JPH02265990A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。

〔従来技術〕

現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したＴＮ型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、ＣＲＴなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。ＴＮ型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。

ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のＴＮ型液晶表示素子の１００〜１０
００倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる（メモリー効果
）ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。

強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチフク相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
Ｃ（以下、ＳＣｏと省略する。）相と呼ばれるものであ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

Ｓ００相を示す液晶化合物（以下、ＳＣ２化合物という
、）はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかしながら、これらのＳＣ
′″化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチ
ング素子として用いるための以下の条件、即ち、 （イ）室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと （ロ）高温域において適当な相系列を有すること （ハ）特にキラルネマチック（以下、Ｎ１と省略する。

）相において長い螺旋ピッチを示すこと（ニ）適当なチ
ルト角を持つこと （ホ）粘性が小さいこと （へ）自発分極がある程度以上大きな値であること さらに （ト）（ロ）及び（ハ）の結果として良好な配向を示す
こと （チ）（ホ）及び（へ）の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。

そのため、現在では、Ｓ００相を示す液晶組成物（以下
、ＳＣ°液晶組成物という、）が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。

良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭６１−１
５３６２３号公報等に示されているように、ＳＣ１相の
高温域にＮ°相を有する液晶において、Ｎ。

相の螺旋ピッチの長さを大きくする方法が一般的に有力
である。この場合にＳＣ０相とＮ＊相の中間の温度域に
スメクチックＡ（以下、ＳＡと省略する。）相を有する
場合に配向はより良好となり、螺旋ピッチを大きくする
には、左螺旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生
じさせる光学活性化合物を組み合せて用いればよいこと
も知られている。（ネマチック（以下、Ｎと省略する。

）液晶に光学活性物質を添加して生しる螺旋ピッチを任
意の長さに調整することは既に公知の技術である。）シ
かし、これらの技術によっては良好な配向性は得られる
ものの、高速応答性が得られるわけではなかった。

高速応答性を示すには、例えば、第１２回液晶討論会に
おける特別講演（同討論会予稿集Ｐ、９８）で示されて
いるように、低粘性のスメクチックＣ（以下、ＳＣと省
略する。）相を示す母体の液晶組成物（以下、ＳＣ母体
液晶という、）に、自発分極（以下、Ｐｓと省略する。

）の大きいＳＣ。

化合物を添加する方式が優れている。この方式によれば
、螺旋を生じさせる光学活性化合物の割合が少なくなる
ため、螺旋ピンチは比較的長くなるが、配向性が良好と
なるほど螺旋ピッチを長くしようとすると光学活性化合
物の添加量を少量にする必要があり、そのため自発分極
が小さくなりすぎ、高速応答性が得られなくなってしま
う問題点があった。

また、ＳＣ母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ”８６講演予稿集
（３５２ページ〜）又は特開昭６２−５８３号公報に記
載されている。

（Ｒ，Ｒ’はアキラルなアルキル基を表わす、）（Ｒ，
Ｒ’は上記と同様、） の如く、化合物自身又はその同族体が、ＳＣ相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール（分極）を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、ＳＣ相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとＳＣ相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。

従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。

本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は上記課題を解決するために、中温域母体液晶、
減粘液晶及び高温液晶を含有し、スメクチックＣ相を示
す液晶組成物（以下、本発明で使用するＳＣ母体液晶と
いう、）に、光学活性化合物から成るキラルドーパント
を添加して成る強誘電性液晶組成物であって、特に減粘
液晶が次の一般式（Ａ）で表わされる化合物の少なくと
も１種を含有し、室温を含む広い温度範囲でＳ００相を
示す強誘電性液晶組成物を提供する。

（式中、Ｒ１及びＲ１は、各々独立的に炭素原子数１〜
１日の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わすが、Ｒ”
及びＲゝのうち少なくとも一方は直鎖状のアルキル基を
表わす、Ｒ１及びＲｋが各々独立的に炭素原子数４〜１
２の直鎖状のアルキル合が特に好ましい。

本発明で使用するＳＣ母体液晶は、そのＳＣ相の高温側
において、降温時に、 （イ）１　（等方性液体）相→Ｎ相→ＳＡ相→ＳＣ相の
相系列を有するもの （ロ）Ｉ相→ＳＡ相→ＳＣ相の相系列を有するもの （ハ）ｌ相→Ｎ相→ＳＣ相の相系列を有するもの 又は （ニ）Ｉ相→ＳＣ相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、（イ）〜（ニ）の
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
。最も繁用性のあるのは（イ）であり、キラルドーパン
トのネマチック性（ＳＣ母体液晶に添加した場合に、Ｎ
０相の温度範囲を広げ、ＳＡ相の温度範囲を狭くしやす
い傾向）が強い場合には（ロ）を、キラルドーパントの
スメクチックＡ性（ＳＣ母体液晶に添加した場合に、Ｓ
Ａ相の温度範囲を広げ、Ｎ０相の温度範囲を狭くしやす
い傾向）が強い場合には（ハ）を、また、ＳＣ性が弱く
、Ｎ“相やＳＡ相の温度範囲を広げやすい場合などには
（ニ）を用いるのが、最も通している０重要であるのは
ＳＣ０液晶組成物とした場合の相系列であって、−船釣
には、１−Ｎ“→ＳＡ→ＳＣ“の相系列が配向性の点で
有利である。一方、Ｉ→Ｎ１→ＳＣ′″の相系列も配向
制御Ｂ方法によっては、より良好な配向を示す場合もあ
り、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト・ホ
スト方式などには通している。

本発明で使用するＳＣ母体液晶は、従来用いられてきた
ようなＳＣ相を示す化合物から成る組成物を用いること
もできるが、より高速応答性を得るためには、以下に示
すような組成物がより好ましい。

即ち、（Ｉ）２環構造であり、室温に近い温度でＳＣ相
を示す化合物又はその同族体（アルキル鎖のみが異なる
化合物）から成る組成物（以下、中温域液晶という、）
に、 （ＩＩ）２環構造であり、分子中に極性基が少なく、低
粘性の化合物（以下、減粘液晶という、）を加えて粘度
を低くし、 （Ｉｌｌ）減粘液晶を加えることによって低下したＳＣ
相の上限温度を高くするために、ＴＣ点（ＳＣ相又はＳ
００相の上限温度を表わす、）が高く、３環以上の環構
造を有する化合物又はその同族体から成る組成物（以下
、高温液晶という、）を加えて成る組成物である。

（Ｉ）中温域液晶 本発明で用いる中温域液晶とは、それを構成する液晶化
合物が、光学的に不活性であり、２Ｆ２構造であって、
ＳＣ相を示す化合物又は、そのアルキル鎖の炭素原子数
、形状のみが異った同族体から成り、その同族体中の少
なくとも１種の化合物は１０’Ｃ以上における任意の１
°Ｃ以上の温度中の範囲でモノドロピンクでもよいＳＣ
相を示す化合物である。

中温域液晶として用いられる化合物の代表的なものを以
下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、Ｒ＋
、Ｒｚは各々独立的に炭素原子数１〜１８のアルキル基
を表わす。

／ ごブ ／ （１−ａ） （１−ｂ） （１−ｃ） （１−ｃ−２９） ＲＩＯＣＯ畳Ｃｏｏ（’ａとＯＲ。

（１−ｄ） 以上の化合物のうち、中温域母体液晶としては、式（１
−ａ）及び式（１−ｂ）で表わされる化合物が好ましく
、式（１−ａ−１）、式（１−ａ−２）、式（Ｉ−ａ−
５）、式（１−ａ−６）、式（１−ａ−４１）、式（Ｉ
　−ａ−４２）及び式（１−ｂ−１）で表わされる化合
物が特に好ましい。

（Ｉ［）　　Ｋ粘液晶 本発明で用いる減粘液晶とは、低粘度の液晶化合物又は
組成物であって、構成する低粘度化合物は２環構造であ
って、両側鎖中のアルキル鎖の炭素原子数及びその形状
のみが異った同族体においてもＳＣ相を示さないが、中
温域液晶に添加することにより、応答性の向上に寄与す
るものであり、両側鎖の少なくとも一方は、アルキル基
であり、特に望ましくは両側鎖がアルキル基である化合
物であって、分子内に含まれるエステル結合は１個以下
である。

本発明は、特に減粘液晶として前記−殺伐（Ａ）で表わ
される化合物を含有することを特徴とするものである。

一般式（Ａ）で表わされる化合物の代表的なものと、そ
の相転移温度を第１〜４表に掲げる。

第１表 第 表 （つづき） 第２表 第３表 第４表 を示す液晶化合物をＳＣ相を示す液晶組成物に添加した
場合、そのＴｃ　（ＳＣ相の上限温度）を大きく降下さ
せることが多い、しかるに本発明の式（Ａ）の化合物を
添加した場合においてはそのＴｃ降下度は小さく、しか
もＳＣ相を示す液晶組成物の粘性が低下し、応答性を大
きく向上させることも可能である。

減粘液晶としては、以下に示す一般式（Ｄ）で表わされ
る化合物が一般式（Ａ）で表わされる化合物と併用して
用いることもできる。

上表において、Ｃｒは結晶相、ＳＡはスメクチックＡ相
、Ｎ゛はネマチック相、■は等方性液体相を各々表わす
、・はその相が存在することを、−はその相が存在しな
い（又は確認できない）ことを表わし、・の右の数字は
その相からより高温域の相への転移温度を表わし、（）
内はその相がモノトロピックであることを表わす。

これらの化合物はいずれもＮ相又はＳＡ相を示すがＳＣ
相は示さない、一般にこのような相転移Ｒｔ及びＲ１は
各々独立的に炭素原子数１〜１８の直鎖状又は分岐状の
アルキル基又はアルコキシル基であって少なくとも１方
はアルキル基を表わすが、好ましくは炭素原子数３〜１
２の直鎖状の■は一〇〇〇−ＱＣＯ−Ｃ）ｌｚＯ−０Ｃ
Ｈｚ−−Ｃ）！、ＣＩ、−１−　ｃ　＝　ｃ　−−ｃｏ
ｓ　−−５ｃｏ−又は単結合を表わす。

（Ｉ［［）　　高温液晶 本発明で用いる高温液晶とは、３環あるいは４環構造か
らなる光学的に不活性な化合物、あるいはそれから成る
組成物であって、各化合物は前記中温域液晶からなるＳ
Ｃ相の上限温度（以下、↑Ｃと略称する。）が５０〜６
０’Ｃの組成物に１０％混合した際に、そのＴｃを３℃
以上上昇しうるものであり、好ましくは、少なくとも２
環は芳香環（１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５
−ジイル。

ピラジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル
、あるいはそのフッ素置換体）であり、Ｔｃが９０℃以
上で、かつ、ＳＣ相の温度域が５°Ｃ以上の温度幅を有
する化合物、あるいは、その側鎖のアルキル基の炭素原
子数あるいはその形状が異った同族体であることを特徴
とするものである。

高温液晶として用いられる化合物の代表的なものを以下
に掲げる。ただし以下に示す一般式において、Ｒ＋　、
Ｒｚは各々独立的に炭素原子数１〜１８のアルキル基を
表わす。

（Ｉ［［−ａ） （Ｉｉｌ−ｂ） （Ｉｎ−ｃ） （■ ｂ−１６） Ｒ，（≦ｊし＝＝＝５仁〕〉・−＜ζ二区巨＝＝＝メ〕
〕〉−〈テ二づデ＝＝巨０）ヒＲ鵞（ＩＩＩ−ｂ−１９
） Ｒ，ｃｏｏｋお竪Ｒ２ （ＩＩＩ　−ｂ−２２） Ｒ１Ｃ罵ン竪０ＣＯＲ２ （Ｌｄ） （ＩＩＩ−ｅ） （ｍ ｆ） （ｎ［−ｇ） （ＩＩＩ−ｈ） （Ｉｌｌ−ｈ−２１） Ｒ，ＩＣＨＯ＋烏 （ｍ　−ｈ−２４） ＲＩＯｉｃ１１□０（）ＣＯＯＲ１ （ｆｉｌ−ｈ−２６） Ｒ＋ＯｍＣＨｔＯ（）ＣＯＯＲｚ （Ｉ［［、−ｈ−２８） ８１合Ｃ１１，Ｏ（￥）ＯＲよ （Ｉ［ｉ−ｉ） （ＩＩＩ−ｊ） （ｎ［−ｋ） （ＩＩＩ−１） （ｍ−厳） 以下に掲げる複素環を有する化合物も高温液晶として使
用することができる。また、以下に掲げる一般式で示さ
れる複素環を有する化合物におけるベンゼン環、シクロ
ヘキサン環にフッ素原子、塩素原子又はシアノ基が置換
した化合物も高温液晶として使用することができる。

−／′ （Ｉｆｌ　−＠−２５） （［１−一−２６） ＜ＩＩＩ　−ｓ＋−２７） （Ｉｎ−ｍ−２８） （ＩＩＩ−ｍ−２９） （■−１３０） （ｍ　−ｗ−３１） （Ｉ［Ｉ　−ａ＋−３２） Ｒ，＜Ｈ＼＞ｃｏｏ−Ｃい２ Ｒｔ　％　ｃｏｏ＜　０Ｒ１ ｐ、ｏ（Ｈ）ｃｏｏ（）Ｒ。

Ｒｔｏ　＃　ｃｏｏ−＠−０Ｒ１ Ｒ，％　Ｃ００（）ＯＣＯＲｚ ｐ、ｃｏｏ＜Ｈ顕５＞　ｃｏｏ（）Ｒ−Ｒ，％　ｃｏｏ
−＠−Ｒ。

Ｒ３（Ｘ会ｃｏｏ４）ＯＲ１ （■−霞−５７） （ｍ−ｓ−５８） （ＩＩＩ　−５−５９） （ＩＩＩ　−ｗ−６０） （ＩＩＩ　−ｍ−６１） （ＩＩＩ　−ｍ−６２） （ｍ　−ｍ−６３） （ＩＩ　−ｍ−６４） Ｒ，Ｏ喪バ灸ＣＱＯ（）Ｒ１ ・（バ灸（ツ Ｒ、ＣＯＯＯＲｔ Ｒｌ（Ｘ國Ｃ００（）ＯＣＯＲ＊ （Ｘ灸（羽 Ｒ＋　ＣＯＯＣＯＯＲｔ Ｒｌ祖べ國ＣＯＯ＜　Ｒｚ Ｒ１祖べ灸ｃｏｏ舎ＯＲ。

Ｒ，Ｏ祖べ（ハ）ｃｏｏ−＠−Ｉｌｌ。

Ｒ，０祖べ灸ＣＯＯ−＠）−ＯＲ。

（ＩＩＩ−＋５−９６） Ｒ，Ｃ００ｅＣＯＯ−＠− Ｒ。

（ＩｉＴ−ｎ） （ＩＩＩ−ｎ−４９） （Ｉ［［−ｎ−５０） （ｍ　−ｎ−５１） （ｍ　−ｎ−５２） Ｒ１づＲ竪ｏｃｏ（）Ｒ２ Ｒ（潰：ＤＯＣＯ−＠−０Ｒ− Ｒ，０づ＋ｏｃｏ−＠−Ｒ。

Ｒ＋０挺＋０ＣＯ−＠−０Ｒ− （ＩＩＩ−ｏ） （Ｉ［ｌ−ｐ） （ｍ−ｏ−９７） （ＩＩ［−ｏ−９８） （［１−ｏ−９９） （ｎｌ　−ｏ−１１００ ）（−ｏ−１０１） （Ｉｎ−ｏ−１０２） Ｒｔ　ｌ　ＣＨＪ舎Ｒ１ Ｒ，ｅ　ｃｏ代）ＯＲ２ Ｒ，ｏ（ｘ式ｃｔ＋、ｏ−ｏ−Ｒ− １１１１０％　ｃｏ、ｏ＋　０Ｒｔ Ｒ１％　ｃ＋＋！ｏ会０ＣＯＲ２ Ｒ１Ｃ００％　ＣＩＩｔＯ（トＲＺ （Ｉ［ｌ−ｐ−８５） （１−ｐ−８６） （Ｉ［［−ｐ−８７） （Ｉ［ｌ−ｐ−８８） （ＩＩＩ−ｐ−８９） （Ｉ［Ｉ　−ｐ−９０） （ｍ　−ｐ−９１） （ＩＩ−ｐ−９２） Ｒ１ｅＯＣ＋１＝−＠−”＝ ＲＩｎＯＣＨ−＠−Ｒ− Ｒ，ｏ％　０ＣＩＩＣＲｇ Ｒ，ｏ％　ＯＣＨ，Ｇ　０Ｒ１ ＲＩ％　ＯＣＨ，Ｇ　０ＣＯＲｔ ＲＩＣＯＯ−＠□　ＯＣＨ！−＠−１ｈＲ，＞ＯＣＨ，
（’ＤＲ２ Ｒ１％　０Ｃ１１べ４ｏＲ。

（Ｉ［１−ｑ−１３） （［［１−ｑ−１４） （Ｉ［ｒ−ｑ−１５） （ｍ　−ｑ−１６） Ｒ，＞キＣ１＋冒（）Ｒ２ Ｒ＋　％ＣＨ２Ｃｌ１！＋０Ｒ２ Ｒ＋０　＃ＣｔｌｚＣＨｔ９Ｒｚ Ｒ１０（ｘ奔ｃ１１２ｃＨ１畳ｏＰ２ 以上の化合物のうち、弐（ＩＩＩ−ａ）、式（ＩＩ［−
ｂ）、式（ＩＩＩ−ｃ）、式（ＩＩＩ−ｆ）、式（１−
ｈ）、式（ＩＩＩ−ｍ）　、式（ＩＩＩ−ｎ）、式（Ｉ
ＩＩ−ｏ）及び式（ｎｌ−ｐ）で表わされる化合物が特
に好ましい。

中温域液晶の配合割合は、ＳＣ母体液晶の１〜９０１（
量％が好ましく、５〜７５重量％が特に好ましい、減粘
液晶の配合割合は、ＳＣ母体液晶の１〜５０重量％が好
ましく、５〜４０重四％が特に好ましい、高温液晶の配
合割合は、ＳＣ母体液晶の１〜７０！ｉｔ％が好ましく
、５〜６０重量％が特に好ましい。

減粘液晶中に、上記−触式（Ａ）で表わされる化合物は
１０重量％以上、特に５０重量％以上含まれることが好
ましい。

本発明で使用するキラルドーパントとしては、（１）Ｓ
Ｃ”相を示す化合物、（２）ＳＣ”相思外の液晶相のみ
を示す化合物又は（３）液晶性を全く示さない化合物を
用いることができるが、（３）の場合には、ＳＣ母体液
晶に添加して得られるＳ００液晶組成物の液晶性が低下
する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有する化
合物を用いることが好ましい。

キラルドーパントがＳＣ°液晶組成物にもたらす諸物性
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。

これまでキラルドーパント、ＳＣ２化合物又はネマチッ
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。

Ｃ１１゜ （ＩＶ　−ｂ） −Ｏ−Ｃｔ　Ｃ１１！−＋ＴＣＩ　　ＣｚＨｓ（ＴＶ−
７） ＣＨ３ １・ （−ＣＨ，÷７ＣＩＩ　　Ｒ１ （ＴＶ−８） ＣＨコ ト −０＋　ＣＨ！÷、ＣＨＲｓ （ＩＶ−１２） Ｃ）１゜ ＣＩ（−Ｒ４ （ＴＶ−１３） ＣＨ２ １・ −Ｃ！’Ｉｔ−ＣＨＣＨｔ　　ＯＲｓ （ＴＶ−２１） Ｃ）１ｍ １・ −Ｓ　＋　Ｃｌ　ｚ　＋ｒＣＨ（ＣＨｘｈツＯ３（ＩＶ
−３２） Ｈｉ １・ −０−ＣＨ−Ｒ４ （ＩＶ−１４） Ｃ）Ｉｓ １・ −ＣＨＣＬ　　０Ｒｓ （ＩＶ−１８） ＣＨ３Ｃ１１ｊ −Ｏ−ＣＨｔＣＨｔ−ＣＩ−ＣＨｚＣｔｈＣＨ＝Ｃｃｌ
ｉｆｆ（ＩＶ−５５） ＯＣＨｚ　　Ｃ３−Ｒｓ （ＩＶ−５７） Ｉ ＯＣＨｚ−ＣＨＲｓ （ＩＶ−５３） Ｃ１１゜ −ＣＨ−０−Ｒ。

（ＴＶ−６２） Ｆ３ −Ｏ−Ｃ）ＩＲｓ （ＴＶ−６４） ＣＨ。

−ＯＣＨｚ　　Ｃ１ｌ　　ＣＨｚ　　０Ｒｓ（ＩＶ−６
５） ＣＨＩ３ −Ｏ−ＣＨ−ＣＩｌ□−０Ｒ３ （ＴＶ−６６） ＣＨ。

−０（−ＣＨＩ　−）ｙ　Ｃ１１（ＣＩ＋！）ｉ−ＯＲ
５（ＩＶ−６７） −ＣＯＯＣ１ｈ−Ｃ１ｌ　　　Ｃ１ｌ−Ｇｉｒｌｓ（Ｔ
Ｖ−６９） Ｃ２ −ＣＯＯＣＨｔ　　ＣＯＲｓ （ｒＶ−７０） ＣＨ３ −ＯＣＨｚ　　ＣＨＣｌｌ□−０ＣＯＲ。

（ｍＶ−７１） ＣＨ２ ０ＣＩ　　Ｃ１ｈ　　ＯＣ０Ｒｓ （ＩＶ−７２） ＣＨ３ １・ 一〇−ＣＩ−ＣＩｌ□（Ｃ０よドア０ＣＯＲｓ（ＩＶ−
７３） Ｃｕｔ３ −０−Ｃ）！、−Ｃ１ｌ−（Ｃｕｔ）−＝ＯＣＯＲ％（
ｒＶ−８０） ＣＯＯＣＨ＊　　ＣＨＲｓ （ｒＶ−８１） ＣＮ ＯＣＨｚ　　Ｃ１ｌ　　Ｒｓ （ＩＶ−８２） ＣＮ １・ −Ｃ１ｌ　　Ｒｓ （ＩＶ−８３） ＣＨ，ＣＮ １・ ＣＯＯ−Ｃ１ｈ　　Ｃ１ｌ　　Ｒｓ （ＴＶ−８４） ｌ１ＩＣＮ １・ ０−ＣＨｚ　　ＣＨＲｓ （ＴＶ−７５） Ｃ１１゜ −０−Ｃ１１，−ＣＩ−ＯＲ。

（ＩＶ−７６） ＣＨ。

−５−ＣＨ−Ｒ８ （ＴＶ−７８） Ｃ□Ｈ％ ＯＣ）Ｉｔ　　ＣＩ　　ＯＲ＆ （ＩＶ−７９） ０　　　Ｃ−ＯＣＨＨａ Ｃｌｌ。

し１１３ 上記各−殺伐において、ｍは１〜４の整数を表わし、ｎ
は１〜１０の整数を表わし、Ｒ１は炭素原子数３〜８の
アルキル基を表わし、Ｒ４は炭素原子数２〜１０のアル
キル基を表わし、Ｒ２は炭素原子数１〜１０のアルキル
基を表わし、Ｒ＆は炭素原子数１〜４のアルキル基を表
わす。

光学活性基として、式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−２２）で
表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物で
はＳＣ母体液晶に添加してＳＣ＊液晶組成物とした際に
誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でＳＣ０
相を示す場合でもそのほとんどが１０ｎＣ／ｃ＋ｓ”以
下にすぎない。

一方、光学活性基として、式（ｒＶ−３１）〜（■−９
１）で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物
は、ＳＣ母体液晶に添加してＳ００液晶組成物とした際
に誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でＳ０１
相を示す場合などでは３００ｎＣ／ｃｍ”以上の大きな
値を示すものも存在する。

このような光学活性基を末端に有するような光学活性化
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。

（Ｖ−３０） 召ト夕との （Ｖ−５４） 一〇←αＫ） （Ｖ−１０２） （）−Ｃい・・４） （Ｖ−１２６） 召）−ｏｃｎ（ト瞑ｙ （Ｖ−１５０） （Ｅ）−ｏＣＨｔＥへ （Ｖ−２２２） 一○イ）ｏｃｏ、（） （Ｖ−２４６） 侶Ｒ砺ＯＣＨ！　ｉ （Ｖ−４６０） 今０ＣＨｔ豊林 Ｎ （Ｖ−４６２） 舎Ｃ００（→休 （Ｖ−４６３） 舎ｏｃｏ℃給入 （Ｖ−４６４） 舎ｃｏｔｏ＠込ス （Ｖ−４６５） 舎ＯＣＨ！祖慈〆 （Ｖ−５２０） ［相］４Ｆ込 （Ｖ−５２１） （ト瞑ぺ木 上記各基本骨格中のベンゼン環あるいはシクロヘキサン
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。

以上のような基本骨格の片側もしくは両側に前記キラル
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式（Ｂ） Ｑμ−Ｚ　−Ｑ” 〔式中、Ｑ　ｌ　１１及びＱｔｏは互いに異なった光学
活性基であって、各光学活性基は少なくとも１個の不斉
炭素原子を有し、かつ、Ｑ　１　ｍ及びＱ　”のうち少
なくとも１方の益は、不斉炭素原子が酸素、イオつ、窒
素、フッ素、塩素あるいは一〇−又は−ＣＥＮと直結し
た構造を有する。Ｚは一般式（式中、０、イ百Σ　及び
　（工Σ　は各々／′ これらの環上の任意の１〜２個の水素原子がフッ素原子
又はシアノ基に置換した構造を表わすが、上の水素原子
がフッ素原子又はシアノ基に置換した構造においては、 Ｙｌ及びＹ２は各々独立的に単結合、−ＣＯＯ−０ＣＯ
−ＣＨｚＯ０ＣＨｔ　−ＣＨｔＣＨｘ−−ＣミＣ−−Ｃ
ｏＳ−又は−５ＣＯ−を表わすが、単結合、　ＣＯＯ０
ＣＯ−ＣＨｔｏ−又は−〇Ｃ１１！−である場合が好ま
しく、ｍ−１の場合には、Ｙ’及びＹｔの内の少なくと
も一方が単結合であることが好ましい、） で表わされる液晶性分子の中心骨格（コア）部分を表わ
す、〕 で表わされる光学活性化合物が好ましい。

−殺伐（Ｂ）で表わされる光学活性化合物において、特
に、少なくとも一方の光学活性基は前記（■−３１）〜
（ｒｌ／−９１）で表わされる基のいずれかであること
が望ましい。

このように、基本骨格の両側に互いに異ったキラル基が
結合した光学活性化合物を用いることによる利点として
以下の点を挙げることができる。

（１）　　片側にのみキラル基を有する化合物より強い
自発分極を示しうる。

部も、前記（ＴＶ−３１）〜（ＴＶ−９１）で表わされ
る基から選ばれるキラル基と（ＩＶ−１）〜（ｒＶ−２
２）で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格
の両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基と
しては（ＩＶ−３１）〜（■−９１）で表わされる基か
ら選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である
化合物をそれぞれＳＣ母体液晶に添加して、その外挿値
として自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有す
る化合物の方が１０〜３０ｎＣ／ｃｍ”あるいはそれ以
上大きい、（ＩＶ−１）〜（ｒＶ−２２）で表わされる
基に由来する自発分極はたかだか１０ｎＣ／ｃｍ”程度
であるので、両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りも大きくなっていることがわかる。

さらに（ＩＶ−３１）〜（ＩＶ−９１）で表わされる基
から選ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基
本骨格の両側に有するような化合物では、両方のキラル
基による自発分極の極性（よく知られた強誘電性液晶で
ある（Ｓ）−２−メチルブチルｂ−デシルオキシベンジ
リデンアミノフェニルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）
の極性をｅと決める。）を同一にあわせた場合には非常
に大きい自発分極を得ることができる。

この場合には両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りもさらに１００ｎＣ／ｃｍ”あるいはそれ以上に大き
な自発分極を得ることもできる。

キラルドーパントとしてはその誘起しうる自発分極が大
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のＳ
Ｃ母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、Ｓ
Ｃ−液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。

（２）　　Ｎ”相あるいはＳ００相に誘起する螺旋ピッ
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。

前述のように良好な配向性を得るためには、そのＮ６相
あるいはＳＣ０相における螺旋ピッチが長いことが重要
である。キラルドーパントは全体として螺旋ピッチが調
整されていればよいのであって、個々の化合物について
は、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの主
成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調整
が容易である。また、螺旋ピッチ調整を主目的として加
える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加量
を押えることができるので好都合である。

螺旋ピッチを長くするには、両側のキラル基による螺旋
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、（ＴＶ−３１
）〜（ＩＶ−９１）で表わされる基から選ばれる基を両
側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一であ
ることが好ましい。

（３）大きな自発分極を示しうる特に（ｒＶ−３１）〜
（ＩＶ−９１）で表わされる基から選ばれるキラル基で
あって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得ら
れたものは、その光学純度は必ずしも１００％ではない
ものが多いが、これらを１００％に精製するのはかなり
困難である。しかしながら、天然物から得られた（Ｓ）
−２−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微生
物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高いキ
ラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマーと
なるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が容
易となり光学純度を１００％に近づけることができる。

一般式（Ｂ）の化合物は、キラルドーパントの構成成分
として１０％以上、好ましくは３０％以上、特に好まし
くは５０％以上用いるのが有効である。

一般式（Ｂ）の化合物中で、特に好ましい基本骨格とキ
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。

上記−殺伐中、Ｒ４及びＲ４’は各々独立的に炭素原子
数２〜１０のアルキル基を表わし、Ｒ３及びＲ、Ｉは各
々独立的に炭素原子数１〜１０のアルキル基を表わし、
Ｒ７は炭素原子数２〜１０の直鎖状のアルキル基又は炭
素原子数３〜１０の分岐状のアルキル基、又は炭素原子
数４〜１０の少なくとも１個の不斉炭素を含む光学的活
性なアルキル基を表わし、！は０〜５の整数を表わし、
Ｙは単結合、〜ｏ−，−ｏｃｏ−、−ｃｏｏ−、又は−
ｏｃｏｏ　−を表わし、Ｗは、塩素フッ素又は−〇−Ｃ
）Ｉｎを表わし、Ｚ′は、 Ｃ０Ｏ− −ＯＣＯ−。

ＣＩｌ、Ｏ。

０Ｃ１１，２゜ 又は単結合を Ｘ′及びＸ４は各々独立的に水素原子、フッ素原子又は
シアノ基を表わし、Ｘ！は水素原子又はｘｌを表わし、
Ｘ３は水素原子又はＸ４を表わす及びＸ４のうち少なく
とも一方は水素原子を表わす。

上記のキラルドーパントは、ＳＣ母体液晶中に１〜６０
重景％重量合で添加してＳＣ＃液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは２〜５０重量％の
割合で添加することが好ましい、キラルドーパントの添
加割合が６０°重量％より多いと、自発分極は増加する
が、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはる
かに粘性が大きいため、Ｓ００液晶組成物の粘度が大き
くなり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にあ
るので好ましくない、また、キラルドーパントの添加量
の増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪
影響を与える傾向にあるので好ましくない、一方、キラ
ルドーパントの添加割合がｌ［ｔ％より少ないと、自発
分極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない
。

Ｓ０９液晶組成物の自発分極の値は、３〜３０ｎＣ／ｃ
ｍ”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合を
調整することが好ましく、Ｓ００相を示すキラルドーパ
ントの場合、単独で１００ｎＣ／ＣＩ”程度の自発分極
を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起す
るキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加割
合は１０〜４０！量％の範囲が好ましく、３００ｎＣ／
ｃｍ”以上の強い自発分極を示すキラルドーパントの場
合、キラルドーパントの添加割合は、２〜２５重量％の
範囲が好ましい、キラルドーパントの誘起する自発分極
が強い程、その最も望ましい添加割合は減少するが、例
示した光学活性化合物からなるキラルドーパントではそ
の添加割合が１重量％を下回ることはない。

本発明のＳＣ°液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてＮ１相、次いでＳＡ相を経てＳ００相へと
相転移するが、その際Ｎ０相からＳＡ相への相転移温度
（以下Ｎ”−ＳＡ点という、）から、該Ｎ”　−３Ａ点
の１度高温側までにおけるＮ°相に出現する螺旋のピン
チが３μｍ以上であるＳＣ°液晶組成物がより好ましく
、該螺旋のピンチが１０ｕｍ以上であり、Ｎ”−ＳＡ点
に近づくにつれて該螺旋のピッチが発散的に大きくなる
Ｓ００液晶組成物が特に好ましい。

−殺伐（Ｂ）の光学活性化合物のうち、両側のキラル５
Ｒど＋　Ｒ２によってＮ０相に誘起される螺旋の向きが
互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺旋ピ
ッチはかなり長いため、このような化合物をキラルドー
パントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ調整
が不要であるか、あるいは容易であることが多いが、−
ｍ的には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整するこ
とができる。

複数の光学活性化合物を含むＳＣ″液晶組成物のＮ０相
に出現する螺旋のとッチＰ（μｍ）は各光学活性物質の
濃度をＣｉ、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをＰｉ　
　（μｍ）とするとおり、（ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。）、これを用いてＳＣ１
液晶組成物の５Ａ−Ｎ′″点Ｔ０におけるＰｌをＰｅと
する時、となるようにＣｉを選べばよい、ここでＰｉは
Ｎ相を有する該ＳＣ母体液晶に各光学活性化合物を単位
濃度添加することにより測定が可能である。

実際にはＴ、は各Ｃｉによって変化するが、各光学活性
化合物を該ＳＣ母体液晶中に、濃度、ΣＣ１だけ添加し
たときの５Ａ−Ｎ”点の変化などから、かなり正確に類
推できることが多く、推定値Ｔ０とそれを用いて選ばれ
た組成物のＴｏとが大きく異なる場合には７　、　ｒに
換えでＴｏを用いて再度測定すればよい。

本発明のＳＣ８液晶組成物のＮ０相を示す温度範囲は、
３度以上３０度未満の範囲が好ましい。

Ｎ０相を示す温度範囲が、３度未満である場合、降温時
にすみやかにＳＡ相に相転移するため、Ｎ０相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い、また、Ｎ０相を示す温度範囲が３０度以上である場
合、ＳＣ°液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液
晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ぼ
す傾向にあるので好ましくない。

キラルードーパントは、キラルドーパント自体の液晶性
の有無にかかわらず、ＳＣ母体液晶に添加した場合に、 （１）　　Ｎ”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は （２）　　Ｎ’″相を示す温度範囲を縮小する傾向にあ
るもの など、それぞれ固有の性質を有している０本発明のＳＣ
°液晶組成物のＮ０相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、（１）の場合、Ｎ相を示す温
度範囲が狭いＳＣ母体液晶、又は、Ｎ相を示さないＳＣ
母体液晶を用いればよく、（２）の場合、Ｎ相を示す温
度範囲が広いＳＣ母体液晶を用いればよい、この方法は
、Ｎ９相に限らず、ＳＡ相及びＳ０１相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーパントが
ＳＣ＊液晶組成物のＳＡ相のみを拡大し、Ｎ°相及びＳ
００相を縮小するような場合には、ＳＣ母体液晶として
、ＳＣ相の上限温度が高く、Ｎ相の温度範囲が広く、か
つ、ＳＣ相→Ｎ相→Ｉ相の相系列を有するもの、又はＳ
Ａ相の温度範囲が狭＜Ｓｃ相→ＳＡ相→Ｎ相→■相の相
系列を有するものを用いればよい。

このようなキラルドーパントの傾向は、ＳＣ母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるＳＣ°液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、Ｓ００液晶組成
物における各相、特にＮ１相を示す温度範囲は容易にｉ
Ｐｌ整することができる。

本発明で使用するキラルドーパントとしては、一定量の
ＳＣ母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極（以下、Ｐ３と省略する。）を誘起することが
必要である。

前述の如く、ＳＣ４液晶組成物としては、そのＰ、の値
が、特に室温付近で３〜３０　ｎＣ／　Ｃ１ｌ”の範囲
になるようにキラルドーパントの添加量を調整すればよ
い、しかしながら、キラルドーパントが誘起するＰ、の
値が小さい場合には、その添加量がＳＣ母体液晶に対し
て多くなり、これに伴なってＳ００液晶組成物の粘性が
大きくなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾
向にあるので好ましくない、従って、本発明で使用する
キラルドーパントとしては、ＳＣ母体液晶に１０重重量
添加した場合に１．　ＯｎＣ／　ｃｔｎ　”以上のＰ、
を誘起できるものが好ましく、５重量％添加した場合に
０、５　ｎＣ／　ｃｔａ”以上のＰ、を誘起できるもの
が特に好ましい。

ノ 〔実施例〕 以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない、なお、実施例中、１％」は重量
％を表わす、また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（Ｄ
ＳＣ）を併用して行った。

実施例Ｉ ＳＣ母体液晶に添加してＳＣ″液晶組成物とした際に、
Ｎ０相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、式 （この化合物を以下に示したＳＣ母体液晶に１０％添加
した際にＮ″相に出現させる螺旋のピンチは６０°Ｃに
おいて４．７　ｐ　ｍである。）の化合物７３％と、左
巻きの螺旋を出現させる化合物として、式 （この化合物を以下に示したＳＣ母体液晶に１０％添加
した際にＮ°相に出現させる螺旋のピッチは６０℃にお
いて１１．９μｍである。）の化合物２７％とを混合し
て、Ｎ０相に出現させる螺旋のピッチが調整されたキラ
ルドーパントを調製した。

このキラルドーパントを、以下に示したＳＣ母体液晶に
２０％添加して得たＳＣ′″液晶組成物の２５°Ｃにお
ける自発分極の値は、５．５　ｎＣ７ｃｍ”であった。

なお、用いたＳＣ母体液晶は前記−殺伐（Ｉ−ａ−１）
で表わされる化合物から からなる組成物（以下、母体液晶（Ａ）という、）であ
り、５７°Ｃ以下でＳＣ相を、６４．５°Ｃ以下でＳＡ
相を、６９°Ｃ以下でＮ相を各々示した。なお、６０℃
における螺旋ピッチの値は外挿的に求めた値である。

次に、この母体液晶（Ａ）８０％と、高温液晶として前
記−殺伐（ｎｌ−ａ−１）で表わされる化合物から式 ２０％から成るＳＣ相の温度範囲が拡大されたＳＣ母体
液晶を調製した。（以下、母体液晶（Ｂ）という、） この母体液晶（Ｂ）は６８．５℃以下でＳＣ相を、７３
．５″Ｃ以下でＳＡ相を、８３．５℃以下でＮ相を各々
示し、その融点は１３℃であった。

この母体液晶（Ｂ）７４％と減粘液晶として前記式（Ｉ
Ｉ−２７）の化合物１０％、及び前記キラルドーパント
１６％からなるＳ０８液晶組成物を調製した。

このＳＣ°液晶組成物は５６℃以下でＳ０８相を、６４
°Ｃ以下でＳＡ相を、６８°Ｃ以下でＮ０相を各々示し
、それ以上の温度で、等方性液体（Ｎ相となった。また
、室温以下で長時間放置しても結晶化せず、その融点は
明確ではなかった。

このＳ００液晶組成物を、配向処理（ポリイミドコーテ
ィング−ラビング処理）を施した２枚のガラス透明電極
からなる厚さ約２μｍのセルに充填し、■相から室温ま
で徐冷を行ったところ、極めて良好な配向性を示し、均
一なモノドメインが得られた。

このセルに電界強度１０　Ｖ　Ｐ−Ｐ／　ｕ　ｍ、５０
Ｈｚの矩形波を印加してその電気光学応答速度を測定し
たところ、２５℃で７６μ秒の高速応答性が確認された
。

このときのチルト角は２５．３°、自発分極は１１、６
１１Ｃ／Ｃ１１”であり、コントラストは良好であった
。

実施例２ 実施例１において減粘液晶として用いた式（■−２７）
の化合物に代えて前記式（ＩＩ−４３）を用いた以外は
実施例１と同様にしてＳＣ′液晶組成物の調製した。実
施例１と同様にしてセルの作成し、その電気光学応答速
度の測定を行った。結果を以下に示す。

８２μ秒（２５°Ｃ） コントラストは良好であった。

比較例 実施例１において減粘液晶を用いず、母体液晶（Ｂ）８
４％と前記キラルドーパント１６％から成るＳＣ”ｆｉ
晶組成物を調製したところ、６８゛ｃまでｓｃ”相を、
７０．５℃までＳＡ相を、７６．５°ＣまでＮ”相を各
々示したが、２５°Ｃにおける電気光学応答速度は、９
９μ秒であった。

〔発明の効果〕

本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。

従って、本発明の強誘電性液晶組成物は、強誘電性スメ
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。

代 理 人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、中温域液晶、減粘液晶及び高温液晶を含有し、スメ
   クチックＣ相を示す液晶組成物に、キラルドーパントを
   添加して成る強誘電性液晶組成物であって、減粘液晶が
   一般式（Ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾ａ及びＲ＾ｂは各々独立的に炭素原子数１
   〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わすが、Ｒ
   ＾ａ及びＲ＾ｂのうち、少なくとも一方は炭素原子数１
   〜１８の直鎖状のアルキル基を表わす。 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、▲数
   式、化学式、表等があります▼はトランス −１，４−シクロヘキシレン基を表わす。）で表わされ
   る化合物を含有することを特徴とする、室温を含む広い
   温度範囲でキラルスメクチックＣ相を示す強誘電性液晶
   組成物。 ２、Ｒ＾ａ及びＲ＾ｂが各々独立的に直鎖状アルキル基
   であり、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、
   化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項１記載
   の強誘電性液晶組成物。 ３、キラルドーパントが一般式（Ｂ） Ｑ＾１＾＊−Ｚ−Ｑ＾２＾＊ 〔式中、Ｑ＾１＾＊及びＱ＾２＾＊は互いに異なった光
   学活性基であって、各光学活性基は少なくとも１個の不
   斉炭素原子を有し、かつ、Ｑ＾１＾＊及びＱ＾２＾＊の
   うち少なくとも１方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオ
   ウ、窒素、フッ素、塩素あるいは▲数式、化学式、表等
   があります▼又は−Ｃ≡Ｎと直結した構造を有する。Ｚ
   は一般式（Ｃ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式
   、化学式、表等があります▼ は各々独立的に▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又はこれら の環上の任意の１〜２個の水素原子がフッ素原子又はシ
   アノ基に置換した構造を表わし、Ｙ＾１及びＹ＾２は各
   々独立的に単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＿
   ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ
   ≡Ｃ−、−ＣＯＳ−又は−ＳＣＯ−を表わし、ｍは０又
   は１を表わす。） で表わされる液晶性分子の中心骨格（コア）部分を表わ
   す。〕 で表わされる光学活性化合物を含有する請求項１又は２
   記載の強誘電性液晶組成物。