JPS60254120A - 強誘電性液晶を透明状態に保持する方法 - Google Patents
強誘電性液晶を透明状態に保持する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光表示素子、オプトエレクトロニクス素子等
として強誘電性液晶素子を使用する場合に必要な、強誘
電性液晶を透明状態、すなわち高光透過性状態に保持す
る方法に関する。
として強誘電性液晶素子を使用する場合に必要な、強誘
電性液晶を透明状態、すなわち高光透過性状態に保持す
る方法に関する。
近年、Ｔ Ｎ （ｔｗｉＩ！ｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）
型、ＤＳＭ（ｄｙｎａｍｉｃ ａｃａｔｔｅｒｌｎｇ
ｍｏｄｅ）型、ゲスト−ホスト（ｇｕｅｓｔ−ｈｏｓｔ
） 型等のネマチック液晶を用いる表示素子が開発され
広く使われている。しかしこれらネマチック液晶素子の
共通の欠点として、立上り速度が数ｍ〜数十ｍ５ｅｃ
と極めて遅い事があげられる。またコントラストも余シ
高くない。
型、ＤＳＭ（ｄｙｎａｍｉｃ ａｃａｔｔｅｒｌｎｇ
ｍｏｄｅ）型、ゲスト−ホスト（ｇｕｅｓｔ−ｈｏｓｔ
） 型等のネマチック液晶を用いる表示素子が開発され
広く使われている。しかしこれらネマチック液晶素子の
共通の欠点として、立上り速度が数ｍ〜数十ｍ５ｅｃ
と極めて遅い事があげられる。またコントラストも余シ
高くない。
一方、近年強誘電性液晶が開発され
（Ｊ、 Ｐｈｙｓｉｑｕｅ、 ＪＡ （／９７！ｒ）Ｌ
４９． 尚、強誘電性液晶については、例へば、日本物
理学会誌第３ｊ巻第コ号１ｌＩｏ〜１ｌＩＩＩ頁Ｃｌ９
ｇの に解説されている。）これを利用した、新しいタ
イプの表示素子が種々提案されている。
４９． 尚、強誘電性液晶については、例へば、日本物
理学会誌第３ｊ巻第コ号１ｌＩｏ〜１ｌＩＩＩ頁Ｃｌ９
ｇの に解説されている。）これを利用した、新しいタ
イプの表示素子が種々提案されている。
第−の型は、吉野等の提案によるものであり、強誘電性
液晶を封入した比較的厚いセルに電圧を印加する事によ
り、スメクチック強誘電性液晶に特有のヘリカル構造が
消失し、之れに伴い光散乱が減少して透明度が上る効果
を利用するものである（Ｋ、Ｙｏｓｈｉｎｏ ｅｔ ａ
ｌ、、 Ｊａｐａｎ、 Ｊ、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ。
液晶を封入した比較的厚いセルに電圧を印加する事によ
り、スメクチック強誘電性液晶に特有のヘリカル構造が
消失し、之れに伴い光散乱が減少して透明度が上る効果
を利用するものである（Ｋ、Ｙｏｓｈｉｎｏ ｅｔ ａ
ｌ、、 Ｊａｐａｎ、 Ｊ、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ。
／り Ｃ／９７ｇ＞ ！；９７ ） 。
第二の型は、Ｃ１ａｒｋ等によυ提案されたものであシ
、数μｍという極めて薄いセルに強誘電性液晶を封入し
、これを偏光板の間に置き電圧を印加する方法である。
、数μｍという極めて薄いセルに強誘電性液晶を封入し
、これを偏光板の間に置き電圧を印加する方法である。
これは壁面に強制された液晶分子の配向を、電界による
自発分極の反転を利用して再配向させ、之れに伴い複屈
折が変化する事を利用する素子である（Ｎ、Ａ、Ｃ１ａ
ｒｋ ｅｔ ａｌ、、 Ａｐｐｌ。
自発分極の反転を利用して再配向させ、之れに伴い複屈
折が変化する事を利用する素子である（Ｎ、Ａ、Ｃ１ａ
ｒｋ ｅｔ ａｌ、、 Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、Ｌｓｔｔ、３Ａ （／２ＫＯ） ざ９）。
第三の型は、吉野等の提案によるものであり、自発分極
反転時の分子再配向に伴う激しい分子運動による光散乱
を利用する素子である（吉野他；レーザー研究Ｖ’ｏｌ
、 ／２ Ｃｌ９ｇ’ｌ） 、２？）。
反転時の分子再配向に伴う激しい分子運動による光散乱
を利用する素子である（吉野他；レーザー研究Ｖ’ｏｌ
、 ／２ Ｃｌ９ｇ’ｌ） 、２？）。
第一の壓の素子は、自発分極を有効に使っていないので
応答速度は余り早くなく、第二の型の素子は、高速であ
るが素子作成が容易でなく、また偏光子を使わざるを得
ないという欠点がある。第三の型の素子の作成は容易で
かつ高速である。この素子は、バイアス電圧印加時が高
光透過性すなわち透明状態であるのに対し、自発分極反
転中は分子集団の激しい運動が生ずるため光散乱が起こ
ｐ不透明になる事を利用しておシ、透明状態を保ってい
る間はバイアス電圧を印加する事が本質的に必要である
。尚第二の型の素子では壁面での配向効果を利用するが
、バイアス電圧印加による配向を利用する方法、即ちバ
イアス電圧の極性による配向の違いとそれによる複屈折
の違いを利用する場合もある。強誘電性液晶のｒスト−
ホスト効果を利用する時も同様である。
応答速度は余り早くなく、第二の型の素子は、高速であ
るが素子作成が容易でなく、また偏光子を使わざるを得
ないという欠点がある。第三の型の素子の作成は容易で
かつ高速である。この素子は、バイアス電圧印加時が高
光透過性すなわち透明状態であるのに対し、自発分極反
転中は分子集団の激しい運動が生ずるため光散乱が起こ
ｐ不透明になる事を利用しておシ、透明状態を保ってい
る間はバイアス電圧を印加する事が本質的に必要である
。尚第二の型の素子では壁面での配向効果を利用するが
、バイアス電圧印加による配向を利用する方法、即ちバ
イアス電圧の極性による配向の違いとそれによる複屈折
の違いを利用する場合もある。強誘電性液晶のｒスト−
ホスト効果を利用する時も同様である。
以上の様に強誘電性液晶の表示素子ではバイアス電圧を
印加し双極子モーメントの方向をそろえておく必要があ
る場合がしばしばある。しかしバイアス電圧として直流
電圧を印加すると、イオン性電流に伴う電力損失が大き
くなり、更に液晶の劣化にもつながり、また時間経過と
共に空間電荷蓄積等による実効電界の低下等が起こる、
などの欠点がある。
印加し双極子モーメントの方向をそろえておく必要があ
る場合がしばしばある。しかしバイアス電圧として直流
電圧を印加すると、イオン性電流に伴う電力損失が大き
くなり、更に液晶の劣化にもつながり、また時間経過と
共に空間電荷蓄積等による実効電界の低下等が起こる、
などの欠点がある。
したがって本発明の目的は、強誘電性液晶を透明状態に
保持する方法であって、イオン性電流に伴５電力損失が
小ざく、液晶の劣化がおこ夛にくい方法を提供すること
である。
保持する方法であって、イオン性電流に伴５電力損失が
小ざく、液晶の劣化がおこ夛にくい方法を提供すること
である。
上記目的は、強誘電性液晶を電極間に挾み、との電極間
にパルス電圧を繰シ返し印加することによシ達成される
。
にパルス電圧を繰シ返し印加することによシ達成される
。
強誘電性液晶はカイラルスメクチック相で、分子長軸の
方向が第１図（ａ）の様にスメクチック層の垂線に対し
である一定の傾き角θを保ちながら層毎に首振逆回転し
、ヘリカル構造となっている。
方向が第１図（ａ）の様にスメクチック層の垂線に対し
である一定の傾き角θを保ちながら層毎に首振逆回転し
、ヘリカル構造となっている。
との場合は光散乱が多く低光透過性、即ち不透明である
。
。
一方ヘリカル構造が消失して第１図（ｂ）の状態、即ち
双極子モーメントの方向が全て揃った状態となると光散
乱は少なくなシ、透明状態となる。この状態では双極子
モーメントが揃っているので正味自発分極Ｐ、が現われ
る。
双極子モーメントの方向が全て揃った状態となると光散
乱は少なくなシ、透明状態となる。この状態では双極子
モーメントが揃っているので正味自発分極Ｐ、が現われ
る。
第１図（ＩＬ）のヘリカル構造の場合は双極子モーメン
トが互に相殺し、正味自発分極は現れない。
トが互に相殺し、正味自発分極は現れない。
さて第１図（ｂ）の状態を実現するにはＣ１ａｒｋの様
に極めて薄いセルを用い壁面の配向力を利用する方法も
あるが、一般的には電圧印加によっても可能である。即
ち電圧を印加しである時間が経てば第１図（、）→第１
図（ｂ）の転移が起こり透明状態が得られる。固体強誘
電体では欠陥等のピン止め力のため電圧印加を停止して
も元の状態に復元せず、そのま＼の状態が維持される。
に極めて薄いセルを用い壁面の配向力を利用する方法も
あるが、一般的には電圧印加によっても可能である。即
ち電圧を印加しである時間が経てば第１図（、）→第１
図（ｂ）の転移が起こり透明状態が得られる。固体強誘
電体では欠陥等のピン止め力のため電圧印加を停止して
も元の状態に復元せず、そのま＼の状態が維持される。
即ち一種の強い抗電界があり、ヒステリシスが現れる事
になる。しかし液晶では流体であるのでこのピン止め力
が存在せず、％に低粘度の場合はかなシ高速に元の状態
に復帰する。従って第１図（ｂ）の状態を保持する方法
としては直流電圧（第一図（ａｌ参照）を印加する方法
が最も安易な方法である。しかし、液晶に長時間直流電
圧を印加する事は既述のような欠点があり、好ましくな
い。
になる。しかし液晶では流体であるのでこのピン止め力
が存在せず、％に低粘度の場合はかなシ高速に元の状態
に復帰する。従って第１図（ｂ）の状態を保持する方法
としては直流電圧（第一図（ａｌ参照）を印加する方法
が最も安易な方法である。しかし、液晶に長時間直流電
圧を印加する事は既述のような欠点があり、好ましくな
い。
そこで本発明者は、直流電圧の代りにパルス電圧を印加
して透明状態を保持することができるのではないかと考
え、種々研究を行い、本発明を完成するに至った。
して透明状態を保持することができるのではないかと考
え、種々研究を行い、本発明を完成するに至った。
本発明において使用されるパルス電圧の波高値、パルス
幅、パルス間隔などは、目的とする強誘電体液晶素子自
体の特性を考慮し、該素子に要求される特性に適合する
ように適宜選択される。
幅、パルス間隔などは、目的とする強誘電体液晶素子自
体の特性を考慮し、該素子に要求される特性に適合する
ように適宜選択される。
即ち一旦第７図（ｂ）の如き配向状態が実現した後は、
この状態を維持するのに直流電圧を印加する必要は無く
、第２図価）の如きくシ返しノ４ルス電圧を印加すれば
良い。
この状態を維持するのに直流電圧を印加する必要は無く
、第２図価）の如きくシ返しノ４ルス電圧を印加すれば
良い。
即ち第１図（ｂ）から第１図（ａ）のヘリカル構造へ自
然復帰するのにはかなシ長い時定数τ（緩和時間）を要
するので、その時間内に適当なタイミングでパルス電圧
を印加すれば復帰が抑制され、第１図（ｂ）の状態が長
時間維持される事になる。
然復帰するのにはかなシ長い時定数τ（緩和時間）を要
するので、その時間内に適当なタイミングでパルス電圧
を印加すれば復帰が抑制され、第１図（ｂ）の状態が長
時間維持される事になる。
ところで第１図（ｂ）の状態では自発分極Ｐ８ が現れ
ているので、電圧Ｅ印加による力ＰｓＥは強く、従って
第１図の（ａ）から（ｂ）へ転移させるに要する電圧に
比べて（この場合は自発分極が現れていないので力は弱
い）、かなシ低い電圧で第１図（ｂ）の状態が維持され
ることになる。即ち一度第１図（ｂ）の配向状態となれ
ば、後は低いパルス電圧の〈シ返し印加（第２図（ｅ）
参照）で同状態が維持される。
ているので、電圧Ｅ印加による力ＰｓＥは強く、従って
第１図の（ａ）から（ｂ）へ転移させるに要する電圧に
比べて（この場合は自発分極が現れていないので力は弱
い）、かなシ低い電圧で第１図（ｂ）の状態が維持され
ることになる。即ち一度第１図（ｂ）の配向状態となれ
ば、後は低いパルス電圧の〈シ返し印加（第２図（ｅ）
参照）で同状態が維持される。
また、第７図（、）から（ｂ）に転移が進行するに従い
正味自発分極が現れ始める。その結果、自発分極による
トルクを利用できる事になるので、第２図（ｄ）の様に
パルス幅をしだいに短くシ、或いは第一図（ｅ）の様に
パルス波高値をしだいに低くシ、最終的に第１図（ｂ）
の状態を維持するようにパルス電圧を印加してもよい。
正味自発分極が現れ始める。その結果、自発分極による
トルクを利用できる事になるので、第２図（ｄ）の様に
パルス幅をしだいに短くシ、或いは第一図（ｅ）の様に
パルス波高値をしだいに低くシ、最終的に第１図（ｂ）
の状態を維持するようにパルス電圧を印加してもよい。
このパルス幅、パルス波高値、パルス間隔は、実験的に
決定することができる。
決定することができる。
なお、第１図（、）の不透明状態にある液晶に、初めか
らパルス電圧を印加して、透明状態を達成し、これを保
持することも可能である。この場谷、パルスのオン時、
オフ時での液晶の応答速度が異や、オン時の応答速度の
方が高いため、パルス波高値がある値よシ大きければ、
時間の経過とともに、しだいに第１図（ｂ）に対応する
透明状態になり、その状態が保持される。しかしこのよ
うに初めからノクルス電圧を印加して透明状態、を達成
するには、比較的高いパルス電圧を必要とする。という
のは第１図（、）の状態では自発分極が現れていないた
め、ＰａＥ ）ルクが有効に使えないからである。
らパルス電圧を印加して、透明状態を達成し、これを保
持することも可能である。この場谷、パルスのオン時、
オフ時での液晶の応答速度が異や、オン時の応答速度の
方が高いため、パルス波高値がある値よシ大きければ、
時間の経過とともに、しだいに第１図（ｂ）に対応する
透明状態になり、その状態が保持される。しかしこのよ
うに初めからノクルス電圧を印加して透明状態、を達成
するには、比較的高いパルス電圧を必要とする。という
のは第１図（、）の状態では自発分極が現れていないた
め、ＰａＥ ）ルクが有効に使えないからである。
以上の様に具体的な印加パルス波形としては種々のもの
が考えられるが、本発明はくり返しパルス電圧印加によ
り、強誘電性液晶の分子配向を保持することを特徴とす
るものであシ、特別のノぐルス波形に限定されるもので
はない。
が考えられるが、本発明はくり返しパルス電圧印加によ
り、強誘電性液晶の分子配向を保持することを特徴とす
るものであシ、特別のノぐルス波形に限定されるもので
はない。
本発明は、その原理から明らかなように、あらゆる種類
の強誘電性液晶に適用することができる。
の強誘電性液晶に適用することができる。
このような強誘電性液晶の具体例として、例へば次の構
造式を有する液晶を挙げることができる。
造式を有する液晶を挙げることができる。
しかし、本発明において用いられる液晶はこれらに何ら
限定てれるものではない。
限定てれるものではない。
メ め
また、本発明においては、強誘電性液晶として単体の強
誘電性液晶、混合強誘電性液晶のいずれをも用いること
ができ、また、不純物等を混入させる事によって、素子
性能の向上を図る事もできる。
誘電性液晶、混合強誘電性液晶のいずれをも用いること
ができ、また、不純物等を混入させる事によって、素子
性能の向上を図る事もできる。
本発明によれば、イオン性電流に伴う電力損失を小さく
シ、液晶の劣化を実質的に伴うことなく、強誘電性液晶
を透明状態に保持することができる。
シ、液晶の劣化を実質的に伴うことなく、強誘電性液晶
を透明状態に保持することができる。
以下本発明の実施例を示すが、本発明はこれらの実施例
によシ限定されるものでない。
によシ限定されるものでない。
実施例／）
３枚のネサガラス板（透明導電性ガラス）表面を綿布等
で一方向にこする、いわゆるラビング処理（通常ネマチ
ック液晶でホモジニアス配向を得る目的で行われる）を
行った後、適当なス４−サー（ここでは、２５μｍ厚の
ポリエチレンテレフタレートフィルム）によって電極間
距離を保ち対峙させてセルを構成した。このセルに強誘
電性液晶としてＤ ＯＢ ＡＭ Ｂ Ｃ（Ｐ−ｄｅｃｙ
ｌｏｘｙｂｅｎｚｙｌ １ｄｅｎｅ −Ｐ’−ａｍｉｎ
ｏ −２−ｍｅｔｈ７１ｂｕｔ）’ｌｃ ｉｎｎａｍａ
ｔｅ ）を入れて素子とした。
で一方向にこする、いわゆるラビング処理（通常ネマチ
ック液晶でホモジニアス配向を得る目的で行われる）を
行った後、適当なス４−サー（ここでは、２５μｍ厚の
ポリエチレンテレフタレートフィルム）によって電極間
距離を保ち対峙させてセルを構成した。このセルに強誘
電性液晶としてＤ ＯＢ ＡＭ Ｂ Ｃ（Ｐ−ｄｅｃｙ
ｌｏｘｙｂｅｎｚｙｌ １ｄｅｎｅ −Ｐ’−ａｍｉｎ
ｏ −２−ｍｅｔｈ７１ｂｕｔ）’ｌｃ ｉｎｎａｍａ
ｔｅ ）を入れて素子とした。
この素子をＨｅ −Ｎｅレーザー光の光路上におき、素
子に印加する電圧による透過光量の変化を光電子増倍管
で測定し以下の結果を得た。
子に印加する電圧による透過光量の変化を光電子増倍管
で測定し以下の結果を得た。
セルのネサガラス間に直流電圧印加につづいて第３Ａ図
の様にパルス電圧に切り換えた。直流電圧印加前７Ａｃ
ｃのカイラルスメクチックＣ相での透過光量は少く、不
透明であったが直流電圧ＳθＶ印加により透明状態とな
った。その後パルス電圧（パルス波高値Ｖｐ：３５Ｖ）
に切シ換えるとパルス間隔Ｔｄが／ Ｏｍ５ｅｃ の時
パルス幅Ｔｐを６．りｍｌ！ｅｅ 以下とすると第３Ｂ
図の様に透過光量は脈動しつつ減少するが、パルス幅が
６．３ｍ５ｅｅ 以上の場合は第３Ｃ図の様に透明状態
、即ち高光透過状態が保持された。同様に２＋ルス間隔
／ｍ５ｅｃ の時はパルス幅θ−１ｒ ｍ５ｅｃ 以下
で透明状態が維持された。
の様にパルス電圧に切り換えた。直流電圧印加前７Ａｃ
ｃのカイラルスメクチックＣ相での透過光量は少く、不
透明であったが直流電圧ＳθＶ印加により透明状態とな
った。その後パルス電圧（パルス波高値Ｖｐ：３５Ｖ）
に切シ換えるとパルス間隔Ｔｄが／ Ｏｍ５ｅｃ の時
パルス幅Ｔｐを６．りｍｌ！ｅｅ 以下とすると第３Ｂ
図の様に透過光量は脈動しつつ減少するが、パルス幅が
６．３ｍ５ｅｅ 以上の場合は第３Ｃ図の様に透明状態
、即ち高光透過状態が保持された。同様に２＋ルス間隔
／ｍ５ｅｃ の時はパルス幅θ−１ｒ ｍ５ｅｃ 以下
で透明状態が維持された。
実施例λ）
実施例／）と同様の厚さ一タμｍの素子を用い、パルス
電圧の波高値Ｖｐを変えて実験を行った。
電圧の波高値Ｖｐを変えて実験を行った。
尚Ｖｐの波高値は前もって印加する直流電圧の値Ｖｄと
同じ値とした・ ｖｐ＝ｔｉｏｖ、パルス間隔／ Ｏｍ５ｅｃ の場合、
パルス幅９ｍ５ｅｃ未満では透過光量は脈動したが、ｑ
ｍｓｅｅ 以上では高光透過状態が維持された。
同じ値とした・ ｖｐ＝ｔｉｏｖ、パルス間隔／ Ｏｍ５ｅｃ の場合、
パルス幅９ｍ５ｅｃ未満では透過光量は脈動したが、ｑ
ｍｓｅｅ 以上では高光透過状態が維持された。
同一ハＡ／ 、Ｘ間隔Ｔｄ＝ ／ Ｏｍ５ｅｃ でｖｎ
を６０Ｖとすると高光透過状態を維持するのに必要なパ
ルス幅Ｔｐ は’Ａ−ｇ ｍ８ｅｅ 以上となった。即
ちパルス波高値が高くなると透明状態を維持するための
臨界パルス幅は短くなった。第弘図はノソルス間隔Ｔｄ
を一定とした場合の透明状態を維持するために必要なＶ
ｐ と最小のＴｐ ／ （Ｔｄ＋ Ｔｐ ）比を示す。
を６０Ｖとすると高光透過状態を維持するのに必要なパ
ルス幅Ｔｐ は’Ａ−ｇ ｍ８ｅｅ 以上となった。即
ちパルス波高値が高くなると透明状態を維持するための
臨界パルス幅は短くなった。第弘図はノソルス間隔Ｔｄ
を一定とした場合の透明状態を維持するために必要なＶ
ｐ と最小のＴｐ ／ （Ｔｄ＋ Ｔｐ ）比を示す。
即ちこの値が小さい種実用的には有利である。
実施例３）
あらかじめ直流電圧を印加するのでなく、始めからノ母
ルス電圧のみでも高光透過状態が実現できた。
ルス電圧のみでも高光透過状態が実現できた。
しかし高光透過状態にまで達するに要する時間はパルス
波高値と同一の直流電圧を印加した場合の立上り時間よ
り多少遅い。
波高値と同一の直流電圧を印加した場合の立上り時間よ
り多少遅い。
ＤＯＢＡＭＢＣ（７）、２！；μｍ厚のセルにｉ４ルス
幅１ｍ８ｅｅ 、／”ルスｆｉＪ１ 隔／ ｍ５ｅｃ
の／４’ルス電圧を印加した場合、パルス波高値Ｖｐが
９ｇ７以上で透明状態となり、これが保持された。第り
図はパルス幅Ｔｐとノぐルス間隔Ｔｄを変えた場合のパ
ルス波高値と維持できる光透過強度を示す。
幅１ｍ８ｅｅ 、／”ルスｆｉＪ１ 隔／ ｍ５ｅｃ
の／４’ルス電圧を印加した場合、パルス波高値Ｖｐが
９ｇ７以上で透明状態となり、これが保持された。第り
図はパルス幅Ｔｐとノぐルス間隔Ｔｄを変えた場合のパ
ルス波高値と維持できる光透過強度を示す。
尚あらかじめ直流電圧を印加し配向させた後パルス電圧
に切りかえると、第６図に示す様Ｋ、始めから／’Ｐル
ス電圧を印加した場合（第Ｓ図）よシ低い波高値で高光
透過状態が維持できる事がわかった。
に切りかえると、第６図に示す様Ｋ、始めから／’Ｐル
ス電圧を印加した場合（第Ｓ図）よシ低い波高値で高光
透過状態が維持できる事がわかった。
実施例弘）
実施例／）と同様な方法でセル厚１００μｍのＤＯＢＡ
ＭＢＣを用いる素子を作成し、実施例１）〜、３）と同
様の実験を行った。セル厚が厚い事に対応しＶｐは高く
なるが、実施例１）〜３）と同様にパルス電圧で高光透
過状態を維持する事が出来た。第７図は、パルスｌ５Ｉ
ＩＪ隔１０ｍ５ｅｃ で、４ルス幅Ｔｐ が／ Ｏｍ５
ｅｃ、 、２０ ｍ５ｅｃ、 ３０ ｍ５ｅｃ のパル
ス電圧を印加した場合の波高値Ｖｐ と光透過強度の関
係を示す。但しあらかじめ直流電圧を印加した後／４’
ルス電圧に切りかえた。
ＭＢＣを用いる素子を作成し、実施例１）〜、３）と同
様の実験を行った。セル厚が厚い事に対応しＶｐは高く
なるが、実施例１）〜３）と同様にパルス電圧で高光透
過状態を維持する事が出来た。第７図は、パルスｌ５Ｉ
ＩＪ隔１０ｍ５ｅｃ で、４ルス幅Ｔｐ が／ Ｏｍ５
ｅｃ、 、２０ ｍ５ｅｃ、 ３０ ｍ５ｅｃ のパル
ス電圧を印加した場合の波高値Ｖｐ と光透過強度の関
係を示す。但しあらかじめ直流電圧を印加した後／４’
ルス電圧に切りかえた。
実施例左）
実施例／）と同様な方法でセル厚１０θμ専のＨＯＢＡ
ＣＰＣ（Ｐ−ｈｅｘｙｌｏｘｙｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅ
−Ｐ’−ａｍｉｎｏ−コーｃｈｌｏｒｏｐｒｏｐＶ１
ｃｉｎｎａｍａｔｅ ）を用いた素子を作成し、実施例
／）〜３）と同様の実験を行った。ＨＯＢＡＣＰＣの自
発分極が大きい事に対応し、ＶｐはＤＯＢＡＭＢＣを用
いた素子より低くなるが、実施例１）〜３）と同様にパ
ルス電圧で透明状態を維持する事ができた。
ＣＰＣ（Ｐ−ｈｅｘｙｌｏｘｙｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅ
−Ｐ’−ａｍｉｎｏ−コーｃｈｌｏｒｏｐｒｏｐＶ１
ｃｉｎｎａｍａｔｅ ）を用いた素子を作成し、実施例
／）〜３）と同様の実験を行った。ＨＯＢＡＣＰＣの自
発分極が大きい事に対応し、ＶｐはＤＯＢＡＭＢＣを用
いた素子より低くなるが、実施例１）〜３）と同様にパ
ルス電圧で透明状態を維持する事ができた。
以上の実施例ではＤＯＢＡＭＢＣ，ＨＯＢＡＣＰＣを例
にして述べたが、他の全ての強誘電性液晶で同一の効果
が得られ、何ら強誘電性液晶の種類に限定されるもので
なく、混合強誘電性液晶、不純物を含む強誘電性液晶で
もパルス電圧による透明状態の保持が可能である。
にして述べたが、他の全ての強誘電性液晶で同一の効果
が得られ、何ら強誘電性液晶の種類に限定されるもので
なく、混合強誘電性液晶、不純物を含む強誘電性液晶で
もパルス電圧による透明状態の保持が可能である。
ま念印加ノやルス波形としてここでは矩形ノｆルスを用
いた例を示し念が、何ら矩形・やルス波形に限定される
ものでなく、パルス印加が強誘電性液晶に充分なトルク
を与へるものであれば任意の波形のノｆルス電圧を用う
る事が出来、何ら実施例に限定されるものではない。
いた例を示し念が、何ら矩形・やルス波形に限定される
ものでなく、パルス印加が強誘電性液晶に充分なトルク
を与へるものであれば任意の波形のノｆルス電圧を用う
る事が出来、何ら実施例に限定されるものではない。
第１図（ａ＞ 、 （ｂ＞は、強誘電性液晶の分子配向
の説明図であＣ１（ａ）ａ電圧を印加しない場合のヘリ
カル構造、（ｂ）は電圧（Ｅ）印加にょクヘリヵル構造
が消失した状態をそれぞれ示す。２はスメクチック層の
垂線、Ｐは双極子モーメント、太線は分子軸を示す。 第一図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）
、 （ｅ）は、強誘電性液晶に印加する各種電圧波形を
示す。 第３Ａ図は、実権例１における印加電圧波形を示す。 第３Ｂ図および第３Ｃ図は、実施例／において、ノクル
ス幅Ａ ｍ８ｅｅ および１５ｍ５ｅｃ とした場合の
、透過光量の経時変化をそれぞれ示すグラフである。 第９図は、パルス間隔を一定にした場合に、透明状態を
保持するのに必要なＶ、とＴｐ／（Ｔｐ ＋ Ｔａ）の
関係を示すグラフである。 第３図、第６図、第７図は、ｚ４ルス波高１直と透過光
量との関係を示すグラフである。 第１図 （α）（ｂ）
の説明図であＣ１（ａ）ａ電圧を印加しない場合のヘリ
カル構造、（ｂ）は電圧（Ｅ）印加にょクヘリヵル構造
が消失した状態をそれぞれ示す。２はスメクチック層の
垂線、Ｐは双極子モーメント、太線は分子軸を示す。 第一図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）
、 （ｅ）は、強誘電性液晶に印加する各種電圧波形を
示す。 第３Ａ図は、実権例１における印加電圧波形を示す。 第３Ｂ図および第３Ｃ図は、実施例／において、ノクル
ス幅Ａ ｍ８ｅｅ および１５ｍ５ｅｃ とした場合の
、透過光量の経時変化をそれぞれ示すグラフである。 第９図は、パルス間隔を一定にした場合に、透明状態を
保持するのに必要なＶ、とＴｐ／（Ｔｐ ＋ Ｔａ）の
関係を示すグラフである。 第３図、第６図、第７図は、ｚ４ルス波高１直と透過光
量との関係を示すグラフである。 第１図 （α）（ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１強誘電性液晶を電極間に挾み、この電極間にパル
ス電圧を繰シ返し印加することを特徴とする、強誘電性
液晶を透明状態に保持する方法。 （２）強誘電性液晶が、単体液晶、混合液晶、または不
純物を含む液晶である、特許請求の範囲第１項記載の方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111844A JPS60254120A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 強誘電性液晶を透明状態に保持する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111844A JPS60254120A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 強誘電性液晶を透明状態に保持する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254120A true JPS60254120A (ja) | 1985-12-14 |
Family
ID=14571578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59111844A Pending JPS60254120A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 強誘電性液晶を透明状態に保持する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254120A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62253237A (ja) * | 1986-04-26 | 1987-11-05 | Makoto Fujinami | 液晶による光通信装置 |
| JPS63143530A (ja) * | 1986-12-06 | 1988-06-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置駆動方法 |
| US5046830A (en) * | 1988-05-30 | 1991-09-10 | Alps Electric Co., Ltd. | Ferroelectric liquid crystal device with specific pitch in each of a cholesteric and a smectic phase |
| EP0661583A2 (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-05 | Shimadzu Corporation | Light modulator using a liquid crystal thick cell |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58179890A (ja) * | 1982-04-16 | 1983-10-21 | 株式会社日立製作所 | 液晶素子の駆動方法 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59111844A patent/JPS60254120A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58179890A (ja) * | 1982-04-16 | 1983-10-21 | 株式会社日立製作所 | 液晶素子の駆動方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62253237A (ja) * | 1986-04-26 | 1987-11-05 | Makoto Fujinami | 液晶による光通信装置 |
| JPS63143530A (ja) * | 1986-12-06 | 1988-06-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置駆動方法 |
| US5046830A (en) * | 1988-05-30 | 1991-09-10 | Alps Electric Co., Ltd. | Ferroelectric liquid crystal device with specific pitch in each of a cholesteric and a smectic phase |
| EP0661583A2 (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-05 | Shimadzu Corporation | Light modulator using a liquid crystal thick cell |
| EP0661583A3 (en) * | 1993-12-28 | 1996-07-24 | Shimadzu Corp | Light modulator using a very thick liquid crystal cell. |
| US5670978A (en) * | 1993-12-28 | 1997-09-23 | Shimadzu Corporation | Light modulator using an asymetrically-driven ferroelectric liquid crystal thick cell |
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