JPH03207789A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである． 〔従来技術〕 現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したＴＮ型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、ＣＲＴなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった，ＴＮ型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない． ところが、強誘電性スメクチンク液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のＴＮ型液晶表示素子の１００〜１０
００倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる（メモリー効果
）ことが、最近明らかになった．このため、光シャッタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている． 強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、量も粘度の低いキラルスメクチック
Ｃ（以下、ＳＣ１′と省略する．）相と呼ばれるもので
ある． 〔発明が解決しようとする課題〕 ＳＣ＊相を示す液晶化合物（以下、ＳＣ＊化合物という
．）はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合威されている．しかしながら、これらのＳ０
１１化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイッチ
ング素子として用いるための以下の条件、即ち、 （イ〉室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと （ロ）高温域において適当な相系列を有すること （ハ）特にキラルネマチック（以下、Ｎ０と省略する．
）相において長い螺旋ピッチを示すこと（二）適当なチ
ルト角を持つこと （ホ）粘性が小さいこと （へ）自発分極がある程度以上大きな値であること さらに （ト）（ロ）及び（ハ）の結果として良好な配向を示す
こと （チ）（ホ）及び（へ冫の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった． そのため、現在では、ＳＣ”相を示す液晶！ｌｔｃ物（
以下、ＳＣ′液晶組成物という．）が検討用等に用いら
れているのが、実情である．良好な配向性を得るために
は、例えば、特開昭６１−１５３６２３号公報等に示さ
れているように、ＳＣ＊相の高温域にＮ１相を有する液
晶において、′Ｎ０相の螺旋ピッチの長さを大きくする
方法が一般的に有力である．この場合にＳＣ１相とＮ０
相の中間の温度域にスメクチックＡ（以下、ＳＡと省略
する．）相を有する場合に配向はより良好となり、螺旋
ピッチを大きくするには、左螺旋を生じさせる光学活性
物質と、右螺旋を生じさせる光学活性化合物を組み合せ
て用いればよいことも知られている．（ネマチック（以
下、Ｎと省略する．）液晶に光学活性物質を添加して生
じる螺旋ピッチを任意の長さに調整することは既に公知
の技術である．）シかし、これらの技術によっては良好
な配向性は得られるものの、高速応答性が得られるわけ
ではなかった． 高速応答性を示すには、例えば、第１２回液晶討論会に
おける特別講演（同討論会予稿集Ｐ．　９Ｂ　’）で示
されているように、低粘性のスメクチックＣ（以下、Ｓ
Ｃと省略する．）相を示す母体の液晶Ｍｉ威物（以下、
ＳＣ母体液晶という．）に、自発分極（以下、Ｐ，と省
略する．）の大きいＳＣ１化合物を添加する方式が優れ
ている．この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性
化合物の割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長
くなるが、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くし
ようとすると光学活性化合物の添加量を少量にする必要
があり、そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答
性が得られなくなってしまう問題点があった． また、ＳＣ母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・ディスプレイ゛８６講演予稿集
（３５２ページ〜）又は特開昭６２−５８３号公報に記
載されている．ＲＯイトｃｏｏペトＯＲ’ （Ｒ，Ｒ’はアキラルなアルキル基を表わす．）（Ｒ，
　Ｒ’は上記と同様．） の如く、化合物自身又はその同族体が、ＳＣ相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイボール（分極）を示すような液晶化合
物を添加した組威物であり、ＳＣ相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとＳＣ相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった． 従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった．本発明が解決しよ
うとする課題は、高速応答性及び配同性においてともに
充分に満足できる強誘電性液晶組威物を提供することに
ある．〔課題を解決するための手段〕 本発明は、上記課題を解決するために、光学的に不活性
でスメクチックＣ相を示す母体液晶（以下、ＳＣ母体液
晶という．）に、光学活性化合物から成るキラルドーパ
ントを加えて威るキラルスメクチックＣ相を示す液晶組
威物であって、母体液晶が、 （１）下記一般式（Ａ−　１　）、（Ａ−２）、（Ａ一
３）、（Ａ−４）及び（Ａ−５）で表わされる化合物か
ら威るＡ群から選ばれる化合物、（２）下記一般式（Ｂ
−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）及び（Ｂ−４）で表わ
される化合物から成るＢ群から選ばれる化合物及び （３）下記一般式（Ｃ）で表わされる化合物を含有する
ことを特徴とする室温を含む広い温度範囲でキラルスメ
クチックＣ相を示す強誘電性液晶組成物を提供する． 一般式（Ａ−１） 一般式（Ａ−２） 一般式 （Ａ−３） 一般式 （Ａ−　４　） 一般式（Ａ−　５　） ！？１′イトＣ００｛沢Ｒゝ （上記一般式（Ａ−　１　）〜（Ａ−　５　）中、ＲＩ
１及びＲゝは各々独立的に炭素原子数１〜２０の直鎖状
又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基を表わすが
、Ｒ’及びＲｈのうち、少なくとも一方の基はアルコキ
シル基を表わすが、好ましくは、Ｒ′″及びＲ′″のう
ち、一方の基は炭素原子数４〜ｌ２の直鎖状アルキル基
を表わし、他方の基は炭素原子数４〜１２の直鎖状又は
分岐状のアルコキシル基を表わす．） 一般式（Ｂ−１） Ｒ’χ＋Ｃ００｛ンＲ１ 一般式（Ｂ−２） Ｒｃ示カｃｏｏ−｛）−　Ｒ１ 一般式（Ｂ−３） Ｒ’＋ＣＢｔＯ　｛｝　Ｒ’ 一般式（Ｂ−４） Ｒ’−＠−仝ンＲ４ （上記一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）中、ＲＣ及びＲ−
は各々独立的に炭素原子数１〜１８の直談状又は分岐状
のアルキル基を表わすが、Ｒ’及びＲ−のうち、少なく
とも一方の基は直鎖状アルキル基を表わすが、好ましく
はＲＣ及びＲ−は各々独立的に炭素原子数４〜１２の直
鎖状アノレキル基壱表わし、一ぐ０←　はーＣシー、メ
エン、一般式（Ｃ） （式中、Ｒ”及びＲｆは各々独立的に炭素原子数１〜１
８の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基
を表わし、■は−Ｃ０〇一又は一〇ＣＯ−Ｆ す． Ａ群に族する化合物は、室温あるレ）は室温｛寸近の温
度範囲で、ＳＣ相を示す化合物あるし）番よその同族体
（アルキル鎖の炭素数及び、また巳よその形状のみが異
った化合物）であって、粘性は中程度であるが、低温域
までＳＣ相の温度範囲を拡大するのに寄与するところが
大きい化合物である．本発明は、特に前記一般式（Ａ−
　１　）、（Ａ、２）、（Ａ−３）、（Ａ−　４　）又
は（Ａ−５）で表わされる化合物の少なくともｌ種を含
有することを特徴とする． 一般式（Ａ−　１　）、（Ａ、２〉、（Ａ−３）、（Ａ
−４）及び（Ａ−５）で表わされる化合物としては、更
に詳しくは、以下の化合物を挙げることができる． 一般式（＾−１１）〜（Ａ−５３）で表わされる化合物
のうち、一般式（Ａ−ｉ１）、（＾−１２）、（＾−２
１）、（Ａ−２２）、（Ａ−３１）、（Ａ−３２）、（
Ａ−４１）、（Ａ−４２）、（＾−５２）及び（Ａ−５
３）で表わされる化合物が好ましく、一般式（Ａ−１１
）、（Ａ−１２）、（Ａ−２２）、（Ａ−３１）及び（
Ａ−５３）で表わされる化合物が特に好ましい． Ａ群に属する化合物と類似した性質を有する化合物とし
て、次の（１）〜（３）の化合物も必要とあれば液晶組
或物の威分として含有していて差しつかえない． （１）一般式（Ａ−１）〜（Ａ−３）において、Ｒ″及
びＲゝのうち、少くとも一方の基が、アルコキシカルボ
ニル、アルカノイルオキシ又はアルコキシカルボニルオ
キシ基であり、他方の基がアルキル、アルコキシ、アル
コキシカルボニル、アルカノイルオキシ又はアルコキシ
カルボニル基であるところの化合物． （２）一般式（Ａ−１）〜（Ａ−３）又は上記（１）（
３）次の一般式 される化合物． 一般式（Ａ−４） （Ａ−４） （Ａ−７） で表わ （式中、Ｒｉ及びＲｊは、各々独立的にアルキル、アル
コキシル、アルキルチオ、アルコキシカルボニル、アル
キルチオカルボニル、アルカノイルオキシ、又はアルコ
キシカルボニルオキシ基を表わすが、少なくとも一方の
基はアルキル基ではなく、は２位又は３位にＦが置換し
ていてよい．） 一般式（Ａ−　５　） Ｒ’　Ｇ　ＣＯＯＡ　Ｒ’ （Ａ−５） （式中、Ｒ１及びＲｊは、一般式（Ａ−４）合と同様の
意味を有し、 の場 を表わす． ） 一般式（Ａ−６） Ｒへみｃｏｓ｛｝Ｒ’ （Ａ−６） （式中、 Ｒｉ 及びＲｊ は、 一般式（Ａ−４） の場 表わす．） 一般式（Ａ−７） 般式（Ａ−６）の場合と同様の意味を有する．）Ｂ群に
属する化合物は、それ自身及びその同族体においてもＳ
Ｃ相を示すことはないが、非常に低粘性の化合物であっ
て、ＳＣ＊液晶組成物に加えることにより、その粘度を
低下させ、応答性の向上に寄与するものである．本発明
は、特に前記一般式（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３
）又は（Ｂ−４）で表わされる化合物を少なくとも１種
含有することを特徴とするものである．Ｂ群に属する代
表的な化合物として、以下の化合物を挙げることができ
る． （イ） 一般式（Ｂ−１）で表わされる化合物 上表中、 ・はその相が存在することを、 −は存 在しないことを、・の右の数字はその相からより高温域
の相への転移温度を各々表わし、（　）内はその相がモ
ノトロピックであることを表わす．Ｃｒは結晶相、ＳＢ
はスメクチックＢ相、Ｎはネマチック相、■は等方性液
体相を表わすが、ＳＢは一部ＳＡ（スメクチックＡ）相
の可能性もある．（ロ） 一般式（Ｂ−２） で表わされる化合物 （ハ） 一般式（Ｂ−３）で表わされる化合物 （上表中、 Ｓはスメクチック相を表わす。

） （二） 一般式ＣＢ−４）で表わされる化合物 〔上式中、 ＳＥはスメクチックＥ相を表わす． ） これらのＢ群の化合物は、Ｎ相やＳＡ相、ＳＢ相、ある
いはＳＲ（スメクチックＥ）相を示しても、チルト系の
スメクチック相、特にＳＣ相は示さない． 一般に、このような相転移を示す化合物をＳＣ母体液晶
に添加した場合、そのＴｃ　（ＳＣ相の上限温度）を大
きく降下させることが多く、これまでＳＣ母体液晶の構
威材料としてはほとんど用いられていなかった．しかる
に、Ａ群及びＣ群から選ばれる化合物を用いることによ
り、特にＣ群の化合物の効果によって、Ｔｃの降下を抑
制し、かつ、液晶組威物の粘性を低下させて、応答性を
大きく向上させることが可能となった． また、これらの化合物は、特に一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ
−３）で表わされる化合物においては、はその位置によ
って、その液晶性に差があり、ＳＣ母体液晶（又は、Ｓ
Ｃ１液晶組威物）のＮ相（又はＮ９相）の温度範囲を拡
大したい場合には、Ｂ群の化合物と類似した性質を有す
る化合物として、以下に示す一般式（Ｂ′）で表わされ
ＳＣ相を示さない化合物を併用して用いることもできる
． Ｒｋ及びＲＬは各々独立的に炭素原子数ｌ〜１８と直鎖
又は分岐状のアルキル基を表わすが、好ましくは炭素数
４〜１２の直鎖状アルキル基を表わＣＯＯ　　　　　Ｏ
ＣＯ　　　　　ＣＨｇ０　　　　　０ＣＨｘ−−ＣＩｌ
！ＣＨＩ．−，　　−Ｃミｃ　＋，　　−ＣＯＳ−　　
−ＳＣＯ一又は単結合を表わす．（ただし、Ｂ群の化合
物を除ク．）前記一般式（Ｃ）で表わされる化合物は、
高い温度域までＳＣ相を示すか、あるいはＳＣ相を示さ
ない場合でもＴｃ　（ＳＣ相の上限温度）の低い液晶組
戚物に添加することにより、そのＴｃを上昇しうる効果
を有しているものであり、ＳＣ相の温度範囲の特に高温
域における拡大に寄与するものであり、具体的には以下
の化合物をあげることができる． 上記中、ＳＢはスメクチックＢ相、ＳＦはスメクチック
Ｆ相、ＳＧはスメクチックＧ相、ＳＨはスメクチックＨ
相、Ｓ及びＳ′は各々別の帰属不明のスメクチック相を
各々表わす． 上記の化合物のうち、一般式（Ｃ−６）、（Ｃ一１３）
及び（Ｃ−２０）で表わされる化合物が特に好ましく、
Ｒ●及びＲｆのうち、少なくとも一方がアルキル基であ
る化合物が低粘性であるので、特に好ましい． 一般式（Ｃ）で表わされる化合物と類似の効果を有する
化合物としては、次の一般式（Ｇ）で表わされる化合物
を挙げることができる．これらは一般式（Ｃ）で表わさ
れる化合物と併用して用いることができる． 一般式（Ｇ） 式中、Ｒ′″及びＲ”は各々独立的に炭素原子数１〜１
８の、好ましくは３〜１２の直譲状又は分岐状のアルキ
ル基を表わし、Ｚ１及びＺ４は各々独立的に−ｃｏｏ−
　　−ｏｃｏ−，　−ｏ−，　−ｓ一又は単結合を表わ
し、好ましくは少なくとも１方が単結合を表わす． Ｚ２及びＺ，は各々独立的に、一ｃｏｏ一，　−ｏｃｏ
−ＣＨｚＯ　　，　　ＯＣＨｔ　　，　　ＣＯＳ　　，
　　ＳＣＯ−ＣＬ−ＣＬ　　　　ｃ＝ｃ−あるいは単結
合を表わすが、少なくとも１方は単結合であることが好
ましい． の環における任意の１〜２個の水素がフッ素に置フッ素
這換体）であり、さらにその少なくとも１本発明で使用
するＳＣ母体液晶において、Ａ群の化合物の割合は１〜
９０重量％の範囲が好ましく、５〜７５重量％の範囲が
特に好ましい。Ｂ群の化合物の割合は、小さすぎると応
答性の改善効果が小さく、大きすぎるとＴｃが低くなり
すぎることからｌ〜６０重量％の範囲、特に５〜４０重
量％の範囲が好ましい． 一般式（Ｃ）で表わされる化合物の割合は、小さすぎる
とＴｃが低く、大きすぎると応答性を低下するので５〜
７０重量％の範囲、特に１０〜５０重量％の範囲が好ま
しい． 本発明で使用するＳＣ母体液晶は、そのＳＣ相の高温側
において、降温時に、 （イ）Ｉ（等方性液体）相→Ｎ相→ＳＡ相→ＳＣ相の相
系列を有するもの （ロ）■相→ＳＡ相→ＳＣ相の相系列を有するもの （ハ）Ｉ相→Ｎ相→ＳＣ相の相系列を有するもの 又は （二）■相→ＳＣ相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、（イ）〜（二）の
選択は、同時に用いるキラルドーバント及び、ＳＣ０液
晶組或物とした場合の好ましい相系列により異なってく
る．最も繁用性のあるのは、（イ）であり、キラルドー
バントをＳＣ母体液晶に添加した場合に、Ｎ″相の温度
範囲を広げ、ＳＡ相等の温度範囲を狭くしやすい傾向が
強い場合には（口）を、キラルドーバントをＳＣ母体液
晶に添加した場合に、ＳＡ相の温度範囲を広げ、Ｎ＊相
の温度範囲を狭くしやすい傾向が強い場合には（ハ）を
、また、ＳＣ性が弱く、Ｎ″相やＳＡ相の温度範囲を広
げやすい場合などには（二）を用いるのが、最も適して
いる．重要であるのはＳＣ′″液晶組威物とした場合の
相系列であって、一般的には、■−＋Ｎ＊→ＳＡ→ＳＣ
１の相系列が配向の点で有利である．一方、Ｉ→Ｎ′″
→ＳＣ′″の相系列も配向制御方法によっては、より良
好な配向を示す場合もあり、また、大きなチルト角が得
やすいので、ゲスト・ホスト方式などに適している． また、■→ＳＡ−４ＳＣ’″の相系列も、初期の強誘電
性液晶（ｐ−デシルオキシベンジリデンアミノケイヒ酸
（Ｓ）　−２−メチルブチル等）が、この相系列であっ
たため、その配向方法についてよく検討されており、良
好な配向を得ることも不可能ではない． 本発明で使用するキラルドーバントとしては、（１）Ｓ
Ｃ”相を示す化合物、（２）　Ｓ　Ｃ　”相以外の液晶
相のみを示す化合物又は（３）液晶性を全く示さない化
合物を用いることができるが、（３）の場合には、ＳＣ
母体液晶に添加して得られるＳＣ０液晶組成物の液晶性
が低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有
する化合物を用いることが好ましい． キラルドーバントがＳＣ１液晶組成物にもたらす諸物性
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構威する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける．これまでキラルドーバント、ＳＣ１
化合物又はネマチック液晶への添加剤として用いられて
きた光学活性化合物における光学活性基の代表的なもの
を以下に掲げる． （ＩＶ−　１　＞ ＣＨｓ １傘 ＋ｃＢｔ−｝ｒｃＨ　　ＣｚＨａ （ＩＶ−　２　） Ｃｈｉｓ Ｏ＋ＣＨｔ÷Ｔ−ＣＢ−ｃａｎｓ （ＴＶ−３） Ｃ１Ｎ３ ＋ＣＬ＋Ｅ−０＋ＣＢ一丁ＣＩＩ−Ｃ！ＩＩＳ（ｉＶ−
４） ＣＨｓ １・ −ｌ　ＣＨ！＋−ｒ−０　＋　ｃｏｘ　＋ｉ−　ＣＨ　
−　ｃｔｔ＋ｓ（ＩＶ−７） ＣＩ． ＋　ＣＬ　＋−ＣＨ　　Ｒｓ （ＩＶ−８） ＣＨｓ １・ −Ｏ　＋　ＣＩ！　＋ｒＣＯ　　Ｒｓ （■ １２） ＣＢ， −Ｃｌｌ−Ｒ４ （ＩＶ−１３） ＣＨ， １・ ＣＨｘ−ＣＨ　　ＣＬ　　ＯＲｓ （ＩＶ−１４） ＣＨ， −ＣＩｌ−ｃｕｔ−ｏＲｓ （ＩＶ−２１） ＣＢＳ −Ｓ　−｛−　ＣＩ１ｚ＋ｉ−Ｃｌ（ＣＨ＊ｆＣｌｓ（
ＩＶ−３２） ｃＨｓ １申 −Ｏ−ＣＢ−Ｒ， ＜ＩＶ−５３） ＣＨ． １申 ＣＨＯＲｓ （ＩＶ−’＋４ノ 一し一〇−しｆｌ冨−Ｌ；ｆｌ−Ｋｓ （ＩＶ−５５） ０　　ＣＨｚ　　ＣＨ　　Ｒｓ （ＩＶ−５７） Ｃｌ 一 Ｏ　　ＣＨｇ　　ＣＨ　　Ｒｓ （ＩＶ−６２） ＣＦｓ ｉ− −０−ＣＨ−Ｒ， （ＩＶ−６９） Ｃｌ −ＣＯＯＣｉｌｚ　　ＣＢ　　Ｒｓ （ＩＶ−７０） ＣＨよ ０　　ＣＬ　　ＣＨ　　ＣＨｚ　　ＯＣＯＲｓ（ＩＶ−
７１） ＣＨｓ −Ｏ　　ＣＲ　　ＣＢ！　　Ｏ　　ＣＯＲＳ（ＴＶ−７
２） ＣＨ． Ｏ　　ＣＩ　　ＣＨｔ｛ＣＨｚ｝Ｔ−ＯＣＯＲ％（ＩＶ
−７３） ０　　ＣＨｚ ＣＩｌ３ Ｃｉｌ→Ｇｉｌｔ｝−ＯＣＯＲＳ （ＩＶ−７５） ＣＨｓ １・ 一〇−Ｃ旧−ＣＢ−ＯＲ！ （ＩＶ−７６） ＣＬ １・ Ｓ　　ＣＨ　　Ｒｓ （ＩＶ−７８） ＣｚＨｓ Ｏ　　ＣＲ！　　ＣＨ　　ＯＲ＆ （ＩＶ−８０） ＣＯＯＣｆｌｚ　　Ｃｍ　　Ｒｓ （！Ｖ−８１） ＣＮ １・ Ｏ　　ＣＬ　　Ｃｌｌ　　Ｒｓ （Ｎ−８２＞ ＣＮ −ＣＨ−ｕｓ （ＩＶ−８３） ＣＨ，ＣＮ Ｉ・ −ＣＯＯ−ＣＨ！−ＣＢ−Ｒ， （ＩＶ−８４） ｃｔｉｇｃａ １申 Ｏ　　ＣＴｏ　　Ｃｌｌ　　Ｒｓ ０ 上記各一般式において、ｍは１〜４の整数を表わし、ｎ
は１〜１０の整数を表わし、Ｒ３は炭素原子数３〜８の
アルキル基を表わし、Ｒ４は炭素原子数２〜１０のアル
キル基を表わし、Ｒ，は炭素原子数１〜１０のアルキル
基を表わし、Ｒ．は炭素原子数１〜４のアルキル基を表
わす． 光学活性基として、式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−２２）で
表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物で
はＳＣ母体液晶に添加してＳＣ′″液晶組威物とした際
に誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でＳＣ
０相を示す場合でもそのほとんどが１０ｎＣ／ｃｍ”以
下にすぎない．一方、光学活性基として、式（ＩＶ−３
１）〜（■一９１）で表わされる光学活性基を含有する
光学活性化合物は、ＳＣ母体液晶に添加してＳＣ９液晶
組威物とした際に誘起する自発分極が大きいものが多く
、単独でＳＣ０相を示す場合などでは３００ｎＣ／ｃｎ
”以上の大きな値を示すものも存在する．このような光
学活性基を末端に有するような光学活性化合物の基本骨
格の代表的なものを以下に掲げる。

（Ｖ−１９） ｅｃＨ，Ｃｌｌべ今Ｃ０００ （Ｖ−２１） モΣ・＝・種さ （Ｖ−２２） （間ト・＝・｛｝ （Ｖ−４８） 豆ト■■ウ （Ｖ−７２） 登Ｈ（．’Ｏ）−ｏｃ・・Ｏ （Ｖ−１２０） ｛｝・・・千Ｐ＜今 （Ｖ−１４４） −｛Ｉ）−ｏｃｏ唖トＯ （Ｖ−２１６） （Ｈ寮ｏｃｏ　｛Ｑ’．｝− （　Ｖ　−　２４０） （ΣＱ１・・・種｝ （　Ｖ　−　２６１） ＜今イヴｃｏ．ｏ｛｝ （Ｖ−４８０） 吾ｏｃｏ桑木 ｍＷ （Ｖ−４８４） ００ＣＯぺ六 （Ｖ−４８５） ｛Ｅ｝ＣＩｌｔｏ八木 （Ｖ−４８６） ＱｏＣＨ，峡メ＼ （Ｖ ５０８） ｛バｃｏｏ訟六 （Ｖ−５０９） ｛バヰｏｃｏ糸木 （Ｖ−５１０） ｛バＣＨｔＯへ木 （Ｖ−５１１） ｛Ｈ訪ｏｃｉｉ．へシ ＣＮ 上記各基本骨格中のベンゼン環あるいはシクロヘ牛サン
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
ヰシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。

以上のような碁本骨格の片側もしくは両側に襄記キラル
基が結合した光学活性化合物がキラルｔ−バントの構＊
＊分として有効に使用すること力できる．特に両側に前
記キラル碁が結合した一崖式（Ｄ） Ｑｌ−　　Ｚ　　Ｑｔ− ｃ式中、Ｑ　ｌ　１）及びＱ”は互いに異なった光学活
ガ基であって、各光学活性基は少なくとも１個の１斉炭
素原子を有し、かつ、ＱＩ１及びＱ２＋″のうち４なく
とも１方の基は、不斉炭素原子が酸素、イｊ０ １１ ウ、窒素、フッ素、塩素あるいは一〇一又は−ＣミＮと
直結した構造を有する．Ｚは一般式（Ｅ） （式中、×ＺΣ、一〈＝Σ　及び　Ｏ　は各々これらの
環上の任意の１〜２個の水素原子がフッ素原子又はシア
ノ基に置換した構造を表わし、Ｙ１及びＹ２は各々独立
的に単結合、−　ＣＯＯ　一ＯＣＯ　　　　ＣＨＩＯ　
　　　ＯＣＨｔ　　　　Ｃ［ｉｔＣＨｚ一一Ｃミｃ−　
　−ｃｏｓ一又はーＳＣＯ一を表わし、ＳはＯ又は１を
表わす。） で表わされる液晶性分子の中心骨格（コア）部分を表わ
す．〕 で表わされる光学活性化合物が好ましい．更に、好まし
くは光学活性基Ｑ　ｌ　１１及びＱ””は各々次の一般
式（Ｆ−１）及び（Ｆ−２）で表わされる。

一般式（Ｆ−１） ＸＩ Ｒ’　　−ＣＨ−Ｙ”　　− 一般式（Ｆ−２） Ｘ１ １・ Ｒ”　　−ＣＨ−Ｙ３　− （式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立的に炭素原子数２〜１
０のアルキル基又は炭素原子数１〜１ｏのアルコキシル
基、アルコキシヵルボニル基又はアルカノイルオキシ基
を表わし、ｃ０は不斉炭素原子を表わし、ＸＩ及びＸ２
は各々独立的にＣＩＩ３−Ｆ一、ＣＺ一又は一ＣＮを表
わし、ｙｔ及びＹ３は各々独立的に単結合、−ｏ−　　
−ｃｏｏ−　　−ｏｃｏ−＋Ｃｕｔ｝ｒｒ　Ｏ　＋　Ｃ
’Ｒｚｈｈ＋　ＧＨｚ｝ｒｒ　ＯＣＯ　＋　ＣＬ扇又は
　＋ＣＨｚ｝ｒｒＣＯＯ　＋　ＣＨｚ｝ｉｉｒを表わし
、Ｉｌ１、ｌ２、ｍ１、ｍ２、ｎ１及びｎ２は各々独立
的に０〜５の整数を表わす．） さらに好ましくは、各キラル基が同一でなく、かつ、そ
の少なくとも一方が、その不斉炭素原子が酸素（Ｏ）、
イオウ（Ｓ）、チッ素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃ
ｊ！）等のへテロ原子あるい０ １１ はＣＳＣＮに直結した構造であること、特に、前記（Ｉ
Ｖ−３　１）　〜（Ｉ￥−１　０　１）　テ表わさレル
基のいずれかであることが望ましい． このように、基本骨格の両側に互いに異ったキラル基が
結合した光学活性化合物を用いることによる利点として
以下の点を挙げることができる．（１）　　片側にのみ
キラル基を有する化合物より強い自発分極を示しうる． 即ち、前記（ＩＶ−３１）〜（ＩＶ−９１）で表わされ
る基から選ばれるキラル基と（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−２
２）で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格
の両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基と
しては（ＩＶ−３１）〜（■−９１）で表わされる基か
ら選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である
化合物をそれぞれＳＣ母体液晶に添加して、その外挿値
として自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有す
る化合物の方が１０〜３０ｎＣ／ａｌ”あるいはそれ以
上大きい．（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−２２）で表わされる
基に由来する自発分極はたかだか１０ｎＣ／ａ＋＊”程
度であるので、両側のキラル基による自発分極の単純和
よりも大きくなっていることがわかる。

さらに（ＩＶ−３１）〜（ＩＶ−９１）で表わされる基
から選ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基
本骨格の両側に有するような化合物では、両方のキラル
基による自発分極の極性（よく知られた強誘電性液晶で
ある（Ｓ）−２−メチルブチルｂ−デシルオキシベンジ
リデンアミノフェニルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）
の極性をｅと決める．）を同一にあわせた場合には非常
に大きい自発分極を得ることができる． この場合には両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りもさらに１　０　０　ｎＣ／ｃｍ”あるいはそれ以上
に大きな自発分極を得ることもできる．キラルドーバン
トとしてはその誘起しうる自発分極が大きい程、その使
用量が少なくてもすむので、低粘性のＳＣ母体液晶の割
合を多くすることができ、その結果、ＳＣ０液晶組成物
の低粘度化が可能となる．結果として、応答性の向上に
つながるものである． （２）　　Ｎ”相あるいはｓｃ＊相に誘起する螺旋ピッ
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である．前述のように良
好な配同性を得るためには、そのＮ０相あるいはＳＣ′
″相における螺旋ピッチが長いことが重要である．キラ
ルドーバントは全体として螺旋ピッチが調整されていれ
ばよいのであって、個々の化合物については、必ずしも
その必要はないが、キラルドーバントの主戒分としては
ある程度螺旋ピッチが長い方が、その調整が容易である
．また、螺旋ピッチ調整を主目的として加える化合物で
は、その螺旋ピッチが短い程、その添加量を押えること
ができるので好都合である．螺旋ピッチを長くするには
、両側のキラル基による螺旋ピッチの向きが互いに相反
すればよいが、（ＴＶ−３１）〜（ｍＶ−９１）で表わ
される基から選ばれる基を両側に有する化合物では、そ
の自発分極の極性は同一であることが好ましい．（３）
大きな自発分極を示しうる特に（ＩＶ−３１）〜（ｉＶ
−９１）で表わされる基から選ばれるキラル基であって
、不斉合威、光学分割等の化学的手法により得られたも
のは、その光学純度は必ずしも１００％ではないものが
多いが、これらを１００％に精製するのはかなり困難で
ある。しかしながら、天然物から得られた（Ｓ）−２−
メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微生物工学
的手法で得られるような光学純度の極めて高いキラル基
と組み合わせれば、これらはジアステレオマーとなるた
め、クロマトグラフィー、再結晶による分離が容易とな
り光学純度を１００％に近づけることができる． 一般式（Ｂ）の化合物は、キラルドーパントの構戒成分
として１０％以上、好ましくは３０％以上、特に好まし
くは５０％以上用いるのが有効である． 一般式ＣＢ）の化合物中で、特に好ましい基本骨格とキ
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。

ＣＩ３， ＣＩ｛， ＣＨ， ＣＨ， ＣＩ！， ＣＬ 上記一般式中、Ｒ，及びＲ４′は各々独立的に炭素原子
数２〜ｌＯのアルキル基を表わし、Ｒ，及びＲ５′は各
々独立的に炭素原子数ｉ−ｔｏのアルキル基を表わし、
Ｒ７は炭素原子数２〜１ｏの直鎖状のアルキル基又は炭
素原子数３〜ｌＯの分岐状のアルキル基、又は炭素原子
数４〜１０の少なくとも１個の不斉炭素を含む光学的活
性なアルキル基を表わし、ｌはＯ〜５の整数を表わし、
Ｙは単結合、−ｏ−．　−ｏｃｏ−，　−ｃｏｏ−，又
はーｏｃｏｏ　一を表わし、Ｗは、塩素フッ素又は−０
−ＣＨ，を表わし、Ｚ′　は、 −ＣＯＯ　一 −ＯＣＯ− −ＣＨ．０− ＯＣＨｚ−， 又は単 す。

ＸＩ及びＸ“は各々独立的に水素原子、フッ素原子又は
シアノ基を表わし、）（ｘは水素原子又はＸ１を表わし
、Ｘ″は水素原子又はＸ４を表わす及びＸ４のうち少な
くとも一方は水素原子を表わす。

上記のキラルドーパントは、ＳＣ母体液晶中に１〜６０
重量％の割合で添加してＳＣ“液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは２〜５０重量％の
割合で添加することが好ましい。キラルドーパントの添
加割合が６０重量％より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーバント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、ＳＣ′″液晶組戒物の粘度が大き
くなり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にあ
るので好ましくない。また、キラルドーバントの添加量
の増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪
影響を与える傾向にあるので好ましくない。一方、キラ
ルドーバントの添加割合が１重量％より少ないと、自発
分極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない
．ＳＣ“液晶組威物の自発分極の値は、３〜３００Ｃ／
Ｃｌｌ”の範囲にあるようにキラルドーバントの添加割
合を調整することが好ましく、ＳＣ１相を示すキラルド
ーバントの場合、単独で１００ｎＣ／Ｃｌｌ”程度の自
発分極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を
誘起するキラルドーバントの場合、キラルドーバントの
添加割合は１０〜４０重量％の範囲が好ましく、３００
ｎＣ／ｃｍ”以上の強い自発分極を示すキラルドーバン
トの場合、キラルドーバントの添加割合は、２〜２５重
量％の範囲が好ましい．キラルドーバントの誘起する自
発分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少する
。しかしながら、キラルドーバントが誘起するＰ．の値
が小さい場合には、その添加量がＳＣ母体液晶に対して
多くなり、これに伴なってＳＣ１液晶組威物の粘性が大
きくなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向
にあるので好ましくない．従って、本発明で使用するキ
ラルドーバントとしては、ＳＣ母体液晶に１０重量％添
加した場合に１．ＯｎＣ／ｃｍ”以上のＰ．を誘起でき
るものが好ましく、５重量％添加した場合に０．５ｎＣ
／　Ｃｌｌ　”以上のＰ．を誘起できるものが特に好ま
しい。

本発明のＳＣ′″液晶組威物は、等方性液体状態からの
冷却時においてＮ”相、あるいはＳＡ相、あるいはＮ９
相とＳＡ相を経てＳＣ０相へと相転移するが、その際Ｎ
０相からＳＡ相への相転移温度Ｃ以下Ｎ”−ＳＡ点とい
う。）から、該Ｎ”−ＳＡ点の１度高温側までにおける
Ｎ０相に出現する螺旋のピッチが３μｍ以上であるＳＣ
′″液晶組成物がより好ましく、該螺旋のピッチが１０
μｍ以上であり、Ｎ”−ＳＡ点に近づくにつれて該螺旋
のピッチが発散的に大きくなるＳＣ９液晶組成物が特に
好ましい． 本発明のＳＣ１液晶組威物のＮ１相を示す温度範囲は、
３度以上３０度未満の範囲が好ましい．Ｎ′″相を示す
温度範囲が、３度未満である場合、降温時にすみやかに
ＳＡ相に相転移するため、Ｎ１１相で液晶分子を充分に
配向しにくくなる傾向にあるので好ましくない。また、
Ｎ３相を示す温度範囲が３０度以上である場合、ＳＣ０
液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液晶材料を充
填する工程等における作業性に悪影響を及ぼしやすい。

キラノレドーパントは、キラＪレドーパント自体の液晶
性の有無にかかわらず、ＳＣ母体液晶に添加した場合に
、 （１）　　Ｎ”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は （２）Ｎ”相を示す温度範囲を縮小する傾向にあるもの など、それぞれ固有の性質を有している．本発明のＳＣ
０液晶組威物のＮ′″相を示す温度範囲を上記の好まし
い範囲に調整するためには、（１）の場合、Ｎ相を示す
温度範囲が狭いＳＣ母体液晶、又は、Ｎ相を示さないＳ
Ｃ母体液晶を用いればよく、（２）の場合、Ｎ相を示す
温度範囲が広いＳＣ母体液晶を用いればよい．この方法
は、Ｎ′″相に限らず、ＳＡ相及びＳＣ′″相について
も同様に応用することができる。例えば、キラルドーバ
ントがＳＣ′″液晶組戒物のＳＡ相のみを拡大し、Ｎ８
相及びＳＣ９相を縮小するような場合には、ＳＣ母体液
晶として、ＳＣ相の上限温度が高く、Ｎ相の温度範囲が
広く、かつ、ＳＣ相→Ｎ相→Ｉ相の相系列を有するもの
、又はＳＡ相の温度範囲が狭＜ＳＣ相→ＳＡ相→Ｎ相→
Ｉ相の相系列を有するものを用いればよい。

このようなキラルドーバントの傾向は、ＳＣ母体液晶に
一定量のキラルドーバントを添加して得られるＳＣ′″
液晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、
容易に知ることができる。この結果から、ＳＣ＊液晶組
成物における各相、特にＮ１相を示す温度範囲は容易に
調整することができる。

一般式（Ｄ）の光学活性化合物のうち、両側のキラル基
Ｒ１１″，Ｒ？にょうてＮ０相に誘起される螺旋の向き
が互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺旋
ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラルド
ーバントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ調
整が不要であるか、あるいは容易であることが多いが、
一般的には以下のようにして螺旋ビソチを長く調整する
ことができる． 複数の光学活性化合物を含むＳＣ”液晶組威物のＮ′″
相に出現する螺旋のピッチＰ（μｍ）は各光学活性物質
の濃度をＣｉ、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをＰｉ
　　（μｍ）とするとおり、　（ここでは螺旋のピンチ
は右巻きを正、左巻きを負とする。）、これを用いてｓ
ｃ”液晶組戒物のＳＡ−Ｎ”点Ｔ０におけるＰ’をｐ　
，　ｉ　とする時、となるようにＣｉを選べばよい。こ
こでＰｉはＮ相を有する該ＳＣ母体液晶に各光学活性化
合物を単位濃度添加することにより測定が可能である。

実際にはＴ０は各Ｃｉによって変化するが、各光学活性
化合物を該ＳＣ母体液晶中に、濃度ΣＣｉだけ添加した
ときのＳＡ−Ｎ”″点の変化などから、かなり正確に類
推できることが多く、推定値Ｔ　，　１とそれを用いて
選ばれた組或物のＴ０とが大きく異なる場合にはＴ　ｅ
　ｌに換えてＴ０を用いて再度測定すればよい。

〔実施例〕

以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない．なお、実施例中、「％」は重量
％を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（Ｄ
ＳＣ）を併用して行った． 実施例Ｉ Ａ群に例示の一般式（Ａ−１１）で表わされる化合物か
ら、 ３５％ ３５％ から成る組威物を調製した． この組戒物は５７℃以下でＳＣ相を、６４．５℃以下で
ＳＡ相を、６９゜Ｃ以下でＮ相を各々示し、その融点は
１４℃であった．（以下、母体液晶（Ａ）という．） 次にＳＣ母体液晶に添加してＳＣ′″液晶組成物とした
際に、Ｎ０相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として
、式 （この化合物を前記ＳＣ母体液晶（Ａ）に１０％添加し
た際にＮＩ相に出現させる螺旋のピッチは６０″Ｃにお
いて４．７μｍ（外挿値）である。）の化合物７３％と
、左巻きのｇＡ旋を出現させる化合物として、式 ＣＨ， （この化合物を前記ＳＣ母体液晶（Ａ）に１０％添加し
た際にＮ１相に出現させる螺旋のピッチは６０゜Ｃにお
いて１１．９μｍ（外挿｛ｉｆ）である。）の化合物２
７％とを混合して、Ｎ″相に出現させる螺旋のピッチが
調整されたキラルドーパントを調製した． このキラルドーバントを、上記ＳＣ母体液晶（Ａ）に１
０％添加して得たＳＣ５液晶組威物の２５゜Ｃにおける
自発分極の値は、約６　ｎＣ／　ｃｍ”であった。

次に、母体液晶（Ａ）　　　　　　　　６７．２％Ｂ群
に例示の化合物から、 式（Ｂ−　１−１）の化合物　　　３．４％式（Ｂ−１
−２）の化合物　　　３．４％式（Ｂ−１−３）の化合
物 Ｃ群に例示の化合物から、 式（Ｃ−２０−１）の化合物 式（Ｃ−２０−２）の化合物 式（Ｃ−２０−３）の化合物 上記キラルドーバント から威るＳＣ“液晶組威物を調製した．このＳＣ１１液
晶組戚物は５２．５℃以下でＳＣ”相を、５２℃以下で
ＳＡ相を、６５．５℃以下でＮ”相を各々示した。この
ＳＣ′″液晶組戒物を配向処理（ポリイミドコーティン
グーラビング処理）を施した２枚のガラス透明電極から
なる厚さ約２μｍのセルに充填し、等方性液体相から、
室温まで徐冷を行ったところ、良好な配同性を示し、均
一なＳＣ８相のモノドメインが得られた．このセルに電
界強度１０ＶＰ−Ｆ／μｍ、５０＆の矩形波を印加して
その電気光学応答速度を測定したところ、２５℃で５１
μ秒の高速応答性が確認された。この時の自発分極は約
１　２．　２　ｎＣ／ｃｍ”、チルト角は２４．６゜で
あり、コントラストは非常１．６％ ２．８％ ２．８％ ２．８％ １６．０％ に良好であった． 実施例２ 実施例１において、式（Ｃ−２０−１）、（Ｃ−２０−
２）及び（Ｃ−２０−３）の化合物に代えて、式（Ｃ−
６−１）及び（Ｃ−６−２）の化合物を各４．２％用い
た以外は実施例ｌと同様にしてＳＣ′″液晶組成物を調
製した。

このＳＣ０液晶＆ｌ威物は５１．５℃以下でＳＣ１相を
、５９℃以下でＳＡ相を、６４℃以下でＮ′″相を各々
示した． 実施例ｌと同様にして表示用セルを作威し、同様の条件
でその電気光学応答速度を測定したところ、２５℃で４
８ｔｔ秒の高速応答性を示した．この時の自発分極は１
　１．　７　ｎＣ／ｃｍ”　，チルト角は２　５．　１
　’″で、コントラストは非常に良好であった． 実施例３ 実施例ｌにおいて、弐（Ｃ−２０−１）、（Ｃ−２０−
２）及び（Ｃ−２０−３）の化合物に代えて、式（Ｃ−
１３−１）及び（Ｃ−１３−２）の化合物を各４．２％
用いた以外は実施例ｌと同様にしてＳＣ０液晶Ａｌｌ底
物を調製した．このＳＣ“液晶組或物は５１．５゜Ｃ以
下でＳＣ８相を、６３゜Ｃ以下でＳＡ相を、６７℃以下
でＮ′″相を各々示した． 実施例１と同様にして表示用セルを作威し、同様の条件
で、その電気光学応答速度を測定したところ、２５℃で
４６μ秒の高速応答性を示した．この時の自発分極はｔ
　１．　Ｏ　ｎＣ／ｃｍ’　，チルト角は２４。２゜で
コントラストを非常に良好であった．〔発明の効果〕 本発明の強誘電性液晶組威物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である．従って、本発明の強誘電性液晶
＆［Ｉ底物は、強誘電性スメクチック液晶を利用した液
晶デバイスの材料として極めて有用である． 代 理 人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光学的に不活性でスメクチックＣ相を示す母体液晶
   に、光学活性化合物から成るキラルドーパントを加えて
   成るキラルスメクチックＣ相を示す液晶組成物であって
   、母体液晶が、 （１）下記一般式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）
   、（Ａ−４）及び（Ａ−５）で表わされる化合物から成
   るＡ群から選ばれる化合物、 （２）下記一般式（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）
   及び（Ｂ−４）で表わされる化合物から成るＢ群から選
   ばれる化合物 及び （３）下記一般式（Ｃ）で表わされる化合物を含有する
   ことを特徴とする室温を含む広い温度範囲でキラルスメ
   クチックＣ相を示す強誘電性液晶組成物。 一般式（Ａ−１） ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式（Ａ−２） ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式（Ａ−３） ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式（Ａ−４） ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式（Ａ−５） ▲数式、化学式、表等があります▼ （上記一般式（Ａ−１）〜（Ａ−５）中、Ｒ＾ａ及びＲ
   ＾ｂは各々独立的に炭素原子数１〜２０の直鎖状又は分
   岐状のアルキル基又はアルコキシル基を表わすが、Ｒ＾
   ａ及びＲ＾ｂのうち、少なくとも一方の基はアルコキシ
   ル基を表わす。） 一般式（Ｂ−１） ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式（Ｂ−２） ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式（Ｂ−３） ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式（Ｂ−４） ▲数式、化学式、表等があります▼ （上記一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）中、Ｒ＾ｃ及びＲ
   ＾ｄは各々独立的に炭素原子数１〜１８の直鎖状又は分
   岐状のアルキル基を表わすが、Ｒ＾ｃ及びＲ＾ｄのうち
   、少なくとも一方の基は直状のアルキル基を表わし、▲
   数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼を表わし、▲数式、化学式、表等が
   あります▼ は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   又は ▲数式、化学式、表等があります▼を表わす。） 一般式（Ｃ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾ｅ及びＲ＾ｆは各々独立的に炭素原子数１
   〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシ
   ル基を表わし、Ｖは−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表わし
   、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   又は▲数式、化学式、表等があります▼ を表わし、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼を表わし、▲数式、化学式、表等が
   あります▼は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼を表わすが、▲数式、化学式、表等
   があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式
   、表等があります▼のうち、少なくとも１ 個は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼又は▲数式、化学式、表等があり
   ます▼を表 わす。 ２、Ａ群が一般式（Ａ−１）で表わされる化合物から成
   る請求項１記載の強誘電性液晶組成物。 ３、Ｂ群が一般式（Ｂ−１）、（Ｂ−２）及び（Ｂ−３
   ）で表わされる化合物から成り、かつ、▲数式、化学式
   、表等があります▼が▲数式、化学式、表等があります
   ▼である請求項１又は２記載 の強誘電性液晶組成物。 ４、▲数式、化学式、表等があります▼が ▲数式、化学式、表等があります▼であり、▲数式、化
   学式、表等があります▼が ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼である請求項１、２又は ３記載の強誘電性液晶組成物。 ５、▲数式、化学式、表等があります▼が ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｒ＾ａがア ルキル基である請求項１、２又は３記載の強誘電性液晶
   組成物。 ６、キラルドーパントが一般式（Ｄ） Ｑ＾１＾＊−Ｚ−Ｑ＾２＾＊ 〔式中、Ｑ＾１＾＊及びＱ＾２＾＊は互いに異なった光
   学活性基であって、各光学活性基は少なくとも１個の不
   斉炭素原子を有し、かつ、Ｑ＾１＾＊及びＱ＾２＾＊の
   うち少なくとも１方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオ
   ウ、窒素、フッ素、塩素あるいは▲数式、化学式、表等
   があります▼又は−Ｃ≡Ｎと直結した構造を有する、Ｚ
   は一般式（Ｅ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式、表等が
   あります▼ は各々独立的に▲数式、化学式、表等があります▼、▲
   数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   又はこれら の環上の任意の１〜２個の水素原子がフッ素原子又はシ
   アノ基に置換した構造を表わし、Ｙ＾１及びＹ＾２は各
   々独立的に単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＿
   ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ
   ≡Ｃ−、−ＣＯＳ−又は−ＳＣＯ−を表わし、ｓは０又
   は１を表わす。） で表わされる液晶性分子の中心骨格（コア）部分を表わ
   す。〕 で表わされる光学活性化合物を含有する請求項１、２、
   ３、４又は５記載の強誘電性液晶組成物。 ７、Ｑ＾１＾＊が下記一般式（Ｆ−１）で表わされる光
   学活性基であり、Ｑ＾２＾＊が下記一般式（Ｆ−２）で
   表わされる光学活性基である請求項６記載の強誘電性液
   晶組成物。一般式（Ｆ−１） ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式（Ｆ−２） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は各々独立的に炭素原子数２
   〜１０のアルキル基又は炭素原子数１〜１０のアルコキ
   シル基、アルコキシカルボニル基又はアルカノイルオキ
   シ基を表わし、Ｃ＾＊は不斉炭素原子を表わし、Ｘ＾１
   及びＸ＾２は各々独立的にＣＨ＿３−、Ｆ−、Ｃｌ−又
   は−ＣＮを表わし、Ｙ＾２及びＹ＾３は各々独立的に単
   結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、▲数式、化学
   式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、ｌ１
   、 ｌ２、ｍ１、ｍ２、ｎ１及びｎ２は各々独立的に０〜５
   の整数を表わす。）