JPH02279787A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。

〔従来技術〕

現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したＴＮ型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、ＣＲＴなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。Ｔ−Ｎ型以外の液晶表
示方式も多（検討されているが、その応答性における改
善はなかなかなされていない。

ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のＴＮ型液晶表示素子の１００〜１０
００倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる（メモリー効果
）ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。

゛強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルス
メクチック相に属するものであるが、その中でも、実用
的に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチッ
クＣ（以下、Ｓ０８と省略する。）相と呼ばれるもので
ある。

〔発明が解決しようとする課題〕

Ｓ０１相を示す液晶化合物（以下、ＳＣＩ化合物という
。）はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかしながら、これらのＳ０
０化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 （イ）室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと （ロ）高温域において適当な相系列を有すること （ハ）特にキラルネマチック（以下、Ｎ１と省略する。

）相において長い螺旋ピッチを示すこと（ニ）適当なチ
ルト角を持つこと （ホ）粘性が小さいこと （へ）自発分極がある程度以上大きな値であること さらに Ｄ）　　（＋；ｙ）及び（ハ）の結果として良好な配向
を示すこと （チ）（ホ）及び（へ）の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。

そのため、現在では、ＳＣ０相を示す液晶組成ｖＡ＜以
下、ＳＣ“液晶組成物という。）が検討用等に用いられ
ているのが、実情である。

良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭６１−１
５３６２３号公報等に示されているように、ｓｃ”相の
高温域にＮ“相を有する液晶において、Ｎ＊相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にＳＣ２相とＮ“相の中間の温度域にスメクチッ
クＡ（以下、ＳＡと省略する。）相を有する場合に配向
はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左螺
旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる光
学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られて
いる。（ネマチック（以下、Ｎと省略する。）１晶に光
学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さに
調整することは既に公知の技術である。）シかし、これ
らの技術によっては良好な配向性は得られるものの、高
速応答性が得られるわけではなかった。

高速応答性を示すには、例えば、第１２回液晶討論会に
おける特別講演（同討論会予稿集Ｐ、９８）で示されて
いるように、低粘性のスメクチックＣ（以下、ＳＣと省
略する。）相を示す母体の液晶組成物（以下、ＳＣ母体
液晶という。）に、自発分極（以下、Ｐｓと省略する。

）の大きいＳＣ０化合物を添加する方式が優れている。

この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物の
割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなるが
、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようとす
ると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり、
そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得ら
れなくなってしまう問題点があった。

また、ＳＣ母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ８６講演予稿集（
３５２ページ〜）又は特開昭６２−５８３号公報に記載
されている。

（Ｒ，Ｒ’はアキラルなアルキル基を表わす。）（Ｒ，
Ｒ’は上記と同様。） の如く、化合物自身又はその同族体が、ＳＣ相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール（分極）を示すよう、な液晶化
合物を添加した組成物であり、ＳＣ相の温度範囲を広（
保つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとＳＣ相の
温度範囲が狭くなるという問題点があった。

従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。

本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。

（課題を解決するための手段］ 本発明は上記課題を解決するために、減粘液晶及び高温
液晶を含有し、スメクチックＣ相を示す液晶組成物（以
下、本発明で使用するＳＣ母体液晶という。）に、光学
活性化合物から成るキラルドーパントを添加して成る強
誘電性液晶組成物であって、特に減粘液晶が次の一般式
（Ａ）で表わされる化合物の少なくとも１種を含有し、
室温を含む広い温度範囲でＳＣ”相を示す強誘電性液晶
組成物を提供する。

（式中、Ｒ１及びＲｈは、各々独立的に炭素原子数１〜
１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わすが、Ｒ’
及びＲゝのうち少な（とも一方は直鎖状のアルキル基を
表わす　Ｒａ及びＲｈが各々独立的に炭素原子数３〜１
２の直鎖状のアルキル基である場合が特に好ましい。÷
　及び（トランス−１，４−シクロヘキシレン基）、又
は舎　を表わす場合が特に好ましい。

本発明で使用するＳＣ母体液晶は、そのＳＣ相の高温側
において、降温時に、 （イ）！（等方性液体）相→Ｎ相→ＳＡ相→ＳＣ相の相
系列を有するもの （ロ）Ｉ相→ＳＡ相→ＳＣ相の相系列を有するもの （ハ）■相→Ｎ相→ＳＣ相の相系列を有するもの 又は （ニ）Ｉ相→ＳＣ相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、（イ）〜（ニ）の
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
。最も繁用性のあるのは（イ）であり、キラルドーパン
トのネマチック性（ＳＣ母体液晶に添加した場合に、Ｎ
“相の温度範囲を広げ、ＳＡ相の温度範囲を狭くしやす
い傾向）が強い場合には（ロ）を、キラルドーパントの
スメクチックＡ性（ＳＣ母体液晶に添加した場合に、Ｓ
Ａ相の温度範囲を広げ、Ｎ４相の温度範囲を狭くしやす
い傾向）が強い場合には（ハ）を、また、ＳＣ性が弱く
、Ｎ“相やＳＡ相の温度範囲を広げやすい場合などには
（ニ）を用いるのが、最も適している。重要であるのは
Ｓ００液晶組成物とした場合の相系列であって、一般的
には、１→Ｎ＊→ＳＡ→ＳＣ８の相系列が配向性の点で
有利である。一方、Ｉ−Ｎ’″→Ｓ００の相系列も配向
制御方法によっては、より良好な配向を示す場合もあり
、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト・ホス
ト方式などには適している。

本発明で使用するＳＣ母体液晶は、従来用いられてきた
ようなＳＣ相を示す化合物から成る組成物を用いること
もできるが、より高速応答性を得るためには、以下に示
すような組成物がより好ましい。

即ち、（１）ＳＣ相の上限温度ＣＴｃ点）が高く３環以
上の環構造を有する化合物、あるいはそのアルキル鎖の
炭素数、形状のみの異った化合物（同族体）から成る組
成物（以下、高温液晶という）に、 （■）２環構造であり、分子中に極性基が少なく、低粘
性の化合物（以下、減粘液晶という。）を加えて粘度を
低くし、応答性を改善した組成物である。

本発明で用いる減粘液晶とは、低粘度の液晶化合物又は
組成物であって、構成する低粘度化合物は２環構造であ
って、両側鎖中のアルキル鎖の炭素原子数及びその形状
のみが異った同族体においてもＳＣ相を示さないが、高
温液晶に添加することにより、応答性の向上に寄与する
ものであり、両側鎖の少なくとも一方は、アルキル基で
あり、特に望ましくは両側鎖がアルキル基である化合物
であって、分子内に含まれるエステル結合は１個以下で
ある。

本発明は、特に減粘液晶として前記−殺伐（Ａ）で表わ
される化合物を含有することを特徴とするものである。

−殺伐（Ａ）で表わされる化合物の代表的なものと、そ
の相転移温度を第１〜４表に掲げる。

第　　１　　表 第３表 第２表 第４表 上表において、Ｃｒは結晶相、ＳはスメクチックＢ相又
はスメクチックＥ相、Ｉは等方性液体相を各々表わす。

・はその相が存在することを、−はその相が存在しない
（又は確認できない）ことを表わし、・の右の数字はそ
の相からより高温域の相への転移温度を表わし、（）内
はその相がモノトロピックであることを表わす。

これらの化合物は、いずれもＳＢ相あるいはＳＥ相を示
すことがあっても、ＳＣ相を示さない。

−Ｍに、このような相転移を示す液晶化合物をＳＣ相を
示す液晶組成物に添加した場合、そのＴｃ　（ＳＣ相の
上限温度）を大きく降下させることが多い。しかるに本
発明の式（Ａ）の化合物を添加した場合においては、そ
のＴｃ降下度が小さく、しかも組成物の粘性が低下し、
応答性を大きく向上させることも可能である。

減粘液晶としては、以下に示す一般式（Ｄ）で表わされ
る化合物が一般式（Ａ）で表わされる化合物と併用して
用いることもできる。

式中、Ｒ１及びＲ’は各々独立的に炭素原子数１〜１日
の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基で
あって少なくとも１方はアルキル基を表わすが、好まし
くは炭素原子数３〜１２の直鎖状のアルキル基を表わし
、 ■は−ＣＯＯＯＣＯＣＨｇ０　　　０Ｃ１ｌｚＣＨｚＣ
Ｈｚ　　、　　ｃ＝ｃ　　、　　ＣＯ３、５ＣＯ−又は
単結合を表わす。

本発明で用いる高温液晶とは、３環あるいは４環構造か
らなる光学的に不活性な化合物、あるいはそれから成る
組成物であって、各化合物は、２環構造でＳＣ相を示す
液晶化合物から成るＳＣ相の上限温度（以下、Ｔｃと略
称する。）が５０〜６０°Ｃの組成物に１０％混合した
際に、そのＴｃを３°Ｃ以上上昇しうるちのであり、好
ましくは、少なくとも２環は芳香環（１，４−フェニレ
ン、ピリミジン−２，５−ジイル、ピラジン−２，５−
ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、あるいはそのフッ
素置換体）、であり、Ｔｃが９０°Ｃ以上で、かつ、Ｓ
Ｃ相の温度域が５°Ｃ以上の温度幅を有する化合物、あ
るいは、その側鎖のアルキル基の炭素原子数あるいはそ
の形状が異った同族体であることを特徴とするものであ
る。

高温液晶として用いられる化合物の代表的なものを以下
に掲げる。ただし以下に示す一般式において、Ｒ，、Ｒ
，は各々独立的に炭素原子数１〜１８のアルキル基を表
わす。

（ＩＩ−ａ） ／ （ＩＩＩ−ｂ） （ＩＩＩ−ａ−３３） （ｍ　−ａ−３４） （ｎ［−ａ−３５） （ＤＩ−ａ−３６） （Ｉ［［−ａ−３７） （ＩＩＩ　−ａ−３８） （ｒＥ　−ａ−３９） （ＩＩＩ　−ａ−４０） （て８幣 ２“００、 Ｒ１ （ＩＩ’４沢灸 Ｒ＋ＣＯＯ○、 Ｚ 、（Ｉ！沢式 ％式％ Ｒ，ｏ−（層シ（面）〈巨メＯＲｚ （ＩＩＩ−ｃ） （ＩＩＩ−ｄ） （ＩＩＩ−ｅ） （ＩＩＩ−ｅ−４） （ＩＩ−ｅ−５） （ｍ　−ｅ−６） （Ｉ［［−ｅ−７） （ＩＩＩ　−ｅ−８） （ＩＩＩ　−ｅ−９） （Ｉ［ｌ　−ｅ−１０） ・（沖３Ｃｅ・・ Ｒ１０（鰍、Ｃ＋Ｒ２ ・・・やＮ、Ｃｅ・・ Ｒ，（い、バ◇Ｒ２ Ｒ・°（い８層）Ｒ・ Ｒ，０−ＣいＳバ□□□ＯＲ２ ・・（原ト・・ （Ｉ［［−ｆ） （ｎ［−ｇ） （ＩＩＩ　−ｈ） （ＩＩＩ−ｉ） （Ｉｎ−ｊ） （Ｉ［［−１−１９） Ｒ＋ＣＯＯＭＣＩＡｔＣＨ！Ｇ　Ｒｚ （１！Ｉ−ｉ−２ｌ− １−２０）ＲＩＣＯＯ＋＋、■０Ｒｚ （ＩＩ−４−２１） Ｒ，−６Ｋ））ｃｏ、ｃｎ、−４羽Ｃ０ＯＲ。

（１！［−１−２４） ＲｌＯ＞防ＣＨＩＣＩｌ祢ＤＣＯＯＲ１（ＩＩＩ　−ｋ
） （ＩＩＩ−／り （ＤＩ−に−６） Ｒ，合ＣＨｚＯ（）ＣＯＯ◎ＯＲよ （ＩＩ［−に−８） ！？、Ｏ岱ＣＨｚＯ（）ＯＣＯ◎ＯＲ２（ＩＩＩ−に−
１０） Ｒ＋０　＠ＣＦ！！０（）ＯＣＯ◎Ｒ２（Ｉ［［−に−
１２） Ｒ，＜３濾Ｈ−０−＠−０ＣＯ＜ＥシＲ２Ｃｌ［［−に
−１３） Ｒ，（（羽ＯＣ■→７ｃｏｏ◎Ｒ２ 以下に掲げる複素環を有する化合物も高温液晶として使
用することができる。また、以下に掲げる一般式で示さ
れる複素環を有する化合物におけるベンゼン環、シクロ
ヘキサン環にフッ素原子、塩素原子又はシアノ基が置換
した化合物も高温液晶として使用することができる。

（ＩＩＩ−ｍ） （■−ｎ） （ＩＩ　−ｍ−９７） （Ｉ［Ｉ　−ａ−９８） （ｎ［−ｍ−９９） （ＩＩＩ−ｎ＋−１００） （Ｉ［Ｉ　−ｍ−１０１） （［［−ｍ−１０２） （■−ト１０３） （■−ト１０４） Ｒ１＠−＠−”０−＠−Ｒ− Ｒ１＄　ＣＯＯ−＠−ＯＲ１ ＲｒＯｍ　ＣＯＯ８Ｒｚ ＲｒＯａ　ｃｏｏ（曜ＯＲ１ ＲＩｍ　Ｃ００８０ＣＯＲｚ ＲＩＣＯＯ％　Ｃ００ｕ　Ｒｔ Ｒ７（Ｈ）ｃｏｏ＋ｐ− Ｒ６（Ｘ）Ｃ００＋ＯＲ２ （ＩＩＩ−ｎ−８５） （ＩＩＩ−ロー８６） （ＩＩＩ−ｎ−８７） （ＩＩＩ−ｎ−８８） （ｉｎ−８９） （ＩＩＩ−ｎ−９０） （Ｉｌｌ　−ｎ−９１） （ＩＥ［−ｎ−９２） Ｒ，ＷＯＣＯ−＠−Ｒ。

Ｒ，−’＞（ハ）ｏｃｏ（）Ｏｌｈ ＲｌｏａＯＣＯ−＠−Ｒ− Ｒ，０＞０ＣＯ−＠−０Ｒ− １回：）−＠’−０ＣＯ−＠−０ＣＯＲ１ＲＩＣＯＯ％
　ｏｃｏ−＠？−Ｒ２ Ｒ，−＠−＠−０ＣＯ−＠−Ｒ。

Ｒ１（ｘ或ＯＣＯ＋ＯＲ２ （ＩＩＩ−ｏ） （ＩＩＩ　−ｏ−４１） （ＩＩ　−ｏ−４２） （ＩＩ　−ｏ−４３） （Ｉ［ｌ−ｏ−４４） （ＩＩ　−ｏ−４５） ＣＩＩＩ　−ｏ−４６） （ＩＩ［−ｏ−４７） （ＩＩＩ　−ｏ−４８） （冨）　合 Ｒ＋　　Ｑ　　　　　ＣＨｚｏ　　　　０ＣＯＲ２（Ｉ
”＠−−＠− Ｒ，ＣＯＯ○　　　ＣＨ２ＯＲ２ Ｒ１（Ｄ（防Ｃ１ｌ←）ＯＲ− Ｒｄか（羽Ｃ）１２０（）ＯＲｔ ＲｌＯ−／：、Ｄ（シＣＨ２０（）Ｒ２Ｒ１Ｏ（１＠Ｃ
１１□ｏ−＠−ｏｆ？。

Ｒ，（◇（）ｃＨｔｏ８ｏｃＯＲｔ Ｒ，ＣＯ吟Ｄ（）０１１□０令Ｒ２ （Ｉ［［−ｐ） （Ｉｎ−ｐ−２９） （ＩＩＩ　−ｐ−３０） （ｍ−ｐ−３１） （Ｉ［−ｐ−３２） （ｍ−ｐ−３３） （ＩＩＩ−ｐ−３４） （Ｉｎ　−ｐ−３５） （［１−ｐ−３６） Ｒ１挺番５’；１ｏｃｕ、（いＣ０ＲｔＲＩＣＯＯ■４
０ＣＨｔ−□Ｒ３ Ｒ８（図防ＯＣＨ！０Ｒ２ ＲＩ（Ｘ防ＯＣＩ＋４）ＯＲ１ ＲｌＯ（唇＞ｏｃｕ、合Ｒ２ Ｒ，０づＸ奈ｏＣＨ（）ＯＲ２ Ｒ，−Ｃ図防０（’Ｆｉｇ■ｏｃｏＲｔＲＩＣＯＯ（菖
防ＯＣＩＩ（）Ｒ１ （ｎ［−ｐ−６１） （ＩＩ−ｐ−６２） （ＩＩ　−ｐ−６３） （ｕ［−ｐ−６４） （ｍ　−ｐ−６５） （ｍ　−ｐ−６６） ＲＩｐ　ｏＣＨ！◎Ｒ２ ＲＩ祖Ｒ憂ｏｃＨ，−＠）−ｏＲ２ ＲＩＯｉ　０ＣＨｚ、−＠−Ｆｌ宜 ＲｔＯｍ　０ＣＲ１ＧＯＲｔ Ｒ，Ｍ　ＱＣ）Ｉｔ■ＯＣＯＲ１ ＲｒＣＯＯｍ　０ＣＦｌｚＤ　Ｒｔ （ＩＩＩ−ｐ−９３） （［１−ｐ−９４） （ＩＩＩ　−ｐ−９５） （ＩＩ　−ｐ−９６） （ＩＩＩ−ｐ−９７） （ＩＩ−ｐ−９８） （ｍ　−ｐ−９９） （ＩＩＩ−ｐ−１００） Ｒｔｏ％　０Ｃ１ｔ＋　Ｒｚ Ｒ１０％　ＯＣ”イ％ｏＲ２ Ｒ１＄　０ＣＨｔ−Ｃ）−０ＣＯＲｔ ＲＩＣＯＯ％　０ＣＩ（！−＠”−ｐ。

Ｒ３’Ｃバ（ハ）ＯＣＩＩ脣ＪＲ− Ｒ，ａＯＣＨ礪ト０Ｒ２ Ｒ１０９０ＣＨｚ−ｏＲ２ Ｒ，ｏ＞　ｏｃｎ、＋　０Ｒｚ （ＩＩＩ　−ｑ） （ｍ　−ｑ−１７） （ＩＩＩ−ｑ−１８） （ＩＩ［−ｑ−１９） （ＩＩＩ−ｑ−２０） （ＩＩＩ　−ｑ−２１） （ｎ［−ｑ−２２） （ＩＩＩ　−ｑ−２３） （ｎｌ−ｑ−２４） Ｒ１歪錘シｃｕｘｃｔ＋妖ＤＯＣＯＲ＊ＲＩＣｏｏ−＠
別５ＣＩＩＩＣ）Ｉ−）Ｒ蹴ＲＩ（Ｘ防ＣＨＩ茜（ト Ｒ＋　＃　ＣＨｚＣＨ→）ＯＲ１ Ｒ，０（Ｘ）ＣＨ高（羽Ｒ２ Ｒ３０＜Ｈド〕）トー＜コｊす＝＝シ＞ＣＩＩ＊ＣＨ−
（（〒＝シ＞ｏＲｔＰ、０（Ｒ５＞ＣＨ，ＣＨづＤＯＣ
ＯＲ。

ＲＩＣｏｏ（ＮシＣＨ函舎Ｒ２ （ＩＩＩ−ｑ−４９） （Ｉ［−ｑ−５０） （ＩＩＩ　−ｑ−５１） （ＩＩＩ−ｑ−５２） （Ｉ［Ｉ　−ｑ−５３） （ｍ　−ｑ−５４） （ＩＩ−ｑ−５５） （ｍ　−ｑ−５６） Ｒ１−＞灸Ｃｌ１ｔｃｎ妖ＤＲ− Ｒ１＋幣ＣＦＩ、Ｃ）ｌぺ）ＯＲ。

Ｒ１０（砿（ハ）ｃｏ、ｃｏ、（治２ ＲＩＯ（べ灸ｃＨｔｃＨへ）ＯＲ２ Ｒ１＋或ＣＨｚＣＩＩｔ＋０ＣＯＲｔ Ｒ，ｃｏｏ（べ僚ＣＨ，Ｃ）Ｉ−ＤＲ−↓バ盛　（防 Ｒ＋　　　　　　　　　　　ＣＨｔＣＨｔ　　　　　　
Ｒｚ抛Ｘ灸　（羽 Ｒ＋　　　　　　　　　　　ＣＨｚＣＨｚ　　　　　　
　ＯＲ２（ｍ　−ｑ−８５） （ｍ　−ｑ−８６） （ＩＩＩ　−ｑ−８７） （ｍ−ｑ−８８） ＲＩ　％　ＧＨｚＣＨ１◎Ｒ２ ＲＩ　＋　ＣＨｔＣＨ＊◎ＯＲ。

ＲＩＯ％　ＣＦｌｔＣＨ＊◎Ｒ３ ＲＩＯｎ　ＣＨｚＣ）Ｉ４頑ＯＲ。

以上の化合物のうち、式（ＩＩＩ　−ａ）、式（Ｉ［［
−ｂ）、式（Ｉ［［−ｃ）、式（ＤＩ−ｆ）、式（Ｉ［
−ｈ）、式（［［−ｍ）　、式（ＩＩＩ−ｎ）、式（Ｉ
ＩＩ−ｏ）及び式（Ｉ［Ｉ−ｐ）で表わされる化合物が
特に好ましい。

減粘液晶の配合割合は、ＳＣ母体液晶の１〜６０重量％
が好ましく、５〜４０重量％が特に好ましい。高温液晶
の配合割合は、ＳＣ母体液晶の４０〜９９重量％が好ま
しく、６０〜９５重量％が特に好ましい。

減粘液晶中に、上記−殺伐（Ａ）で表わされる化合物は
１０重量％以上、特に５０重量％以上含まれることが好
ましい。

本発明で使用するキラルドーパントとしては、（１）Ｓ
Ｃ”相を示す化合物、（２）　Ｓ　Ｃ”相思外の液晶相
のみを示す化合物又は（３）液晶性を全く示さない化合
物を用いることができるが、（３）の場合には、ＳＣ母
体液晶に添加して得られるＳ００液晶組成物の液晶性が
低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有す
る化合物を用いることが好ましい。

キラルドーパントがＳ０８液晶組成物にもたらす諸物性
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。

これまでキラルドーパント、ＳＣＩ化合物又はネマチッ
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。

（ＩＶ−１’Ｊ ＣＨ３ （−Ｃ）Ｉｔ　＋ｒ　ＣＨ−ＣｔＨ％ （ＩＶ−８） ＣＨｔ −〇＋ＣＨ！＋ＴＣ１ｌ−Ｒ８ （ＩＶ−２） ＣＨ３ 一〇　（−ＣＨ！÷、　ＣＨＣＪｓ （ＩＶ−３） ＣＨ３ ＋ＣＨｚ）ｒ−０＋ＣＨ＊−）ＴＣＦＩ　　ＣｔＨｓ（
ＩＶ−１２） ＣＨｔ −Ｃ１ｌ−Ｒ４ （ｒＶ−１３） １申 −ＣＨｚ−ＣＩ　　ＣＨｔ　　０Ｒｓ （ＩＶ−７’） ＣＨｔ （−ＣＨｔ　＋ｒＣＨＲｓ （ＩＶ−１４） −１；ＨＬ；ｆｉｘ　　　Ｏｆ（ｓ （ＩＶ−１８） Ｃｆ１３Ｃ！１３ −Ｏ−Ｃ１１□ＣＨｚ−Ｃ１ｌ−Ｃ１ｂＣｔｌｔＣ）ｌ
＝ｃ　　ＣＩＩ３（■−５３） ＣＨｌ １皐 −ＣＨＯＲｓ （ＩＶ−６２） ＣＦ２ −ＯＣ１ｌ　　Ｒｓ （ＩＶ−６４） ＣＨ。

１・ ＯＣＨｌ　　Ｃｔｌ　　Ｃ８！　　０Ｒｓ（ＩＶ−６５
） ＣＨ３ ０ＣＨＣＨｚ　　０Ｒｓ （ＩＶ−６６） ＣＨｚ ｉ中 −０＋　ＣＨｔ−）ｒＣＨ（ＣＩｌ　ｔ）ｒ　ＯＲ５（
ＩＶ−６７） −ＣＯＯＣＨ！　　Ｃｔｌ　　　ｌ；ｔｌ　　Ｌ；ｔＨ
ｓ（ＩＶ−５５） −Ｏ−ＣＨ，−Ｃ１１−Ｒｓ （ＩＶ−５７） −Ｏ−Ｃ）ｌｚ−ＣＨ−Ｒ５ （ＩＶ−６９） −ＣＯ０ＣＨｚ　　Ｃｌｌ　　Ｒｓ （ＩＶ−７０） Ｃ１（。

−ＯＣＲ１ＣＨＣＨｌ　　０ＣＯＲｓ （ＩＶ−７１） ｌ１３ ０　　Ｃｆｌ　　ＣＨｚ　　ＯＣ０Ｒｓ（ＴＶ−７２） １・ ＯＣＨＣｔｌｚ　（Ｃｌｌｚｈ「０ＣＯＲｓ（ｒＶ−７
３） ０　　（ｊｌｔ ＣＨ３ Ｃ１ｌ−（Ｃｌｌｚ）−Ｔ−ＯＣＯＲｓＣ２Ｈ。

ＯＣｔｌｇ　　ＣＨ０Ｒｂ （ＩＶ　−’１９） Ｕ−Ｃ−Ｏ Ｃ）ｌ−）＋４ ＣＨ３ ＣＨ。

（■ ＣＯＯＣＨｇ　　ＣＨＲｓ （ＩＶ−８１） ＣＮ ＯＣｔ（ｔ　　ＣＨＲｓ （ＩＶ−８２） ＣＮ −ＣＢ−Ｒ。

（ＩＶ−８３） ＣＨ、ＣＮ ＣＯＯ（Ｊｌｉ　　ＣＨＲｓ （ＩＶ−８４） Ｃ１，ＣＮ ＯＣ）Ｉｔ　　Ｃ１ｌ　　Ｒｓ 上記各一般弐において、ｍは１〜４の整数を表わし、ｎ
は１〜１０の整数を表わし、Ｒ３は炭素原子数３〜８の
アルキル基を表わし、Ｒ２は炭素原子数２〜１０のアル
キル基を表わし、Ｒ１は炭素原子数１〜１０のアルキル
基を表わし、Ｒ４は炭素原子数１〜４のアルキル基を表
わす。

光学活性基として、式（ＩＶＩ）〜（［Ｖ−２２）で表
わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物では
ＳＣ母体液晶に添加してＳＣゝ液晶組成物とじな際に誘
起される自発分極は小さいものが多く、単独でｓｃ”相
を示す場合でもそのほとんどが１０ｎＣ／ｃｍ”以下に
すぎない。

一方、光学活性基として、式（ＩＶ−３１）〜（ＩＶ−
９１）で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合
物は、ＳＣ母体液晶に添加してｓｃ”液晶組成物とした
際に誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でＳ０
１相を示す場合などでは３００ｎＣ／ｃｍ”以上の大き
な値を示すものも存在する。

このような光学活性基を末端に有するような光学活性化
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。

（Ｖ−６０） −○械今 （Ｖ−１０８） ◇）ＯＣＯ−００べ砺 （Ｖ−１３２） 分ｏｃｏ＋欧 （Ｖ−１５６） ◇）ｏｃＨ＊−＠ （Ｖ−１８０） ※Ｘ（列０ＣＩＩ□司羽 （Ｖ−２０４） −＋　ｏｃｏ　（） （Ｖ−５００） や）−＠−ｃｏｏ糸六 上記各基本骨格中のベンゼン環あるいはシクロヘキサン
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。

と７ 以上のような基本骨格の片側もしくは両側に前記キラル
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式（Ｂ） Ｑｌ−Ｚ　　Ｑｌ− 〔式中、Ｑｌ及びＱ　１ｍは互いに異なった光学活性基
であって、各光学活性基は少なくとも１個の不斉炭素原
子を有し、かつ、Ｑｌｍ及びＱｌｍのうち少なくとも１
方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオＩ つ、窒素、フッ素、塩素あるいは−Ｃ−又は−Ｃ＝Ｎと
直結した構造を有する。Ｚは一般式これらの環上の任意
の１〜２個の水素原子がフッ素原子又はシアノ基に置換
した構造を表わすが、上の水素原子がフッ素原子又はシ
アノ基に置換した構造においては、 Ｙｌ及びｙｚは各々独立的に単結合、−ＣＯＯ−０ＣＯ
−ＣＩＩｔＯ−ＯＣＨ！　　　−ＣＨｇＣＨｚ−−Ｃミ
ｃ−−ｃｏｓ−又は一５ＣＯ−を表わすが、単結合、−
ｃｏｏ−−ｏｃｏ−−ｃｌｌｔｏ−又は−ＱＣ）Ｉ　！
−である場合が好ましく、ｍ−１の場合には、Ｙｌ及び
Ｙ２の内の少なくとも一方が単結合であることが好まし
い、） で表わされる液晶性分子の中心骨格（コア）部分を表わ
す。〕 で表わされる光学活性化合物が好ましい。

−殺伐（Ｂ）で表わされる光学活性化合物において、特
に、少なくとも一方の光学活性基は前記（■−３１）〜
（ＩＶ−９１）で表わされる基のいずれかであることが
望ましい。

このように、基本骨格の両側に互いに異ったキラル基が
結合した光学活性化合物を用いることによる利点として
以下の点を挙げることができる。

（１）片側にのみキラル基を有する化合物より強い自発
分極を示しうる。

即ち、前記（ＴＶ−３１）〜（ＩＶ−９１）で表わされ
る基から選ばれるキラル基と（■−１）〜（ＩＶ−２２
）で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格の
両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基とし
ては（ＩＶ−３１）〜（■−９１）で表わされる基から
選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である化
合物をそれぞれＳＣ母体液晶に添加して、その外挿値と
して自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有する
化合物の方が１０〜３０ｎＣ／ｃ＋ａ”あるいはそれ以
上大きい。（ＩＶ−１’）〜（ＩＶ−２２）で表わされ
る基に由来する自発分極はたかだか１０ｎＣ／ｃｍ２程
度であるので、両側のキラル基による自発分極の単純和
よりも大きくなっていることがわかる。

さらに（ＩＶ−３１）〜（ｒＶ−９１）で表わされる基
から選ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基
本骨格の両側に有するような化合物では、両方のキラル
基による自発分極の極性（よく知られた強誘電性液晶で
ある（Ｓ）−２−メチルブチルｂ−デシルオキシベンジ
リデンアミノフェニルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）
の極性をｅと決める。）を同一にあわせた場合には非常
に大きい自発分極を得ることができる。

この場合には両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りもさらに１００ｎＣ／ｃｍ２あるいはそれ以上に大き
な自発分極を得ることもできる。

キラルドーパントとしてはその誘起しうる自発分極が大
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のＳ
Ｃ母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、Ｓ
００液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。

（２）　　Ｎ”相あるいはＳＣ＊相に誘起する螺旋ピッ
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。

前述のように良好な配向性を得るためには、そのＮ”相
あるいはＳ００相における螺旋ピッチが長いことが重要
である。キラルドーパントは全体として螺旋ピッチが調
整されていればよいのであって、個々の化合物について
は、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの主
成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調整
が容易である。また、螺旋ピッチ調整を主目的として加
える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加量
を押えることができるので好都合である。

螺旋ピッチを長くするには、両側のキラル基による螺旋
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、（ｍＶ−３１
）〜（ｍＶ−９１）で表わされる基から選ばれる基を両
側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一であ
ることが好ましい。

（３）　　大きな自発分極を示しうる特に（ＩＶ−３１
）〜（ＩＶ−９１）で表わされる基から選ばれるキラル
基であって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により
得られたものは、その光学純度は必ずしも１００％では
ないものが多いが、これらを１００％に精製するのはか
なり困難である。しかしながら、天然物から得られた（
Ｓ）−２−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは
微生物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高
いキラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマ
ーとなるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離
が容易となり光学職層を１００％に近づけることができ
る。

一般式（Ｂ）の化合物は、キラルドーパントの構成成分
として１０％以上、好ましくは３０％以上、特に好まし
くは５０％以上用いるのが有効である。

一般式（Ｂ）の化合物中で、特に好ましい基本骨格とキ
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。

（Ｖｌ−１！ＩＩノ ビ、−Ｌ；１ｌ−Ｙ−乙 −υ−Ｌ、ｔｌ！Ｕｎ−リに５ 上記−殺伐中、Ｒ４及びＲ４ｒは各々独立的に炭素原子
数２〜ｌＯのアルキル基を表わし、Ｒ１及びＲ、／は各
々独立的に炭素原子数１〜１ｏのアルキル基を表わし、
Ｒ９は炭素原子数２〜１０の直鎖状のアルキル基又は炭
素原子数３〜ｌＯの分岐状のアルキル基、又は炭素原子
数４〜１０の少なくとも１個の不斉炭素を含む光学的活
性なアルキル基を表わし、ｌは０〜５の整数を表わし、
Ｙは単結合、−ｏ−、−ｏｃｏ−、−ｃｏｏ−、又は−
ｏｃｏｏ　−を表わし、Ｗは、塩素フッ素又は−〇−Ｃ
Ｈ，を表わし、Ｚ′は、 す。

ＸＩ及びＸ４は各々独立的に水素原子、フッ素原子又は
シアノ基を表わし、Ｘ！は水素原子又はＸＩを表わし、
Ｘ３は水素原子又はＸ４を表わすＣＯＯ− ０ＣＯ− 一０１１□０− ＯＣＨｚ−１ 又は単 及びＸ４のうち少なくとも一方は水素原子を表わす。

上記のキラルドーパントは、ＳＣ母体液晶中に１〜６０
重量％の割合で添加してｓｃ”液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは２〜５０重量％の
割合で添加することが好ましい、キラルドーパントの添
加割合が６０重量％より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶に（らべるとはるか
に粘性が大きいため、ＳＣ“液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない、また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない、一方、キラル
ドーパントの添加割合が１重量％より少ないと、自発分
極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない。

ｓｃ”液晶組成物の自発分極の値は、３〜３０ｎＣ／ｃ
ｍ”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合を
調整することが好ましく、ＳＣ０相を示すキラルドーパ
ントの場合、単独で１００ｎＣ／１：程度の自発分極を
示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起する
キラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加割合
は１０〜４０重量％の範囲が好ましく、３００　ｎＣ７
ｃｍ”以上の強い自発分極を示すキラルドーパントの場
合、キラルドーパントの添加割合は、２〜２５重量％の
範囲が好ましい、キラルドーパントの誘起する自発分極
が強い程、その最も望ましい添加割合は減少するが、例
示した光学活性化合物からなるキラルドーパントではそ
の添加割合が１重量％を下回ることはない。

本発明のＳ００液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてＮ８相、次いでＳＡ相を経てＳＣ“相へと
相転移するが、その際Ｎ０相からＳＡ相への相転移温度
（以下Ｎ”−３Ａ点という、）から、該Ｎ”−３Ａ点の
１度高温側までにおけるＮ”相に出現する螺旋のピッチ
が３μｍ以上であるＳＣ０液晶組成物がより好ましく、
該螺旋のピッチが１０μｍ以上であり、Ｎ”　−３Ａ点
に近づくにつれて該螺旋のピッチが発散的に大きくなる
５０１１液晶組成物が特に好ましい。

−殺伐（Ｂ）の光学活性化合物のうち、両側のキラル基
Ｒ，１１１９，＊によってＮ９相に誘起される螺旋の向
きが互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺
旋ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラル
ドーパントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ
調整が不要であるか、あるいは容易であることが多いが
、一般的には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整す
ることができる。

複数の光学活性化合物を含むＳ００液晶組成物のＮ＊相
に出現する螺旋のピッチＰ（μｍ）は各光学活性物質の
濃度をＣ１、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをＰｉ　
　（μｍ）とするとおり、（ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。）、これを用いてＳ０１
液晶組成物の５Ａ−Ｎ”点Ｔ０におけるｐｉをｐ、ｉと
する時、となるようにＣｔを選べばよい、ここでＰｉは
Ｎ相を有する該ＳＣ母体液晶に各光学活性化合物を単位
濃度添加することにより測定が・可能である。

実際にはＴ、は各ＣＬによって変化するが、各光学活性
化合物を該ＳＣ母体液晶中に、濃度ΣＣｉ五 だけ添加したときの５Ａ−Ｎ”点の変化などから、かな
り正確に類推できることが多く、推定値Ｔ　、　１とそ
れを用いて選ばれた組成物のＴ、とが大きく異なる場合
にはＴ、Ｉに換えてＴ、を用いて再度測定すればよい。

本発明のＳ０４液晶組成物のＮ１相を示す温度範囲は、
３度以上３０度未満の範囲が好ましい。

Ｎ＊相を示す温度範囲が、３度未満である場合、降温時
にすみやかにＳＡ相に相転移するため、Ｎ”相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い。また、Ｎ０相を示す温度範囲が３０度以上である場
合、ＳＣ′″液晶組成物の透明点が高温になり、セルに
液晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及
ぼす傾向にあるので好ましくない。

キラルドーパントは、キラルドーパント自体の液晶性の
有無にかかわらず、ＳＣ母体液晶に添加した場合に、 （１）　　Ｎ”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は （２）　　Ｎ”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のＳ０
１液晶組成物のＮ＊相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、（１）の場合、Ｎ相を示す温
度範囲が狭いＳＣ母体液晶、又は、Ｎ相を示さないＳＣ
母体液晶を用いればよく、（２）の場合、Ｎ相を示す温
度範囲が広いＳＣ母体液晶を用いればよい。この方法は
、Ｎ１相に限らず、ＳＡ相及びｓｃ”相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーパントが
ｓｃ”液晶組成物のＳＡ相のみを拡大し、Ｎ０相及びＳ
Ｃ′″相を縮小するような場合には、ＳＣ母体液晶とし
て、ＳＣ相の上限温度が高く、Ｎ相の温度範囲が広く、
かつ、ＳＣ相→Ｎ相→！相の相系列を有するもの、又は
ＳＡ相の温度範囲が狭（ＳＣ相→ＳＡ相→Ｎ相→！相の
相系列を有するものを用いればよい。

このようなキラルドーパントの傾向は、ＳＣ母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるｓｃ”液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、ＳＣ１液晶組成
物における各相、特にＮ０相を示す温度範囲は容易に調
整することができる。

本発明で使用するキラルドーパントとしては、一定量の
ＳＣ母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極（以下、Ｐ、と省略する。）を誘起することが
必要である。

前述の如く、ＳＣ＊液晶組成物としては、そのＰ、の値
が、特に室温付近で３〜３０ｎＣ／ｃｍ”の範囲になる
ようにキラルドーパントの添加量を調整すればよい、し
かしながら、キラルドーパントが誘起するＰ、の値が小
さい場合には、その添加量がＳＣ母体液晶に対して多く
なり、これに伴なってＳＣ′″液晶組成物の粘性が太き
（なり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向に
あるので好ましくない、従って、本発明で使用するキラ
ルドーパントとしては、ＳＣ母体液晶に１０重量％添加
した場合に１．ＯｎＣ／Ｃ１”以上のＰ３を誘起できる
ものが好ましく、５重量％添加した場合に０．５ｎＣ／
ｃｍ”以上のＰ、を誘起できるものが特に好ましい。

〔実施例〕

以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない、なお、実施例中、「％」は重量
％を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（Ｄ
ＳＣ）を併用して行った。

実施例Ｉ ＳＣ母体液晶に添加してｓ−ｃ　”液晶組成物とした際
に、Ｎ１相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、
弐 ＣＨｌ の化合物４５％とを混合して、Ｎ”相に出現させる螺旋
のピッチが調整されたキラルドーパントを調製した。

このキラルドーパントを、以下に示したＳＣ母体液晶に
１０％添加して得たＳ０１液晶組成物の２５・℃におけ
る自発分極の値は、１５ｎＣ／ｃ＠”であった。

なお、用いたＳＣ母体液晶は、 ３５％ の化合物５５％ 及び左巻きの螺旋を出現させる化合物として、式から成
る組成物（以下、母体液晶（Ａ）という、）であり、５
７°Ｃ以下でＳＣ相を、６４．５℃以下でＳＡ相を、６
９℃以下でＮ相を各々示した。

次に、高温液晶として前記−殺伐（ＩＩ−ａ−１）で表
わされる化合物から、 及び減粘液晶として、前記ＮＣＬ（ＩＩ−３）の化合物
１０部 １０部 の化合物１８．４部 ４部 の化合物１８．４部 ４部 の化合物　９．２部 から成るＳＣ母体液晶を調製した。このＳＣ母体液晶９
０％と前記キラルドーパン）１０％から成るＳＣ０液晶
組成物を調製したところ、６４℃以下でＳＣ“相を、７
３°Ｃ以下でＳＡ相を、８９℃以下でＮ０相を各々示し
た。

このＳ００液晶組成物を、配向処理（ポリイミドコーテ
ィング−ラビング処理）を施した２枚のガラス透明電極
からなる厚さ約２μｍのセルに充填し、！相から室温ま
で徐冷を行ったところ、極めて良好な配向性を示し、均
一なモノドメインが得られた。

このセルに電界強度１０　ＶＰ−Ｐ／μｍ１５０七の矩
形波を印加してその電気光学応答速度を測定したところ
、２７℃で４６μ秒の高速応答性が確認された。

このときのチルト角は１８．１″′、自発分極は１４、
１　ｎｃ／ｃｍ”であり、コントラストは良好であった
。

実施例２ 高温液晶として、前記−殺伐（Ｉｌｌ−ａ−１）で表わ
される化合物から、式 減粘液晶として前記ｋ（ＩＩ−２）の化合物２５％及び
、キラルドーパントとして単独でもそのＮ０相に誘起す
る螺旋のピッチが非常に長い化合物である式 から成るＳＣ＊液晶組成物を調製した。

このＳＣ＊液晶組成物は７６°Ｃ以下の広い温度範囲で
ＳＣ＊相を、１１０°Ｃ以下でＮ０相を各々示した。

実施例１と同様にして、このＳＣＩ液晶組成物の電気光
学応答速度を測定したところ、９２μ秒の高速応答性を
示した。コントラストも良好であった・ 〔発明の効果〕 本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。

従って、本発明の強誘電性液晶組成物は、強誘電性スメ
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。

代 理 人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、減粘液晶及び高温液晶を含有し、スメクチックＣ相
   を示す液晶組成物に、キラルドーパントを添加して成る
   強誘電性液晶組成物であって、減粘液晶が一般式（Ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾ａ及びＲ＾ｂは各々独立的に炭素原子数１
   〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わすが、Ｒ
   ＾ａ及びＲ＾ｂのうち、少なくとも一方は炭素原子数１
   〜１８の直鎖状のアルキル基を表わす。 ▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式
   、表等があります▼は各々独立的に ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   又は ▲数式、化学式、表等があります▼を表わすが、▲数式
   、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式、表等
   があります▼ の内、少なくとも一方は▲数式、化学式、表等がありま
   す▼を表わす。 ▲数式、化学式、表等があります▼はトランス−１，４
   −シクロヘキシレン基を表わす。） で表わされる化合物を含有することを特徴とする、室温
   を含む広い温度範囲でキラルスメクチックＣ相を示す強
   誘電性液晶組成物。 ２、Ｒ＾ａ及びＲ＾ｂが各々独立的に直鎖状アルキル基
   であり、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式
   、化学式、表等があります▼が共に ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項１記載
   の強誘電性液晶組成物。 ３、Ｒ＾ａ及びＲ＾ｂが各々独立的に直鎖状アルキル基
   であり、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、
   化学式、表等があります▼であり、 ▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学式、
   表等があります▼又は▲数式、化学式、表等があります
   ▼である請 求項１記載の強誘電性液晶組。 ４、Ｒ＾ａ及びＲ＾ｂが各々独立的に直鎖状アルキル基
   であり、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、
   化学式、表等があります▼であり、 ▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学式、
   表等があります▼である請求項１記載の強 誘電性液晶組成物。 ５、キラルドーパントが一般式（Ｂ） Ｑ＾１＾＊−Ｚ−Ｑ＾２＾＊ 〔式中、Ｑ＾１＾＊及びＱ＾２＾＊は互いに異なった光
   学活性基であって、各光学活性基は少なくとも１個の不
   斉炭素原子を有し、かつ、Ｑ＾１＾＊及びＱ＾２＾＊の
   うち少なくとも１方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオ
   ウ、窒素、フッ素、塩素あるいは▲数式、化学式、表等
   があります▼又は−Ｃ≡Ｎと直結した構造を有する、Ｚ
   は一般式（Ｃ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式、表等が
   あります▼ は各々独立的に▲数式、化学式、表等があります▼、▲
   数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   又はこれら の環上の任意の１〜２個の水素原子がフッ素原子又はシ
   アノ基に置換した構造を表わし、Ｙ＾１及びＹ＾２は各
   々独立的に単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＿
   ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ
   ≡Ｃ−、−ＣＯＳ−又は−ＳＣＯ−を表わし、ｍは０又
   は１を表わす。） で表わされる液晶性分子の中心骨格（コア）部分を表わ
   す。〕 で表わされる光学活性化合物を含有する請求項１、２、
   ３又は４記載の強誘電性液晶組成物。