JPH02265988A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH02265988A JPH02265988A JP1085780A JP8578089A JPH02265988A JP H02265988 A JPH02265988 A JP H02265988A JP 1085780 A JP1085780 A JP 1085780A JP 8578089 A JP8578089 A JP 8578089A JP H02265988 A JPH02265988 A JP H02265988A
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
(従来技術)
現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のT N型液晶表示素子の100〜1
ooo倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するた
め、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効
果)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツ
ターやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性
が極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研
究がなされている。
バイスでは、従来のT N型液晶表示素子の100〜1
ooo倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するた
め、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効
果)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツ
ターやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性
が極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研
究がなされている。
強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、SC*と省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、SC*と省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
sc”相を示す液晶化合物(以下、SC″化合物という
。)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかしながら、これらのSC
″′化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチ
ング素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を有すること (ハ) 略する。
。)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかしながら、これらのSC
″′化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチ
ング素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を有すること (ハ) 略する。
(ニ)
(ホ)
(へ)
こと
特にキラルネマチック(以下、N″と省)相において長
い螺旋ピッチを示すこと適当なチルト角を持つこと 粘性が小さいこと 自発分極がある程度以上大きな値であるさらに (ト)(ロ)及び(ハ)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
い螺旋ピッチを示すこと適当なチルト角を持つこと 粘性が小さいこと 自発分極がある程度以上大きな値であるさらに (ト)(ロ)及び(ハ)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
そのため、現在では、SC1相を示す液晶組成物(以下
、sc”液晶組成物という。)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
、sc”液晶組成物という。)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭61−1
53623号公報等に示されているように、sc”相の
高温域にN0相を有する液晶において、N”相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にSCI相とN”相の中間の温度域にスメクチッ
クA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配向
はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左螺
旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる光
学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られて
いる。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に光
学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さに
調整することは既に公知の技術である。)しかし、これ
らの技術によっては良好な配向性は得られるものの、高
速応答性が得られるわけではなかった。
53623号公報等に示されているように、sc”相の
高温域にN0相を有する液晶において、N”相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にSCI相とN”相の中間の温度域にスメクチッ
クA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配向
はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左螺
旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる光
学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られて
いる。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に光
学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さに
調整することは既に公知の技術である。)しかし、これ
らの技術によっては良好な配向性は得られるものの、高
速応答性が得られるわけではなかった。
高速応答性を示すには、例えば、第12回液晶討論会に
おける特別講演(同討論会予稿集P、9B)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、Psと省略する。
おける特別講演(同討論会予稿集P、9B)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、Psと省略する。
)の大きいSC”化合物を添加する方式が優れている。
この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物の
割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなるが
、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようとす
ると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり、
そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得ら
れなくなってしまう問題点があった。
割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなるが
、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようとす
ると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり、
そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得ら
れなくなってしまう問題点があった。
また、SC母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
(R,R’はアキラルなアルキル基を表わす。)(R,
R’は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
R’は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。
に実現するのは困難なことであった。
本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。
本発明は上記課題を解決するために、中温域母体液晶及
び高温液晶を含有し、スメクチックC相を示す液晶組成
物(以下、本発明で使用するSC母体液晶という。)に
、光学活性化合物から成るキラルドーパントを添加して
成る強誘電性液晶組成物であって、特に高温液晶が次の
一般式(A)で表わされる化合物の少なくとも1種を含
有し、室温を含む広い温度範囲でsc”相を示す強誘電
性液晶組成物を提供する。
び高温液晶を含有し、スメクチックC相を示す液晶組成
物(以下、本発明で使用するSC母体液晶という。)に
、光学活性化合物から成るキラルドーパントを添加して
成る強誘電性液晶組成物であって、特に高温液晶が次の
一般式(A)で表わされる化合物の少なくとも1種を含
有し、室温を含む広い温度範囲でsc”相を示す強誘電
性液晶組成物を提供する。
式中、R1及びRhは各々独立的に炭素原子数1−18
の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基を
表わすが、好ましくは少なくとも1方は直鎖状のアルキ
ル基を表わす。
の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基を
表わすが、好ましくは少なくとも1方は直鎖状のアルキ
ル基を表わす。
スー1.4−シクロヘキシレン基)を表わすが、なくと
も1個は←C)− を表わす。好ましくは を表わす。
も1個は←C)− を表わす。好ましくは を表わす。
本発明で使用するSC母体液晶は、そのSC相の高温側
において、降温時に、 (イ)I(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (ロ)■相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)■相→N相→SC相の相系列を有するもの 又は (ニ)I相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、(イ)〜(ニ)の
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
。最も繁用性のあるのは(イ)であり、キラルドーパン
トのネマチック性(SC母体液晶に添加した場合に、N
”相の温度範囲を広げ、SA相の温度範囲を狭くしやす
い傾向)が強い場合には(ロ)を、キラノνドーバント
のスメクチックA性(SC母体液晶に添加した場合に、
SA相の温度範囲を広げ、N1相の温度範囲を狭くしや
すい傾向)が強い場合には(ハ)を、また、SC性が弱
く、N9相やSA相の温度範囲を広げやすい場合などに
は(ニ)を用いるのが、最も適している。重要であるの
はS09液晶組成物とした場合の相系列であって、−船
釣には、■→N1→SA→SC′″の相系列が配向性の
点で有利である。一方、■→N”→SC*の相系列も配
向制御方法によっては、より良好な配向を示す場合もあ
り、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト・ホ
スト方式などには適している。
において、降温時に、 (イ)I(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (ロ)■相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)■相→N相→SC相の相系列を有するもの 又は (ニ)I相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、(イ)〜(ニ)の
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
。最も繁用性のあるのは(イ)であり、キラルドーパン
トのネマチック性(SC母体液晶に添加した場合に、N
”相の温度範囲を広げ、SA相の温度範囲を狭くしやす
い傾向)が強い場合には(ロ)を、キラノνドーバント
のスメクチックA性(SC母体液晶に添加した場合に、
SA相の温度範囲を広げ、N1相の温度範囲を狭くしや
すい傾向)が強い場合には(ハ)を、また、SC性が弱
く、N9相やSA相の温度範囲を広げやすい場合などに
は(ニ)を用いるのが、最も適している。重要であるの
はS09液晶組成物とした場合の相系列であって、−船
釣には、■→N1→SA→SC′″の相系列が配向性の
点で有利である。一方、■→N”→SC*の相系列も配
向制御方法によっては、より良好な配向を示す場合もあ
り、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト・ホ
スト方式などには適している。
本発明で使用するSC母体液晶は、(1)主として2環
構造であり、室温に近い温度でSC相を示す化合物又は
その同族体(アルキル鎖のみが異なる化合物)から成る
組成物(以下、中温域母体液晶という。)に、SC相の
上限温度を高くするために、(U)Tc点(SC相又は
sc”相の上限温度を表わす。)が高く、3環以上の環
構造を有する化合物又はその同族体から成る組成物(以
下、高温液晶という。)を加えて成る組成物である。
構造であり、室温に近い温度でSC相を示す化合物又は
その同族体(アルキル鎖のみが異なる化合物)から成る
組成物(以下、中温域母体液晶という。)に、SC相の
上限温度を高くするために、(U)Tc点(SC相又は
sc”相の上限温度を表わす。)が高く、3環以上の環
構造を有する化合物又はその同族体から成る組成物(以
下、高温液晶という。)を加えて成る組成物である。
(1)中温域母体液晶
本発明で用いる中温域母体液晶とは、それを構成する液
晶化合物が、光学的に不活性であり、2環構造であって
、SC相を示す化合物又は、そのアルキル鎖の炭素原子
数、形状のみが異った同族体から成り、その同族体中の
少なくとも1種の化合物は10°C以上における任意の
l′C以上の温度中の範囲でモノトロピ・ンクでもよい
SC相を示す化合物である。
晶化合物が、光学的に不活性であり、2環構造であって
、SC相を示す化合物又は、そのアルキル鎖の炭素原子
数、形状のみが異った同族体から成り、その同族体中の
少なくとも1種の化合物は10°C以上における任意の
l′C以上の温度中の範囲でモノトロピ・ンクでもよい
SC相を示す化合物である。
中温域母体液晶として用いられる化合物の代表的なもの
を以下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、
R+ 、Rzは各々独立的に炭素原子数1〜18のアル
キル基を表わす。
を以下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、
R+ 、Rzは各々独立的に炭素原子数1〜18のアル
キル基を表わす。
り
づ
(1−a)
(1−a−7)
RIO+翔OR。
(1−a−9)
(ト(酪01?。
N
(I −a−10)
R10(シで騙R8
−N
(I −a−39)
(1−a−40)
RICOO((叉&C00Rz
RICOO櫓8伽COOR2
(f−b)
(I
C)
(1−b−31)
R,0CO(い004浬O1l。
(I −b−32)
R,0COO合000(防R2
(1−b−34)
R,0COO合coo((訓OR2
(I −b−37)
R,o+coo@ 0COOR2
(1−c−22)
RICOO+C00qCOOR。
(1−c−24)
R,0CO−4訓C004温C00RZ(r −c−2
5) R10(叉coo各OR。
5) R10(叉coo各OR。
−N
(1−c−27)
R,COO−4防coo而!oR。
−N
c I −d)
(i −c−53)
RtO+COO合ORオ
(1−c−55)
RIO+C00合0CORz
(I −c−57)
(I −c−58)
R,cao+coo(沢R2
R,COO+coo(戸R2
(1−c−60)
R、COO−く;=3−===≧、ユ)−coo ((
〒〒))OCOR2(1−e) (1−f) 以上の化合物のうち、中温域母体液晶としては、式(1
−a、 )及び式(1−b)で表わされる化合物が好ま
しく、式(1−a−1)、式(1−a−2)、式(1−
a−5)、式(1−a−6)、弐(1−a−41)、式
(!−a−42)及び式(1b−1)で表わされる化合
物が特に好ましい。
〒〒))OCOR2(1−e) (1−f) 以上の化合物のうち、中温域母体液晶としては、式(1
−a、 )及び式(1−b)で表わされる化合物が好ま
しく、式(1−a−1)、式(1−a−2)、式(1−
a−5)、式(1−a−6)、弐(1−a−41)、式
(!−a−42)及び式(1b−1)で表わされる化合
物が特に好ましい。
ノ
/
/
/
(III) 高温液晶
本発明で用いる高温液晶とは、3環あるいは4環構造か
らなる光学的に不活性な化合物、あるいはそれから成る
組成物であって、各化合物は前記中温域液晶からなるS
C相の上限温度(以F、Tcと略称する。)が50〜6
0°Cの組成物に10%混合した際に、そのTcを1.
5 ”C以上上昇しうるちのであり、好ましくは、少な
くとも2環は芳香[(1,4−フェニレン、ピリミジン
−2,5−ジイル、ピラジン−2,5−ジイル、ピリジ
ン−2,5−ジイル、あるいはそのフン素置換体)であ
り、Tcが90°C以上で、かつ、SC相の温度域が5
°C以上の温度幅を有する化合物、あるいは、その側鎖
のアルキル基の炭素原子数あるいはその形状が異った同
族体であり、特に、前記−殺伐(A)で表わされる化合
物を少なくとも1種構成要素として含有することを特徴
とするものである。
らなる光学的に不活性な化合物、あるいはそれから成る
組成物であって、各化合物は前記中温域液晶からなるS
C相の上限温度(以F、Tcと略称する。)が50〜6
0°Cの組成物に10%混合した際に、そのTcを1.
5 ”C以上上昇しうるちのであり、好ましくは、少な
くとも2環は芳香[(1,4−フェニレン、ピリミジン
−2,5−ジイル、ピラジン−2,5−ジイル、ピリジ
ン−2,5−ジイル、あるいはそのフン素置換体)であ
り、Tcが90°C以上で、かつ、SC相の温度域が5
°C以上の温度幅を有する化合物、あるいは、その側鎖
のアルキル基の炭素原子数あるいはその形状が異った同
族体であり、特に、前記−殺伐(A)で表わされる化合
物を少なくとも1種構成要素として含有することを特徴
とするものである。
−殺伐(A)で表わされる化合物として具体的には、以
下の化合物を挙げることができる。
下の化合物を挙げることができる。
上記中、Crは結晶相、SBはスメクチックB相、SC
はスメクチックC相、SEはスメクチックE相、Iは等
方性液体相を各々表わす。
はスメクチックC相、SEはスメクチックE相、Iは等
方性液体相を各々表わす。
上記、弐(Iff−1,)及び(III−2)で表わさ
れる化合物は次の2環ピリミジン化合物から成るSC相
を示す液晶組成物に10重量%添加した場合、いずれも
、そのTc (SC相の上限温度)を1.5〜3°C上
昇させる効果を有していた。
れる化合物は次の2環ピリミジン化合物から成るSC相
を示す液晶組成物に10重量%添加した場合、いずれも
、そのTc (SC相の上限温度)を1.5〜3°C上
昇させる効果を有していた。
この組成物の転移温度(°C)は次の通りである。
高温液晶としては、以下の一般式(D)で表わされる化
合物が、前記−殺伐(A)の化合物と併用して使用する
ことができる。
合物が、前記−殺伐(A)の化合物と併用して使用する
ことができる。
RI XI唖)Z(へz(E)−x2− R2・・・(
D) 式中、R1及びR2は各々独立的に炭素原子数1〜18
の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わし、XI及びX
Iは各々独立的に−o−,−co。
D) 式中、R1及びR2は各々独立的に炭素原子数1〜18
の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わし、XI及びX
Iは各々独立的に−o−,−co。
−oco−、−s−、又は単結合を表わし、z’及びZ
2は各々独立的に−COL−,−0CO−、−CIl□
〇−−OCII2−〜COS 、 SCO、CH2
−CIIZ−Cミc−、又は単結合を表わし、 (VΣ、GΣ 及び 8(トX は各々独立的に、水
素原子のフッ素原子置換体を表わすが、好ましくは、X
I及びXIの少なくとも1個は単結合でフッ素原子置換
体)であり、そのうちの少なくとも1個が べqλ を
表わす場合である。
2は各々独立的に−COL−,−0CO−、−CIl□
〇−−OCII2−〜COS 、 SCO、CH2
−CIIZ−Cミc−、又は単結合を表わし、 (VΣ、GΣ 及び 8(トX は各々独立的に、水
素原子のフッ素原子置換体を表わすが、好ましくは、X
I及びXIの少なくとも1個は単結合でフッ素原子置換
体)であり、そのうちの少なくとも1個が べqλ を
表わす場合である。
前記中温域母体液晶及び高温液晶を含有するSC母体液
晶において、中温域母体液晶の配合割合は、】O〜90
重景%が好ましく、40〜80重量%が特に好ましい。
晶において、中温域母体液晶の配合割合は、】O〜90
重景%が好ましく、40〜80重量%が特に好ましい。
高温液晶の配合υ1合は10〜90重量%が好ましく、
40〜80重墳%が特に好ましい。
40〜80重墳%が特に好ましい。
高温液晶中に、上記−殺伐(A)で示される化合物は1
0%以上、特に30%以上含まれることが好ましい。
0%以上、特に30%以上含まれることが好ましい。
本発明で使用するキラルドーパントとしては、(1)S
C”相を示す化合物、(2) S C”相思外の液晶相
のみを示す化合物又は(3)液晶性を全く示さない化合
物を用いることができるが、(3)の場合には、SC母
体液晶に添加して得られるSC”液晶組成物の液晶性が
低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有す
る化合物を用いることが好ましい。
C”相を示す化合物、(2) S C”相思外の液晶相
のみを示す化合物又は(3)液晶性を全く示さない化合
物を用いることができるが、(3)の場合には、SC母
体液晶に添加して得られるSC”液晶組成物の液晶性が
低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有す
る化合物を用いることが好ましい。
キラルドーパントがSC*液晶組成物にもたらす諸物性
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。
これまでキラルドーパント、sc”化合物又はネマチッ
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。
/
/
/′
(■
CHI3
1l−R4
(■
CI+□
CIl−CIl□
01?5
(IV
C11゜
CHI−CIl□−OR。
c++i
1・
S (−CHr±、 C1l (Cil tY「C1l
3(IV−31) OC11゜ 111・ −C−0−CH−R4 (IV−32) CH。
3(IV−31) OC11゜ 111・ −C−0−CH−R4 (IV−32) CH。
0−CH−R。
(TV−48)
Cil C(J−−R5
(IV
42〕
一〇−し
し11
しII2
し11
し211゜
(IV−51)
C11,0
・ 1l
−C)I −C−5−R6
(■
C1l。
Cl1
O−R7
(IV −b4J
に−U−にH,−にH−hs
(IV−55)
−0−CIl□−CIl
(IV−57)
Cl
OCHt Cfl Rs
(IV−69)
Cl
−C00CII z C1l Rs(■
一〇
CH。
C[1z Cll CHz 0CORs(IV−
71) CH3 0C1l CH2OCOR5 (IV−72) C1(。
71) CH3 0C1l CH2OCOR5 (IV−72) C1(。
−0−CH−CHz(C0□)−−OCOR5(rV−
73) −0−C11I CH3 C)I−(CH2)−i−OCORs (IV−62) F3 0−CI−R5 (IV−64) ll3 −0−CH□−CH CH2−0R5 (TV−65) CH5 0−CIl−CH。
73) −0−C11I CH3 C)I−(CH2)−i−OCORs (IV−62) F3 0−CI−R5 (IV−64) ll3 −0−CH□−CH CH2−0R5 (TV−65) CH5 0−CIl−CH。
OR。
(IV−66)
CH。
−0+ CH,÷−C1(C1l z:Fv−OR5(
IV−57) −に00GHz−にII Ctl にzHs(
!V−75) l1x OCHz C1l 0Rs (■ CHl −5CHRs (IV−78) C、H。
IV−57) −に00GHz−にII Ctl にzHs(
!V−75) l1x OCHz C1l 0Rs (■ CHl −5CHRs (IV−78) C、H。
0−CIl□−C1l 0R6
(IV
0 COCHIla
(TV−80)
−C00CH□−C1l Rs
(IV−81)
一〇
N
CHz C1l Rs
(■
N
1・
HRs
(IV−83)
C00
CIl□CN
CHz Cll Rs
(■
一〇
H2CN
C1h C1l Rs
上記各−殺伐において、mは1〜4の整数を表わし、n
は1〜10の整数を表わし、R8は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R1は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、R1は炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
は1〜10の整数を表わし、R8は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R1は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、R1は炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
光学活性基として、式(IV−1)〜(IV−22)で
表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物で
はSC母体液晶に添加してS00液晶組成物とした際に
誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でSC0
相を示す場合でもそのほとんどが1onc/cm”以下
にすぎない。
表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物で
はSC母体液晶に添加してS00液晶組成物とした際に
誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でSC0
相を示す場合でもそのほとんどが1onc/cm”以下
にすぎない。
一方、光学活性基として、式(IV−31)〜(■91
)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物は
、SC母体液晶に添加してSC0液晶組成物とした際に
誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でsc”相
を示す場合などでは300nC/cm2以上の大きな値
を示すものも存在する。
)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物は
、SC母体液晶に添加してSC0液晶組成物とした際に
誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でsc”相
を示す場合などでは300nC/cm2以上の大きな値
を示すものも存在する。
このような光学活性基を末端に有するような光学活性化
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。
CL CH3
(V−18)
−〇Σ0ΣCH冒−〇
(V−42)
召++σ
(V
−◇罰
(V−114)
◇)ocぺ午0−
(V−138)
召X・・・・石ト0
(V
◇)OCHzB’べ今
(V−186)
Cべ砺OC−田
(V−210)
一〇に←0C11□◇)
(V−234)
召R吟QC)1.→)
(■
〈今■)・・・−の
(V
卒ヅ卒なC00JX■7
(■
や巳ス
(■
合coo祖ビ乞、
(V
畳0CO(煽ス
(V
畳CI+、0やヒバ
(■
合0Cfh漁Yシゝ・
(V
合忰i
(V−477)
℃岬ν込
(JJ
(V−479>
合cooぺ六
(V−501)
やバ俊ocoぺ望
(■
鞄バeCH,0−へ人
(V−503)
頑バ俊0CHz赫
(V−504)
召旨今coo々\
(■
lバ)oco挾入
(V−506)
lcH,oぺ人
(V
l旅■0CH2々\
上記各基本骨格中のベンゼン環あるいはシクロヘキサン
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
ノ
以上のような基本骨格の片側もしくは両側に前記キラル
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式(B) Q”−Z−Qμ 〔式中、QI″及びQ”は互いに異なった光学活性基で
あって、各光学活性基は少なくとも1個の不斉炭素原子
を有し、かつ、Q ”及びQ2”のうら少なくとも1方
の基は、不斉炭素原子が酸素、イオつ、窒素、フッ素、
塩素あるいは−C−又は−〇ミNと直結した構造を有す
る。Zは一般式(式中、(!Σ、(百Σ 及び (EΣ
は各々/′ これらの環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子
又はシアノ基に置換した構造を表わすが、上の水素原子
がフッ素原子又はシアノ基に置換しましい。
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式(B) Q”−Z−Qμ 〔式中、QI″及びQ”は互いに異なった光学活性基で
あって、各光学活性基は少なくとも1個の不斉炭素原子
を有し、かつ、Q ”及びQ2”のうら少なくとも1方
の基は、不斉炭素原子が酸素、イオつ、窒素、フッ素、
塩素あるいは−C−又は−〇ミNと直結した構造を有す
る。Zは一般式(式中、(!Σ、(百Σ 及び (EΣ
は各々/′ これらの環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子
又はシアノ基に置換した構造を表わすが、上の水素原子
がフッ素原子又はシアノ基に置換しましい。
Yl及びY2は各々独立的に単結合、−COO−0CO
CHzo 0CHz CO□C11,−−
(::=(: CO5−又は−5CO−を表わす
が、単結合、 COO’ OCOCl1z0−又は−
〇Ctl z−である場合が好ましく、m=1の場合に
は、Yl及びyzの内の少なくとも一方が単結合である
ことが好ましい。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 で表わされる光学活性化合物が好ましい。
CHzo 0CHz CO□C11,−−
(::=(: CO5−又は−5CO−を表わす
が、単結合、 COO’ OCOCl1z0−又は−
〇Ctl z−である場合が好ましく、m=1の場合に
は、Yl及びyzの内の少なくとも一方が単結合である
ことが好ましい。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 で表わされる光学活性化合物が好ましい。
−殺伐(B)で表わされる光学活性化合物において、特
に、少なくとも一方の光学活性基は前記(IV−31)
〜(IV−91)で表わされる基のいずれかであること
が望ましい。
に、少なくとも一方の光学活性基は前記(IV−31)
〜(IV−91)で表わされる基のいずれかであること
が望ましい。
このように、基本骨格の両側に互いに異ったキラル基が
結合した光学活性化合物を用いることによる利点として
以下の点を挙げることができる。
結合した光学活性化合物を用いることによる利点として
以下の点を挙げることができる。
(1)片側にのみキラル基を有する化合物より強い自発
分極を示しうる。
分極を示しうる。
即ち、前記(IV−31)〜(IV−91)で表わされ
る基から選ばれるキラル基と(ILi)〜(TV−22
)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格の
両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基とし
ては(TV−31,)〜(■−91)で表わされる基か
ら選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である
化合物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外挿値
として自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有す
る化合物の方が10〜30nC/cm”あるいはそれ以
上大きい。(TV−1,)〜(■−22)で表わされる
基に由来する自発分極はたかだかl0FIC/C!12
程度であるので、両側のキラル基による自発分極の単純
和よりも大きくなっていることがわかる。
る基から選ばれるキラル基と(ILi)〜(TV−22
)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格の
両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基とし
ては(TV−31,)〜(■−91)で表わされる基か
ら選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である
化合物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外挿値
として自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有す
る化合物の方が10〜30nC/cm”あるいはそれ以
上大きい。(TV−1,)〜(■−22)で表わされる
基に由来する自発分極はたかだかl0FIC/C!12
程度であるので、両側のキラル基による自発分極の単純
和よりも大きくなっていることがわかる。
さらに(IV−31)〜(IV−91)で表わされる基
から選ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基
本骨格の両側に有するような化合物では、両方のキラル
基による自発分極の極性(よく知られた強誘電性液晶で
ある(S) −2−メチルブチルb−デシルオキシベン
ジリデンアミノフェニルシンナメート<DOBAMBC
)の極性をeと決める。)を同一にあわせた場合には非
常に大きい自発分極を得ることができる。
から選ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基
本骨格の両側に有するような化合物では、両方のキラル
基による自発分極の極性(よく知られた強誘電性液晶で
ある(S) −2−メチルブチルb−デシルオキシベン
ジリデンアミノフェニルシンナメート<DOBAMBC
)の極性をeと決める。)を同一にあわせた場合には非
常に大きい自発分極を得ることができる。
この場合には両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りもさらに100 nC/cmzあるいはそれ以」二に
大きな自発分極を得ることもできる。
りもさらに100 nC/cmzあるいはそれ以」二に
大きな自発分極を得ることもできる。
キラルドーパントとしてはその誘起しうる自発分極が大
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、S
C”液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、S
C”液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。
(2) N”相あるいはSC1相に誘起する螺旋ピッ
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
前述のように良好な配向性を得るためには、そのN“相
あるいはS00相における螺旋ピッチが長いことが重要
である。キラルドーパントは全体として螺旋ピッチが調
整されていればよいのであって、個々の化合物について
は、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの主
成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調整
が容易である。また、螺旋ピンチ調整を主目的として加
える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加量
を押えることができるので好都合である。
あるいはS00相における螺旋ピッチが長いことが重要
である。キラルドーパントは全体として螺旋ピッチが調
整されていればよいのであって、個々の化合物について
は、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの主
成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調整
が容易である。また、螺旋ピンチ調整を主目的として加
える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加量
を押えることができるので好都合である。
螺旋ピッチを長くするには、両側のキラル基による螺旋
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(IV−91)で表わされる基から選ばれる基を両
側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一であ
ることが好ましい。
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(IV−91)で表わされる基から選ばれる基を両
側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一であ
ることが好ましい。
(3)大きな自発分極を示しうる特に(IV−31)〜
(IV−91,)で表わされる基から選ばれるキラル基
であって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得
られたものは、その光学純度は必ずしも100%ではな
いものが多いが、これらを100%に精製するのはかな
り困難である。しかしながら、天然物から得られた(S
)−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微
生物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高い
キラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマー
となるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が
容易となり光学純度を100%に近づけることができる
。
(IV−91,)で表わされる基から選ばれるキラル基
であって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得
られたものは、その光学純度は必ずしも100%ではな
いものが多いが、これらを100%に精製するのはかな
り困難である。しかしながら、天然物から得られた(S
)−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微
生物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高い
キラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマー
となるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が
容易となり光学純度を100%に近づけることができる
。
一般式(B)の化合物は、キラルドーパントの構成成分
として10%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である。
として10%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である。
−m式(B)の化合物中で、特に好ましい基本骨格とキ
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。
上記−殺伐中、R4及びR47は各々独立的に炭素原子
数2〜10のアルキル基を表わし、R3及びR、Iは各
々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わし、
R1は炭素原子数2〜10の直鎖状のアルキル基又は炭
素原子数3〜10の分岐状のアルキル基、又は炭素原子
数4〜10の少なくとも1個の不斉炭素を含む光学的活
性なアルキル基を表わし、lは0〜5の整数を表わし、
Yは単結合、−o−、−oco−、−coo−、又は−
ocoo −を表わし、Wは、塩素フッ素又は−〇
C113を表わし、Z′ は、 又は −=(◇−z −(qΣべ」)−を表わし、又は
−Coo−、−0CO−、co、o、 OCI!□、又
は単結合をまた、 においで環上の任意の1〜2個の 水素原子がフッ素原子又はシアノ基で1されていてもよ
い。
数2〜10のアルキル基を表わし、R3及びR、Iは各
々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わし、
R1は炭素原子数2〜10の直鎖状のアルキル基又は炭
素原子数3〜10の分岐状のアルキル基、又は炭素原子
数4〜10の少なくとも1個の不斉炭素を含む光学的活
性なアルキル基を表わし、lは0〜5の整数を表わし、
Yは単結合、−o−、−oco−、−coo−、又は−
ocoo −を表わし、Wは、塩素フッ素又は−〇
C113を表わし、Z′ は、 又は −=(◇−z −(qΣべ」)−を表わし、又は
−Coo−、−0CO−、co、o、 OCI!□、又
は単結合をまた、 においで環上の任意の1〜2個の 水素原子がフッ素原子又はシアノ基で1されていてもよ
い。
」二足のキラルドーパントは、SC母体液晶中に1〜6
0重量%の割合で添加してSC“液晶組成物として用い
るのが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重量%
の割合で添加することが好ましい。キラルドーパントの
添加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加する
が、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはる
かに粘性が大きいため、S01液晶組成物の粘度が太き
(なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にあ
るので好ましくない。また、キラルドーバン]・の添加
量の増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも
悪影響を与える傾向にあるので好ましくない。一方、キ
ラルドーパントの添加割合が1重量%より沙ないと、自
発分極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めな
い。
0重量%の割合で添加してSC“液晶組成物として用い
るのが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重量%
の割合で添加することが好ましい。キラルドーパントの
添加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加する
が、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはる
かに粘性が大きいため、S01液晶組成物の粘度が太き
(なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にあ
るので好ましくない。また、キラルドーバン]・の添加
量の増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも
悪影響を与える傾向にあるので好ましくない。一方、キ
ラルドーパントの添加割合が1重量%より沙ないと、自
発分極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めな
い。
S C1一液晶組成物の自発分極の値は、3〜30nC
/cm”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割
合を調整することが好ましく、SC”相を示すキラルド
ーパントの場合、単独で100r+C/CM”程度の自
発分極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を
誘起するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの
添加割合は10〜40重量%の範囲が好ましく、300
nC/cm”以上の強い自発分極を示すキラルドーパン
トの場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25重
遣%の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起する自
発分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少する
が、例示した光学活性化合物からなるキラルドーパント
ではその添加割合が1重里%を下回ることはない。
/cm”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割
合を調整することが好ましく、SC”相を示すキラルド
ーパントの場合、単独で100r+C/CM”程度の自
発分極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を
誘起するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの
添加割合は10〜40重量%の範囲が好ましく、300
nC/cm”以上の強い自発分極を示すキラルドーパン
トの場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25重
遣%の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起する自
発分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少する
が、例示した光学活性化合物からなるキラルドーパント
ではその添加割合が1重里%を下回ることはない。
本発明のSC1液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてN3相、次いでSA相を経てS C1)相
へと相転移するが、その際N1相からSA相への相転移
温度(以下N“−3A点という、)から、該N”−3A
点の1度高温側までにおりるN1相に出現する螺旋のピ
ッチが3μm以」二であるSC9液晶組成物がより好ま
しく、該螺旋のピッチが10μm以上であり、N″
S A点に近づくにつれて該螺旋のピンチが発散的に大
きくなるsc”液晶組成物が特に好ましい。
却時においてN3相、次いでSA相を経てS C1)相
へと相転移するが、その際N1相からSA相への相転移
温度(以下N“−3A点という、)から、該N”−3A
点の1度高温側までにおりるN1相に出現する螺旋のピ
ッチが3μm以」二であるSC9液晶組成物がより好ま
しく、該螺旋のピッチが10μm以上であり、N″
S A点に近づくにつれて該螺旋のピンチが発散的に大
きくなるsc”液晶組成物が特に好ましい。
−殺伐(B)の光学活性化合物のうち、両側のキラル5
R+” 、Rz”によってN2相に誘起される螺旋の向
きが互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺
旋ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラル
ドーパントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ
調整が不要であるか、あるいは容易であることが多いが
、−船釣には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整す
ることができる。
R+” 、Rz”によってN2相に誘起される螺旋の向
きが互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺
旋ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラル
ドーパントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ
調整が不要であるか、あるいは容易であることが多いが
、−船釣には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整す
ることができる。
複数の光学活性化合物を含むS00液晶組成物のN1相
に出現する螺旋のピッチP(μm)は各光学活性物質の
濃度をCi、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをPi
(μm)とするとおり、(ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。)、これを用いてsc”
液晶組成物の5A−N“点T0におけるPlをPT+と
する時、となるようにCiを選べばよい。ここでPiは
N相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物を単位
濃度添加することにより測定が可能である。
に出現する螺旋のピッチP(μm)は各光学活性物質の
濃度をCi、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをPi
(μm)とするとおり、(ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。)、これを用いてsc”
液晶組成物の5A−N“点T0におけるPlをPT+と
する時、となるようにCiを選べばよい。ここでPiは
N相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物を単位
濃度添加することにより測定が可能である。
実際にはToは各Ciによって変化するが、各光学活性
化合物を該SC母体液晶中に、濃度ΣCiだけ添加した
ときの5A−N9点の変化などから、かなり正確に類推
できることが多く、推定値T 01とそれを用いて選ば
れた組成物のToとが大きく異なる場合にはT 0rに
換えてToを用いて再度測定すればよい。
化合物を該SC母体液晶中に、濃度ΣCiだけ添加した
ときの5A−N9点の変化などから、かなり正確に類推
できることが多く、推定値T 01とそれを用いて選ば
れた組成物のToとが大きく異なる場合にはT 0rに
換えてToを用いて再度測定すればよい。
本発明のSCI液晶組成物のN9相を示す温度範囲は、
3度以上30度未満の範囲が好ましい。
3度以上30度未満の範囲が好ましい。
N9相を示す温度範囲が、3度未満である場合、降温時
にすみやかにSA相に相転移するため、N”相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い。また、N”相を示す温度範囲が30度以上である場
合、S01液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液
晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ぼ
す傾向にあるので好ましくない。
にすみやかにSA相に相転移するため、N”相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い。また、N”相を示す温度範囲が30度以上である場
合、S01液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液
晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ぼ
す傾向にあるので好ましくない。
キラルドーパントは、キラルドーパント自体の液晶性の
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1) N”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は (2)N“相を示す温度範囲を縮小する傾向にあるもの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のSC
″′液晶組成物のN0相を示す温度範囲を上記の好まし
い範囲に調整するためには、(])の場合、N相を示す
温度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないS
C母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す
温度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法
は、N8相に限らず、SA相及びS01相についても同
様に応用することができる。例えば、キラルドーパント
がSC“液晶組成物のSA相のみを拡大し、NI相及び
S01相を縮小するような場合には、SC母体液晶とし
て、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、
かつ、SC相→N相−→I相の相系列を有するもの、又
はSA相の温度範囲が狭りSC相→SA相→N相→I相
の相系列を有するものを用いればよい。
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1) N”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は (2)N“相を示す温度範囲を縮小する傾向にあるもの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のSC
″′液晶組成物のN0相を示す温度範囲を上記の好まし
い範囲に調整するためには、(])の場合、N相を示す
温度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないS
C母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す
温度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法
は、N8相に限らず、SA相及びS01相についても同
様に応用することができる。例えば、キラルドーパント
がSC“液晶組成物のSA相のみを拡大し、NI相及び
S01相を縮小するような場合には、SC母体液晶とし
て、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、
かつ、SC相→N相−→I相の相系列を有するもの、又
はSA相の温度範囲が狭りSC相→SA相→N相→I相
の相系列を有するものを用いればよい。
このようなギラルドーバントの傾向は、SC母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるS01液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、SC”液晶組成
物における各相、特にN”相を示す温度範囲は容易に調
整することができる。
一定量のキラルドーパントを添加して得られるS01液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、SC”液晶組成
物における各相、特にN”相を示す温度範囲は容易に調
整することができる。
本発明で使用するキラルドーパントとしては、一定量の
SC母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極(以下、P、と省略する。)を誘起することが
必要である。
SC母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極(以下、P、と省略する。)を誘起することが
必要である。
前述の如く、S09液晶組成物としては、そのP、の値
が、特に室温付近で3〜30nC/Cll1zの範囲に
なるようにキラルドーパントの添加量を調整すればよい
。しかしながら、キラルドーパントが誘起するPwの値
が小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して
多くなり、これに伴なってS01液晶組成物の粘性が大
きくなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向
にあるので好ましくない。従って、本発明で使用するキ
ラルドーパントとしては、SC母体液晶に10ii量%
添加した場合に1.OnC/cta″以上のP、を誘起
できるものが好ましく、5重量%添加した場合に0.5
nC/cm”以上のP3を誘起できるものが特に好まし
い。
が、特に室温付近で3〜30nC/Cll1zの範囲に
なるようにキラルドーパントの添加量を調整すればよい
。しかしながら、キラルドーパントが誘起するPwの値
が小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して
多くなり、これに伴なってS01液晶組成物の粘性が大
きくなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向
にあるので好ましくない。従って、本発明で使用するキ
ラルドーパントとしては、SC母体液晶に10ii量%
添加した場合に1.OnC/cta″以上のP、を誘起
できるものが好ましく、5重量%添加した場合に0.5
nC/cm”以上のP3を誘起できるものが特に好まし
い。
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
/
ヂ
〆
実施例1
中温域母体液晶として前記−殺伐(1−a−1)で表わ
される化合物から 31.5% 31.5% 高温液晶として前記式(III−1)で表わされる化合
物10%から成るSC母体液晶を調製した。
される化合物から 31.5% 31.5% 高温液晶として前記式(III−1)で表わされる化合
物10%から成るSC母体液晶を調製した。
このSC母体液晶は、57゛C以下でSC相を示した。
次にSC母体液晶に添加してSC“液晶組成物とした際
に、N“相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、
弐 / フ / / I3 (この化合物をSC母体液晶に10%添加した際にN0
相に出現させる螺旋のピッチは60°Cにおいて4.7
μm(外挿値)である。) の化合物73%と、左巻きの螺旋を出現させる化合物と
して、式、 (この化合物をSC母体液晶に10%添加した際にN1
相に出現させる螺旋のピッチは60°Cにおいて約11
.9μm(外挿値)である。)の化合物27%とを混合
して、N0相に出現させる螺旋のピッチが調整されたキ
ラルドーパントを調製した。
に、N“相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、
弐 / フ / / I3 (この化合物をSC母体液晶に10%添加した際にN0
相に出現させる螺旋のピッチは60°Cにおいて4.7
μm(外挿値)である。) の化合物73%と、左巻きの螺旋を出現させる化合物と
して、式、 (この化合物をSC母体液晶に10%添加した際にN1
相に出現させる螺旋のピッチは60°Cにおいて約11
.9μm(外挿値)である。)の化合物27%とを混合
して、N0相に出現させる螺旋のピッチが調整されたキ
ラルドーパントを調製した。
このキラルドーパント10%と上記SC母体液晶に90
%から成るSC“液晶組成物の25゛Cにおける自発分
極の値は、約6nC/cm2であった。
%から成るSC“液晶組成物の25゛Cにおける自発分
極の値は、約6nC/cm2であった。
次に、上記SC母体液晶84%と上記キラルドーパント
16%からなるSC″液晶組成物を調製した。
16%からなるSC″液晶組成物を調製した。
このsc”液晶組成物ば61°C以下でSC“相を示し
た。このSC“液晶組成物を配向処理(ポリイミドコー
ティング−ラビング処理)を施した2枚のガラス透明電
極からなる厚さ約2μmのセルに充填し、等方性液体相
から室温まで徐冷を行ったところ、良好な配向性を示し
、均一なS04相のモノドメインが得られた。
た。このSC“液晶組成物を配向処理(ポリイミドコー
ティング−ラビング処理)を施した2枚のガラス透明電
極からなる厚さ約2μmのセルに充填し、等方性液体相
から室温まで徐冷を行ったところ、良好な配向性を示し
、均一なS04相のモノドメインが得られた。
このセルに電界強度i 0 V P−F/ u m、5
0 Hzの矩形波を印加してその電気光学応答速度を測
定したところ、25“Cで41μ秒の高速応答性が確認
された。このときの自発分極は12.2 nC/c+o
”チルト角は26.8 ’でコントラストは非常に良好
であった。
0 Hzの矩形波を印加してその電気光学応答速度を測
定したところ、25“Cで41μ秒の高速応答性が確認
された。このときの自発分極は12.2 nC/c+o
”チルト角は26.8 ’でコントラストは非常に良好
であった。
実施例2
実施例1において式(III−1)の化合物に代えて前
記式(III−2)の化合物を用いた以外は実施例1と
同様にしてSC″液晶組成物を調製した。
記式(III−2)の化合物を用いた以外は実施例1と
同様にしてSC″液晶組成物を調製した。
このSC”液晶組成物は、63°C以下でSC゛相を示
し、実施例1と同様にして電気光学応答速度を測定した
ところ、25°Cで45μ秒の高速応答性を示した。ま
た、コントラストも良好であった。
し、実施例1と同様にして電気光学応答速度を測定した
ところ、25°Cで45μ秒の高速応答性を示した。ま
た、コントラストも良好であった。
本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
従って、本発明の強誘電性液晶組成物は、強誘電性スメ
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、中温域母体液晶及び高温液晶を含有し、スメクチッ
クC相を示す液晶組成物に、光学活性化合物から成るキ
ラルドーパントを添加して成る強誘電性液晶組成物であ
って、高温液晶が一般式(A) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^a及びR^bは各々独立的に炭素原子数1
〜18の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシ
ル基を表わし、▲数式、化学式、表等があります▼は▲
数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、▲数式、
化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等があ
ります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
、表等があります▼を表わし、▲数式、化学式、表等が
あります▼ は▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼(トランス−1,4
−シクロヘキシレン基)を表わすが、▲数式、化学式、
表等があります▼及び ▲数式、化学式、表等があります▼のうち少なくとも1
個は▲数式、化学式、表等があります▼を 表わす。〕 で表わされる化合物を含有することを特徴とする室温を
含む広い温度範囲でキラルスメクチックC相を示す強誘
電性液晶組成物。 2、R^a及びR^bが各々独立的に炭素原子数1〜1
8の直鎖状アルキル基であり、▲数式、化学式、表等が
あります▼及び▲数式、化学式、表等があります▼が共
に▲数式、化学式、表等があります▼である請求項1記 載の強誘電性液晶組成物。 3、キラルドーパントが一般式(B) Q^1^*−Z−Q^2^* 〔式中、Q^1^*及びQ^2^*は互いに異なった光
学活性基であって、各光学活性基は少なくとも1個の不
斉炭素原子を有し、かつ、Q^1^*及びQ^2^*の
うち少なくとも1方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオ
ウ、窒素、フッ素、塩素あるいは▲数式、化学式、表等
があります▼又は−C≡Nと直結した構造を有する。Z
は一般式(C) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式
、化学式、表等があります▼ は各々独立的に▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又はこれら の環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子又はシ
アノ基に置換した構造を表わし、Y^1及びY^2は各
々独立的に単結合、−COO−、−OCO−、−CH_
2O−、−OCH_2−、−CH_2CH_2−、−C
≡C−、−COS−又は−SCO−を表わし、mは0又
は1を表わす。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 で表わされる光学活性化合物を含有する請求項1又は2
記載の強誘電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1085780A JPH02265988A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1085780A JPH02265988A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02265988A true JPH02265988A (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=13868400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1085780A Pending JPH02265988A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02265988A (ja) |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1085780A patent/JPH02265988A/ja active Pending
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