JPH036292A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH036292A JPH036292A JP13750389A JP13750389A JPH036292A JP H036292 A JPH036292 A JP H036292A JP 13750389 A JP13750389 A JP 13750389A JP 13750389 A JP13750389 A JP 13750389A JP H036292 A JPH036292 A JP H036292A
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜10
00倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜10
00倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、S01と省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、S01と省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
[発明が解決しようとする課題〕
SC3相を示す液晶化合物(以下、SC゛化合物という
。)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかしながら、これらのSC
′″化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチ
ング素子とし、て用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を存すること (ハ)特にキラルネマチック(以下、N9と省略する。
。)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかしながら、これらのSC
′″化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチ
ング素子とし、て用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を存すること (ハ)特にキラルネマチック(以下、N9と省略する。
)相において長い螺旋ピッチを示すこと(ニ)適当なチ
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (1−) (tlll)及び(ハ)の結果として良好
な配向を示すこと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (1−) (tlll)及び(ハ)の結果として良好
な配向を示すこと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
そのため、現在では、S00相を示す液晶組成′JIA
(以下、SC”液晶組成物という。)が検討用等に用い
られているのが、実情である。
(以下、SC”液晶組成物という。)が検討用等に用い
られているのが、実情である。
良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭61−1
53623号公報等に示されているように、SC”相の
高温域にN1相を有する液晶において、N1相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にSC′″相とN“相の中間の温度域にスメクチ
ックA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配
向はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左
螺旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる
光学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られ
ている。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に
光学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さ
に調整することは既に公知の技術である。)しかし、こ
れらの技術によっては良好な配向性は得られるものの、
高速応答性が得られるわけではなかった。
53623号公報等に示されているように、SC”相の
高温域にN1相を有する液晶において、N1相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にSC′″相とN“相の中間の温度域にスメクチ
ックA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配
向はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左
螺旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる
光学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られ
ている。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に
光学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さ
に調整することは既に公知の技術である。)しかし、こ
れらの技術によっては良好な配向性は得られるものの、
高速応答性が得られるわけではなかった。
高速応答性を示すには、例えば、第12回液晶討論会に
おける特別講演(同討論会予稿集P、98)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、P3と省略する。
おける特別講演(同討論会予稿集P、98)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、P3と省略する。
)の大きいSC′″化合物を添加する方式が優れている
。この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物
の割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなる
が、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようと
すると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり
、そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得
られなくなってしまう問題点があった。
。この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物
の割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなる
が、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようと
すると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり
、そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得
られなくなってしまう問題点があった。
また、SC母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
(R,R’はアキラルなアルキル基を表わす。)(R,
R’ は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
R’ は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。
に実現するのは困難なことであった。
本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。
本発明は上記課題を解決するために、中温域液晶及び高
温液晶を含有し、スメクチックC相を示す液晶組成物(
以下、本発明で使用するSC母体液晶という。)に、光
学活性化合物から成るキラルドーパントを添加して成る
強誘電性液晶組成物であって、特に中温域液晶が次の一
般式(A−1)、(A−2)又は(A−3)で表わされ
る化合物の少なくとも1種を含有し、キラルドーパント
が次の一般式(B)で表わされる光学活性化合物を含有
する、室温を含む広い温度範囲でSC9相を示す強誘電
性液晶組成物を提供する。
温液晶を含有し、スメクチックC相を示す液晶組成物(
以下、本発明で使用するSC母体液晶という。)に、光
学活性化合物から成るキラルドーパントを添加して成る
強誘電性液晶組成物であって、特に中温域液晶が次の一
般式(A−1)、(A−2)又は(A−3)で表わされ
る化合物の少なくとも1種を含有し、キラルドーパント
が次の一般式(B)で表わされる光学活性化合物を含有
する、室温を含む広い温度範囲でSC9相を示す強誘電
性液晶組成物を提供する。
一般式(A−1)
(式中、R”及びR1′は各々独立的に炭素原子数1〜
20の直鎖状又は分岐状のアルギル基又はアルコキシル
基を表わすが、R1及びRゝの内、少なくとも一方はア
ルコキシル基を表わす。R1及びRbの内、一方が炭素
原子数3〜12の直鎖状アルキル基を表わし、他方が炭
素原子数3〜12の直鎖状又は分岐状アルコキシル基を
表わす場合が好ましい。) 一般式(A−2) (式中、RC及びR4は各々独立的に炭素原子数1〜2
0の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基
を表わすが、R’及びR4の内、少なくとも一方はアル
コキシル基を表わす。Rc及びR6の内、一方が炭素原
子数3〜12の直鎖状アルキル基を表わし、他方が炭素
原子数3〜12の直鎖状又は分岐状アルコキシル基を表
わす場合が好ましい。) 一般式(A−3) (式中、R″及びRfは各々独立的に炭素原子数1〜2
0の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基
を表わすが、R”及びR’の内、少なくとも一方はアル
コキシル基を表わす。R@及びRrO内、一方が炭素原
子数3〜12の直鎖状アルコキシル基を表わし、他方が
炭素原子数3〜12の直鎖状又は分岐状アルコキシル基
を表わす、)一般式(B) Q”−Z−Q” ・・・ (B)〔式中
、Ql“及びC2“は互いに異なった光学活性基であっ
て、各光学活性基は少なくとも1個の不斉炭素原子を有
し、かつ、QI*及びQ!*のうち少なくとも1方の基
は、不斉炭素原子が酸素、イオ1 つ、窒素、フッ素、塩素あるいは一〇−又は−C=Nと
直結した構造を有する。Zは一般式() 上の水素原子がフン素原子又はシアノ基に置換した構造
においては、 これらの環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子
又はシアノ基に置換した構造を表わすが、Y′及びY!
は各々独立的に単結合、−COO−0COCLO0CH
z CHzCHz−−c = c −−cos−
又は−5CO−を表わすが、単結合、−COO−−OC
O−−CH20−又は−〇CH,−である場合が好まし
く、m=1の場合には、Y′及びY2の内の少なくとも
一方が単結合であることが好ましい。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 本発明で用いる中温域液晶とは、それを構成する液晶化
合物が、光学的に不活性であり、2環構造であって、S
C相を示す化合物又は、そのアルキル鎖の炭素原子数、
形状のみが異った同族体から成り、その同族体中の少な
くとも1種の化合物は工0℃以上における任意の1 ’
C以上の温度中の範囲でモノトロピックでもよいSC相
を示す化合物である。
20の直鎖状又は分岐状のアルギル基又はアルコキシル
基を表わすが、R1及びRゝの内、少なくとも一方はア
ルコキシル基を表わす。R1及びRbの内、一方が炭素
原子数3〜12の直鎖状アルキル基を表わし、他方が炭
素原子数3〜12の直鎖状又は分岐状アルコキシル基を
表わす場合が好ましい。) 一般式(A−2) (式中、RC及びR4は各々独立的に炭素原子数1〜2
0の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基
を表わすが、R’及びR4の内、少なくとも一方はアル
コキシル基を表わす。Rc及びR6の内、一方が炭素原
子数3〜12の直鎖状アルキル基を表わし、他方が炭素
原子数3〜12の直鎖状又は分岐状アルコキシル基を表
わす場合が好ましい。) 一般式(A−3) (式中、R″及びRfは各々独立的に炭素原子数1〜2
0の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基
を表わすが、R”及びR’の内、少なくとも一方はアル
コキシル基を表わす。R@及びRrO内、一方が炭素原
子数3〜12の直鎖状アルコキシル基を表わし、他方が
炭素原子数3〜12の直鎖状又は分岐状アルコキシル基
を表わす、)一般式(B) Q”−Z−Q” ・・・ (B)〔式中
、Ql“及びC2“は互いに異なった光学活性基であっ
て、各光学活性基は少なくとも1個の不斉炭素原子を有
し、かつ、QI*及びQ!*のうち少なくとも1方の基
は、不斉炭素原子が酸素、イオ1 つ、窒素、フッ素、塩素あるいは一〇−又は−C=Nと
直結した構造を有する。Zは一般式() 上の水素原子がフン素原子又はシアノ基に置換した構造
においては、 これらの環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子
又はシアノ基に置換した構造を表わすが、Y′及びY!
は各々独立的に単結合、−COO−0COCLO0CH
z CHzCHz−−c = c −−cos−
又は−5CO−を表わすが、単結合、−COO−−OC
O−−CH20−又は−〇CH,−である場合が好まし
く、m=1の場合には、Y′及びY2の内の少なくとも
一方が単結合であることが好ましい。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 本発明で用いる中温域液晶とは、それを構成する液晶化
合物が、光学的に不活性であり、2環構造であって、S
C相を示す化合物又は、そのアルキル鎖の炭素原子数、
形状のみが異った同族体から成り、その同族体中の少な
くとも1種の化合物は工0℃以上における任意の1 ’
C以上の温度中の範囲でモノトロピックでもよいSC相
を示す化合物である。
特に本発明においては、中温域液晶が前記一般式(A−
1>、(A−2)又は(A−3)で表わされる化合物を
少なくとも1種含有することを特徴とする。
1>、(A−2)又は(A−3)で表わされる化合物を
少なくとも1種含有することを特徴とする。
中温域液晶としては、一般式(A−1)、(A2)及び
(A7−3)で表わされる化合物以外にも、以下の一般
式(D)又は(E)で表わされる化合物も用いることが
できる。
(A7−3)で表わされる化合物以外にも、以下の一般
式(D)又は(E)で表わされる化合物も用いることが
できる。
一般式(D)
オキシ、アルコキシカルボニルオキシ、アルケニル、ア
ルケニルオキシ、アルケニルオキシカルボニル、アルケ
ニルカルボニルオキシ又はアルケニルオキシカルボニル
オキシ基を表わすが、少なくとも1方はアルキル基又は
アルケニル基以外を表わす。
ルケニルオキシ、アルケニルオキシカルボニル、アルケ
ニルカルボニルオキシ又はアルケニルオキシカルボニル
オキシ基を表わすが、少なくとも1方はアルキル基又は
アルケニル基以外を表わす。
C式中、R9及びRI′は、各々独立的に炭素原子数1
〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル、アルコキシル、
アルコキシカルボニル、アルカノイルを表わす。ただし
、一般式(A−1)及び(A−2)で表わされる化合物
を除く。
〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル、アルコキシル、
アルコキシカルボニル、アルカノイルを表わす。ただし
、一般式(A−1)及び(A−2)で表わされる化合物
を除く。
一般式(E)
Uは−coo−,−oco−、−cos−、−5co=
又は−C三C−を表わす。ただし一般式(A−3)で表
わされる化合物を除く。) 中温域液晶中に、上記一般式(A−1)、(A−2)及
び(A−3)で表わされる化合物は30重量%以上、特
に50重重量以上含まれることが好ましい。
又は−C三C−を表わす。ただし一般式(A−3)で表
わされる化合物を除く。) 中温域液晶中に、上記一般式(A−1)、(A−2)及
び(A−3)で表わされる化合物は30重量%以上、特
に50重重量以上含まれることが好ましい。
本発明で使用するSC母体液晶は、そのSC相の高温側
において、降温時に、 (イ)I(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (ロ)■相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)■相→N相→SC相の相系列を有するもの 又は (ニ)■相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を存するものが用いられるが、(イ)〜(ニ)の
選択は、同時に用いるキラルドーパント及びS00液晶
組成物とした場合の好ましい相系列により異なる。最も
繁用性のあるのは(イ)であり、キラルドーパントをS
C母体液晶に添加した場合に、N”相の温度範囲を広げ
、SA相等の温度範囲を狭くしやすい傾向が強い場合に
は(ロ)を、キラルドーパントをSC母体液晶に添加し
た場合に、SA相の温度範囲を広げ、N1相の温度範囲
を狭くしやすい傾向が強い場合には(ハ)を、また、S
C性が弱く、N”相やSA相の温度範囲が広げやすい場
合などには(ニ)を用いるのが、最も適している。重要
であるのはS00液晶組成物とした場合の相系列であっ
て、−船釣には、T→N0→SA→SC1の相系列が配
向性の点で有利である。一方、!−+N”→S00の相
系列も配向制御方法によっては、より良好な配向を示す
場合もあり、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲ
スト・ホスト方式などには適している。
において、降温時に、 (イ)I(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (ロ)■相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)■相→N相→SC相の相系列を有するもの 又は (ニ)■相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を存するものが用いられるが、(イ)〜(ニ)の
選択は、同時に用いるキラルドーパント及びS00液晶
組成物とした場合の好ましい相系列により異なる。最も
繁用性のあるのは(イ)であり、キラルドーパントをS
C母体液晶に添加した場合に、N”相の温度範囲を広げ
、SA相等の温度範囲を狭くしやすい傾向が強い場合に
は(ロ)を、キラルドーパントをSC母体液晶に添加し
た場合に、SA相の温度範囲を広げ、N1相の温度範囲
を狭くしやすい傾向が強い場合には(ハ)を、また、S
C性が弱く、N”相やSA相の温度範囲が広げやすい場
合などには(ニ)を用いるのが、最も適している。重要
であるのはS00液晶組成物とした場合の相系列であっ
て、−船釣には、T→N0→SA→SC1の相系列が配
向性の点で有利である。一方、!−+N”→S00の相
系列も配向制御方法によっては、より良好な配向を示す
場合もあり、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲ
スト・ホスト方式などには適している。
また、r−+SA−+SC“の相系列も初期の強誘電性
液晶(P−デシルオキシベンジリデンアミノケイ酸(S
)−2−メチルブチル等)がこの相系列であったため、
その配向方法についてもよく検討されており、良好な配
向性を得ることも不可能ではない。
液晶(P−デシルオキシベンジリデンアミノケイ酸(S
)−2−メチルブチル等)がこの相系列であったため、
その配向方法についてもよく検討されており、良好な配
向性を得ることも不可能ではない。
本発明で使用するキラルドーパントとしては、(1)S
C“相を示す化合物、(2) S C”相以外の液晶相
のみを示す化合物又は(3)液晶性を全く示さない化合
物を用いることができるが、(3)の場合には、SC母
体液晶に添加して得られるSC0液晶組成物の液晶性が
低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有す
る化合物を用いることが好ましい。
C“相を示す化合物、(2) S C”相以外の液晶相
のみを示す化合物又は(3)液晶性を全く示さない化合
物を用いることができるが、(3)の場合には、SC母
体液晶に添加して得られるSC0液晶組成物の液晶性が
低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有す
る化合物を用いることが好ましい。
キラルドーパントがS09液晶組成物にもたらす諸物性
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。
これまでキラルドーパント、SC2化合物又はネマチッ
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。
(■
1)
L
+ C)I2 +−CHCzHs
(IV−8)
CH3
一〇÷CH2−+−CH−R3
(■
2)
113
0(−CB□−+−T−C1l CzHs(IV−9
) 0 C11゜ 11(。
) 0 C11゜ 11(。
一〇−0÷CH2÷、CI!R+
(IV−3)
CH3
(−CIl□h−0÷CI+、十T−C)I CJs
(IV−4) CIl。
(IV−4) CIl。
−0(−C112h−0(−C1l□−+TCHCzl
ls(IV−12) CH3 −Ctl R4 (TV−13) CH8 −C)+2−CIl C11z 0Rs(IV−7
) CH3 + CHz−h−COR3 (IV−14) CIl。
ls(IV−12) CH3 −Ctl R4 (TV−13) CH8 −C)+2−CIl C11z 0Rs(IV−7
) CH3 + CHz−h−COR3 (IV−14) CIl。
CHI−CH□−OR。
(IV−15)
0 CHff
II t・
CChCIIzCL C11−CIIzCIIzCH
z C11−CI13C)13 (IV−20) −0−C41z にH−にJL;JL;R2しH−
uH。
z C11−CI13C)13 (IV−20) −0−C41z にH−にJL;JL;R2しH−
uH。
(IV −42)
−U−[;−L、+1−ullt−L、TI −L12
113(IV−21) CH。
113(IV−21) CH。
−3−(−CI+2÷7; Cal (CHz’)7−
CIl+32) CH3 −0−CH−L (IV−33) 0 C1l。
CIl+32) CH3 −0−CH−L (IV−33) 0 C1l。
11 ・
QCC1l R4
(IV−45)
CI、 0
ゆ 11
−0−CH−C−0
53)
CI(3
Cl−0
5
34)
L; U GHz l;H1(s(IV−
62) F3 0 CHRs (IV−64) C1+□ CIl。
62) F3 0 CHRs (IV−64) C1+□ CIl。
Cll−CH2−0R5
(IV−65)
一〇
1iff
1・
CIl−c++z−OR。
(IV−66)
Cl1゜
0−(7C1+□÷−C11(C1lz+T−ORs(
IV−55) 0 CHz CHR5 (■ 56) o cIl 1 −COC112CIl R5 (■ 57) 2 0 CHI CIl R5 (IV−69) 1 −CO0CIIz C)I Rs (IV−70) CH3 −OCHz CI CHz 0CORs(IV−
71) C11゜ −0−CI−ct+z−o−COR。
IV−55) 0 CHz CHR5 (■ 56) o cIl 1 −COC112CIl R5 (■ 57) 2 0 CHI CIl R5 (IV−69) 1 −CO0CIIz C)I Rs (IV−70) CH3 −OCHz CI CHz 0CORs(IV−
71) C11゜ −0−CI−ct+z−o−COR。
(IV−72)
CH3
0−CH
CHz(CHz)TOCORs
(IV−73)
0−CH2
l1ff
CHA Cfl Z )TOCORs
(IV−75)
一〇
C1(3
Ctlz CH0Rs
(IV−76)
C((3
−S−CIl−R1
(rV−78)
C,1I5
OCth C1l OR&
H3
CH。
(IV−80)
−C00CH2−C8
5
(IV−81)
N
OC11z CHRs
(IV−82)
N
C)I Rs
(IV−83)
CIl□CN
Coo CHz CORs
(■
84)
1hCN
−0−CI□−Cll Rs
上記各一般式において、mは1〜4の整数を表わし、n
は1〜10の整数を表わし、R1は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R2は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、Rhは炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
は1〜10の整数を表わし、R1は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R2は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、Rhは炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
光学活性基として、式(IV−1’)〜(IV−22)
で表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物
ではSC母体液晶に添加してSC”液晶組成物とした際
に誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でSC
“相を示す場合でもそのほとんどが10nC/c11”
以下にすぎない。
で表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物
ではSC母体液晶に添加してSC”液晶組成物とした際
に誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でSC
“相を示す場合でもそのほとんどが10nC/c11”
以下にすぎない。
一方、光学活性基として、式(IV−31)〜(■−9
1)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物
は、SC母体液晶に添加してSC9液晶組成物とした際
に誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でSC1
相を示す場合などでは300nC/cm”以上の大きな
値を示すものも存在する。
1)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物
は、SC母体液晶に添加してSC9液晶組成物とした際
に誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でSC1
相を示す場合などでは300nC/cm”以上の大きな
値を示すものも存在する。
このような光学活性基を末端に有するような光学活性化
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。
(V−12)
g−1120+ 0CIIイ)
(V−60)
七ぺ)
(V−108)
◇)oco 、−0べ今
(V−132)
分oco +公
(V−156)
◇)ocu、−@
(V −204)
(R)oco ()
(V −228)
召へ$oco4
(V−247)
+キ・・・−〇
(V−248)
召キ・・・(吟
(V−249)
0バキ・・・・0
(V −250)
0バキocnzG
(V−251)
0べ)coo −@
(V−252)
豆X()oco −0
(V −253)
0べ)CIlzo()
上記各基本骨格中のベンゼン環あるいはシクロヘキサン
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
以上のような基本骨格の片側もしくは両側に前記キラル
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式(B)で表わされる光学活
性化合物が好ましい。
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式(B)で表わされる光学活
性化合物が好ましい。
一般式(B)で表わされる光学活性化合物において、特
に、少なくとも一方の光学活性基は前記(IV−31)
〜(IV−91)で表わされる基のいずれかであること
が望ましい。
に、少なくとも一方の光学活性基は前記(IV−31)
〜(IV−91)で表わされる基のいずれかであること
が望ましい。
このように、基本骨格の両側に互いに異ったキラル基が
結合した光学活性化合物を用いるごとによる利点として
以下の点を挙げることができる。
結合した光学活性化合物を用いるごとによる利点として
以下の点を挙げることができる。
(1)片側にのみキラル基を有する化合物より強い自発
分極を示しうる。
分極を示しうる。
即ち、前記(IV−31)〜(IV−91)で表わされ
る基から選ばれるキラル基と(IV−1)〜(rV−2
2)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格
の両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基と
しては(IV−31)〜(■−91)で表わされる基か
ら選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である
化合物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外挿値
として自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有す
る化合物の方が10〜30nC/cm”あるいはそれ以
上大きい。(IV−1)〜(IV−22)で表わされる
基に由来する自発分極はたかだかl0nC/cm”程度
であるので、両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りも大きくなっていることがわかる−0さらに(IV−
31)〜(IV−91)で表わされる基から選ばれる基
であって互いに異ったキラル基を上記基本骨格の両側に
有するような化合物では、両方のキラル基による自発分
極の極性(よく知られた強誘電性液晶である(S)−2
−メチルブチルb−デシルオキシベンジリデンアミノフ
ェニルシンナメー) (DOBAMBC)の極性をeと
決める。)を同一にあわせた場合には非常に大きい自発
分極を得ることができる。
る基から選ばれるキラル基と(IV−1)〜(rV−2
2)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格
の両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基と
しては(IV−31)〜(■−91)で表わされる基か
ら選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である
化合物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外挿値
として自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有す
る化合物の方が10〜30nC/cm”あるいはそれ以
上大きい。(IV−1)〜(IV−22)で表わされる
基に由来する自発分極はたかだかl0nC/cm”程度
であるので、両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りも大きくなっていることがわかる−0さらに(IV−
31)〜(IV−91)で表わされる基から選ばれる基
であって互いに異ったキラル基を上記基本骨格の両側に
有するような化合物では、両方のキラル基による自発分
極の極性(よく知られた強誘電性液晶である(S)−2
−メチルブチルb−デシルオキシベンジリデンアミノフ
ェニルシンナメー) (DOBAMBC)の極性をeと
決める。)を同一にあわせた場合には非常に大きい自発
分極を得ることができる。
この場合には両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りもさらに100 nC/cmzあるいはそれ以上に大
きな自発分極を得ることもできる。
りもさらに100 nC/cmzあるいはそれ以上に大
きな自発分極を得ることもできる。
キラルドーパントとしてはその誘起しうる自発分極が大
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、S
00液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、S
00液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。
(2) N”相あるいはsc”相に誘起する螺旋ピッ
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
前述のように良好な配向性を得るためには、そのN”相
あるいはS01相における螺旋ピッチが長いことが重要
である。キラルドーパントは全体として螺旋ピッチが調
整されていればよいのであって、個々の化合物について
は、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの主
成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調整
が容易である。また、螺旋ピッチ調整を主目的として加
える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加量
を押えることができるので好都合である。
あるいはS01相における螺旋ピッチが長いことが重要
である。キラルドーパントは全体として螺旋ピッチが調
整されていればよいのであって、個々の化合物について
は、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの主
成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調整
が容易である。また、螺旋ピッチ調整を主目的として加
える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加量
を押えることができるので好都合である。
螺旋ピッチを長くするには、両側のキラル基による螺旋
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(IV−91)で表わされる基から選ばれる基を両
側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一であ
ることが好ましい。
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(IV−91)で表わされる基から選ばれる基を両
側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一であ
ることが好ましい。
(3)大きな自発分権を示しうる特に(IV−31)〜
(IV−91)で表わされる基から選ばれるキラル基で
あって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得ら
れたものは、その光学純度は必ずしも100%ではない
ものが多いが、これらを100%に精製するのはかなり
困難である。しかしながら、天然物から得られた(S)
−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微生
物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高いキ
ラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマーと
なるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が容
易となり光学純度を100%に近づけることができる。
(IV−91)で表わされる基から選ばれるキラル基で
あって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得ら
れたものは、その光学純度は必ずしも100%ではない
ものが多いが、これらを100%に精製するのはかなり
困難である。しかしながら、天然物から得られた(S)
−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微生
物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高いキ
ラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマーと
なるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が容
易となり光学純度を100%に近づけることができる。
一般式(B)の化合物は、キラルドーパントの構成成分
として10%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である。
として10%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である。
一般式(B)の化合物中で、特に好ましい基本骨格とキ
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。
上記一般式中、R4及びR4/は各々独立的に炭素原子
数2〜IOのアルキル基を表わし、R2及びR,/は各
々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わし、
R7は炭素原子数2〜10の直鎖状のアルキル基又は炭
素原子数3〜10の分岐状のアルキル基、又は炭素原子
数4〜10の少なくとも1個の不斉炭素を含む光学的活
性なアルキル基を表わし、lはO〜5の整数を表わし、
Yは単結合、−o−、−oco−、−coo −、又は
−ocoo −を表わし、Wは、塩素、フッ素又は−〇
−CI+、+を表わし、Z′は、 す。
数2〜IOのアルキル基を表わし、R2及びR,/は各
々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わし、
R7は炭素原子数2〜10の直鎖状のアルキル基又は炭
素原子数3〜10の分岐状のアルキル基、又は炭素原子
数4〜10の少なくとも1個の不斉炭素を含む光学的活
性なアルキル基を表わし、lはO〜5の整数を表わし、
Yは単結合、−o−、−oco−、−coo −、又は
−ocoo −を表わし、Wは、塩素、フッ素又は−〇
−CI+、+を表わし、Z′は、 す。
XI及びX4は各々独立的に水素原子、フッ素原子又は
シアノ基を表わし、X2は水素原子又はXIを表わし、
X3は水素原子又はX4を表わすCOO− 0CO− CIlよO−、−0C11□−1又は単及びX4のうち
少なくとも一方は水素原子を表わす。
シアノ基を表わし、X2は水素原子又はXIを表わし、
X3は水素原子又はX4を表わすCOO− 0CO− CIlよO−、−0C11□−1又は単及びX4のうち
少なくとも一方は水素原子を表わす。
上記のキラルドーパントは、SC母体液晶中に1〜60
重量%の割合で添加してSC*液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重景%重
量合で添加することが好ましい。キラルドーパントの添
加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、S01液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない。また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない。一方、キラル
ドーパントの添加割合が1重量%より少ないと、自発分
極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない。
重量%の割合で添加してSC*液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重景%重
量合で添加することが好ましい。キラルドーパントの添
加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、S01液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない。また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない。一方、キラル
ドーパントの添加割合が1重量%より少ないと、自発分
極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない。
SC1液晶組成物の自発分極の値は、3〜30nC/c
m”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合を
調整することが好ましく、S00相を示すキラルドーパ
ントの場合、単独で100nC/C11l”程度の自発
分極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘
起するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添
加割合は10〜40重景%の重量が好ましく、300n
C/cm”以上の強い自発分極を示すキラルドーパント
の場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25重量
%の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起する自発
分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少する。
m”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合を
調整することが好ましく、S00相を示すキラルドーパ
ントの場合、単独で100nC/C11l”程度の自発
分極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘
起するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添
加割合は10〜40重景%の重量が好ましく、300n
C/cm”以上の強い自発分極を示すキラルドーパント
の場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25重量
%の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起する自発
分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少する。
しかしながら、キラルドーパントが誘起するP、の値が
小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して多
くなり、これに伴なってS01液晶組成物の粘性が大き
くなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向に
あるので好ましくない。従って、本発明で使用するキラ
ルドーパントとしては、SC母体液晶に10重重景添加
した場合に1.0 nC7cm”以上のP、を誘起でき
るものが好ましく、5重量%添加した場合に0.5 n
C/cm!以上のP8を誘起できるものが特に好ましい
。
小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して多
くなり、これに伴なってS01液晶組成物の粘性が大き
くなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向に
あるので好ましくない。従って、本発明で使用するキラ
ルドーパントとしては、SC母体液晶に10重重景添加
した場合に1.0 nC7cm”以上のP、を誘起でき
るものが好ましく、5重量%添加した場合に0.5 n
C/cm!以上のP8を誘起できるものが特に好ましい
。
本発明のS00液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてN1相、あるいはSA相、あるいはN9相
とSA相を経てS01相へと相転移するが、その際N”
相からSA相への相転移温度(以下N”−5A点という
。)から、該N′″−3A点の1度高温側までにおける
N“相に出現する螺旋のピッチが3μm以上であるS0
1液晶組成物がより好ましく、該螺旋のピッチが10μ
m以上であり、N”−3A点に近づくにつれて該螺旋の
ピッチが発散的に大きくなるSC“液晶組成物が特に好
ましい。
却時においてN1相、あるいはSA相、あるいはN9相
とSA相を経てS01相へと相転移するが、その際N”
相からSA相への相転移温度(以下N”−5A点という
。)から、該N′″−3A点の1度高温側までにおける
N“相に出現する螺旋のピッチが3μm以上であるS0
1液晶組成物がより好ましく、該螺旋のピッチが10μ
m以上であり、N”−3A点に近づくにつれて該螺旋の
ピッチが発散的に大きくなるSC“液晶組成物が特に好
ましい。
本発明のS01液晶組成物のN2相を示す温度範囲は、
3度以上30度未満の範囲が好ましい。
3度以上30度未満の範囲が好ましい。
N9相を示す温度範囲が、3度未満である場合、降温時
にすみやかにSA相に相転移するため、N0相で′液晶
分子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましく
ない。また、N1相を示す温度範囲が30度以上である
場合、S00液晶組成物の透明点が高温になり、セルに
液晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及
ぼしやすい。
にすみやかにSA相に相転移するため、N0相で′液晶
分子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましく
ない。また、N1相を示す温度範囲が30度以上である
場合、S00液晶組成物の透明点が高温になり、セルに
液晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及
ぼしやすい。
キラルドーパントは、キラルドーパント自体の液晶性の
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1) N”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は (2) N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のS0
9液晶組成物のN9相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法は
、N1相に限らず、SA相及びS09相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーパントが
sc”液晶組成物のSA相のみを拡大し、N1相及びS
01相を縮小するような場合には、SC母体液晶として
、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、か
つ、SC相→N相→I相の相系列を有するもの、又はS
A相の温度範囲が狭りSC相→SA相→N相→I相の相
系列を有するものを用いればよい。
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1) N”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は (2) N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のS0
9液晶組成物のN9相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法は
、N1相に限らず、SA相及びS09相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーパントが
sc”液晶組成物のSA相のみを拡大し、N1相及びS
01相を縮小するような場合には、SC母体液晶として
、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、か
つ、SC相→N相→I相の相系列を有するもの、又はS
A相の温度範囲が狭りSC相→SA相→N相→I相の相
系列を有するものを用いればよい。
このようなキラルドーパントの傾向は、SC母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるSC′″
液晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、
容易に知ることができる。この結果から、S00液晶組
成物における各相、特にN1相を示す温度範囲は容易に
調整することができる。
一定量のキラルドーパントを添加して得られるSC′″
液晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、
容易に知ることができる。この結果から、S00液晶組
成物における各相、特にN1相を示す温度範囲は容易に
調整することができる。
一般式(B)の光学活性化合物のうち、両側のキラル基
R1” r p、*によってN“相に誘起される螺旋の
向きが互いに逆であるような化合物では、その誘起する
螺旋ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラ
ルドーパントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッ
チ調整が不要であるか、あるいは容易であることが多い
が、−船釣には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整
することができる。
R1” r p、*によってN“相に誘起される螺旋の
向きが互いに逆であるような化合物では、その誘起する
螺旋ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラ
ルドーパントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッ
チ調整が不要であるか、あるいは容易であることが多い
が、−船釣には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整
することができる。
複数の光学活性化合物を含むSCI液晶組成物のN“相
に出現する螺旋のピッチP(μm)は各光学活性物質の
濃度をC1、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをPi
(μm)とするとおり、(ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。)、これを用いてS08
液晶組成物の5A−N”点T0におけるp+をP71と
する時、相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物
を単位濃度添加することにより測定が可能である。
に出現する螺旋のピッチP(μm)は各光学活性物質の
濃度をC1、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをPi
(μm)とするとおり、(ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。)、これを用いてS08
液晶組成物の5A−N”点T0におけるp+をP71と
する時、相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物
を単位濃度添加することにより測定が可能である。
実際にはToは各Ciによって変化するが、各光学活性
化合物を該SC母体液晶中に、濃度Σ(jだけ添加した
ときの5A−N”点の変化などから、かなり正確に類推
できることが多く、推定値1’T 01とそれを用いて
選ばれた組成物のToとが大きく異なる場合にはT 0
tに換えてToを用いて再度測定すればよい。
化合物を該SC母体液晶中に、濃度Σ(jだけ添加した
ときの5A−N”点の変化などから、かなり正確に類推
できることが多く、推定値1’T 01とそれを用いて
選ばれた組成物のToとが大きく異なる場合にはT 0
tに換えてToを用いて再度測定すればよい。
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
となるようにC4を選べばよい。ここでPt はN実施
例1 40% 45% 及び 10% から成るキラルドーパントを調製した。このキラルドー
パントは、誘起する自発分極が大きく、かつ、N4相に
誘起する螺旋のピッチが充分長い組成物であった。(以
下、キラルドーパント(A)と省略する。) 次に、中温域液晶として、前記一般式(A−1)で表わ
される化合物から、 から成るSC母体液晶を調製した。(以下、母体液晶(
A)と省略する。) このSC母体液晶(A)80%及び、キラルドーバンI
−(A)20%から成るSC”液晶組成物を調製した。
例1 40% 45% 及び 10% から成るキラルドーパントを調製した。このキラルドー
パントは、誘起する自発分極が大きく、かつ、N4相に
誘起する螺旋のピッチが充分長い組成物であった。(以
下、キラルドーパント(A)と省略する。) 次に、中温域液晶として、前記一般式(A−1)で表わ
される化合物から、 から成るSC母体液晶を調製した。(以下、母体液晶(
A)と省略する。) このSC母体液晶(A)80%及び、キラルドーバンI
−(A)20%から成るSC”液晶組成物を調製した。
このS00液晶組成物は、58℃以下でsc”相を、6
3℃以下でSA相を、64.5℃以下でN0相を各々示
し、それ以上の温度で等方性液体(1)相となった。ま
た、その融点は約10“Cであった。
3℃以下でSA相を、64.5℃以下でN0相を各々示
し、それ以上の温度で等方性液体(1)相となった。ま
た、その融点は約10“Cであった。
次に、配向処理(ポリイミドコーティング−ラビング処
理)を施した2枚のガラス透明電極をスペーサーを介し
て約2μmの間隔で張り合わせて、セルを作成した。こ
のセルに、■相まで加熱した上記SC′″液晶組成物を
封入し、室温まで徐冷を行い、SC”相を均一に配向さ
せた。
理)を施した2枚のガラス透明電極をスペーサーを介し
て約2μmの間隔で張り合わせて、セルを作成した。こ
のセルに、■相まで加熱した上記SC′″液晶組成物を
封入し、室温まで徐冷を行い、SC”相を均一に配向さ
せた。
このセルに電界強度10 V P−F/ II m、5
0Hzの矩形波を印加して、その電気光学応答速度を測
定したところ、25℃において、41μ秒という高速応
答性が確認された。このときの自発分極は、14、0
nC/ c+++”であった。また、チルト角は29.
3°であり、コントラストは非常に良好であった。
0Hzの矩形波を印加して、その電気光学応答速度を測
定したところ、25℃において、41μ秒という高速応
答性が確認された。このときの自発分極は、14、0
nC/ c+++”であった。また、チルト角は29.
3°であり、コントラストは非常に良好であった。
実施例2
Hi
及び
の化合物32%から成るキラルドーパントを調製した。
このキラルドーパントは誘起する自発分極が大きく、か
つN“相に誘起する螺旋のピッチが充分大きい組成物で
あった。(以下、キラルドーパント(B)と省略する。
つN“相に誘起する螺旋のピッチが充分大きい組成物で
あった。(以下、キラルドーパント(B)と省略する。
)
このキラルドーパント(B)30%と前記母体液晶(A
)70%から成るSC′″液晶組成物を調製した。実施
例1と同様にして測定した25℃における電気光学応答
速度、自発分極、チルト角、コントラストの測定結果を
第1表に示した。(以下、同様。) 実施例3 中温域液晶として、前記一般式(A−1)で表わされる
化合物から、 実施例4 35% 及び 35% 及び 30% から成るSC母体液晶を調製した。(以下、母体液晶(
B)と省略する。) 上記母体液晶(B)75%と前記キラルドーパン)(A
)25%から成るSC*液晶組成物を調製した。このS
C1液晶組成物の物性は、第1表にまとめて示した。
)70%から成るSC′″液晶組成物を調製した。実施
例1と同様にして測定した25℃における電気光学応答
速度、自発分極、チルト角、コントラストの測定結果を
第1表に示した。(以下、同様。) 実施例3 中温域液晶として、前記一般式(A−1)で表わされる
化合物から、 実施例4 35% 及び 35% 及び 30% から成るSC母体液晶を調製した。(以下、母体液晶(
B)と省略する。) 上記母体液晶(B)75%と前記キラルドーパン)(A
)25%から成るSC*液晶組成物を調製した。このS
C1液晶組成物の物性は、第1表にまとめて示した。
から成るキラルドーパントを調製した。このキラルドー
パントは、誘起する自発分極が大きく、N1相に誘起す
る螺旋ピッチが充分長い組成物であった。(以下、キラ
ルドーパン) (C)と省略する。)次に、中温域液晶
として、前記一般式(A、−2)で表わされる化合物か
ら、 の化合物 25% 35% 30% から成るSC母体液晶を調製した。(以下、母体液晶(
C)と省略する。) この母体液晶(C)75%と上記キラルドーパント(C
)25%から成るSC“液晶組成物を調製した。このS
C“液晶組成物の物性は、第1表にまとめて示した。
パントは、誘起する自発分極が大きく、N1相に誘起す
る螺旋ピッチが充分長い組成物であった。(以下、キラ
ルドーパン) (C)と省略する。)次に、中温域液晶
として、前記一般式(A、−2)で表わされる化合物か
ら、 の化合物 25% 35% 30% から成るSC母体液晶を調製した。(以下、母体液晶(
C)と省略する。) この母体液晶(C)75%と上記キラルドーパント(C
)25%から成るSC“液晶組成物を調製した。このS
C“液晶組成物の物性は、第1表にまとめて示した。
実施例5
中温域液晶として、前記一般式(A−3)で表わされる
化合物から、 の化合物 25% の化合物 25% 及び の化合物 25% から成るSC母体液晶を調製した。(以下、母体液晶(
D)と省略する。) この母体液晶(D)70%と前述のキラルドーパント3
0%から成るS00液晶組成物を調製した。このSC“
液晶組成物の物性は、第1表にまとめて示した。
化合物から、 の化合物 25% の化合物 25% 及び の化合物 25% から成るSC母体液晶を調製した。(以下、母体液晶(
D)と省略する。) この母体液晶(D)70%と前述のキラルドーパント3
0%から成るS00液晶組成物を調製した。このSC“
液晶組成物の物性は、第1表にまとめて示した。
実施例6
中温域液晶として、母体液晶CB)を42%前記一般式
(A−2)で表わされる化合物から、21% 及び 21% と、キラルドーパント(A)16%から成るSC′″液
晶組成物を調製した。
(A−2)で表わされる化合物から、21% 及び 21% と、キラルドーパント(A)16%から成るSC′″液
晶組成物を調製した。
このS01液晶組成物の物性は、第1表にまとめて示し
た。
た。
実施例7
母体液晶(A)39%、母体液晶(D)26%、及びキ
ラルドーパント(B)35%から成るSC′″液晶組成
物を調製した。
ラルドーパント(B)35%から成るSC′″液晶組成
物を調製した。
このSC”液晶組成物の物性は、第1表にまとめて示し
た。
た。
実施例日
母体液晶(C)40%、母体液晶(D)40%、及びキ
ラルドーパント(A)20%から成るSC”液晶組成物
を調製した。
ラルドーパント(A)20%から成るSC”液晶組成物
を調製した。
このSCゞ液晶組成物の物性は、第1表にまとめて示し
た。
た。
実施例9
母体液晶(B)24%、母体液晶(C)24%、母体液
晶(D)32%、及びキラルドーパント(A)20%か
ら成るS09液晶組成物を調製した。
晶(D)32%、及びキラルドーパント(A)20%か
ら成るS09液晶組成物を調製した。
このSC”液晶組成物の物性は、第1表にまとめて示し
た。
た。
本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
従って、本発明の強誘電性液晶組成物は、強誘電性スメ
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。
Claims (5)
- 1.(1)2環構造で光学的に不活性であって、スメク
チックC相を示す化合物、又はその側鎖のアルキル基に
おける炭素原子数又は形状のみが異なった同族体から成
る組成物であって、その同族体中の少なくとも1種の化
合物は、10℃以上における任意の1℃以上の温度幅の
範囲でモノトロピックであってもよいスメクチックC相
を示すところの中温域液晶を含有するスメクチックC相
を示す液晶組成物に、 - (2)キラルドーパント を添加して成る強誘電性液晶組成物であって、中温域液
晶が下記一般式(A−1)、(A−2)又は(A−3)
で表わされる化合物を含有し、キラルドーパントが下記
一般式(B)で表わされる光学活性化合物を含有するこ
とを特徴とする室温を含む広い温度範囲でキラルスメク
チックC相を示す強誘電性液晶組成物。 一般式(A−1) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(A−2) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(A−3) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^a、R^b、R^c、R^d、R^e及び
R^fは各々独立的に炭素原子数1〜20の直鎖状又は
分岐状のアルキル基又はアルコキシル基を表わすが、R
^a及びR^b、R^c及びR^d、R^e及びR^f
の内の少なくとも一方はアルコキシル基を表わす。)一
般式(B) Q^1^*−Z−Q^2^* 〔式中、Q^1^*及びQ^2^*は互いに異なった光
学活性基であって、各光学活性基は少なくとも1個の不
斉炭素原子を有し、かつ、Q^1^*及びQ^2^*の
うち少なくとも1方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオ
ウ、窒素、フッ素、塩素あるいは▲数式、化学式、表等
があります▼又は▲数式、化学式、表等があります▼と
直結した構造を有する、Zは一般式(C) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式
、化学式、表等があります▼ は各々独立的に▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又はこれら の環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子又はシ
アノ基に置換した構造を表わし、Y^1及びY^2は各
々独立的に単結合、−COO−、−OCO−、−CH_
2O−、−OCH_2−、−CH_2CH_2−、−C
≡C−、−COS−又は−SCO−を表わし、mは0又
は1を表わす。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 2.中温域液晶が、請求項1記載の一般式(A−1)で
表わされる化合物及び一般式(A−2)で表わされる化
合物を含有することを特徴とする請求項1記載の強誘電
性液晶組成物。 - 3.中温域液晶が、請求項1記載の一般式(A−1)で
表わされる化合物及び一般式(A−3)で表わされる化
合物を含有することを特徴とする請求項1記載の強誘電
性液晶組成物。 - 4.中温域液晶が、請求項1記載の一般式(A−2)で
表わされる化合物及び一般式(A−3)で表わされる化
合物を含有することを特徴とする請求項1記載の強誘電
性液晶組成物。 - 5.中温域液晶が、請求項1記載の一般式(A−1)で
表わされる化合物、一般式(A−2)で表わされる化合
物及び一般式(A−3)で表わされる化合物を含有する
ことを特徴とする請求項1記載の強誘電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13750389A JPH036292A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13750389A JPH036292A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH036292A true JPH036292A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15200188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13750389A Pending JPH036292A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH036292A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0545655A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Sharp Corp | 強誘電性液晶表示装置 |
US5347941A (en) * | 1992-05-26 | 1994-09-20 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Looper thread guiding mechanism for facilitating the looper thread setting to a looper |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP13750389A patent/JPH036292A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0545655A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Sharp Corp | 強誘電性液晶表示装置 |
US5347941A (en) * | 1992-05-26 | 1994-09-20 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Looper thread guiding mechanism for facilitating the looper thread setting to a looper |
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