、 (式中、 及びRJ 一般式(A−4) の場 表わす。) 一般式(A−7) R”(〉CミC(¥) Rj ・・・(A−7)(式
中、Rゑ、R”8 及び 分 は−(イ) 一般式(B−1) で表わされる化合物 数式(A−6)の場合と同様の意味を有する。)B群に
属する化合物は、それ自身及びその同族体においてもS
C相を示すことはないが、非常に低粘性の化合物であっ
て、sc”液晶組成物に加えることにより、その粘度を
低下させ、応答性の向上に寄与するものである。本発明
は、特に前記一般式(B−1)、(B−2)、(B−3
>又は(B−4)で表わされる化合物を少なくとも1種
含有することを特徴とするものである。
−5) R’ Qcoo分Rj ・・・(A−5)(式中、R
h及びRjは、一般式(A−4)の場合と同様の意味を
有し、 (式中、 及びRJ 一般式(A−4) の場 表わす。) 一般式(A−7) R”(〉CミC(¥) Rj ・・・(A−7)(式
中、Rゑ、R”8 及び 分 は−(イ) 一般式(B−1) で表わされる化合物 数式(A−6)の場合と同様の意味を有する。)B群に
属する化合物は、それ自身及びその同族体においてもS
C相を示すことはないが、非常に低粘性の化合物であっ
て、sc”液晶組成物に加えることにより、その粘度を
低下させ、応答性の向上に寄与するものである。本発明
は、特に前記一般式(B−1)、(B−2)、(B−3
>又は(B−4)で表わされる化合物を少なくとも1種
含有することを特徴とするものである。
B群に属する代表的な化合物として、以下の化合物を挙
げることができる。
げることができる。
/
/
上表中、
・はその相が存在することを、
−は存
在しないことを、・の右の数字はその相からより高温域
の相への転移温度を各々表わし、()内はその相がモノ
トロピックであることを表わす。
の相への転移温度を各々表わし、()内はその相がモノ
トロピックであることを表わす。
Crは結晶相、SBはスメクチックB相、Nはネマチッ
ク相、Iは等方性液体相を表わすが、SBは一部SA(
スメクチックA)相の可能性もある。
ク相、Iは等方性液体相を表わすが、SBは一部SA(
スメクチックA)相の可能性もある。
(ロ)
一般式(B−2)で表わされる化合物
(ハ)
一般式(B−3)
で表わされる化合物
(上表中、
Sはスメクチック相を表わす。
)
(ニ)
一般式(B−4)
で表わされる化合物
(上式中、
SEはスメクチックE相を表わす。
)
ン
これらのB群の化合物は、N相やSA相、SB相、ある
いはSE(スメクチックE)相を示しても、チルト系の
スメクチック相、特にSC相は示さない。
いはSE(スメクチックE)相を示しても、チルト系の
スメクチック相、特にSC相は示さない。
一般に、このような相転移を示す化合物をSC母体液晶
に添加した場合、そのTc (SC相の上限温度)を大
きく降下させることが多く、これまでSC母体液晶の構
成材料としてはほとんど用いら・れていなかった。しか
るに、A群及び0群から選ばれる化合物を用いることに
より、特に0群の化合物の効果によって、Tcの降下を
抑制し、かつ、液晶組成物の粘性を低下させて、応答性
を大きく向上させることが可能となった。
に添加した場合、そのTc (SC相の上限温度)を大
きく降下させることが多く、これまでSC母体液晶の構
成材料としてはほとんど用いら・れていなかった。しか
るに、A群及び0群から選ばれる化合物を用いることに
より、特に0群の化合物の効果によって、Tcの降下を
抑制し、かつ、液晶組成物の粘性を低下させて、応答性
を大きく向上させることが可能となった。
また、これらの化合物は、特に一般式(B−1)〜(B
−3)で表わされる化合物においては、(D−において
、フッ素置換の有無、あるいはその位置によって、その
液晶性に差があり、SC母体液晶(又は、S01液晶組
成物)のN相(又はN0相)の温度範囲を拡大したい場
合には、B群の化合物と順位した性質を有する化合物と
して、以下に示す一般式(B′)で表わされSC相を示
さない化合物を併用して用いることもできる。
−3)で表わされる化合物においては、(D−において
、フッ素置換の有無、あるいはその位置によって、その
液晶性に差があり、SC母体液晶(又は、S01液晶組
成物)のN相(又はN0相)の温度範囲を拡大したい場
合には、B群の化合物と順位した性質を有する化合物と
して、以下に示す一般式(B′)で表わされSC相を示
さない化合物を併用して用いることもできる。
Rh及びR1は各々独立的に炭素原子数1〜18と直鎖
又は分岐状のアルキル基を表わすが、好ましくは炭素数
4〜12の直鎖状アルキル基を表ゎCOOOCOCFI
zo 0CHz−CHzClh−1Cミc−
、−cos−−5co−又は単結合を表わす。(ただし
、B群の化合物を除く。)前記一般式(C)で表わされ
る化合物は、高い温度域までSC相を示すか、あるいは
SC相を示さない場合でもTc (SC相の上限温度)
の低い液晶組成物に添加することにより、そのTcを上
昇しうる効果を有しているものであり、SC相の温度範
囲の特に高温域における拡大に寄与するものであり、具
体的には以下の化合物をあげることができる。
又は分岐状のアルキル基を表わすが、好ましくは炭素数
4〜12の直鎖状アルキル基を表ゎCOOOCOCFI
zo 0CHz−CHzClh−1Cミc−
、−cos−−5co−又は単結合を表わす。(ただし
、B群の化合物を除く。)前記一般式(C)で表わされ
る化合物は、高い温度域までSC相を示すか、あるいは
SC相を示さない場合でもTc (SC相の上限温度)
の低い液晶組成物に添加することにより、そのTcを上
昇しうる効果を有しているものであり、SC相の温度範
囲の特に高温域における拡大に寄与するものであり、具
体的には以下の化合物をあげることができる。
/
ぐ
(表中、SFはスメクチックF相を、SGはスメクチッ
クC相を各々表わす。) −M式(C)で表わされる化合物と類似の効果を有する
化合物としては、次の一般式(C,)で表わされる化合
物を挙げることができる。これらは−1式(C)で表わ
される化合物と併用して用いることができる。
クC相を各々表わす。) −M式(C)で表わされる化合物と類似の効果を有する
化合物としては、次の一般式(C,)で表わされる化合
物を挙げることができる。これらは−1式(C)で表わ
される化合物と併用して用いることができる。
一般式(C)
式中、R″″及びR”は各々独立的に炭素原子数1〜1
8の、好ましくは3〜12の直鎖状又は分岐状のアルキ
ル基を表わし、Zl及びZ4は各々独立的に−coo−
,−oco−、−o−、−s−又は単結合を表わし、好
ましくは少なくとも1方が単結合を表わす。
8の、好ましくは3〜12の直鎖状又は分岐状のアルキ
ル基を表わし、Zl及びZ4は各々独立的に−coo−
,−oco−、−o−、−s−又は単結合を表わし、好
ましくは少なくとも1方が単結合を表わす。
Z8及びZ、は各々独立的に、−coo−、−oc。
CuI2 0CHz 、 COS 、 5
CO−。
CO−。
CB!−CH!−1c=c−あるいは単結合を表わすが
、少なくとも1方は単結合であることが好ましい。
、少なくとも1方は単結合であることが好ましい。
の環における任意の1〜2個の水素がフッ素装置フッ素
置換体)であり、さらにその少な(とも1方が −0−
を表わす場合である。
置換体)であり、さらにその少な(とも1方が −0−
を表わす場合である。
本発明で使用するSC母体液晶において、A群の化合物
の割合は1〜90重量%の範囲が好ましく、5〜75重
量%の範囲が特に好ましい、B群の化合物の割合は、小
さすぎると応答性の改善効果が小さく、大きすぎるとT
cが低くなりすぎることから1〜60重景%の範囲、特
に5〜40重量%の範囲が好ましい。
の割合は1〜90重量%の範囲が好ましく、5〜75重
量%の範囲が特に好ましい、B群の化合物の割合は、小
さすぎると応答性の改善効果が小さく、大きすぎるとT
cが低くなりすぎることから1〜60重景%の範囲、特
に5〜40重量%の範囲が好ましい。
一般式(C)で表わされる化合物の割合は、小さすぎる
とTcが低く、大きすぎると応答性を低下するので5〜
70重量%の範囲、特に10〜50重量%の範囲が好ま
しい。
とTcが低く、大きすぎると応答性を低下するので5〜
70重量%の範囲、特に10〜50重量%の範囲が好ま
しい。
本発明で使用するSC母体液晶は、そのSC相の高温側
において、降温時に、 (イ)!(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (ロ)I相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)■相→N相→SC相の相系列を有するも又は (ニ)■相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、(イ)〜(ニ)の
選択は、同時に用いるキラルドーパント及び、SC”液
晶組成物とした場合の好ましい相系列により異なってく
る。最も繁用性のあるのは、(イ)であり、キラルドー
パントをSパC母体液晶に添加した場合に、N*相の温
度範囲を広げ、SA相等の温度範囲を狭くしやすい傾向
が強い場合には(ロ)を、キラルドーパントをSC母体
液晶に添加した場合に、SA相の温度範囲を広げ、N1
相の温度範囲を狭くしやすい傾向が強い場合には(ハ)
を、また、SC性が弱く、N“相やSA相の温度範囲を
広げやすい場合などには(ニ)を用いるのが、最も適し
ている0重要であるのはS00液晶組成物とした場合の
相系列であって、−船釣には、l→N”→SA→SC1
の相系列が配向の点で有利である。一方、I→N”→S
C”の相系列も配向制御方法によっては、より良好な配
向を示す場合もあり、また、大きなチルト角が得やすい
ので、ゲスト・ホスト方式などに適している。
において、降温時に、 (イ)!(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (ロ)I相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)■相→N相→SC相の相系列を有するも又は (ニ)■相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、(イ)〜(ニ)の
選択は、同時に用いるキラルドーパント及び、SC”液
晶組成物とした場合の好ましい相系列により異なってく
る。最も繁用性のあるのは、(イ)であり、キラルドー
パントをSパC母体液晶に添加した場合に、N*相の温
度範囲を広げ、SA相等の温度範囲を狭くしやすい傾向
が強い場合には(ロ)を、キラルドーパントをSC母体
液晶に添加した場合に、SA相の温度範囲を広げ、N1
相の温度範囲を狭くしやすい傾向が強い場合には(ハ)
を、また、SC性が弱く、N“相やSA相の温度範囲を
広げやすい場合などには(ニ)を用いるのが、最も適し
ている0重要であるのはS00液晶組成物とした場合の
相系列であって、−船釣には、l→N”→SA→SC1
の相系列が配向の点で有利である。一方、I→N”→S
C”の相系列も配向制御方法によっては、より良好な配
向を示す場合もあり、また、大きなチルト角が得やすい
ので、ゲスト・ホスト方式などに適している。
また、l−3A→SC“の相系列も、初期の強誘電性液
晶(p−デシルオキシベンジリデンアミノケイヒ酸(S
)−2−メチルブチル等)が、この相系列であったため
、その配向方法についてよく検討されており、良好な配
向を得ることも不可能ではない。
晶(p−デシルオキシベンジリデンアミノケイヒ酸(S
)−2−メチルブチル等)が、この相系列であったため
、その配向方法についてよく検討されており、良好な配
向を得ることも不可能ではない。
本発明で使用するキラルドーパントとしては、(1)S
C”相を示す化合物、(2) S C”相思外の液晶相
のみを示す化合物又は(3)液晶性を全く示さない化合
物を用いることができるが、(3)の場合には、SC母
体液晶に添加して得られるSC*液晶組成物の液晶性が
低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有す
る化合物を用いることが好ましい。
C”相を示す化合物、(2) S C”相思外の液晶相
のみを示す化合物又は(3)液晶性を全く示さない化合
物を用いることができるが、(3)の場合には、SC母
体液晶に添加して得られるSC*液晶組成物の液晶性が
低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有す
る化合物を用いることが好ましい。
キラルドーパントがS08液晶組成物にもたらす諸物性
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
橿の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
橿の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。
これまでキラルドーパント、
011
化合物又は
ネマチック液晶への添加剤として用いられてきた光学活
性化合物における光学活性基の代表的なものを以下に掲
げる。
性化合物における光学活性基の代表的なものを以下に掲
げる。
/
/
/
/
/
/
/
113
− CHt−CIl CHz ORsH3
1・
−CHCHz 0Rs
(IV−16)
CB3 CH:l
−0−C)bcHt−CB−CHzCIlzCHx−C
H−CHi(IV−18) CH3CH。
H−CHi(IV−18) CH3CH。
1申
−0−CHiCH*−CB−CHzCHzCH=CCH
3(rV−21) CH3 −S +C11g−+−r+C0(CH2)t−CH3
(rV−22) 0 CL 1 −O−C−0−(−CH2−±yCI((CH!h−C
1h32) CH3 0C1l R4 3)) 一υ−L:II−L11.−L;II−Uピ5(IV−
53) tlff C)IORs (IV−57) CI OCHz CHRs (rv’−69) 1 −CO0CHz C)l Rs (IV−70) CI。
3(rV−21) CH3 −S +C11g−+−r+C0(CH2)t−CH3
(rV−22) 0 CL 1 −O−C−0−(−CH2−±yCI((CH!h−C
1h32) CH3 0C1l R4 3)) 一υ−L:II−L11.−L;II−Uピ5(IV−
53) tlff C)IORs (IV−57) CI OCHz CHRs (rv’−69) 1 −CO0CHz C)l Rs (IV−70) CI。
1・
−OCHz CHCHt 0CORs(■
71)
CH3
0CI CHz OC0Rs
(IV−72)
CH。
OCRCHz(CHx)−T−OCORs(IV−73
) CH3 0−CHt−CI(CHt)i−OCORs(IV−7
6) CH2 −S−CH−Rs (■−80) COOC)It CHRs (■ 81) 一〇 N CH2Ctl Rs (IV−82) N CH−RS (■ 83) C)1.cN COOCHz C1l Rs (■ 84) l1ICN OCJ CHRs 上記各一般式において、mは1〜4の整数を表わし、n
は1〜10の整数を表わし、R1は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R2は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、Rhは炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
) CH3 0−CHt−CI(CHt)i−OCORs(IV−7
6) CH2 −S−CH−Rs (■−80) COOC)It CHRs (■ 81) 一〇 N CH2Ctl Rs (IV−82) N CH−RS (■ 83) C)1.cN COOCHz C1l Rs (■ 84) l1ICN OCJ CHRs 上記各一般式において、mは1〜4の整数を表わし、n
は1〜10の整数を表わし、R1は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R2は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、Rhは炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
光学活性基として、式(IV−1”)〜(IV−22)
で表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物
ではSC母体液晶に添加してSC“液晶組成物とした際
に誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でS0
9相を示す場合でもそのほとんどが10nC/cm”以
下にすぎない。
で表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物
ではSC母体液晶に添加してSC“液晶組成物とした際
に誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でS0
9相を示す場合でもそのほとんどが10nC/cm”以
下にすぎない。
一方、光学活性基として、式(IV−31)〜(■−9
1)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物
は、SC母体液晶に添加してSC1液晶組成物とした際
に誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でS00
相を示す場合などでは300nC/cm”以上の大きな
値を示すものも存在する。
1)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物
は、SC母体液晶に添加してSC1液晶組成物とした際
に誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でS00
相を示す場合などでは300nC/cm”以上の大きな
値を示すものも存在する。
このような光学活性基を末端に有するような光学活性化
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。
CI。
CI!
(V−18)
−σσC■2cH2−■
(V−42)
クト0バ替
(V−66)
一〇F)
(V−90)
一■(ト・・・()
(V−114)
分OCぺ今()
(V−162)
※)ocu、居8公
(V−186)
侶■キoco、−(’、Q)
(V−234)
侶■介QC)It ()
(V−446)
(お込
(V−447)
發cooやお込
(V−448)
畳oco℃→込
(V−449)
合coto+ス
(V−450)
合0CHz祖≠ス
(V−451)
[相](Yス
(■
473)
(V−474)
べ)OCO(慈ス
一@−co、o(→入
(V−475)
件OCH憾ビ1
(V−476)
」(ン込
(V−477)
づ(X込
(V−478)
ろ(ビ込
−N
(V−479)
合coo糸^
(V−505)
石<oco松ス
N
(V−529)
[相]ベース
(V−530)
[相](妊J
(V−531)
[相]W
(V−532)
[相]→犀ス
(V−533)
[相]4ン込
−N
(V−534)
舎◎へ入
(V−535)
如X÷林
上記各基本骨格中のベンゼン環あるいはシクロヘキサン
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
以上のような基本骨格の片側もしくは両側に前記キラル
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式(D) Ql−I Ql中 〔式中、Q”及びQ”は互いに異なった光学活性基であ
って、各光学活性基は少なくとも1個の不斉炭素原子を
有し、かつ、Q10及びQ”のうち少なくとも1方の基
は、不斉炭素原子が酸素、イオ1 つ、窒素、フッ素、塩素あるいは−C−又は−CミNと
直結した構造を有する。2は一般式() これらの環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子
又はシアノ基に置換した構造を表わし、Yl及びY!は
各々独立的に単結合、−COO−0COCHzo
0CHz CHtC1l□−−c = c −
−cos−又は一5CO−を表わし、s!!0又はlを
表わす。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 で表わされる光学活性化合物が好ましい。
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式(D) Ql−I Ql中 〔式中、Q”及びQ”は互いに異なった光学活性基であ
って、各光学活性基は少なくとも1個の不斉炭素原子を
有し、かつ、Q10及びQ”のうち少なくとも1方の基
は、不斉炭素原子が酸素、イオ1 つ、窒素、フッ素、塩素あるいは−C−又は−CミNと
直結した構造を有する。2は一般式() これらの環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子
又はシアノ基に置換した構造を表わし、Yl及びY!は
各々独立的に単結合、−COO−0COCHzo
0CHz CHtC1l□−−c = c −
−cos−又は一5CO−を表わし、s!!0又はlを
表わす。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 で表わされる光学活性化合物が好ましい。
更に、好ましくは光学活性基Q1°及びQ■は各々次の
一般式(F−1)及び(F−2)で表わされる。
一般式(F−1)及び(F−2)で表わされる。
一般式(F−1)
XI
R’ −CH−Y”
一般式(F−2)
X!
1申
R” −CH−Y’ −
(式中、R1及びRtは各々独立的に炭素原子数2〜1
0のアルキル基又は炭素原子数1〜10のアルコキシル
基、アルコキシカルボニル基又はアルカノイルオキシ基
を表わし、C0は不斉炭素原子を表わし、XI及びX2
は各々独立的にCH。
0のアルキル基又は炭素原子数1〜10のアルコキシル
基、アルコキシカルボニル基又はアルカノイルオキシ基
を表わし、C0は不斉炭素原子を表わし、XI及びX2
は各々独立的にCH。
F−1C1−又は−CNを表わし、Yt及びY3は各々
独立的に単結合、−o−−coo−−oco−+ CH
thTO+ Cflgh、 + CHt)rI−OCO
+ CH2h又は +Cl1p)rT−COO+ CH
z)iiを表わし、11.22、ml、m2、nl及び
n2は各々独立的に0〜5の整数を表わす、) さらに好ましくは、各キラル基が同一でなく、かつ、そ
の少なくとも一方が、その不斉炭素原子が酸素(0)、
イオウ(S)、チッ素(N)、フッ素(F)、塩素(I
J)等のへテロ原子あるい1 はC,、CNに直結した構造であること、特に、前記(
IV−31)〜(IV−101)で表わされる基のいず
れかであることが望ましい。
独立的に単結合、−o−−coo−−oco−+ CH
thTO+ Cflgh、 + CHt)rI−OCO
+ CH2h又は +Cl1p)rT−COO+ CH
z)iiを表わし、11.22、ml、m2、nl及び
n2は各々独立的に0〜5の整数を表わす、) さらに好ましくは、各キラル基が同一でなく、かつ、そ
の少なくとも一方が、その不斉炭素原子が酸素(0)、
イオウ(S)、チッ素(N)、フッ素(F)、塩素(I
J)等のへテロ原子あるい1 はC,、CNに直結した構造であること、特に、前記(
IV−31)〜(IV−101)で表わされる基のいず
れかであることが望ましい。
このように、基本骨格の両側に互いに異ったキラル基が
結合した光学活性化合物を用いることによる利点として
以下の点を挙げることができる。
結合した光学活性化合物を用いることによる利点として
以下の点を挙げることができる。
(1)片側にのみキラル基を有する化合物より強い自発
分極を示しうる。
分極を示しうる。
即ち、前記(IV−31)〜(TV−91)で表わされ
る基から選ばれるキラル基と(mV−1)〜(IV−2
2)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格
の両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基と
しては(IV−31)〜(■−91)で表わされる基か
ら選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である
化合物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外挿値
として自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有す
る化合物の方が10〜30nC/cm”あるいはそれ以
上大きい。(IV−1)〜(IV−22)で表わされる
基に由来する自発分極はたかだか10nC/cm”程度
であるので、両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りも大きくなっていることがわかる。
る基から選ばれるキラル基と(mV−1)〜(IV−2
2)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格
の両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基と
しては(IV−31)〜(■−91)で表わされる基か
ら選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である
化合物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外挿値
として自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有す
る化合物の方が10〜30nC/cm”あるいはそれ以
上大きい。(IV−1)〜(IV−22)で表わされる
基に由来する自発分極はたかだか10nC/cm”程度
であるので、両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りも大きくなっていることがわかる。
さらに(IV−31)〜(IV−91)で表わされる基
から選ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基
本骨格の両側に有するような化合物では、両方のキラル
基による自発分極の極性(よく知られた強誘電性液晶で
ある(S)−2−メチルブチルb−デシルオキシベンジ
リデンアミノフェニルシンナメート(DOBAMBC)
の極性をeと決める。)を同一にあわせた場合には非常
に大きい自発分極を得ることができる。
から選ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基
本骨格の両側に有するような化合物では、両方のキラル
基による自発分極の極性(よく知られた強誘電性液晶で
ある(S)−2−メチルブチルb−デシルオキシベンジ
リデンアミノフェニルシンナメート(DOBAMBC)
の極性をeと決める。)を同一にあわせた場合には非常
に大きい自発分極を得ることができる。
この場合には両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りもさらに100 nC/ cttr”あるいはそれ以
上に大きな自発分極を得ることもできる。
りもさらに100 nC/ cttr”あるいはそれ以
上に大きな自発分極を得ることもできる。
キラルドーパントとしてはその誘起しうる自発分極が大
きい程、その使用量が少な(でもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、S
C*液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。
きい程、その使用量が少な(でもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、S
C*液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。
(2) N”相あるいはS00相に誘起する螺旋ピッ
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
前述のように良好な配向性を得るためには、そのN1相
あるいは5011相における螺旋ピッチが長いことが重
要である。キラルドーパントは全体として螺旋ピッチが
調整されていればよいのであって、個々の化合物につい
ては、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの
主成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調
整が容易である。また、螺旋ピッチ調整を主目的として
加える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加
量を押えることができるので好都合である。
あるいは5011相における螺旋ピッチが長いことが重
要である。キラルドーパントは全体として螺旋ピッチが
調整されていればよいのであって、個々の化合物につい
ては、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの
主成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調
整が容易である。また、螺旋ピッチ調整を主目的として
加える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加
量を押えることができるので好都合である。
螺旋ピッチを長くするには、両側のキラル基による螺旋
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(IV−91)で表わされる基から選ばれる基を両
側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一であ
ることが好ましい。
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(IV−91)で表わされる基から選ばれる基を両
側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一であ
ることが好ましい。
(3)大きな自発分極を示しうる特に(TV−31)〜
(IV−91)で表わされる基から選ばれるキラル基で
あって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得ら
れたものは、その光学純度は必ずしも100%ではない
ものが多いが、これらを100%に精製するのはかなり
困難である。しかしながら、天然物から得られた(S)
−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微生
物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高いキ
ラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマーと
なるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が容
易となり光学純度を100%に近づけることができる。
(IV−91)で表わされる基から選ばれるキラル基で
あって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得ら
れたものは、その光学純度は必ずしも100%ではない
ものが多いが、これらを100%に精製するのはかなり
困難である。しかしながら、天然物から得られた(S)
−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微生
物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高いキ
ラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマーと
なるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が容
易となり光学純度を100%に近づけることができる。
一般式(B)の化合物は、キラルドーパントの構成成分
として10%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である。
として10%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である。
一般式(B)の化合物中で、特に好ましい基本骨格とキ
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。
キル基を表わし、R1は炭素原子数2〜10の直鎖状の
アルキル基又は炭素原子数3〜10の分岐状のアルキル
基、又は炭素原子数4〜10の少なくとも1個の不斉炭
素を含む光学的活性なアルキル基を表わし、!は0〜5
の整数を表わし、Yは単結合、−o−、−oco−、−
coo−、又は−oco。
アルキル基又は炭素原子数3〜10の分岐状のアルキル
基、又は炭素原子数4〜10の少なくとも1個の不斉炭
素を含む光学的活性なアルキル基を表わし、!は0〜5
の整数を表わし、Yは単結合、−o−、−oco−、−
coo−、又は−oco。
を表わし、Wは、塩素フッ素又は−〇−CH3を表わし
、Z′ は、 上記一般式中、R4及びR4′は各々独立的に炭素原子
数2〜10のアルキル基を表わし、R2及びR、lは各
々独立的に炭素原子数1〜10のアル−COO−−0C
O−−CH□o−、−ocut−、又は単す。
、Z′ は、 上記一般式中、R4及びR4′は各々独立的に炭素原子
数2〜10のアルキル基を表わし、R2及びR、lは各
々独立的に炭素原子数1〜10のアル−COO−−0C
O−−CH□o−、−ocut−、又は単す。
XI及びX4は各々独立的に水素原子、フッ素原子又は
シアノ基を表わし、X2は水素原子又はXlを表わし、
X3は水素原子又はX4を表わす及びX4のうち少なく
とも一方は水素原子を表わす。
シアノ基を表わし、X2は水素原子又はXlを表わし、
X3は水素原子又はX4を表わす及びX4のうち少なく
とも一方は水素原子を表わす。
上記のキラルドーパントは、SC母体液晶中に1〜60
重量%の割合で添加してS01液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重量%の
割合で添加することが好ましい。キラルドーパントの添
加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶に(らべるとはるか
に粘性が大きいため、S00液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない、また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない、一方、キラル
ドーパントの添加割合が1重量%より少ないと、自発分
極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない。
重量%の割合で添加してS01液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重量%の
割合で添加することが好ましい。キラルドーパントの添
加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶に(らべるとはるか
に粘性が大きいため、S00液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない、また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない、一方、キラル
ドーパントの添加割合が1重量%より少ないと、自発分
極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない。
S01液晶組成物の自発分極の値は、3〜30nC/c
m”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合を
調整することが好ましく、SC“相を示すキラルドーパ
ントの場合、単独で100nC/Cal”程度の自発分
極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起
するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加
割合は10〜40重量%の範囲が好ましく、300 n
C/ ell”以上の強い自発分極を示すキラルドーパ
ントの場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25
重量%の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起する
自発分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少す
る。しかしながら、キラルドーパントが誘起するP、の
値が小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対し
て多くなり、これに伴なってS00液晶組成物の粘性が
大きくなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾
向にあるので好ましくない。従って、本発明で使用する
キラルドーパントとしては、SC母体液晶に10重量%
添加した場合に1.OnC/cm”以上のPlを誘起で
きるものが好ましく、5重量%添加した場合に0.5n
C/cm”以上のP、を誘起できるものが特に好ましい
。
m”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合を
調整することが好ましく、SC“相を示すキラルドーパ
ントの場合、単独で100nC/Cal”程度の自発分
極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起
するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加
割合は10〜40重量%の範囲が好ましく、300 n
C/ ell”以上の強い自発分極を示すキラルドーパ
ントの場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25
重量%の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起する
自発分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少す
る。しかしながら、キラルドーパントが誘起するP、の
値が小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対し
て多くなり、これに伴なってS00液晶組成物の粘性が
大きくなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾
向にあるので好ましくない。従って、本発明で使用する
キラルドーパントとしては、SC母体液晶に10重量%
添加した場合に1.OnC/cm”以上のPlを誘起で
きるものが好ましく、5重量%添加した場合に0.5n
C/cm”以上のP、を誘起できるものが特に好ましい
。
本発明のS00液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてN0相、あるいはSA相、あるいはN′″
相とSA相を経てS01相へと相転移するが、その際N
1相からSA相への相転移温度(以下N”−3A点とい
う。)から、glN“SA点の1度高温側までにおける
N9相に出現する螺旋のピッチが3μm以上であるS0
1液晶組成物がより好ましく、該螺旋のピッチが108
m以上であり、N” −3A点に近づくにつれて該螺旋
のピッチが発散的に大きくなるsc”液晶組成物が特に
好ましい。
却時においてN0相、あるいはSA相、あるいはN′″
相とSA相を経てS01相へと相転移するが、その際N
1相からSA相への相転移温度(以下N”−3A点とい
う。)から、glN“SA点の1度高温側までにおける
N9相に出現する螺旋のピッチが3μm以上であるS0
1液晶組成物がより好ましく、該螺旋のピッチが108
m以上であり、N” −3A点に近づくにつれて該螺旋
のピッチが発散的に大きくなるsc”液晶組成物が特に
好ましい。
本発明のsc”液晶組成物のN1相を示す温度範囲は、
3度以上30度未満の範囲が好ましい。
3度以上30度未満の範囲が好ましい。
N1相を示す温度範囲が、3度未満である場合、降温時
にすみやかにSA相に相転移するため、N0相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い、また、N0相を示す温度範囲が30度以上である場
合、S09液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液
晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ぼ
しやすい。
にすみやかにSA相に相転移するため、N0相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い、また、N0相を示す温度範囲が30度以上である場
合、S09液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液
晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ぼ
しやすい。
キラルドーパントは、キラルドーパント自体の液晶性の
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1)NI相を示す温度範囲を拡大する傾向にあるもの
、又は (2) N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している0本発明のSC
1液晶組成物のN9相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法は
、N0相に限らず、SA相及びS00相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーパントが
SC*液晶組成物のSA相のみを拡大し、N9相及びS
C*相を縮小するような場合には、SC母体液晶として
、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、か
つ、SC相→N相→■相の相系列を有するもの、又はS
A相の温度範囲が狭<SC相→SA相→N相→I相の相
系列を有するものを用いればよい。
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1)NI相を示す温度範囲を拡大する傾向にあるもの
、又は (2) N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している0本発明のSC
1液晶組成物のN9相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法は
、N0相に限らず、SA相及びS00相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーパントが
SC*液晶組成物のSA相のみを拡大し、N9相及びS
C*相を縮小するような場合には、SC母体液晶として
、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、か
つ、SC相→N相→■相の相系列を有するもの、又はS
A相の温度範囲が狭<SC相→SA相→N相→I相の相
系列を有するものを用いればよい。
このようなキラルドーパントの傾向は、SC母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるSC1液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、S09液晶組成
物における各相、特にN1相を示す温度範囲は容易に調
整することができる。
一定量のキラルドーパントを添加して得られるSC1液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、S09液晶組成
物における各相、特にN1相を示す温度範囲は容易に調
整することができる。
一般式(D)の光学活性化合物のうち、両側のキラル基
RI”+Rt11によってN0相に誘起される螺旋の向
きが互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺
旋ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラル
ドーパントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ
調整が不要であるか、あるいは容易であることが多いが
、−a的には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整す
ることができる。
RI”+Rt11によってN0相に誘起される螺旋の向
きが互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺
旋ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラル
ドーパントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ
調整が不要であるか、あるいは容易であることが多いが
、−a的には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整す
ることができる。
複数の光学活性化合物を含むS00液晶組成物のN”相
に出現する螺旋のピッチP(μm)は各光学活性物質の
濃度をC1、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをPi
(μm)とするとおり、(ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。)、これを用いてS00
液晶組成物の5A−N”点T0におけるPiをP−とす
る時、となるようにCiを選べばよい。ここでPiはN
相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物を単位濃
度添加することにより測定が可能である。
に出現する螺旋のピッチP(μm)は各光学活性物質の
濃度をC1、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをPi
(μm)とするとおり、(ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。)、これを用いてS00
液晶組成物の5A−N”点T0におけるPiをP−とす
る時、となるようにCiを選べばよい。ここでPiはN
相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物を単位濃
度添加することにより測定が可能である。
実際にはToは各Ciによって変化するが、各光学活性
化合物を該SC母体液晶中に、濃度ΣCiま たけ添加したときの5A−N”点の変化などから、かな
り正確に類推できることが多く、推定値T 、 1とそ
れを用いて選ばれた組成物のToとが大きく異なる場合
にはT 01に換えてToを用いて再度測定すればよい
。
化合物を該SC母体液晶中に、濃度ΣCiま たけ添加したときの5A−N”点の変化などから、かな
り正確に類推できることが多く、推定値T 、 1とそ
れを用いて選ばれた組成物のToとが大きく異なる場合
にはT 01に換えてToを用いて再度測定すればよい
。
/
フ
/
〔実施例〕
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
実施例I
A群に例示の一般式(A−11)で表わされる化合物か
ら、 35% から成るSC相を示す液晶組成物(以下、母体液晶(A
)という、)を調製した。
ら、 35% から成るSC相を示す液晶組成物(以下、母体液晶(A
)という、)を調製した。
この組成物は57°C以下でSC相を、64.5°C以
下でSA相を、69°C以下でN相を各々示し、その融
点は14°Cであった。
下でSA相を、69°C以下でN相を各々示し、その融
点は14°Cであった。
次にSC母体液晶に添加してS00液晶組成物とした際
に、N9相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、
式 (この化合物を前記SC母体液晶(A)に10%添加し
た際にN0相に出現させる螺旋のピッチ(外挿値)は6
0°Cにおいて47μmである。)の化合物73%と、
左巻きの螺旋を出現させる化合物として、式 ) (この化合物を前記SC母体液晶(A)に10%添加し
た際にN0相に出現させる螺旋ピッチ(外挿値)は60
℃において11.9μmである。)の化合物27%とを
混合して、N”相に出現させる螺旋のピッチが調整され
たキラルドーパントを調製した。
に、N9相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、
式 (この化合物を前記SC母体液晶(A)に10%添加し
た際にN0相に出現させる螺旋のピッチ(外挿値)は6
0°Cにおいて47μmである。)の化合物73%と、
左巻きの螺旋を出現させる化合物として、式 ) (この化合物を前記SC母体液晶(A)に10%添加し
た際にN0相に出現させる螺旋ピッチ(外挿値)は60
℃において11.9μmである。)の化合物27%とを
混合して、N”相に出現させる螺旋のピッチが調整され
たキラルドーパントを調製した。
このキラルドーパントを、上記SC母体液晶(A)に1
0%添加して得たS01液晶組成物の25℃における自
発分極の値は、約6nC/cm”であった。
0%添加して得たS01液晶組成物の25℃における自
発分極の値は、約6nC/cm”であった。
次に、母体液晶(A) 50.0%B群
に例示の式(B−1−1)の化合物 6.4%式(
B−1−2)の化合物 6.4%式(B−1−3)
の化合物 3.2%式(C−2−1,)の化合物
7.0%F の化合物 7.0% 及び上記キラルドーパント 20.0%から成
るS01液晶組成物を調製した。
に例示の式(B−1−1)の化合物 6.4%式(
B−1−2)の化合物 6.4%式(B−1−3)
の化合物 3.2%式(C−2−1,)の化合物
7.0%F の化合物 7.0% 及び上記キラルドーパント 20.0%から成
るS01液晶組成物を調製した。
このS00液晶組成物は50°C以下でS00相を、6
3.5°C以下でSA相を、67.5°C以下でN”相
を各々示した。このSC0液晶組成物を、配向処理(ポ
リイミドコーティング−ラビング処理)を施した2枚の
ガラス透明電極から成る厚さ約2μmのセルに充填し、
等方性液体相から、室温まで徐冷を行ったところ、良好
な配向性を示し、均一なS00相のモノドメインが得ら
れた。
3.5°C以下でSA相を、67.5°C以下でN”相
を各々示した。このSC0液晶組成物を、配向処理(ポ
リイミドコーティング−ラビング処理)を施した2枚の
ガラス透明電極から成る厚さ約2μmのセルに充填し、
等方性液体相から、室温まで徐冷を行ったところ、良好
な配向性を示し、均一なS00相のモノドメインが得ら
れた。
コノセルニ電界強度10 V P−P/ u m、50
Hzの矩形波を印加して、その電気光学応答速度を測定
したところ、25°Cで32μ秒の高速応答性が確認さ
れた。この時の自発分極は約15.5 nC/cm”、
チルト角は21.5@であり、コントラストは非常に良
好であった。
Hzの矩形波を印加して、その電気光学応答速度を測定
したところ、25°Cで32μ秒の高速応答性が確認さ
れた。この時の自発分極は約15.5 nC/cm”、
チルト角は21.5@であり、コントラストは非常に良
好であった。
実施例2
実施例1において、式(B−1−1)、(B−1−2)
及び(B−1−3)の化合物に代えて、前記式(B−2
−18)の化合物を16.0%用いた以外は、実施例1
と同様にして、S00液晶組成物を調製し、電気光学的
応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第1
表に示した。
及び(B−1−3)の化合物に代えて、前記式(B−2
−18)の化合物を16.0%用いた以外は、実施例1
と同様にして、S00液晶組成物を調製し、電気光学的
応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第1
表に示した。
実施例3
母体液晶(A) 54.4%B群
例示の弐(B−3−3)の化合物 12.0%C群
例示の式(C−2−1)の化合物 6.8%式(
C−2−5)の化合物 6.8%及び前記キラル
ドーバン) 20.0%から成るSC0液晶
組成物を調製した。
例示の弐(B−3−3)の化合物 12.0%C群
例示の式(C−2−1)の化合物 6.8%式(
C−2−5)の化合物 6.8%及び前記キラル
ドーバン) 20.0%から成るSC0液晶
組成物を調製した。
実施例1と同様にして、このS01液晶組成物の電気光
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第
1表に示した。
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第
1表に示した。
実施例4
実施例3において、式(B−3−3)の化合物に代えて
、式(B−3−4)の化合物12.0%を用いた以外は
、実施例1と同様にして、S09液晶組成物を調製した
。
、式(B−3−4)の化合物12.0%を用いた以外は
、実施例1と同様にして、S09液晶組成物を調製した
。
実施例1と同様にして、このSC”液晶組成物の電気光
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第
1表に示した。
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第
1表に示した。
実施例5
実施例3において、式(B−3−3)の化合物に代えて
式(B−3−5)の化合物12.0%を用いた以外は実
施例3と同様にして、S01液晶組成物を調製した。
式(B−3−5)の化合物12.0%を用いた以外は実
施例3と同様にして、S01液晶組成物を調製した。
実施例1と同様にして、このS00液晶組成物の電気光
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第
1表に示した。
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第
1表に示した。
実施例6
実施例3において、式(B−3−3)の化合物に代えて
式(B−1−1)の化合物12.0%を用いた以外は実
施例3と同様にして、SC“液晶組成物を調製した。
式(B−1−1)の化合物12.0%を用いた以外は実
施例3と同様にして、SC“液晶組成物を調製した。
実施例1と同様にして、このSC*液晶組成物の電気光
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、G8 その結果を第1表に示した。
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、G8 その結果を第1表に示した。
実施例7
実施例3において、式(B−3−3)の化合物に代えて
式(B−2−18)の化合物12.0%を用い、また、
式(C−2−1)の化合物に代えて式(C−2−4)の
化合物6.8%を用いた以外は実施例1と同様にして、
S01液晶組成物を調製した。
式(B−2−18)の化合物12.0%を用い、また、
式(C−2−1)の化合物に代えて式(C−2−4)の
化合物6.8%を用いた以外は実施例1と同様にして、
S01液晶組成物を調製した。
実施例1と同様にして、このS01液晶組成物の電気光
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第
1表に示した。
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第
1表に示した。
実施例8
A群に例示の一般式(A−11)で表わされる化合物か
ら、 B群に例示の式(B−1−1) 式(B−1−2) 式(B−1−3) 式(C−1−1) の化合物 の化合物 の化合物 の化合物 5.2% 5.2% 2.6% 15.0% 及び前記キラルドーパンl−20,0%から成るS09
液晶組成物を調製した。
ら、 B群に例示の式(B−1−1) 式(B−1−2) 式(B−1−3) 式(C−1−1) の化合物 の化合物 の化合物 の化合物 5.2% 5.2% 2.6% 15.0% 及び前記キラルドーパンl−20,0%から成るS09
液晶組成物を調製した。
実施例1と同様にして、このSC′″液晶組成物の電気
光学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を
第1表に示した。
光学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を
第1表に示した。
実施例9
実施例3においてキラルドーパントの組成を以下のよう
に代えた以外は実施例3と同様にしてS08液晶組成物
の調製を行った。右巻きの螺旋を出現させる化合物 の化合物 2.4% の化合物 4.7% 左巻きの螺旋を出現させる化合物 の化合物 4.7% CI。
に代えた以外は実施例3と同様にしてS08液晶組成物
の調製を行った。右巻きの螺旋を出現させる化合物 の化合物 2.4% の化合物 4.7% 左巻きの螺旋を出現させる化合物 の化合物 4.7% CI。
実施例1と同様にして、このS00液晶組成物の電気光
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第
1表に示した。
学応答速度及びチルト角の測定を行ない、その結果を第
1表に示した。
/
/
/
〔発明の効果〕
本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
従って、本発明の強誘電性液晶組成物は、強誘電性スメ
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。
代
理
人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光学的に不活性でスメクチックC相を示す母体液晶
に、光学活性化合物から成るキラルドーパントを加えて
成るキラルスメクチックC相を示す液晶組成物であって
、母体液晶が、 (1)下記一般式(A−1)、(A−2)、(A−3)
、(A−4)及び(A−5)で表わされる化合物から成
るA群から選ばれる化合物、 (2)下記一般式(B−1)、(B−2)、(B−3)
及び(B−4)で表わされる化合物から成るB群から選
ばれる化合物 及び (3)下記一般式(C)で表わされる化合物を含有する
ことを特徴とする室温を含む広い温度範囲でキラルスメ
クチックC相を示す強誘電性液晶組成物。 一般式(A−1) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(A−2) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(A−3) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(A−4) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(A−5) ▲数式、化学式、表等があります▼ (上記一般式(A−1)〜(A−5)中、R^a及びR
^bは各々独立的に炭素原子数1〜20の直鎖状又は分
岐状のアルキル基又はアルコキシル基を表わすが、R^
a及びR^bのうち、少なくとも一方の基はアルコキシ
ル基を表わす。) 一般式(B−1) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(B−2) ▲数式、化学式、表等があります▼ −般式(B−3) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(B−4) ▲数式、化学式、表等があります▼ (上記一般式(B−1)〜(B−4)中、R^c及びR
^dは各々独立的に炭素原子数1〜18の直鎖状又は分
岐状のアルキル基を表わすが、R^c及びR^dのうち
、少なくとも一方の基は直状のアルキル基を表わし、▲
数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表
等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
、表等があります▼を表わし、▲数式、化学式、表等が
あります▼ は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
又は ▲数式、化学式、表等があります▼を表わす。) 一般式(C) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^e及びR^fは各々独立的に炭素原子数1
〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシ
ル基をを表わが、R^e及びR^fのうち、少なくとも
一方の基はアルキル基を表わし、▲数式、化学式、表等
があります▼及び▲数式、化学式、表等があります▼は
各々独立的に ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
又は ▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、▲数式、
化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等があ
ります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼又は▲数式、化学式、表等があります
▼を表わす が、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼及び▲数式、化学式、表等があり
ます▼のうち、 少なくとも1個の環は▲数式、化学式、表等があります
▼を表わす。) 2、A群が一般式(A−1)で表わされる化合物から成
る請求項1記載の強誘電性液晶組成物。 3、B群が一般式(B−1)、(B−2)及び(B−3
)で表わされる化合物から成り、かつ、▲数式、化学式
、表等があります▼が▲数式、化学式、表等があります
▼である請求項1又は2記載 の強誘電性液晶組成物。 4、R^e及びR^fが各々独立的に炭素原子数4〜1
2の直鎖状アルキル基であり、▲数式、化学式、表等が
あります▼が▲数式、化学式、表等があります▼又は▲
数式、化学式、表等があります▼である請求項1、2又 は3記載の強誘電性液晶組成物。 5、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化
学式、表等があります▼が共に▲数式、化学式、表等が
あります▼ である請求項4記載の強誘電性液晶組成物。 6、キラルドーパントが一般式(D) Q^1^*−Z−Q^2^* 〔式中、Q^1^*及びQ^2^*は互いに異なった光
学活性基であって、各光学活性基は少なくとも1個の不
斉炭素原子を有し、かつ、Q^1^*及びQ^2^*の
うち少なくとも1方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオ
ウ、窒素、フッ素、塩素あるいは▲数式、化学式、表等
があります▼又は−C≡Nと直結した構造を有する。Z
は一般式(E) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式、表等が
あります▼ は各々独立的に▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
又はこれら の環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子又はシ
アノ基に置換した構造を表わし、Y^1及びY^2は各
々独立的に単結合、−COO−、−OCO−、−CH_
2O−、−OCH_2−、−CH_2CH_2−、−C
≡C−、−COS−又は−SCO−を表わし、sは0又
は1を表わす。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 で表わされる光学活性化合物を含有する請求項1、2、
3、4又は5記載の強誘電性液晶組成物。 7、Q^1^*が下記一般式(F−1)で表わされる光
学活性基であり、Q^2^*が下記一般式(F−2)で
表わされる光学活性基である請求項6記載の強誘電性液
晶組成物。一般式(F−1) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(F−2) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1及びR^2は各々独立的に炭素原子数2
〜10のアルキル基又は炭素原子数1〜10のアルコキ
シル基、アルコキシカルボニル基又はアルカノイルオキ
シ基を表わし、C^*は不斉炭素原子を表わし、X^1
及びX^2は各々独立的にCH_3−、F−、Cl−又
は−CNを表わし、Y^2及びY^3は各々独立的に単
結合、−O−、−COO−、−OCO−、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、l1
、 l2、m1、m2、n1及びn2は各々独立的に0〜5
の整数を表わす。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1291447A JPH03152187A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1291447A JPH03152187A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03152187A true JPH03152187A (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=17768987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1291447A Pending JPH03152187A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03152187A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112007000426T5 (de) | 2006-02-22 | 2009-01-02 | Sumation Co. Ltd. | Metallkomplex, Polymerverbindung und sie enthaltende Vorrichtung |
-
1989
- 1989-11-09 JP JP1291447A patent/JPH03152187A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112007000426T5 (de) | 2006-02-22 | 2009-01-02 | Sumation Co. Ltd. | Metallkomplex, Polymerverbindung und sie enthaltende Vorrichtung |
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